「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After a flash memory gate electrode 11 is formed, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation for protecting the gate electrode and stabilizing its characteristics.例文帳に追加

そしてフラッシュメモリーのゲート電極１１を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜１２を熱酸化形成する。 - 特許庁

To provide a copolymer composition sufficiently prevented in thermal degradation and thermal oxidation degradation of an ethylene/ethylenic unsaturated carboxylic acid copolymer.例文帳に追加

エチレン−エチレン系不飽和カルボン酸類共重合体の熱劣化や熱酸化劣化が十分に防止された共重合体組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recycling a powder recovered from thermal spraying into a thermal spray powder capable of forming a sprayed coating excellent in adhesion, oxidation resistance and durability, and the recycled thermal spray powder.例文帳に追加

溶射後に回収された粉末を、密着性、耐酸化性、耐久性に優れる溶射皮膜を形成できる溶射粉末に再生する方法及び再生溶射粉末を提供する。 - 特許庁

To obtain a thermosetting resin composition improved in impact resistance, thermal cracking resistance, oxidation deterioration resistance, and thermal deterioration resistance without detriment to heat resistance typified by HDT (thermal deformation temp.) and being desirable for sealing e.g., semiconductors.例文帳に追加

耐熱性を損なうことなく、耐衝撃特性、耐サーマルクラック性、耐酸化劣化、耐熱劣化を向上させた半導体などの封止に好適な熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The thermal oxidation film 37 is buried in a space between a source electrode 61 and a drain electrode 62 which are separately formed on the surface of the substrate 31 by using the substrate 31; and one or more slits 38 having a dielectric constant smaller than that of the thermal oxidation film 37 are formed in the thermal oxidation film 37 to manufacture the semiconductor device.例文帳に追加

この基板を用いて、基板表面上に離れて設けられたソース電極６１とドレイン電極６２との間に熱酸化膜３７が埋め込まれ、この熱酸化膜３７中に、酸化膜よりも小さい誘電率を有する１以上のスリット３８が設けられた半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel which has superior thermal fatigue characteristics and repeated oxidation characteristics.例文帳に追加

熱疲労特性および繰り返し酸化特性が格段に優れたフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

An extremely thin oxide film 2 is formed by subjecting a surface of an Si substrate 1 to thermal oxidation (refer to Fig.(a) and (b)).例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。 - 特許庁

To provide a thermal oxidation film forming apparatus capable of suppressing variations in film thickness due to atmospheric pressure variation etc.例文帳に追加

気圧変動等に起因した膜厚変動を抑制出来る熱酸化膜形成装置を提供する。 - 特許庁

Then, the SOI structure is formed by filling up the cavity with an SiO_2 film, for example, by thermal oxidation.例文帳に追加

その後、例えば熱酸化により空洞部をＳｉＯ_2膜で埋めることでＳＯＩ構造を形成する。 - 特許庁

An insulating film (40) which contains silicon oxide or silicon oxynitride is formed on a semiconductor substrate by thermal oxidation.例文帳に追加

半導体基板上に、熱酸化により酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む絶縁膜(40)を形成する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 6 is formed on the front surface of the silicon layer 5 by a LOCOS method (thermal oxidation method).例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ法（熱酸化法）により、シリコン層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜６が形成される。 - 特許庁

Thereafter, thermal oxidation of the Si substrate 1 forms a thermally-oxidized film each in the cavities 25 and 27.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a fatty acid ester-based hydraulic oil with improved hydrolytic stability and thermal oxidation stability.例文帳に追加

加水分解安定性と熱酸化安定性を向上させた脂肪酸エステル系作動油を提供する。 - 特許庁

A thermal oxide film 5 is formed on the nitride film 4 by conducting heat treatment under an oxidation atmosphere.例文帳に追加

その後、酸化雰囲気中にて、熱処理をすることで、窒化膜４上に熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

The upper surface of a semiconductor substrate 1 is subjected to thermal oxidation treatment to form a gate insulation film 5.例文帳に追加

半導体基板１の上面には、ゲート絶縁膜５を形成すべく熱酸化処理が施される。 - 特許庁

To efficiently conduct a film-depositing work such as epitaxial growth or a work such as thermal diffusion or thermal oxidation for a semiconductor substrate having a large size while saving electric power.例文帳に追加

大面積半導体基板に対してエピタキシャル成長等の成膜作業や熱拡散、熱酸化等の作業を省電力で効率よく行う。 - 特許庁

To provide a reed conductor for a thermal fuse and a thermal fuse which uses the reed conductor wherein the influence of welding on fusible alloy due to oxidation is reduced.例文帳に追加

