「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加

ＳＯＩ層３内にＮ^+拡散領域１１が選択的に形成され、Ｎ^+拡散領域１１の全周辺領域を覆って完全分離領域４が形成される。 - 特許庁

Plasma of a treatment gas containing oxygen and Ar oxidizes the p-type diffusion region 103 and the n-type diffusion region 105 at different oxidation rates.例文帳に追加

酸素およびＡｒを含有する処理ガスのプラズマにより、ｐ型拡散領域１０３とｎ型拡散領域１０５とを、それぞれ異なる酸化レートで酸化処理する。 - 特許庁

A main electrode is provided on the impurity diffusion region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

主電極は、半導体基板の不純物拡散領域上に設けられている。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE SAME例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

A second diffusion region 104 for supplying a substrate or well potential is provided separately from a first diffusion region 102 for forming a source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースを形成する第１の拡散領域１０２と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第２の拡散領域１０４を設けている。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION REGION例文帳に追加

高耐圧デバイスおよびその製造方法、不純物拡散領域の形成方法 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

Next, the metallic layer 16 and the titanium substrate 14 are diffused together to form a diffusion region.例文帳に追加

次に、金属層１６とチタン基材１４を一緒に拡散し、拡散領域をつくる。 - 特許庁

The shunt circuit 4 is connected to the p^+ diffusion region 3 by a plurality of contacts.例文帳に追加

そして、シャント配線４を複数のコンタクトによりｐ^＋拡散領域３に接続する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter having small leakage current in the floating diffusion region.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域のリーク電流が少ない光電変換装置を提供する。 - 特許庁

In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.例文帳に追加

例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a low resistance and shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

低抵抗で浅い不純物拡散領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

A program current is reduced by using a load device connected to a source diffusion region.例文帳に追加

ソース拡散領域に連結した負荷デバイスの使用により、プログラム電流は低下される。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH DIFFUSION REGION AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 - 特許庁

An impurity diffusion region is formed in each 1st semiconductor film.例文帳に追加

第１の半導体膜の各々の内部に不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

The first electrode is connected to a diffusion region constituting the transistor.例文帳に追加

前記第１の電極は、前記トランジスタを構成する拡散領域と接続されている。 - 特許庁

A drain electrode 12 is formed in contact with the surface of the p diffusion region 6.例文帳に追加

ｐ拡散領域６の表面と接触してドレイン電極１２が形成される。 - 特許庁

In addition, each diffusion region, contact holes, and polysilicon electrodes 31-34 are formed.例文帳に追加

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、ポリシリコン電極３１〜３４を形成する。 - 特許庁

The first impurity diffusion region 13 does not reach a surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３は、下地基板の表面までは達していない。 - 特許庁

A first conductive plug 14a is positioned on the first impurity diffusion region.例文帳に追加

導電性の第１プラグ１４ａは、第１不純物拡散領域上に設けられる。 - 特許庁

Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁

To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.例文帳に追加

拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

A current measuring part 1 measures the value of a current flowing through the second diffusion region c or the fourth diffusion region e, and outputs current value signals corresponding to the measured current value.例文帳に追加

電流測定部１は、第２拡散領域または第４拡散領域を流れる電流の電流値を測定し、且つ測定された電流値に応じた電流値信号を出力する。 - 特許庁

This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。 - 特許庁

A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁

The p-type diffusion region 1B overlaps with the p-type diffusion region 1a, with an end part Sa at a substrate surface positioned directly below the sidewall insulating layer 7.例文帳に追加

ｐ型拡散領域１ｂはｐ型拡散領域１ａと重複した部分を有しており、かつ基板表面における端部ＳＡが側壁絶縁層７の真下に位置している。 - 特許庁

Four corners of a guard groove 22b in the shape of rectangular ring are made perpendicularly cross one and another, and a rounded outer auxiliary diffusion region 35 and an inner auxiliary diffusion region 34 are connected to the four corners.例文帳に追加

