「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加

本発明方法は、（ａ）半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、（ｂ）該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル（RTA）を施す段階と、（ｃ）該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁

More specifically, silicon is cathodically electrodeposited on the material essentially consisting of Ni, Fe, Co, Cr, or the like, in the molten salt bath contg. silicon or its compd., by which the silicon diffused reforming layer or silicide diffused reforming layer of ≥1 μm is formed on the front layer and is subjected to thermal oxidation treatment in oxygen or air.例文帳に追加

具体的には、シリコン又はその化合物を含む溶融塩浴中により、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ等を主成分とする金属材料に、シリコンをカソード電析して表層に０.１μｍ以上のシリコン拡散改質層又は珪化物拡散改質層を形成し、酸素又は空気中で加熱酸化処理する。 - 特許庁

A thermal instrument 100A contains a metal powder, salts and water, incorporates a heating composition 1 heating due to oxidation of a metal, and is applied to the skin, and has an adhesive layer 7 to be directly applied to the skin on the surface and a cavity 9 is provided within the area where the adhesive layer 7 is formed.例文帳に追加

金属粉、塩類及び水を含有し、金属の酸化によって発熱する発熱組成物１を内蔵し、皮膚に適用される温熱具１００Ａであって、温熱具１００Ａの表面に直接皮膚に貼付される粘着剤層７を有し、該粘着剤層７の形成域内に空隙部９を設ける。 - 特許庁

To provide a resin having remarkably improved heat-resistance without deteriorating the properties of an epoxy resin such as adhesiveness, electrical properties, mechanical properties and weather resistance and having weather resistance and heat-resistance at the same time, keeping the reliability in high-temperature operation and free from the yellowing problem caused by the thermal oxidation of the resin.例文帳に追加

本発明は、高温動作時の信頼性確保、熱により樹脂の酸化による黄変という問題を解決するために、エポキシ樹脂の接着性、電気特性、機械特性、耐候性といった特性をほとんど損なうことなく、大幅に耐熱性を改良した、耐候性と耐熱性を兼ね備えた樹脂を提供することである。 - 特許庁

To provide a heat storage unit capable of securing large heat storage capacity and high performance, and reducing parts count and cost by absorbing volume change of heat storage material without being accompanied with falloff of heat storage capacity, falloff of heat transfer rate and oxidation degrading of thermal material by oxygen in air.例文帳に追加

蓄熱容量の減少、熱伝達率の減少および空気中の酸素による蓄熱材の酸化劣化等を伴わずに蓄熱材の体積変化を吸収することで、蓄熱容量を多く確保できて高性能化が図れ、しかも部品点数およびコストを低減することができる蓄熱ユニットの提供。 - 特許庁

When a silicon oxide film 74 is formed on a substrate 71 by using a thermal oxidation method, the surface of the substrate 71 is supplied with oxygen from both end sides in the widthwise direction of the substrate 71, the film 74 is formed because each silicon nitride film 11 is formed in a band shape having a narrow width, and the film thickness Da of the film 74 is made thinner than the film thickness Db.例文帳に追加

熱酸化法を用いて基板７１上に酸化シリコン膜７４を形成するとき、各窒化シリコン膜１１は幅の狭い帯状であるため、その幅方向両端側から基板７１の表面へ酸素が供給されて膜７４が形成され、膜７４の膜厚Ｄａは膜厚Ｄｂに比べて薄くなる。 - 特許庁

Thus the oxidation of the face coated with the metallic plate 61 can be prevented even when thermal expansion and contraction of the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick are repeated by repeated increase and decrease of the temperature in the plasma furnace, and the clearance is formed between the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick.例文帳に追加

プラズマ炉内の温度上昇下降が繰り返されることにより炉底電極耐火煉瓦６０Ａや周囲の耐火煉瓦の熱膨張収縮が繰り返され、炉底電極耐火煉瓦６０Ａと周囲の耐火煉瓦間に間隙が形成されても、金属板６１により覆われた面の酸化防止がされる。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

To obtain an alloy wire rod for heat resistant spring in which the suppression of material cost is attained, an Fe based alloy wire is adopted therefor, further, high temperature oxidation is reduced even in a high temperature atmosphere exceeding 600°C, and further, stable thermal settling resistance can be obtained, and to obtain a heat resistant spring product using the alloy wire.例文帳に追加

