「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The n^- region 2b and the p diffusion region 4b are electrically connected by a lead wire 11.例文帳に追加

ｎ^-領域２ｂとｐ拡散領域４ｂとが導線１１で電気的に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor chip 1a is separated into two regions by a separation diffusion region 107.例文帳に追加

半導体チップ１ａは、分離拡散領域１０７によって２つの領域に分離されている。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the NFET5, a p well diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

NFET５の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｐウェル拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the PFET6, an n well diffusion region 9 is formed.例文帳に追加

PFET６の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｎウェル拡散領域９が形成されている。 - 特許庁

A transfer switch transfers the signal electrical charge from the photoelectric conversion element to a floating diffusion region.例文帳に追加

転送スイッチは、光電変換素子からの信号電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する。 - 特許庁

A second contact electrode 42 is brought into contact with the first diffusion region 32 in the terminating region R3.例文帳に追加

第２コンタクト電極４２が、終端領域Ｒ３で第１拡散層３２とコンタクトする。 - 特許庁

The contact opening 213 is coupled with a second diffusion region 204 of the switching transistor 2.例文帳に追加

接触開口部２１３は、スイッチング用トランジスタ２の第２拡散領域２０４に結合している。 - 特許庁

The width of the n^+ diffusion region 1 becomes smaller at the position where the contact portion 3a is formed.例文帳に追加

ｎ^+拡散領域１の幅は、コンタクト部３ａが形成される位置において狭くなっている。 - 特許庁

A film composed of a metallic silicide is not arranged on the surface of the common diffusion region.例文帳に追加

共通拡散領域の表面上には金属シリサイドからなる膜が配置されていない。 - 特許庁

A drift region 105 is secured between the second diffusion region 110 and gate trenches 112.例文帳に追加

第２拡散領域１１０とゲートトレンチ１１２の間には、ドリフト領域１０５が確保されている。 - 特許庁

This semiconductor device includes a diffusion region formed in a first-conductivity semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の半導体層１２内に形成された拡散領域を含む。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed at the other side of the drift region 11.例文帳に追加

上記ドリフト領域１１の他方の側方にＮ^＋型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed on the other side of the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の他方の側方にはＮ^+型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

An aluminum electrode 2 is connected to the n^+ diffusion region 1, and is formed to surround the transistor cell.例文帳に追加

アルミ電極２は、ｎ^+拡散領域１に接続し、トランジスタセルを取り囲むように形成される。 - 特許庁

TRANSISTOR CIRCUIT HAVING LIGHTLY-DOPED DIFFUSION REGION COMPRISING VARIOUS RESISTORS FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION例文帳に追加

静電気放電防護用のいろいろな抵抗の軽ドープ拡散領域を有するトランジスタ回路 - 特許庁

The gate electrode of the transistor (65) and the impurity diffusion region (64) are connected through wiring (66).例文帳に追加

トランジスタ（６５）のゲート電極と不純物拡散領域（６４）とを配線（６６）が接続する。 - 特許庁

A first contact plug 41 electrically connects the first wiring layer and the first diffusion region.例文帳に追加

第１コンタクトプラグ４１は第１配線層と第１拡散領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

The semiconductor layer is configured such that a P+ diffusion region 8 and an N+ diffusion region 9 are respectively formed at each of both ends respectively connected to the anode electrode and the cathode electrode while the center is made as an intrinsic region 3.例文帳に追加

この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。 - 特許庁

The boundary part between the diffusion region 2, where the channel region 8 is formed, and the drain region 1 is formed in such a manner that it is cut into the side of the diffusion region 2 on the surface side.例文帳に追加

そして、チャネル領域８を形成する拡散領域２とドレイン領域１との境界部がその表面側で拡散領域２側に食い込まれる形状に形成されていることに特徴がある。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

An N^- diffusion region is arranged along walls of trenches 20 to 23 so that the concentration and thickness of the N^- diffusion region and a P^- mesa are depleted fully during reverse blocking operation.例文帳に追加

Ｎ^−拡散領域が、トレンチ２０〜２３の壁面に沿って並び、Ｎ^−拡散領域およびＰ^−メサの濃度および厚みが、逆ブロッキング動作中に完全に空乏化するように構成されている。 - 特許庁

