「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This thermal oxidation is carried out under the condition of 1,050°C/15 seconds, so that an oxide film 3 whose film thickness is 100 Åor smaller and whose irregularities are sufficiently small can be obtained.例文帳に追加

この熱酸化を、１０５０℃１５秒の条件で行うことにより、膜厚が１００Å以下で表面の凹凸が十分に小さい酸化膜３が得られる。 - 特許庁

To form a silicon oxide film by a thermal oxidation method without deforming a bottom surface end of a SOI layer in the vicinity of bottom of a trench, and form a STI region.例文帳に追加

トレンチ溝の底面近傍のＳＯＩ層の底面端部を変形させることなく熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成してＳＴＩ領域を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode material for a spark plug which has excellent high temperature thermal conductivity, wear resistance and oxidation resistance, and coping with the increase of the temperature in an internal combustion engine and environmental control.例文帳に追加

内燃機関の高温化、環境規制に対応して、高温での熱伝導特性、耐損耗特性、耐酸化性に優れた点火プラグ用電極材料を提供すること。 - 特許庁

The tube consisting of the glassy carbon and having the anti-oxidation layer on the outer surface is made as a process tube 1 to be used as a heating element of electromagnetic induction heating for thermal processing method.例文帳に追加

ガラス状炭素からなり、外表面に耐酸化層を有する管体をプロセスチューブ１とし、かつ電磁誘導加熱の発熱体として用いる熱処理方法。 - 特許庁

To provide a resin composition and a resin molded product thereof causing no fume due to thermal decomposition nor discoloring due to oxidation deterioration even if it is molded under high temperature conditions.例文帳に追加

高温条件下で成形加工しても、熱分解による発煙や、酸化劣化による着色などがなくまたは少ない樹脂組成物およびその樹脂成形品の提供。 - 特許庁

With this, thermal stability can be improved, without degrading on the capacity, and degradation in the capacity due to oxidation of a separator or the like can be restrained.例文帳に追加

これにより、容量の低下を低下させることなく、熱安定性を向上させることができ、セパレータの酸化などによる容量の低下を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can release electric field concentration on corner portions on the surface of a second semiconductor layer without executing high-temperature thermal oxidation.例文帳に追加

高温熱酸化を行うことなく、第２半導体層表面の角部での電界集中を緩和できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide ferritic stainless steel whose thermal fatigue properties and oxidation resistance are more excellent than those of SUS444, and further having weldability equal to or above that of Type 429.例文帳に追加

熱疲労特性と耐酸化性がＳＵＳ４４４以上に優れると共に、Ｔｙｐｅ４２９と同等以上の溶接性を有するフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

Between a joined layer 12 and the silicon substrates 2, 1, a thermal oxidation film as dispersion prevention layers 13a, 13b which prevent the dispersion of Au and silicon is provided.例文帳に追加

接合層１２とシリコン基板２やシリコン基板１の間には、Ａｕとシリコンとの拡散を防止する拡散防止層１３ａ，１３ｂとして熱酸化膜を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where impurities are restrained from being acceleratedly diffused in a thermal oxidation treatment so as to improve the semiconductor device in performance.例文帳に追加

熱酸化処理による不純物の増速拡散を抑え、これにより素子の高性能化を可能にした、半導体装置の製造方法の提供が望まれている。 - 特許庁

To provide copper powder which has satisfactory oxidation resistance and has excellent thermal shrinkage resistance in such a manner that its shrinkage on sintering is reduced in the temperature range where sintering is possible even if it is fine.例文帳に追加

微細な銅粉であっても、焼結可能な温度範囲での良好な耐酸化性、焼結時の収縮の小さな耐熱収縮性に優れた銅粉を提供する。 - 特許庁

The titanium oxide film-formed base body BP is exposed to an atmosphere of 500°C and heat-treated to cause the titanium oxide film on the base body BP to have an anatase structure by thermal oxidation.例文帳に追加

次に、基体ＢＰを５００℃の雰囲気中に曝して熱処理を行うことにより、熱酸化により基体ＢＰ上の酸化チタンの膜をアナターゼ構造に変化させる。 - 特許庁

To produce iron oxide particles having the blackness and magnetic characteristics equivalent to or higher than those of conventional iron oxide particles and having excellent oxidation resistance, particularly thermal stability.例文帳に追加

従来の酸化鉄粒子と同等もしくはそれ以上の黒色度、磁気特性を有し、かつ耐酸化性、特に熱安定性に優れた酸化鉄粒子を提供する。 - 特許庁

An opening 5a is formed in the silicon nitride film 5 and the base film 4, and a first thermal oxidation film 6 is formed on a surface of the silicon layer 3 located in the opening 5a.例文帳に追加

窒化シリコン膜５及び下地膜４に開口部５ａを形成し、開口部５ａ内に位置するシリコン層３の表面に第１の熱酸化膜６を形成する。 - 特許庁

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁

Using exhaust pressure of the exhaust gas and further increasing it in the case 7, the temperature of the exhaust gas is raised to the thermal oxidation temperature of soot by the principle of compression heating.例文帳に追加