材料費の抑制を図ることを第一の目的とし、その為にＦｅ基合金線を採用するとともに、６００℃を越えるような高温環境中でも高温酸化が少なく、また安定した耐熱へたり性を得る耐熱ばね用の合金線材並びに該合金線による耐熱バネ製品を得ることを目的とする。 - 特許庁

To manufacture simply and safely an imitation reformed gas corresponding to a material composition of a reformed gas without reforming a wide range of kinds of fuel by a steam reforming, a partial oxidation reforming, and an auto-thermal reforming or the like, when characteristics of a fuel cell are tested according to a using fuel.例文帳に追加

燃料電池の特性を使用燃料に応じて試験する場合、広範な種類の燃料を水蒸気改質，部分酸化改質，オートサーマル改質などによって改質させることなく、改質ガスの原料組成に対応した模擬改質ガスを簡便かつ安全に製造することが望まれている。 - 特許庁

To provide a lubricating oil composition for automobiles which is low in sulfate ash level and has appropriate thermal oxidation stability, the lubricating oil composition used, in particular, for the lubrication of the crank chambers of a gasoline internal combustion engine (spark ignition) or diesel internal combustion engine (compression ignition), (the composition being called a crank chamber lubricant).例文帳に追加

硫酸灰分が低レベルで、望ましい熱酸化安定性の特徴を有する自動車用潤滑油組成物に関し、特に、ガソリン（火花点火）およびディーゼル（圧縮点火）内燃機関のクランク室の潤滑（そのような組成物は、クランク室潤滑剤と称される）に使用するためのかかる自動車用潤滑油組成物。 - 特許庁

To provide a method for carrying out a condensation reaction of 4,4'-bis(chloromethyl)biphenyl with a phenol in an industrial scale in a controlled state suppressing rapid heat evolution, and to provide a 4,4'-biphenyldiyldimethylene-phenol resin excellent in flame retardancy, oxidation resistance, thermal resistance, etc., and excellent reproducibility and uniform quality.例文帳に追加

４、４’−ビス（クロロメチル）ビフェニルとフェノールとの縮合反応を工業的に行うに際し、急激な発熱等を抑制し、反応を制御した状態で進行させる方法を得ること、及び難燃性、耐酸化性，耐熱性等に優れ、再現性の良い品質のそろった４、４’−ビフェニルジイルジメチレン−フェノール樹脂を得ることを課題とする。 - 特許庁

On the surface of a tungsten as a first metal for generating heat which becomes the bus-bar of filament wire materials, iridium as a second metal as a protective film for preventing oxidation is coated, and on the surface of the coating of the second metal, thorium oxide or yttrium metal oxide for emitting the thermal electrons is coated.例文帳に追加

フィラメント線材の母線となる発熱用の第１の金属としてのタングステンの表面に、酸化防止用の保護膜としての第２の金属としてのイリジウムをコーティングし、前記第２の金属の被膜の表面に熱電子出用のトリウム酸化物またはイットリウム金属酸化物をコーティングするようにする。 - 特許庁

Further, since the third layer 16 comprising the mixed transmission body as the first layer 12 provided on a reduction side is provided on an oxidation side in the same thickness dimension, even when the oxygen separation membrane 10 is exposed to a high temperature at usage or the like, difference of the thermal expansion amount on both surfaces is not generated.例文帳に追加

しかも、還元側に設けられた第１層１２と同一の混合伝導体から成る第３層１６が酸化側にも同一の厚さ寸法で設けられていることから、使用時等において酸素分離膜１０が高温に曝された場合にも、その両面における熱膨張量の相違が生じない。 - 特許庁

To obtain a polyimide which has not only excellent various physical properties but also improved melt flowability, thermal oxidation stability, optical characteristics, electric characteristics, and so on, and is especially useful as a functional material used in electronic and electric fields, by specifying the purity of a diamine of raw material.例文帳に追加

