「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a carbon composite excellent in heat resistance, oxidation resistance, wear resistance, thermal shock resistance, shock resistance which can be manufactured in easy manufacture processes at a low cost, and to provide a method for manufacturing the composite body.例文帳に追加

耐熱性、耐酸化性、耐摩耗性、耐熱衝撃性、及び耐衝撃性等に優れ、かつ簡単な製造工程で、低コストで製造することができる炭素系複合体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a weld zone caused by welding by absorbing excessive heat upon circumference welding, to prevent the burn through and crack of a bead as well, and further, to prevent the oxidation of a weld zone by flowing a shielding gas.例文帳に追加

円周溶接する際に、余分な熱を吸収して溶接による溶接部の熱歪を抑制すると共に、ビードの溶け落ちや穴あきを防止し、又、シールドガスを流して溶接部の酸化を防止する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

To provide an ester-exchanged fat and oil composition having good oxidation stability and thermal stability, capable of providing a food having good meltability in the mouth, flavor, texture and properties, and hardly making the food greasy.例文帳に追加

酸化安定性、熱安定性が良好であり、油脂組成物や食品の口溶け、風味、食感及び物性を良好なものとし、さらに油っぽくないものとすることができるエステル交換油脂組成物を提供する。 - 特許庁

An organic microballoon dispersed material enables, at a desired temperature, the use of the ASPM having the same strength as that of the seal of a prior art made of an ASPM containing inorganic filler material and stability caused by thermal oxidation.例文帳に追加

有機マイクロバルーン分散材は、ＡＳＰＭ含有無機充填材料からなる従来技術のシールと同様の強度および熱酸化による安定性を有するＡＳＰＭの所望の温度での使用を可能とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

To provide a resin composition for optical semiconductors whose cured product is excellent in transparency, hardly suffers from deterioration in transparency by ultraviolet irradiation, and exhibits suppressed discoloration by oxidation which is a main cause of thermal deterioration.例文帳に追加

硬化物の透明性に優れ、紫外線の照射による透明性の低下が少なく、また熱劣化の主たる原因である酸化による着色が抑制された光半導体用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

Thus, the thermal stability and the oxidation stability can be improved while maintaining high conductivity of the electrolyte and battery properties including cycle property, high- temperature property and storage stability can be improved.例文帳に追加

これにより、電解質の導電率を高く保持しつつ熱的安定性および酸化安定性を向上させることができ、サイクル特性、高温特性および保存安定性などの電池特性を改善することができる。 - 特許庁

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

The stencil mask or the aperture includes a thermal oxidation film formed at a comparatively low temperature at least on its side or on its whole surface of opening pattern, thereby achieving a small corner R value.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク又はアパーチャは、開口パターンの少なくとも側面または全面に、比較的低温で形成した熱酸化膜を備えることにより、コーナＲ値の小さいステンシルマスク又はアパーチャを提供する。 - 特許庁

A thermal oxidation treatment is carried out after the temperature in the heat treatment equipment is raised to about 950°C to 1,150°C in which the viscosity coefficient of a silicon oxide film sufficiently decreases.例文帳に追加

この昇温によって、シリコン酸化膜の粘性係数が十分に小さくなる９５０℃〜１１５０℃の温度にまで熱処理装置内の温度が上昇した後、酸化性雰囲気に切り替え熱酸化処理を行う。 - 特許庁

Alternatively, the formation of an oxide film by a thermal oxidation operation and its annealing operation in a gas, such as N_2, H_2, NH_4, Ar or the like after that are performed, the oxide film is formed by a deposition method, and the oxide film of a prescribed thickness may be conducted.例文帳に追加

熱酸化による薄い酸化膜の形成とその後のＮ_2 、Ｈ_2 、ＮＨ_3 、Ａｒなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて酸化膜を形成し所定の酸化膜厚としても良い。 - 特許庁

Moreover, each diffusion region 31 is separated from a region for forming thereon such elements as transistors (an element forming region), by using each thermal oxidation film 40 so formed as to contact it with each diffusion region 31.例文帳に追加

そして、この拡散領域３１は、同拡散領域３１と接するようにして形成されている熱酸化膜４０によって、トランジスタ等の素子の形成される領域（素子形成領域）と分離されている。 - 特許庁