酸化による可溶合金への溶接の影響を軽減した温度ヒューズ用リード導体およびそのリード導体を用いた温度ヒューズを提供する。 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

Further, a high temperature oxidation resistant coating obtained by laminating a low thermal expansion material having inferior oxidation resistance, an intermediate layer and a layer of the crack seal material in order is provided.例文帳に追加

さらには、耐酸化特性の劣る低膨張率材料と、中間層と、クラックシール材の層とを順に積層してなる高温耐酸化被覆を提供する。 - 特許庁

The oxidation-resistant mask film 59 is removed, and the thermal oxidation treatment is conducted again, thus forming the gate oxide film 56 corresponding in the low breakdown-strength element region 52.例文帳に追加

その後、耐酸化性マスク膜５９が除去されて、熱酸化処理が再び行われることにより、低耐圧素子領域５２に対応したゲート酸化膜５６が形成される。 - 特許庁

To provide an oxidation method of a workpiece capable of obtaining an oxide film with excellent film quality and a layered structure of a nitride film and an oxide film by applying thermal oxidation to the nitride film.例文帳に追加

窒化膜を熱酸化することにより膜質の良好な酸化膜及び窒化膜と酸化膜の積層構造を得ることが可能な被処理体の酸化方法を提供する。 - 特許庁

By this setup, the gate insulating films formed of thermal oxidation films uniform and excellent in quality can be formed without being affected by an oxidation speed difference between semiconductor materials.例文帳に追加

これにより、半導体材料との間の酸化速度の差の影響を受けることなく、均一で膜質のよい熱酸化膜から成るゲート絶縁膜を形成することができる。 - 特許庁

Thus, thermal oxidation treatment time for forming the silicon oxide film can be reduced, and treatment cost therefor can be reduced as well.例文帳に追加

よって、シリコン酸化膜を形成するための熱酸化処理時間を短縮でき、処理コストも削減できる。 - 特許庁

Thereafter, a LOCOS oxide film 11 is formed through thermal oxidation and the vertical groove 4 is changed to a U-shaped grove 12.例文帳に追加

その後、熱酸化によりＬＯＣＯＳ酸化膜１１を形成し、垂直溝４をＵ字溝１２に変える。 - 特許庁

The heat insulating unit 32 has a thermal conductivity lower than that of a wall member constituting the selective oxidation reaction unit 8.例文帳に追加

この断熱部３２は、選択酸化反応部８を構成する壁部材よりも低い熱伝導率を有している。 - 特許庁

MANUFACTURE OF Fe-Cr-Al FERRITIC STAINLESS STEEL EXCELLENT IN THERMAL FATIGUE CHARACTERISTIC AND HIGH TEMPERATURE OXIDATION CHARACTERISTIC例文帳に追加

熱疲労特性および高温酸化性に優れたＦｅ−Ｃｒ−Ａｌフェライト系ステンレス鋼の製造方法 - 特許庁

(c) A thick silicon oxide film 32 is formed on the impurity diffused region 30 in a thermal oxidation process.例文帳に追加

（ｃ）熱酸化処理により、不純物拡散領域３０上に膜厚の厚いシリコン酸化膜３２を形成する。 - 特許庁

Further, a heating device heats the plate-like member 200 for conducting epitaxial growth, thermal oxidation, or the like.例文帳に追加

また、加熱装置は、板状部材２００を加熱して、エピタキシャル成長、熱酸化等の処理を行うものである。 - 特許庁

FERRITIC STAINLESS STEEL EXCELLENT IN THERMAL FATIGUE PROPERTY, HIGH TEMPERATURE FATIGUE PROPERTY, OXIDATION RESISTANCE AND HIGH TEMPERATURE SALT DAMAGE CORROSION RESISTANCE例文帳に追加

熱疲労特性、高温疲労特性、耐酸化性および耐高温塩害腐食性に優れるフェライト系ステンレス鋼 - 特許庁

Thus, at least a surface layer of the thermal oxide film 4 is made further rigid and uniform in oxidation state.例文帳に追加

この加熱処理により、熱酸化膜４の少なくとも表層が更に強固で均一な酸化状態となる。 - 特許庁

In the SOI wafer 10, a BOX layer 2 formed by thermal oxidation is formed on the upper side of a supporting substrate 1.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハ１０において、支持基板１の上部に熱酸化によるＢＯＸ層２が形成されている。 - 特許庁

When a groove is left at the center of each trench 2 by the above thermal oxidation, the grooves are filled up with the insulating film 4.例文帳に追加