排気ガスの排気圧力を利用し、ケース７内で更に増大させることにより圧縮加熱の原理により排気ガスの温度をすすの熱酸化温度まで上げる。 - 特許庁

The method further comprises steps of forming the protective oxide film in this state by a thermal oxidation treating step, thereafter patterning the amorphous silicon film, and forming the gate electrode on the element region.例文帳に追加

さらにこの状態で保護酸化膜を熱酸化処理工程により形成し、その後で前記アモルファスシリコン膜をパターニングして前記素子領域にゲート電極を形成する。 - 特許庁

Finally, the SiGe layer 3 is etched through the opening surface H to form a cavity between the Si layer 5 and the Si substrate 1 and a thermal oxidation film is formed in the cavity.例文帳に追加

その後、開口面Ｈを介してＳｉＧｅ層３をエッチングして、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a food composition that can efficiently suppress oxidation degradation and thermal degradation, while being able to contain ample amount of luteins.例文帳に追加

ルテイン類を十分な量で含有させることができながら、ルテイン類の酸化劣化および熱劣化を効率よく抑制することのできる食品組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonflammable lubricating oil composition, which can be used for various applications having possibility of firing, has flame retardancy and self-extinguishing properties, and exhibits excellent thermal oxidation stability.例文帳に追加

着火の可能性のある種々の用途に使用できる、難燃性及び自己消火性を有し、かつ、熱酸化安定性にも優れた難燃性潤滑油組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel which has all of superior thermal fatigue characteristics, oxidation resistance and high-temperature salt-corrosion resistance though Mo, W and Cu are not added thereinto.例文帳に追加

Ｍｏ，ＷおよびＣｕを添加することなく優れた熱疲労特性、耐酸化性および耐高温塩害腐食性の全てを兼備したフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode material for a spark plug which has excellent high temperature thermal conductivity, wear resistance and oxidation resistance, and coping with the increase of high temperature in an internal combustion engine and environmental control.例文帳に追加

内燃機関の高温化、環境規制に対応して、高温での熱伝導特性、耐損耗特性、耐酸化性に優れた点火プラグ用電極材料を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method for producing an alumina-solid dissolved silicon nitride filter which uses metallic silicon particles as a starting raw material and is excellent in heat resistance, thermal shock resistance, and oxidation resistance.例文帳に追加

金属ケイ素粒子を出発原料とし、耐熱性、耐熱衝撃性、耐酸化性に優れたアルミナ固溶窒化ケイ素質フィルタを簡便に製造する方法の提供。 - 特許庁

Namely, the lamination structure of an N^+ high concentration substrate 1 and the N^- low concentration layer 2 is arranged under a state that the whole surface of the thermal oxidation film 5 is contacted with the susceptor 11.例文帳に追加

すなわち、熱酸化膜５の全表面をサセプタ１１に接触させた状態で、Ｎ^+高濃度基板１及びＮ^-低濃度層２の積層構造を配置する。 - 特許庁

The front surface side of an N^- low concentration layer 2, in which the Schottky electrode is formed, is arranged so as to be contacted with the susceptor 11 of a heat treatment device through a thermal oxidation film 5.例文帳に追加

ショットキ電極が形成されるＮ^-低濃度層２の表面側が熱酸化膜５を介して熱処理装置のサセプタ１１に接するように配置する。 - 特許庁

To provide an oxidation preventing method for oil and a frier which can avoid the deterioration and denaturalization of oil attributed to the oxidization, thermal polymerization and hydrolysis of oil.例文帳に追加

油の酸化、加熱重合及び加水分解を起因とする油の劣化、変質を未然に回避することができる油酸化防止方法及びフライヤーを提供する。 - 特許庁

After a silicon oxide film 14 is formed on one principal surface of a silicon substrate 10 by a thermal oxidation method, a silicon nitride film 16 is formed on the film 14 by a CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１０の一方の主面に酸化シリコン膜１４を熱酸化法により形成した後、膜１４の上に窒化シリコン膜１６をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

Then, the thermal oxidation film 34 on the upper surface is patterned, dry etching is applied by RIE from its upside, and the micro mirrors 1a to 1d are separated from a body and formed.例文帳に追加

そして、再度上面の熱酸化膜３４をパターニングして、その上からＲＩＥによりドライエッチングを施して、マイクロミラー１ａ〜１ｄを本体から分離し、形成する。 - 特許庁

Insulation films 18a, 18b are formed on a side surface of the electrode layer 14a by a thermal oxidation method, and insulation films 18A, 18B are formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱酸化法により電極層１４ａの側面に絶縁膜１８ａ，１８ｂを形成すると共に基板表面に絶縁膜１８Ａ，１８Ｂを形成する。 - 特許庁

To reduce a fixed charge in an oxidized film and an interface level between the oxidized film and silicon carbide in MOS structure formed by the thermal oxidation of a semiconductor material and silicon carbide.例文帳に追加