Subsequently, a first resist pattern is formed thereon, the etching treatment is applied on the nitride film 202 to expose the oxide film 201, and the thermal oxidation of the exposed oxide film 201 is effected to form a second oxide film whose thickness is thickened.例文帳に追加

次いでその上に第１のレジストパターンを形成し、それをマスクとして、窒化膜202をエッチング処理し、酸化膜201を露出させ、露出した酸化膜201を熱酸化し、厚膜化された第２の酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a low thermal expansion Ni base superalloy having a linear expansion coefficient equal to that of 12Cr steel and also having high temp. strength and corrosion resistance and oxidation resistance similar to those of an austenitic heat resistant alloy.例文帳に追加

本発明は、１２Ｃｒ鋼と同等の線膨張係数を持ち、かつオーステナイト系耐熱合金と同様の高温強度と耐食・耐酸化性を持つ低熱膨張Ｎｉ基超合金を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid material for magnet based on rare-earth, iron, nitrogen, hydrogen, and oxygen having a high density and a high magnetic characteristic and is excellent in thermal stability and oxidation resistance, and also to provide a method of manufacturing the material.例文帳に追加

本発明の目的は、高密度で高磁気特性を有し、熱安定性、耐酸化性に優れた希土類−鉄−窒素−水素−酸素系磁石用固形材料、及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a fuel reforming apparatus which does not cause a chain reaction of thermal oxidation even if receiving any shock or heating and quickly responds to the generation of hydrogen gas with respect to the start/stop of fuel supply.例文帳に追加

衝撃や加熱を受けても連鎖的に加熱酸化反応を引き起こすことがなく、燃料供給の開始／停止に対して水素ガスの発生量が速やかに応答する燃料改質装置を提供する。 - 特許庁

After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。 - 特許庁

In addition to the hydroxy phenyl triazine compound, as the other thermal stabilizer and light stabilizer, one or more types of mixtures selected from the other ultraviolet absorbers and oxidation preventers are added to the silk cloth ground and the silk cloth.例文帳に追加

また、ヒドロキシフェニルトリアジン系化合物に加えて、その他の熱安定剤、耐光安定剤としてその他の紫外線吸収剤、酸化防止剤から選ばれた１種又は２種以上の混合物を併用添加する。 - 特許庁

Both the amorphous semiconductor film and the amorphous semiconductor are crystallized, a polycrystalline semiconductor film and a polycrystalline semiconductor 16a are formed and the polycrystalline semiconductor film is oxidized thermally to form a thermal oxidation film 17.例文帳に追加

次いで、非晶質半導体膜及び非晶質半導体を共に結晶化し、多結晶半導体膜及び多結晶半導体１６ａにし、さらに多結晶半導体膜を熱酸化して熱酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensing device and its manufacturing method, wherein electrodes are prevented from being deformed due to thermal oxidation, and high dielectric strength is ensured between electrodes without producing a potential difference between the electrodes.例文帳に追加

熱酸化による電極の変形を防止でき、電極間のポテンシャル段差を生じさせることなく、良好な電極間耐圧を確保できる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface of an aluminum alloy base material 11 is subjected to anodic oxidation to form a porous layer 12, and a coating layer 13 with a lower thermal conductivity than the base material 11 is disposed on the porous layer 12.例文帳に追加

アルミ合金製母材１１の表面に陽極酸化処理によるポーラス層１２を形成し、該ポーラス層１２の上に上記母材１１よりも熱伝導率が低い被覆層１３を設けた構造とする。 - 特許庁

To provide a metal electrode/ceramic junction exhibiting high strength and excellent durability, generating relatively small thermal stress derived from difference of thermal expansion coefficients, and keeping high heat resistance and oxidation resistance over long period of time even when used under high temperature oxidative atmosphere, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