本発明の目的は、ポリイミドが本来有する優れた諸物性を有する上に、原料出あるジアミンの純度を規定することにより溶融流動性、熱酸化安定性、光学特性が優れまた電気特性が特に向上したポリイミド、またはその前駆体であるポリアミド酸を提供することにある。 - 特許庁

To provide a sheath for heat treatment having excellent mechanical strength and thermal shock resistance, usable in both oxidation and reduction atmospheres in high temperatures of 1100°C or higher, having excellent permeability, and capable of also contributing to uniform heating and baking and energy-saving by suppressing heat capacity.例文帳に追加

機械的強度や熱衝撃性にも優れ、かつ１１００℃以上の高温において酸化、還元いずれの雰囲気下でも使用可能で、しかも通気性に優れると共に熱容量を低く抑えることによって、均一な加熱焼成と省エネルギー化にも貢献することができる熱処理用さやを提供する。 - 特許庁

To provide steel for a solid oxide fuel cell separator of low cost, which forms an oxide layer having good conductivity at around 700 to 950°C with excellent oxidation resistance, especially peel resistance, as well as excellent impact characteristics at an ambient temperature with a small thermal expansion difference from electrolyte.例文帳に追加

700〜950℃程度において良好な電気伝導性を有する酸化被膜を形成すると共に、長時間の使用においても良好な耐酸化性、特に耐剥離性を有し、かつ常温での衝撃特性に優れ、電解質との熱膨張差が小さい安価な固体酸化物型燃料電池セパレータ用鋼を提供する。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a capacitor for adjusting the desired capacity of a capacity for each circuit without changing the electrode area of the capacitor, due to design correction for possibly inviting fluctuation in the value of parasitic capacitance and without changing thermal oxidation conditions for changing the impurity profile of a device, and its manufacturing method.例文帳に追加

寄生容量の値の変動を招く恐れのある設計修正によるキャパシタの電極面積の変更を行うことなく、またデバイスの不純物プロファイルを変化させる熱酸化条件の変更を行うことなく、回路毎に所望のキャパシタの容量を調整することが可能なキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide conductive paste which can restrain an electronic part from deteriorating in capacity due to the oxidation of electrodes, be degreased enough, and can be improved in reliability in a thermal shock test or a wet loading test even if it uses copper powder of small average grain diameter when it is used for forming the outer electrodes of the electronic part.例文帳に追加

電子部品の外部電極を形成するために用いた場合に、平均粒径が小さい銅粉末を用いた場合も、電極の酸化により容量が低下することなく、脱脂を十分に行うことができ、熱衝撃試験や湿中負荷試験における信頼性を向上させることが可能な導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

The method of thermally treating a silicon wafer, wherein the method is of thermally treating silicon wafer of low oxygen concentration obtained from silicon of single crystal manufactured by CZ process, high temperature oxidation thermal treatment is performed to form a region of high oxygen concentration inside the surface of the wafer, and oxygen deposit aging treatment is then performed.例文帳に追加

ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶から得られた低酸素濃度シリコンウェーハを用いて熱処理する方法であって、前記ウェーハの表面内部に高酸素濃度領域を形成する高温酸化熱処理を行い、その後、酸素析出物形成熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing a light transmissive optical component 12 includes: a first etching process for etching a silicon region 11 of a plate-like member to form a concavity; a thermal oxidation process for thermally oxidizing an inner surface of the concavity to form a silicon oxide film 14; and a nitride film formation process for forming a silicon nitride film 16 for covering the silicon oxide film 14.例文帳に追加

光透過性光学部品１２を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域１１をエッチングして凹部を形成する第１のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜１４を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜１４を覆う窒化シリコン膜１６を形成する窒化膜形成工程とを含む。 - 特許庁

The metal silicate film 8 is formed by forming a silicon oxide film on the silicon substrate by a thermal oxidation method, forming a metal oxide film on this silicon oxide film, and then heating the silicon oxide film and the metal oxide film at 800°C or lower in at least one gas atmosphere of inert gas and nitrogen gas.例文帳に追加

金属シリケート膜８は、シリコン基板上に熱酸化法によってシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜の上に金属酸化膜を形成した後、不活性ガスおよび窒素ガスの少なくとも一方のガス雰囲気下において、８００℃以下の温度でシリコン酸化膜および金属酸化膜を加熱することによって形成される。 - 特許庁

