「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide living environment improving charcoal capable of increasing various actions such as adjustment of underfloor humidity, adsorption of bad smell and toxic substance, thermal insulating performance, generation of far infrared radiation, generation of negative ions, reduction of electromagnetic wave, and stabilization of magnetic field by far and improving improvement performance of reduction of stress, suppression of oxidation of a body, improvement of hemokinesis, and life of sound sleep greatly.例文帳に追加

床下湿度の調節や、家の中の悪臭や有害物質等の吸着、断熱性能、遠赤外線の発生、マイナスイオンの発生、電磁波の軽減、および磁場の安定等の様々な作用を一段と高め、ストレスの軽減や身体の酸化抑制、血流の改善、安眠等の生活、改善性能を大幅に向上させる住環境改善炭を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composite material without eluting a component other than a preferred metal component in a molten metal and having sufficient thermal shock resistance and oxidation resistance even though it is used under a high temperature oxidizing condition, in particular, as a molten metal delivery pump, which is used in the molten metal, a molten metal pump member to remove dross or the like under a high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化性雰囲気下、とくに、金属溶湯中で使用する溶湯搬送ポンプやドロスを除去するための溶湯ポンプの部材等として、高温の酸化性条件下でも使用しても、金属溶湯中に所望とする金属成分以外の成分が溶出することがなく、かつ、充分な耐熱衝撃性と耐酸化性とを備えた複合材料の提供。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a film at the edge 10a of the semiconductor wafer by forming a film on the surface of the semiconductor wafer 10 by a thermal oxidation method or a CVD method and a step of polishing and removing the film formed at the edge section by spraying a polishing material 12 to the edge section of the semiconductor wafer.例文帳に追加

本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１０の表面に熱酸化法又はＣＶＤ法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部１０ａにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材１２を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method is characterized in that it includes processes of: forming a film to be etched having a layer containing a nitrogen atom as a structural atom as at least the uppermost layer on a substrate; subjecting the film to be etched to a thermal oxidation process to form an oxidized layer on the surface; forming a chemical amplification resist film on the film to be etched; and selectively exposing and developing the chemical amplification resist film.例文帳に追加

少なくとも最上層に窒素原子を構成原子とする膜を有する被エッチング膜を基板上に形成する工程と、前記被エッチング膜を熱酸化処理を施してその表面に酸化層を形成する工程と、前記被エッチング膜上に化学増幅レジスト膜を形成する工程、前記化学増幅レジスト膜を選択的に露光し、現像する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

The magnetite thin film containing Co is deposited on a long-length substrate consisting of polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN), its substrate side is made to run while being brought into contact with a drum whose circumferential surface is cooled and the side of the magnetite thin film containing cobalt is subjected to thermal oxidation treatment to deposit the magnetic layer consisting of the maghemite thin film containing cobalt having 1 to 10 wt% cobalt content.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）よりなる長尺状の基体上にコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、続いて周面を冷却させたドラム上に基体側を接触させて走行させ、かつコバルト含有マグネタイト薄膜側に対し加熱酸化処理を施し、コバルトの含有量１〜１０重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を形成する。 - 特許庁