A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view.例文帳に追加

押込拡散領域４４０よりも低濃度のＰ型の第１ウェル領域３００は、半導体層２００に、平面視で一部が押込拡散領域４４０と重なるように設けられている。 - 特許庁

In the aperture layer 203, an insular diffusion region 204 where p-impurities such as Zn, etc., are diffused is formed, and an insulation film 205 is accumulated on the aperture layer 203 other than the diffusion region 204.例文帳に追加

窓層２０３には島状にＺｎ等のｐ不純物が拡散された拡散領域２０４が形成され、拡散領域２０４以外の窓層２０３上には絶縁膜２０５が堆積されている。 - 特許庁

A second diffusion region 110 of a second conductivity type for electrically connecting a body region 106 of the second conductivity type to a first diffusion region 107 of the second conductivity type is provided between gate trenches 112.例文帳に追加

ゲートトレンチ１１２の間に、第２導電型のボディ領域１０６と第２導電型の第１拡散領域１０７とを導通する第２導電型の第２拡散領域１１０を設ける。 - 特許庁

The channel region is so formed that the channel width Wb on the side where the diffusion region B comes into contact with the channel region is not larger than the channel width Wa on the side where the diffusion region A comes into contact with the channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、一方の拡散領域Ａが接する側のチャネル幅Ｗａよりも他方の拡散領域Ｂが接する側のチャネル幅Ｗｂの方が大きく形成される。 - 特許庁

Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region.例文帳に追加

その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。 - 特許庁

For its sake, the doping treatment is performed separately in two times by changing its accelerating voltage, when forming a low concentration impurity diffusion region and a high concentration diffusion region existing under the tapered section of a gate electrode.例文帳に追加

そのため、ゲート電極のテーパー部の下方に存在する低濃度不純物領域と、高濃度不純物領域を形成する際、加速電圧を変えて少なくとも２回に分けてドーピング処理を行なう。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

Consequently, any position displacement between the impurity diffusion region for charge storage and the second transfer electrode is prevented from happening.例文帳に追加

従って、電荷蓄積用不純物拡散領域と第２転送電極との位置ずれは生じない。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

The photoelectric conversion part has an impurity diffusion region and generates signal charges depending on the quantity of received light.例文帳に追加

光電変換部は、不純物拡散領域を有し、受光量に応じた信号電荷を生成する。 - 特許庁

The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加

本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁

In a region AR6 located above the base diffusion region 201a and above the source diffusion region 201c, an M0 wire 301f capable of providing a predetermined voltage for preventing the source diffusion region 201c from being depleted when transferring a voltage used for writing by the transfer transistor QNi is formed.例文帳に追加

ベース拡散領域２０１ａの上部であり且つソース拡散領域２０１ｃの上部である領域ＡＲ６には、転送トランジスタＱＮｉが書込みに用いられる電圧を転送する際にソース拡散領域２０１ｃが空乏化することを防止するための所定電圧を与えられるＭ０配線３０１ｆが形成されている。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DIFFUSION REGION OF RARE EARTH ELEMENT ION, LIGHT-EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 - 特許庁

In two adjoining transistors P205 and P206, there are arranged a common source diffusion region 301, a CA via 200 arranged on the common source diffusion region 301, and a source wiring 213 which is wired on the common source diffusion region 301 and is connected to the CA via 200.例文帳に追加

隣接する２個のトランジスタＰ２０５、Ｐ２０６において、共有ソース拡散領域３０１と、この共有ソース拡散領域上３０１に配置されたＣＡビア２００と、前記共有ソース拡散領域３０１上に配線され且つ前記ＣＡビア２００に接続されたソース配線２１３とが配置される。 - 特許庁

The storage node electrode is electrically connected to a diffusion region 19 of a semiconductor substrate by means of the plug section.例文帳に追加

プラグ部によって半導体基板１の拡散領域１９との電気的接続を図っている。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁

The amplifying transistor generates the signal based on the signal electrical charge transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

増幅トランジスタは、フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づく信号を生成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

The shielding layer has a first conductivity, and forms a pn junction between the shielding layer and the first diffusion region.例文帳に追加

シールド層は第１の導電型よりなり、第１の拡散領域との間にｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

A first metal silicide film is formed in a region of a part of the first diffusion region surface.例文帳に追加

第１の拡散領域の表面の一部の領域に第１の金属シリサイド膜が形成されている。 - 特許庁

An N+ semiconductor region 12 is formed at a lower part 3a of a p-type diffusion region 3 where a channel is generated.例文帳に追加

チャネルが生じるｐ型拡散領域３の下部３ａにｎ^+半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