The surface cleaning method of the boat for semiconductor heat treatment whose surface is formed of SiC 102 is provided with a process for oxidizing the surface of the heat treatment boat by thermal oxidation and a process for removing a part of the oxide film 104 formed in the oxidizing process.例文帳に追加

少なくとも表面がＳｉＣ１０２で形成される半導体熱処理用ボートの表面清浄化方法であって、熱酸化により熱処理用ボートの表面を酸化する工程と、酸化する工程で形成された酸化膜１０４の一部を除去する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical waveguide substrate by which a quartz layer is formed on a silicone substrate is characterized in that a silicone substrate of which the front and back surfaces are mirror ground is used as the silicone substrate and a quartz layer is formed on the whole part of the silicone substrate by oxidizing the silicone substrate by a thermal oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板上に石英膜を形成して光導波路基板を製造する方法であって、前記シリコン基板として基板の表面及び裏面が鏡面研磨されたシリコン基板を用い、該シリコン基板を熱酸化法により酸化することによって前記シリコン基板全体に石英膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

After a plurality of steps 10a and a plurality of terraces 10b are formed on a silicon substrate 10 by re-arraying silicon atoms on the surface thereof, thermal oxidation is performed for the surface of the silicon substrate 10 while the surface is prevented from being contaminated, so that a crystalline silicon dioxide, that is, a crystalline oxide 11 is epitaxially grown on the step 10a.例文帳に追加

シリコン基板１０に、その表面のシリコン原子を再配列させることにより、複数のステップ１０ａと複数のテラス１０ｂとを形成した後、シリコン基板１０の表面が汚染されることを防止しつつ該表面に対して熱酸化を行なって、ステップ１０ａ上に結晶質二酸化シリコンつまり結晶質酸化物１１をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Then, the silicon oxide film and the silicon nitride film are masked and a selective silicon oxide film 9 is grown by thermal oxidation, a base region 10 and a collector compensation region 11 are formed at a part other than the region of the selective silicon oxide film 9, and a second-conductive type emitter region 16 is formed in the base region 10.例文帳に追加

その後ベースより濃度が高くベースとは逆導電型の不純物をイオン注入法等で導入し、不純物が単結晶シリコン領域に入り込むような熱処理工程前にエミッタ領域となる直上部分以外を除去し、熱処理で不純物を単結晶シリコン中に拡散させエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

To provide a conductive paste which enables the outer electrode to be sufficiently and uniformly dense and prevent degradation of capacity due to oxidation and happening of crack by thermal shock (ΔT) test, when it is used for forming outer electrode of the electronic components, and of which baking process can be simplified and the process yield is improved, and quality can be stabilized.例文帳に追加

電子部品の外部電極を形成するために用いた場合に、外部電極が十分且つ均一に緻密化し、酸化による容量の低下や、熱衝撃（ΔＴ）試験におけるクラックを防止するとともに、焼き付け工程を簡単にし、工程歩留まりを向上させ、品質を安定化することが可能な導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

To provide a casting steel for ring-shaped parts which has a low average thermal expansion coefficient at 20 to 500°C, high strength at 500°C and good oxidation resistance required as those of ring-shaped parts for a blade ring of a gas turbine and for a seal ring holding ring, and can be applied to a blade ring of a gas turbine and a seal ring holding ring.例文帳に追加

ガスタービンの翼環用及びシールリング保持環用リング形状部品用として必要な２０℃から５００℃までの低い平均熱膨張係数と５００℃における高い強度ならびに良好な耐酸化性を具備するガスタービンの翼環ならびにシールリング保持環に適用することができるリング形状部品用鋳物鋼を提供する。 - 特許庁

To enable restraining generation of crystal defects on a semiconductor substrate which is to be caused by execution of an oxide film forming process of the substrate and realize improvement of yield, in a case containing the oxide film forming process for forming a thick oxide film by using thermal oxidation with which film a trench part formed on the semiconductor substrate is filled in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程中に、半導体基板上に形成された溝部を埋めた状態の厚い酸化膜を熱酸化によって形成する酸化膜形成工程を含む場合であっても、その酸化膜形成工程の実行に伴う半導体基板での結晶欠陥の発生を抑制できて歩留まりの向上を実現すること。 - 特許庁

