「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an austenitic cast iron, which contains little Ni, and is superior not only in thermal fatigue strength but also in oxidation resistance.例文帳に追加

Ｎｉの含有量の少ないオーステナイト系鋳鉄であって、熱疲労強度等に優れるのみならず耐酸化性にも優れるオーステナイト系鋳鉄を提供する。 - 特許庁

To provide a method for thermally decomposing polymer waste, which is capable of suppressing the oxidation of carbide remaining after the thermal decomposition of the polymer waste.例文帳に追加

高分子系廃棄物の熱分解後に残る炭化物の酸化を抑えることが可能な高分子系廃棄物の熱分解方法を提供する。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a composite ceramic material whose strength is not reduced by repeated thermal shocks, and which has good oxidation resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

繰り返し熱衝撃を受けても強度低下が少なく、耐熱衝撃性、耐酸化性に優れたセラミックス基複合部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel which has all of superior thermal fatigue characteristics, oxidation resistance and workability though Mo, W and Cu are not added thereinto.例文帳に追加

Ｍｏ，ＷおよびＣｕを添加することなく優れた熱疲労特性、耐酸化性および加工性の全てを兼備したフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁

A Ta film which is a protection film and a metallic film is used as an etching stop layer of a feed port instead of a conventional thermal oxidation film.例文帳に追加

本発明では、従来の熱酸化膜に変えて、保護膜で、且つ、金属膜であるＴａ膜を、供給口のエッチングストップ層として使用するものである。 - 特許庁

Then, as a result of the comparison, the presence or absence of the impurity pollution of the thermal oxidation film formed on the semiconductor substrate or the semiconductor material is determined (g), (h).例文帳に追加

次に、比較の結果、半導体基板もしくは半導体材料上に形成された熱酸化膜の不純物汚染の有無を判定する（ｇ）、（ｈ）。 - 特許庁

To provide an alloy which has excellent rupture strength, a sufficiently high melting point, excellent thermal impact resistance, and excellent oxidation resistance at a high temperature.例文帳に追加

高い温度においてすぐれた破壊強度、十分に高い融点、すぐれた熱衝撃抵抗、及びすぐれた酸化抵抗を有するアロイを提供する。 - 特許庁

(c) and (d): The silicon oxide film 14 is removed by wet etching, and a relatively thin base oxide film 17 is made on the sidewall of the trench 16 by thermal oxidation.例文帳に追加

（ｃ）（ｄ）酸化シリコン膜１４をウエットエッチングにより除去し、トレンチ１６の側壁に比較的薄い膜厚の下地酸化膜１７を熱酸化にて形成する。 - 特許庁

To suppress oxidation decomposition of a separator while improving thermal stability of the separator in a battery in which a charging voltage is set over 4.2 V.例文帳に追加

充電電圧を４．２Ｖを越えて設定した電池において、セパレータの酸化分解を抑制するとともに、セパレータの熱安定性を向上させる。 - 特許庁

Anisotropic wet etching is applied using KOH aqueous solution via a thermal oxidation film 34 on a patterned upper surface to form a mirror surface 2.例文帳に追加

それから、パターニングされた上面の熱酸化膜３４を介して、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性ウェットエッチングを施し、ミラー面２を形成する。 - 特許庁

After that, thermal treatment is processed at 90-120°C that is lower than oxidation temperature of metallic cadmium to foam the pore forming material and then is pressurized at a given pressure to produce a cadmium negative electrode plate.例文帳に追加

その後、９０〜１２０℃の温度で熱処理を施して増孔剤を発泡させた後、所定の圧力で加圧してカドミウム負極板を作製する。 - 特許庁

To improve the life of a tube by suppressing and preventing the partial heating of a radiant tube by the combustion flame of the burner, the thermal deformation caused by it, and thinning oxidation due to.例文帳に追加

ラジアントチューブのバーナー燃焼火炎による局部加熱とそれによる熱変形、酸化減肉を抑制防止し、チューブ耐用寿命を改善する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming a silicon oxide film 31 by thermal oxidation under the condition in which the thickness of the surface of a diffused layer 15 becomes about 3 nm.例文帳に追加

拡散層１５の表面における厚さが３ｎｍ程度になるような条件で、シリコン酸化膜３１を熱酸化により形成する。 - 特許庁

When a diaphragm 3 is abutted against the electrode 13 and driven, an oxide film 21 is formed, at first, on the entire surface of a diaphragm substrate 2 by thermal oxidation.例文帳に追加

振動板３を電極１３に当接させて駆動させる場合には、まず、熱酸化法によって振動基板２の全面に酸化膜２１を形成する。 - 特許庁

It applies completely so that a poly silazane film as the second element isolation insulating film 32 may become depressed and a portion 31v may be buried, and a densification is performed by a thermal oxidation.例文帳に追加

