「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The low-density N-type diffusion region 108, low-density and high-density N-type diffusion regions 109 and 106, and high-density N-type diffusion region 104 form parasitic bipolar transistors 203 and 204.例文帳に追加

前記ゲートＧの近傍には、前記低濃度Ｎ型拡散領域１０８と、前記低濃度及び高濃度Ｎ型拡散領域１０９、１０６と、高濃度Ｎ型拡散領域１０４とにより寄生バイポーラトランジスタ２０３、２０４が形成される。 - 特許庁

In the first diffusion region 102, a power supply potential VSS is supplied via wiring 112 of a first wiring layer and wiring 108 provided in a second wiring layer so as to have some overlaps with the second diffusion region 104.例文帳に追加

第１の拡散領域１０２には第１の配線層の配線１１２と、第２の拡散領域１０４と重なりを有するように第２の配線層に設けられた配線１０８とを介して、電源電位ＶＳＳが給電される。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.例文帳に追加

これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁

In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.例文帳に追加

素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

A gate wiring 105 has a contact 105a with a width in the gate-length direction larger than gate electrodes 103 and 104, between a p-type impurity diffusion region 101 and an n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１とＮ型不純物拡散領域１０２との間に、ゲート電極１０３及び１０４よりもゲート長方向の幅が大きいコンタクト部１０５ａを有している。 - 特許庁

A thick film part 107a with a thickness of T1 is formed on the surface of the p-type diffusion region 103, and a thin film part 107b with a thickness of T2 thinner than the thick film part 107a is formed on the surface of the n-type diffusion region 105.例文帳に追加

ｐ型拡散領域１０３の表面には膜厚Ｔ１の厚膜部１０７ａが形成され、ｎ型拡散領域１０５の表面には、厚膜部１０７ａよりも薄い膜厚Ｔ２の薄膜部１０７ｂが形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region 197A has a function of horizontally separating the electric charge discharge drain 205, which is formed in the deep part of a substrate and is formed to have a smaller width, as compared with the impurity diffusion region 197A of a pixel part.例文帳に追加

また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。 - 特許庁

Metal is arranged around a PolySi film and in a diffusion region with PolySi-film added to provide the capacitor made of the PolySi film and for increasing shading at the diffusion region in the capacitor and the capacity of the capacitor.例文帳に追加

PolyＳｉ膜製のキャパシタを有し、このキャパシタの拡散領域部の遮光およびキャパシタの容量を増加させることを目的として、PolyＳｉ膜の周囲および拡散領域にメタルを配置して、PolyＳｉ-メタル容量を付加させる。 - 特許庁

The noises generated at a noise generating source 201 pass sequentially through a grounding metallic electrode 202, a contact hole 208, a p-type diffusion region 209, and a parasitic resistor 210 on a p-type semiconductor substrate and reach a p-type diffusion region 206.例文帳に追加

ノイズ発生源２０１で発生したノイズは接地用メタル電極２０２、コンタクトホール２０８、Ｐ型拡散層領域２０９、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１０を順に通過しＰ型拡散領域２０６に到達する。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁

To secure the gap of a contact between a gate electrode connected to a diffusion region, while forming a silicide in the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にシリサイドを形成しつつ、拡散領域に接続するコンタクトとゲート電極の間隔を確保する。 - 特許庁

A first diffusion region of a second conductivity opposed to the first conductivity is formed in the surface layer part.例文帳に追加

第１の導電型とは反対の第２の導電型の第１の拡散領域が、表層部内に形成されている。 - 特許庁

The silicon film functions as the vertical channel region of the structure and interconnects a diffusion region adjacent to the gate region.例文帳に追加

シリコン膜は構造の垂直チャネル領域の働きをし、ゲート領域に隣接した拡散領域を相互接続する。 - 特許庁

In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38.例文帳に追加

一方、縦型ＰＮＰトランジスタ２１では、Ｎ＋型拡散領域３８でトランジスタ２１形成領域を囲っている。 - 特許庁

A container 17 to adjust the uniformity of the plasma density is installed in a diffusion region of plasma generated in a line state.例文帳に追加

ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。 - 特許庁

A first impurity diffusion region is formed on a surface layer portion of the semiconductor substrate on the inner side of the seal ring.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。 - 特許庁

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４に形成されたＰ型アイソレーション層８の周囲にＮ＋型拡散領域９を形成する。 - 特許庁

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。 - 特許庁

A diffusion region 10 is formed in a substrate 8 and an annular electrode 12 is formed on the upper surface thereof.例文帳に追加

基板８内に拡散領域１０を形成し、拡散領域１０の上面には、環状の電極１２を形成する。 - 特許庁

A halo region 13 as an n-type region is formed along one side of the p-type diffusion region 12.例文帳に追加

このｐ型拡散領域１２の一方の辺に沿ってｎ型領域であるｈａｌｏ領域１３を形成する。 - 特許庁

In analysis of bulk specimens by WDS, the spatial resolution is limited to 0.1 to 1 μm by the diameter of the electron-diffusion region. 例文帳に追加

WDSによるバルク試料の分析では、空間分解能は電子拡散領域の直径によって0.1〜1μmに限定される。 - 科学技術論文動詞集

A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたドリフト領域１１の一方の側方にＰ型ボディ部５を形成し、このＰ型ボディ部５上にＮ^＋型第１ソース拡散領域部７1ＳおよびＮ^＋型第２ソース拡散領域部７２Ｓを形成する。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