To provide a hard film which has higher hardness and more excellent oxidation resistance than an (AlCr)N-based film or an (AlCrSi)N-based film, stably shows excellent abrasion resistance and cohesion strength even in an environment in which thermal stress works, and has enhanced strength and toughness at high temperatures, and to provide a tool coated with the hard film.例文帳に追加

（ＡｌＣｒ）Ｎ系皮膜又は（ＡｌＣｒＳｉ）Ｎ系皮膜よりも高硬度で耐酸化性に優れ、同時に熱応力が作用する環境下においても安定して優れた耐摩耗性及び密着強度を発揮し、高温における強度・靱性を高めた硬質皮膜又は該硬質皮膜を被覆した被覆工具を提供することである。 - 特許庁

The oxidation catalyst provided by the present invention effectively removes fine particulate substances at a low temperature, stably keeps its activity for a thermal load over a long period by its heat resistance, and comparatively stably keeps its activity without being poisoned by sulfide present in an exhaust gas.例文帳に追加

本発明により提供される酸化触媒は、低温において微粒状物質を効果的に除去することはいうまでもなく、耐熱性を有するので長時間の熱的負荷にも安定的に触媒の活性を維持することが可能で、さらに排気ガスに存在する硫化物による被毒無しに比較的安定的に触媒の活性を維持することが可能である。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

Hydrogen or the synthesis gas is produced by carrying out any of steam reforming (1), self thermal reforming (2), partial oxidation reforming (3) and carbon dioxide reforming of an oxygen-containing hydrocabon by the use of this reforming catalyst.例文帳に追加

銅を含み、かつスピネル構造を有する金属酸化物、あるいはこのものと固体酸性物質とを含有する酸素含有炭化水素の改質触媒、並びに前記改質触媒を用い、酸素含有炭化水素を、（１）水蒸気改質、（２）自己熱改質、（３）部分酸化改質、（４）二酸化炭素改質を行うことにより、水素又は合成ガスを製造する方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing a synthetic gas by ATR(auto thermal reforming) process, in which a raw material gas is favorably mixed with oxidizing gas in a partially oxidizing area in a reactor and uniform partial oxidation reaction proceeds and occurrence of hot spot by production of soot or hyperoxidation is suppressed to enable long-time stable operation, and an apparatus therefor.例文帳に追加

ＡＴＲ法による合成ガスの製造に際して、反応器内の部分酸化領域で原料ガスと酸化ガスとが良好に混合され、均一な部分酸化反応が進行して煤の生成や過酸化によるホットスポットの発生が抑えられ、長時間の安定運転が可能であるような方法、およびそのための装置を提供する。 - 特許庁

Through the use of an SOI wafer prepared by pasting the silicon wafers to each other, the structure which is durable, hardly destroyed by physical forces, and capable of offsetting the stress of a silicon thermal oxidation film without using a silicon nitride film formed by a CVD method, etc., is executed by partially removing the upper and lower silicon wafers by etching.例文帳に追加

本発明ではシリコンウェハーを張り合わせて作製されたＳＯＩウェハーを利用して、丈夫で物理力で破壊されにくく、かつ、ＣＶＤ法などで形成されるシリコンチッ化膜を用いないでシリコン熱酸化膜の応力を相殺する事ができる構造を、上下のシリコンウェハーを部分的にエッチングで除去することにより実施した。 - 特許庁

To improve fuel economy and exhaust emission by inhibiting thermal deterioration of oxidation catalysts of a small heat capacity provided upstream of exhaust purifying elements and by promptly raising the temperature of the exhaust purifying elements to a temperature necessary for regeneration processing in the regeneration processing of the performance of the exhaust purifying elements such as a filter and an NOx catalyst.例文帳に追加