第２素子分離絶縁膜３２としてのポリシラザン膜が窪み部３１ｖを埋めるように全面塗布され、熱酸化により緻密化される。 - 特許庁

The formation of a thin oxide film through thermal oxidation operation and its annealing operation in a gas, such as N_2, H_2, NH_3 or the like after that are repeated, and the oxide film of a prescribed thickness is obtained.例文帳に追加

熱酸化による薄い酸化膜の形成と、その後のＮ_2 、Ｈ_2 、ＮＨ__3 、Ａｒなどのガス中でのアニールとを繰り返し、所定の酸化膜厚とする。 - 特許庁

The first oxide film 8 is an oxide film formed by thermal oxidation, and the second oxide film 13 is an oxide film formed by CVD.例文帳に追加

第１の酸化膜８は熱酸化法によって形成された酸化膜であり、第２の酸化膜１３はＣＶＤ法によって形成された酸化膜である。 - 特許庁

Since the metal, ceramic or resin passes the barrel at a relatively low temperature supersonically, oxidation or deterioration is suppressed, and a dense thermal-sprayed coating film is formed.例文帳に追加

金属、セラミックス又は樹脂は比較的低温で、超音速でバレルを通過することにより、酸化や変質が抑えられ、緻密な溶射皮膜が形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 52 is formed on a silicon substrate 50 by a thermal oxidation method, and a high dielectric constant insulating film 54 formed of HfSiOx is formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板５０上に熱酸化法によりシリコン酸化膜５２を形成し、その上にＨｆＳｉＯｘからなる高誘電率絶縁膜５４を形成する。 - 特許庁

On the other hand, in a part of the silicon substrate exposed to the etching hole, a silicon thermal-oxidation film 120 sealing the etching hole and blockading the gap is made grow and formed.例文帳に追加

一方、そのエッチング孔に露出するシリコン基板の一部に、エッチング孔を封止してギャップを閉塞するシリコン熱酸化膜１２０を成長形成する。 - 特許庁

Then a gate G is formed by patterning the laminated film of the gate oxide film, polysilicon film, and first wiring layer, and an insulating coating film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

次に、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜、第１配線層の積層膜をパターンニングしてゲートＧを形成し、熱酸化により絶縁被膜を形成する。 - 特許庁

To provide an oil composition for heat treatment, which is superior in coolability, oxidation stability and thermal stability without containing sulfur, a sulfur compound or the like.例文帳に追加

硫黄や硫黄化合物などを添加せずに、冷却性、酸化安定性および熱安定性に優れた熱処理油組成物を提供すること。 - 特許庁

The carbon carrier is yielded by the thermal treatment of carbon particles on which a catalyst particle A for making an oxidation of carbon promote is carried.例文帳に追加

本発明は、カーボンの酸化を促進させる触媒粒子Ａが担持されてなるカーボン粒子を、加熱処理させてなるカーボン担体により上記課題を解決する。 - 特許庁

By repeating steps for forming the thermal oxidation film and performing the wet etching several times, the surface of the microlens 3 can be finished smoothly.例文帳に追加

このような熱酸化膜の形成及びウエットエッチングのステップを複数回繰り返すことによって、マイクロレンズ３の表面を平滑に仕上げることができる。 - 特許庁

In addition, an organic insulation layer is formed on a low resistance metal layer by electrodeposition to improve the oxidation resistance and thermal resistance of the low resistance metal layer.例文帳に追加

さらに電着によって低抵抗金属層上に有機絶縁層を形成して低抵抗金属層の耐酸化性・耐熱性の向上を実現する。 - 特許庁

Then, thermal oxidation is performed, the gap between structures of an optical element organizer 5a is filled with silicon oxide without clearance, and the micro lens 5 is formed.例文帳に追加

続いて熱酸化を行い、光学素子形成体５ａの各構造体間の間隙をシリコン酸化物で隙間なく埋め込み、マイクロレンズ５を形成する。 - 特許庁

The polysilicon part 21 of the diode 10 is formed by etching the same polysilicon film as a floating gate 14 as thermal oxidation films 15, 24 are made masks.例文帳に追加

ダイオード１０のポリシリコン部２１は、浮遊ゲート１４と同一のポリシリコン膜を、熱酸化膜１５及び２４をマスクとしてエッチングすることで形成される。 - 特許庁

A lower capacitor electrode 15, capacitor insulating film 10 and upper capacitor electrode 8 are formed on an element isolation film (thermal oxidation film 2) of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の素子分離膜（熱酸化膜２）上に下部容量電極１５、容量絶縁膜１０及び上部容量電極８を形成する。 - 特許庁

To provide a new membrane which has an important performance as an electrolyte membrane for a fuel cell such as ion conductivity, durability, thermal resistance, and oxidation resistance.例文帳に追加

イオン伝導性、耐久性、耐熱性、耐酸化性等の、燃料電池用電解質膜としての重要な性能を兼ね備えた新規な膜を提供する。 - 特許庁

To provide a new membrane which has an important performance as an electrolyte membrane for a fuel cell such as ion conductivity, durability, thermal resistance, and oxidation resistance.例文帳に追加