熱膨張係数差に起因する熱応力が相対的に小さく、高い強度及び優れた耐久性を示し、高温酸化雰囲気下で使用した場合であっても、長期間に渡って高い耐熱性、耐酸化性を示す金属電極／セラミックス接合体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a flammable gas sensor that realizes a reduction in size of the whole sensor, reduction in cost, increase of a contact cross section between a gas to be measured and oxidation catalyst particles, efficiency of transmissibility in oxidation reaction heat, and significant improvement in measurement sensitivity and measurement precision without giving thermal and mechanical stress to a thermopile.例文帳に追加

全体の小型化、コストダウンを図りつつ、測定対象ガスと酸化触媒粒子との接触断面積の増大及び酸化反応熱の伝達性の効率化を図るとともに、サーモパイルに熱的、力学的なストレスを与えないようにして測定感度及び測定精度の著しい向上を実現できる可燃性ガスセンサを提供する。 - 特許庁

The step of forming the trench etching pattern on the substrate substantially further includes depositing the silicon nitride film on the substrate on which a pad oxidation film is formed, patterning, and forming a thermal oxidation film on the inner wall surface by an annealing so as to repair etching damages between the step of forming the trench and the liner.例文帳に追加

本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。 - 特許庁

Furthermore, element to delay the oxidation of silicon is introduced into the semiconductor substrate 2 on both sides of the gate electrode 22, and after this introduction, the thermal oxidation is performed to form a silicon oxide film 26a on the semiconductor substrate 2, and to form a silicon oxide film 26b which is thicker than the silicon oxide film 26a on the sidewall of the electrode 22, at the same time.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側の半導体基板２内にシリコンの酸化を遅らせる元素を導入し、この導入後、熱酸化を行い、半導体基板２の上部にシリコン酸化膜２６ａを形成し、同時にゲート電極２２の側壁上にシリコン酸化膜２６ａより膜厚が厚いシリコン酸化膜２６ｂを形成する。 - 特許庁

A pad oxidizing film is removed from the upper surface of the layer 10, together with the formed regions 12 and 14, and then a high-quality silicon oxidation film 22 is subjected to thermal growth, until the thickness reaches about 60 Å on the surface of the layer 10.例文帳に追加

形成された領域１２および領域１４とともに、層１０の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層１０の表面に高品質シリコン酸化膜２２が厚さ約６０Åまで熱成長を行う。 - 特許庁

Next, a silicon oxide film 23 is formed by thermal oxidation in order to fill a stepped portion between a projected part 21N formed at the end of an aperture 21A of the interlayer insulating film 21 and a semiconductor layer 14 at the side wall of the second trench 22.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜２１の開口部２１Ａの端に形成された突起部２１Ｎと、第２のトレンチ２２の側壁の半導体層１４との段差を埋めるように、熱酸化処理によってシリコン酸化膜２３を形成する。 - 特許庁

To explain behavior of crack damage in an actual machine by increasing the accuracy of its development and behavior for the crack damage generated by the combination of repetition of thermal stress generated on the outside surface of a boiler heat transfer tube with high-temperature corrosion or high-temperature oxidation.例文帳に追加

ボイラ伝熱管外面で生じる熱応力の繰返しと高温腐食又は高温酸化の組合せで生じる亀裂損傷に対して、その進展挙動の高精度化を図り、実機での挙動を説明し得ること。 - 特許庁

To provide a high reliability, long life, small sized and light weight fuel reformer free from problems of the degradation or the damage to materials such as thickness loss by oxidation, creep damage or the problem of the generation of large thermal stress in a structural member.例文帳に追加

材料の酸化減肉・クリープ損傷などの材料の劣化・損傷の問題や構造部材に大きな熱応力が発生する問題がなく、高信頼性・長寿命でかつ小型軽量の燃料改質器を提供する。 - 特許庁

Then, thermal oxidation is applied to the silicon substrate 1 to thicken the silicon oxide film formed on the region RH to form a silicon oxide film 18, and a silicon oxide film 17 is formed on the region RM and the region RL.例文帳に追加

次に、シリコン基板１に熱酸化処理を施すことにより、領域ＲＨに形成されたシリコン酸化膜を厚膜化してシリコン酸化膜１８とすると共に、領域ＲＭ及び領域ＲＬにシリコン酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive oxidation catalyst for cleaning exhaust gas which has the thermal durability enough to be used practically, even when the amount of a noble metal such as platinum to be deposited is reduced to ≤0.5 wt.%, and can exhibit excellent catalysis stably.例文帳に追加