フィルタやＮＯx触媒などの排気浄化素子の性能の再生処理において、排気浄化素子の上流に設けられた熱容量の小さい酸化触媒の熱劣化を抑制しつつ、該排気浄化素子に対しては前記再生処理に対して必要な温度への昇温を迅速に行い、以って燃費や排気エミッションを向上させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a groove 1a whose side view inclines on a semiconductor substrate 1, forming an element isolation film 4a by embedding an insulating film in the groove 1a, and forming a gate oxide film of a transistor by carrying out the thermal oxidation of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１に、側面が傾斜している溝１ａを形成する工程と、溝１ａに絶縁膜を埋め込むことにより素子分離膜４ａを形成する工程と、半導体基板１を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The exhaust emission control device provided with a particulate filter can detect accurate particulate quantity and perform exact filter regeneration control and catalyst deterioration detection by detecting differential thermal value which is a difference between the heat generation temperature by oxidation catalyst reaction of exhaust gas flowing in the particulate filter and that of exhaust gas passed through the particulate filter.例文帳に追加

パティキュレートフィルタを備える排ガス浄化装置において、パティキュレートフィルタに流入する排ガスの酸化触媒反応による発熱温度と、パティキュレートフィルタを通過した排ガスの酸化触媒反応による発熱温度と、の差である示差熱値を検知することにより、正確なパティキュレート量を検知でき、的確なフィルタ再生制御及び触媒の劣化検知が可能である。 - 特許庁

In the thermal head 40, the surface part containing a terminal area 34a of the discrete electrode 44a is formed with a terminal joining layer 34 made of gold or a gold alloy, and thereby, a good joining face wherein a surface oxidation and corrosion of the terminal area 34a is prevented is obtained, and also a good electrical connection with a flexible wiring board 53 in a low contact resistance is assured.例文帳に追加

本発明に係るサーマルヘッド４０においては、個別電極４４ａの端子領域３４ａを含む表面部を金又は金合金でなる端子接合層３４で形成することで、端子領域３４ａの表面酸化や腐食が防止された良好な接合面を得るとともに、フレキシブル配線基板５３との低接触抵抗での良好な電気的接続を確保する。 - 特許庁

To provide a polyester polymerization catalyst that has excellent catalyst activity, excellent color tone or heat stability, excellent transparency of a molding, few foreign substances, excellent thermal oxidation stability, and little foaming upon polymerization and that provides polyester having Tcc equivalent to the one when using a Ge catalyst and has excellent solid phase polymerization activity; polyester produced using the same; and a method for producing the polyester.例文帳に追加

触媒活性に優れ、色調や熱安定性に優れ、成形品の透明性に優れ、異物が少なく熱酸化安定性に優れ、重合時の発泡が少なく、Ｇｅ触媒を使用した時と同等のＴｃｃを有するポリエステルを与え、固相重合活性に優れるポリエステル重合触媒およびこれを用いて製造されたポリエステル並びにポリエステルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A thickness of a protective oxide film is determined, so that among all the numerous kinds of polysilicon resistors, a sum of a thickness of a thermally-oxidized film generated on the polysilicon resistor by the rapid thermal oxidation and the thickness of the protective oxide film formed in a non-silicide region containing the polysilicon resistor is a thickness necessary for securing block performance as the oxide film for blocking silicide formation or larger.例文帳に追加

多種のポリシリコン抵抗体全てにおいて、急速熱酸化処理によりポリシリコン抵抗体上に生成される熱酸化膜の膜厚と、ポリシリコン抵抗体を含む非シリサイド化領域に形成された保護酸化膜の膜厚との和が、シリサイド化ブロック用酸化膜としてのブロック性能を確保するために必要な膜厚以上となるように、保護酸化膜の膜厚を決定する。 - 特許庁

To manufacture a recording paper having the adaptability for printings in general using an oxidation polymerization type ink, an ultraviolet curing type ink and the like, dealing with various information recording methods such as a thermal transfer recording method, an electronic photograph method and an ink jet recording method and provided with superior character quality level and image water resistance particularly in the ink jet recording using a water- soluble dye.例文帳に追加

酸化重合型インクや紫外線硬化型インク等を用いる一般印刷に対する適性を有し、かつ熱転写記録方式や電子写真方式及びインクジェット記録方式等の様々な情報記録方式にも対応する記録用紙であり、特に水溶性染料を用いたインクジェット記録における文字品位と画像耐水性に優れた記録用紙を提供する。 - 特許庁