イオン伝導性、耐久性、耐熱性、耐酸化性等の、燃料電池用電解質膜としての重要な性能を兼ね備えた新規な膜を提供すること。 - 特許庁

A gate dielectric layer 160 is formed on the side walls of the monocrystalline top portions by thermal oxidation, allowing low thickness of the gate dielectric layer.例文帳に追加

ゲート誘電体層１６０は、熱酸化により単結晶上部部分の側壁の上に形成され、薄い膜厚のゲート誘電体層を可能にする。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

The carbon monoxide selection oxidation catalyst is carried on the surface of a catalyst structural body 10 having thermal conductivity, and the catalyst structural body 10 is constituted by an aluminum material on which chemical coarse surface treatment, such as anode oxidation treatment, is applied.例文帳に追加

一酸化炭素選択酸化触媒を熱伝導性の触媒構造体(10)の表面に坦持し、該触媒構造体(10)を、陽極酸化処理などの化学的粗面処理が施されたアルミニウム材によって構成する。 - 特許庁

After ions of an oxidation inhibition substance are implanted into an external edge of the light receiving part 5, an insulating film 23 is formed on the light receiving part 5 by thermal oxidation, thereby forming the insulating film 23 having the difference in film thickness in the light receiving part 5.例文帳に追加

受光部５の外縁部に、酸化抑制物質をイオン注入した後に、熱酸化により受光部５上に絶縁膜２３を形成することにより、受光部５内において膜厚差をもつ絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the thermal oxidation film located in the peripheral circuit region is removed, and second time thermal oxidation processing is performed thus forming an oxide film 9a becoming a thicker gate oxide film in the peripheral circuit region and an oxide film 9b becoming a thinner gate oxide film in the memory cell region.例文帳に追加

次に、周辺回路領域に位置する熱酸化膜が除去された後、２回目の熱酸化処理を施すことにより、周辺回路領域に膜厚のより厚いゲート酸化膜となる酸化膜９ａが形成され、メモリセル領域では膜厚のより薄いゲート酸化膜となる酸化膜９ｂが形成される。 - 特許庁

This method comprises repeating the following processes several times: a process for forming a silicon film by depositing either one of polysilicon, epitaxial silicon or amorphous silicon on a silicon substrate or on a silicon dioxide film formed on the silicon substrate by a thermal oxidation treatment; and a process for converting the above film into the silicon dioxide film by the thermal oxidation treatment.例文帳に追加

シリコン基板上に、あるいは熱酸化処理によりこのシリコン基板上に形成された二酸化シリコン膜上に、ポリシリコン、エピタキシャルシリコンあるいはアモルファスシリコンのいずれかを堆積しシリコン膜を形成する工程と、この膜を熱酸化処理し二酸化シリコン膜にせしめる工程とを複数回繰り返す。 - 特許庁

To provide a thermal spraying material used for repairing a refractory damaged part of an industrial furnace of a metal melting container, wherein the thermal spraying material is easily and excellently thermally deposited on a material to be repaired by melting the refractory particles and low melting point particles using an exothermic oxidation reaction of metal particles contained in the thermal spraying material.例文帳に追加

工業炉、金属溶融容器の耐火物損耗部位の補修に使用する溶射材料について、その材料に含まれる金属粒子の酸化発熱反応により、耐火性粒子、低融点粒子を溶融して被補修体に容易に良好に溶着させることにある。 - 特許庁

After impurities that accelerate thermal oxidation are selectively introduced onto a silicon substrate surface by ion implantation or the like, the silicon substrate onto which the impurities are introduced is subjected to oxidation (dilution oxidation), oxynitriding or reoxidation continuously to form a plurality of kinds of gate insulating films having different film thicknesses on a semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化（希釈酸化）、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed.例文帳に追加

シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。 - 特許庁

To deposit a dense thermal spray coating film containing small contents of oxides or decomposition products on the surface of a substrate with an excellent adhesive property by a low-temperature, high-speed thermal spraying, and to provide an method of applying and forming the thermal spray coating membrane having excellent physical and chemical properties such as high temperature oxidation resistance, corrosion resistance or thermal conductiv ity on the surface of the substrate.例文帳に追加

低温高速溶射によって、基材表面に酸化物や分解生成物の含有が少ない緻密な溶射皮膜を高い密着性を確保して付着形成すること、また、基材表面に耐高温酸化性、耐食性、熱伝導性などの物理化学的性質に優れた溶射被膜を被覆形成する有利な方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an aluminum-graphite-silicon carbide composite suitable for a substrate of an LED package, which has remarkably improved strength characteristics while maintaining excellent characteristics in a thermal expansion coefficient, a thermal conductivity, oxidation resistance and plating property.例文帳に追加

熱膨張係数、熱伝導率、耐酸化性、めっき性などの点で優れた特性を維持しながら強度特性を顕著に改善された、ＬＥＤパッケージの基板として好適なアルミニウム−黒鉛−炭化珪素質複合体を提供する。 - 特許庁