この熱酸化により各トレンチ２の中央部分に溝が残る場合には、この溝を絶縁膜４で埋める。 - 特許庁

In the microelectromechanical device, a resonator 22 and an electrode 21 are faced with each other, and the narrowed gap is arranged between both thermal oxidation films by forming a pair of thermal oxidation films 5, 5 on the opposite surfaces.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいては、共振子２２と電極２１が互いに対向し、その対向面には一対の熱酸化膜５、５が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。 - 特許庁

Gate insulating films 5a and 5b are formed on the surface of a silicon carbide epitaxial layer 3 through a thermal oxidation treatment, and gate insulating films 7a and 7b are formed on the surfaces of gate electrodes 6a and 6b respectively through a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層３表面に熱酸化処理を施すことによりゲート絶縁膜５ａ，５ｂを形成し、ゲート電極６ａ，６ｂ表面に熱酸化処理を施すことによりゲート絶縁膜７ａ，７ｂを形成する。 - 特許庁

Then the wafer W having the silicon oxide film 503 formed is conveyed to a thermal oxidation processing apparatus and the silicon oxide film 503 is subjected to thermal oxidation processing to form a silicon oxide film 505 having a target film thickness T_2.例文帳に追加

次に、酸化珪素膜５０３が形成されたウエハＷを熱酸化処理装置に移送し、酸化珪素膜５０３に対して熱酸化処理を実施することにより、目標膜厚Ｔ_２で酸化珪素膜５０５が形成される。 - 特許庁

At filling of the trench with the oxide film, the trench 2 is filled with the oxide film by thermal oxidation, or the trench is narrowed by generating the oxide film inside the trench by the thermal oxidation, and then the remaining trench is filled by the deposition of an oxide.例文帳に追加

トレンチ溝内を酸化膜で埋めるにあたり、熱酸化によりトレンチ溝２内を酸化物４で埋めるか、熱酸化によりトレンチ溝内に酸化膜を生成して溝を狭めた後、残った溝を酸化物の堆積により埋める。 - 特許庁

After a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film is formed on the surface of a silicon substrate by thermal oxidation or thermal oxidation and nitriding (step S1), plasma nitriding is performed on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film (step S2).例文帳に追加

シリコン基板表面に熱酸化または熱酸窒化によってシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成した後（ステップＳ１）、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化膜表面にプラズマ窒化処理を施す（ステップＳ２）。 - 特許庁

To provide a MoSi_2 nanocomposite coating layer of a new structure which is formed on surfaces of material requiring the high-temperature oxidation resistance, improves the isothermal oxidation resistance and repeated thermal cyclic oxidation resistance at high temperature, and low-temperature oxidation resistance, and also improves the high-temperature mechanical properties, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高温耐酸化性を必要とする素材の表面上に形成され、高温での等温耐酸化性及び反復耐酸化性、並びに低温耐酸化性を向上し、高温機械的性質を改善できる新しい構造のMoSi_2被覆層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disposal method of abandoned vehicles which can perform efficient thermal decomposition, and can prevent oxidation of metals in a thermal decomposition residue as much as possible.例文帳に追加

効率の良い熱分解処理を行え、且つ、熱分解残さ中の金属類の酸化を極力防止できる好ましい廃自動車の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coated member with a thermal-sprayed film having superior heat resistance and high-temperature oxidation resistance, and to provide an advantageous manufacturing method therefor.例文帳に追加

優れた耐熱性と耐高温酸化特性を有する溶射皮膜被覆部材とその有利な製造方法を提案する。 - 特許庁

An SOI is formed by an internal thermal oxidation method (ITO) so as to have the device used up completely.例文帳に追加

内部熱酸化法（ＩＴＯ）によるＳＯＩの形成は、デバイスが十分に使い尽くされ得るような様式に構造を作る。 - 特許庁

In a unit pixel of a CMOS image sensor, a thermal oxidation film 160 is formed on an upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素において、半導体基板の上面に、熱酸化膜１６０が形成されている。 - 特許庁

To provide a compound used as a stabilizer against the thermal oxidation for a fluorinated lubricating oil and grease composition.例文帳に追加

フッ素化された潤滑オイルおよびグリース用の熱酸化に対する安定剤として使用される化合物を提供する。 - 特許庁

Thus, thermal stability and oxidation stability can be improved while maintaining the high conductivity of the electrolyte.例文帳に追加

これにより、電解質の導電率を高く保持しつつ熱的安定性および酸化安定性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an electrolyte having high conductivity and superior thermal stability and oxidation stability, and a battery using the same.例文帳に追加

導電率が高く、熱的安定性および酸化安定性に優れた電解質およびそれを用いた電池を提供する。 - 特許庁