四角リング状のガード溝２２ｂの四隅は直角に交差させ、丸みを帯びた外側補助拡散領域３５と内側補助拡散領域３４を四隅部分に接続する。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, an n+ diffusion region 12b of the source electrode and an n+ diffusion region 13b of the drain region are formed by injecting a high-concentration n-type impurity into the simultaneously provided contact holes.例文帳に追加

なお、ソース電極のｎ＋拡散領域１２ｂとドレイン電極のｎ＋拡散領域１３ｂは、同時に設けたコンタクトホールに高濃度のｎ型不純物を注入して形成する。 - 特許庁

After an n^- diffusion region 60 becoming a drift region is formed on a p^- substrate 50, a part of the substrate 50 and the n^- diffusion region 60 are removed selectively to form a trench 51.例文帳に追加

ｐ^-基板５０にドリフト領域となるｎ^-拡散領域６０を形成した後に、基板５０およびｎ^-拡散領域６０の一部を選択的に除去してトレンチ５１を形成する。 - 特許庁

According to the plantation, an auxiliary diffusion region 153, is formed as consisting of a second impurity having a concentration higher than that of the extension region 151 and lower than that of the main diffusion region 152 of the source/drain.例文帳に追加

これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

A metallic silicide film is arranged on the surface of the impurity diffusion region, which does not constitute the common diffusion region, in a pair of the impurity diffusion regions in the first transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタの一対の不純物拡散領域のうち、共通拡散領域を構成していない方の不純物拡散領域の表面上に金属シリサイド膜が配置されている。 - 特許庁

Consequently, the diffusion region 18 formed on the half-dry mask 14 has a higher impurity concentration when compared with that in a diffusion region 16 where the half-dry mask 14 is not formed.例文帳に追加

これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

The oxide film 13 in a memory section however is formed, in contact with the lower surface of the first diffusion region 22, in the region below the gate electrode 21 and the first diffusion region 22.例文帳に追加

一方、メモリ部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

To provide a trenched DMOS transistor having a deep diffusion region which minimizes a region required to provide the deep body diffusion region having a sufficient depth.例文帳に追加

十分な深さを有する深いボディ拡散領域を設けるために必要とされる領域を最小化する、深い拡散領域を有するトレンチ形ＤＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

The impurity density of a second diffusion region constituting the first ballast resistance 4 is lower than the impurity density of a fourth diffusion region constituting the second ballast resistance 6.例文帳に追加

第１バラスト抵抗４を構成する第２拡散領域の不純物濃度は、第２バラスト抵抗６を構成する第４拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。 - 特許庁

The second control gate 11b controls a channel in a region between the select gate 3a and the first diffusion region 7a, or between the select gate 3a and the second diffusion region 7b.例文帳に追加

第２のコントロールゲート１１ｂは、セレクトゲート３ａと第１の拡散領域７ａの間、又は、セレクトゲート３ａと第２の拡散領域７ｂの間の領域のチャネルを制御する。 - 特許庁

An insulating film A or insulating film B thicker than the gate insulating film is each formed among the gate electrode, the lower dopant diffusion region, and an upper dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域及び上部不純物拡散領域間に、ゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜Ａ又は絶縁膜Ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

Even if the upper end face of a gate electrode is located below the second diffusion region 6, an offset region is not formed by the first diffusion region 5.例文帳に追加

そのことで、本発明では、ゲート電極の上端面が、第２の拡散領域６よりも下方に位置しても第１の拡散領域５により、オフセット領域を形成することはない。 - 特許庁

Further, the distance L1 between the floating diffusion region 8 and the output gate electrode 6 is set larger than the distance L2 between the floating diffusion region 8 and the reset gate electrode 11.例文帳に追加

また、フローティングディフュージョン領域８と出力ゲート電極６との間の距離Ｌ１は、フローティングディフュージョン領域８とリセットゲート電極１１との間の距離Ｌ２よりも大きい。 - 特許庁