白金等の貴金属担持量を０．５重量％以下に低減しても実用に供し得る熱耐久性を有し、優れた触媒作用を安定して発揮し得る、安価な排ガス浄化用酸化触媒を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lubricating oil composition for rotary gas compressors that attains both thermal and oxidation stability and sludge resistance at a high level even when used at a high temperature, has a long life and exhibits excellent energy-saving effects.例文帳に追加

高温下で使用された場合であっても、熱・酸化安定性と抗スラッジ性の双方を高水準で達成すると同時に、長寿命で、且つ省エネルギー効果に優れる回転ガス圧縮機用潤滑油組成物を提供すること - 特許庁

The metallic member 1 is provided with; a metallic base material 2; and the oxidizing layer 4 which is formed on the surface of the metallic base material 2 by thermal oxidation, has catalytic activity and contains an amorphous oxide and a crystalline oxide.例文帳に追加

本発明の金属部材１は、金属製の基材２と、基材２の表面に熱酸化によって形成された触媒活性を有する非晶質性酸化物と結晶性酸化物とを含有する酸化層４と、を備える。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

Thermal oxidation is performed in the state that the upper ends of the silicon pillars 15 are held by the coupling parts 18, 19 of the etching mask 12, the silicon pillars 15 are oxidized, a trench 14 is buried, and a wide and uniform oxide bulk 17 is formed.例文帳に追加

シリコン柱１５の上端をエッチングマスク１２の連結部１８，１９により支持した状態で熱酸化をおこない、シリコン柱１５を酸化して、トレンチ１４を埋め、幅の広い均一な酸化物バルク１７を形成する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a capacitor plug under a ferroelectric sub stance film, in a thermal treatment process under an oxidizing atmosphere which process is performed for crystallization and damage restoration of the ferroelectric film, constituting an FeRAM cell of a COP structure.例文帳に追加

ＣＯＰ構造のＦｅＲＡＭセルを構成する強誘電体膜の結晶化やダメージ回復を目的とする、酸化性雰囲気中下での熱処理工程において、上記強誘電体膜下のキャパシタプラグの酸化を防止すること。 - 特許庁

To propose a catalyst carrier for an exhaust gas purification that has no brazing interface and no other interfaces with regard to a honeycomb structure and an outer case, thereby to avoid the occurrence of trouble such as abnormal oxidation of brazing material, thermal stress fracture, and fatigue fracture.例文帳に追加

ハニカム構造体や外筒について、ロウ付け接合箇所その他の接合箇所がなく、もって、ロウ材の異常酸化，熱応力破壊，疲労破壊等のトラブル発生が回避される、排気ガス浄化用の触媒担体を提案する。 - 特許庁

The silicon nitride film 17 is removed using the mask of a resist pattern 19, the resist pattern 19 is removed, the gate oxide film 11 is removed using the mask of the silicon nitride film 17 (F), and a third gate oxide film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクにしてシリコン窒化膜１７を除去した後、レジストパターン１９を除去し、シリコン窒化膜１７をマクスにしてゲート酸化膜１１を除去し（Ｆ）、熱酸化処理により第３ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

Before sealing of discharge gas, excess oxygen of phosphor layers 14R, 14G, 14B generated by oxidation in the thermal process in the production process is removed, for example, gas in a discharge space is replaced by reducing gas in a state of 250°C or higher.例文帳に追加

放電ガスを封入する前に、製造工程時の熱プロセスでの酸化によって過剰となった蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの酸素を取り除く、例えば、２５０℃以上の状態で、放電空間を還元ガスで置換する。 - 特許庁

Then, a surface oxide film 4,that is formed by natural oxidation is removed from the emitter opening 7, a non-doped amorphous silicon film 14 is deposited and turned into crystals large in grain diameter by a thermal treatment which is carried out at a low temperature.例文帳に追加

次にエミッタ開口部７上の自然酸化による表面酸化膜４を除去した後、ノンドープの非晶質シリコン膜１４を堆積し、低温の熱処理を加えることにより、結晶粒径の大きな多結晶状態にする。 - 特許庁