An N-type impurity diffusion region 124 is provided adjacent to the surface-layer P-type impurity diffusion region 122, and the diffusion regions 122 and 124 are connected to a signal terminal 140, via a silicide layer 130 that is formed on the surface.例文帳に追加

表層のＰ型不純物拡散領域１２２と隣接してＮ型不純物拡散領域１２４が設けられ、これらの拡散領域１２２，１２４は、その表面に形成したシリサイド層１３０を介して信号端子１４０に接続される。 - 特許庁

Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁

Even if the CO converter 810 and the CO selective oxidation apparatus 830 are not heated with an electric heater, it is possible to prevent the catalyst from getting wet to be deteriorated by storing the water which is obtained, for example, by condensing the water vapor in a gas diffusion region 812 and a diffusion region.例文帳に追加

電気ヒーターにてＣＯ変成器810およびＣＯ選択酸化器830を加熱しなくても、仮に水蒸気が凝縮した水はガス拡散領域812および拡散領域で貯留させ、触媒が濡れて劣化することを防止できる。 - 特許庁

The gate electrode 5B, p-type diffusion region, and a first-layer wiring M1H are connected to each other at a shared contact 9A1 and the gate electrode 5E, an n-type diffusion region 7A6, and a first-layer wiring M1I are connected to one another at a shared contact 9A2.例文帳に追加

ゲート電極５ＢおよびＰ型拡散領域と１層目配線Ｍ１Ｈとはシェアードコンタクト９Ａ１で接続され、ゲート電極５ＥおよびＮ型拡散領域７Ａ６と１層目配線Ｍ１Ｉとはシェアードコンタクト９Ａ２で接続される。 - 特許庁

The Zener diode 2 is formed on a diffusion region (a P-type diffusion region for forming the Zener diode 2), separated from the DMOS transistor 1, in a drain region of the DMOS transistor 1 in different density (or may be in the same density).例文帳に追加

ツェナダイオード２は、ＤＭＯＳトランジスタ１のドレイン電極領域内のＤＭＯＳトランジスタ１とは異なる濃度（或いは同濃度であっても良い）で分離された拡散領域（ツェナダイオード２形成用のＰ型拡散領域）上に形成されて成る。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。 - 特許庁

An LDMOS transistor comprises: a gate electrode formed on a semiconductor substrate via a gate insulating film; a source diffusion region and a drain diffusion region each formed in the semiconductor substrate at the both side of the gate electrode; and a field drain portion.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板中にそれぞれ形成されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、フィールドドレイン部と、を備える。 - 特許庁

In the memory 32, the quantity of current flowing from one source/drain diffusion region 13 to the other source/drain diffusion region 13 upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the memory function body 25.例文帳に追加

半導体記憶素子３２では、メモリ機能体２５に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン領域１３から他方のソース／ドレイン領域１３に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁

The diffusion layer 3 for the fuel cell is equipped with a metallic gas diffusion region 12, and a substrate region 11 adjacently arranged in an electrode containing carbon of the fuel cell, and a conducting region 13 made of a different material from the materials of the gas diffusion region 12 and the substrate region 11 is installed between the gas diffusion region 12 and the substrate region 13.例文帳に追加

金属製のガス拡散領域１２と、カーボンを含んでなり燃料電池の電極に隣接配置され得る下地領域１１と、を備えた燃料電池用拡散層３において、ガス拡散領域１２と下地領域１１との間に、ガス拡散領域１２および下地領域１１とは異なる材料により形成された導電領域１３を設けた。 - 特許庁

A P-type diffusion region 44 is formed on a surface of the substrate 21, which is under each circuit element so that the region 44 will play the role of junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

A matrix, and a diffusion agent which is mixed into the matrix and diffuses the incident light are included in the diffusion region of the light.例文帳に追加

前記光の拡散領域はマトリックス、及びマトリックスに混入されて、入射された光を拡散する拡散剤を含む。 - 特許庁

A deep central diffusion region is eliminated and accordingly cell density increases and on-resistance of the MOSFET is improved.例文帳に追加

深い中央拡散部を削除することによりセル密度が増加し、かつＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を改善することができる。 - 特許庁

A diffusion region 25 in which a diffusion pattern of a V-groove shape is arranged is formed at a central part of the lens incident surface 24.例文帳に追加

レンズ入光面２４の中央部にはＶ溝状の拡散パターンを配列した拡散領域２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a unit pixel of a photo detecting apparatus capable of improving charge transfer efficiency in a floating diffusion region.例文帳に追加

フローティング拡散領域においての電荷伝送効率を向上させることのできる光感知装置の単位ピクセルを提供する。 - 特許庁

To reduce leakage current in a floating diffusion region without leaving an electrical charge on a photo diode to improve yield of an imaging device.例文帳に追加

フォトダイオードに電荷を残すことなく、フローティングディフュージョン領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上する。 - 特許庁

Application of high voltage to the inside diffusion region 1b side reduces a leak current between the adjacent elements.例文帳に追加

内部拡散領域１ｂ側に高電圧を印加することで、隣接する素子との間のリーク電流の低減が可能である。 - 特許庁

A cobalt silicide film 21 is formed on the surface of diffusion region 4 and that of base taking-out electrode 16 which are exposed.例文帳に追加

そして、露出した拡散領域４表面及びベース取り出し電極１６表面にコバルトシリサイド膜２１を形成する。 - 特許庁