半導体材料・炭化珪素の熱酸化で形成されるMOS構造において酸化膜中固定電荷及び酸化膜・炭化珪素間界面準位の低減を図る。 - 特許庁

Oxide films 10, 12 of 10 nm or smaller thickness are formed by thermal oxidation of silicon on the sides of the FUSI gate 50 and a silicon substrate 1, respectively.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート５０の側面には酸化膜１０が、シリコン基板１上には酸化膜１２が、それぞれ、シリコンの熱酸化により１０ｎｍ以下の膜厚で形成されている。 - 特許庁

The silicon carbide substrate 1 on which a silicon film 2 is formed is exposed to the temperature in the upper limit of 900°C under the dry oxygen gas atmosphere for thermal oxidation of the silicon film 2.例文帳に追加

シリコン膜２が形成されたシリコンカーバイド基板１を乾燥酸素ガス雰囲気中で９００度を上限とする温度に曝し、シリコン膜２を熱酸化する。 - 特許庁

The separation insulators 2a-2c are formed inside the grooves by a thermal oxidation method, and isolate an element-forming region on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

分離絶縁体２ａ〜２ｃは、熱酸化法を用いて溝の内部に形成され、半導体基板１の主表面において素子形成領域を分離するものである。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 32 on the bottom part covered with the photoresist 33 is removed, and gold 35 is deposited on the groove 31, and the gold 35 is coated with the thermal oxidation film 34.例文帳に追加

続いて、フォトレジスト３３で覆われている底部の窒化シリコン膜３２を除去して溝３１に金３５を堆積し、その金３５を熱酸化膜３４で被覆する。 - 特許庁

To provide a new polyimide having good thermal oxidation stability and mechanical properties, and having a dry/moist Tg and flow at least equivalent to those of Avimid K (R).例文帳に追加

良好な熱酸化安定性及び機械的特性を有し、少なくともＡｖｉｍｉｄ Ｋと等価の乾燥／湿潤Ｔｇ及びフローを有する新規なポリイミドの提供。 - 特許庁

The base plate 1 is heated in oxidizing atmosphere so as to form thermal oxidation film 4 on the surface of the microlens 3, and then the film 4 is removed by wet etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１を酸化雰囲気中で加熱して、マイクロレンズ３の表面に熱酸化膜４を生成させ、次いでこの熱酸化膜４をウエットエッチングで除去する。 - 特許庁

The internal temperature of the fuel reformer 51 is increased more than exhaust temperature by thermal energy generated by the combustion of the unburned component in the oxidation catalyst apparatus 100.例文帳に追加

この酸化触媒装置１００における未燃成分の燃焼によって発生する熱エネルギにより燃料改質器５１の内部温度を排気温度よりも高くする。 - 特許庁

The method for producing the hydrogen occluding material has an oxidation process of treating cylindrical carbon compounds with a strong acid and a thermal treating process of heating the cylindrical carbon compounds.例文帳に追加

筒状の炭素化合物を強酸で処理する酸化処理工程と、前記筒状炭素化合物を加熱する熱処理工程とを有する、水素吸蔵材料の製造方法。 - 特許庁

To prevent scatter of foreign matters such as peeling steam oxidation scale in steam piping to a turbine and wear damage of the turbine in a thermal electric power plant or the like.例文帳に追加

火力発電所プラント等において、蒸気配管内の剥離した水蒸気酸化スケールなどの異物のタービンへの飛散を防ぎ、タービンの磨耗損傷を防止する。 - 特許庁

The nanocrystalline silicon memory film 110 is formed by depositing an amorphous silicon layer by use of the CVD method and performing thermal oxidation processing on part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加

ナノ結晶シリコンメモリ膜１１０はＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン層を堆積し、非晶質シリコン層の一部を熱酸化処理することによって形成される。 - 特許庁

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 - 特許庁

The high temperature oxidation thermal treatment is performed in gas atmosphere containing oxygen of 5% or more at 1,250-1,380°C for 1-20 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment.例文帳に追加

前記高温酸化熱処理を酸素を５％以上含むガス雰囲気中で１２５０℃〜１３８０℃×１〜２０時間で行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

Since the thermal oxidation film 58 is thin, a width w3 of the removed field oxide film 44 is not narrower than a gap w2 from the adjacent laminate gate 46.例文帳に追加

熱酸化膜５８の膜厚が薄いため、除去されるフィールド酸化膜４４の幅ｗ３は、隣接する積層ゲート４６の間隙ｗ２に比し、それほど狭くならない。 - 特許庁

The method includes steps of a thermal oxidation film of 25-45 angstroms thick on the surface of the silicon substrate 1, by loading the substrate 1 into the furnace while introducing an N2 gas having 1% of O2 gas added therein, and thereafter forming a thermal oxidation film of 100 angstroms or less on the substrate 1.例文帳に追加

この方法は、加熱した炉内に１％のＯ_２ガスを添加したＮ_２ガスを導入しながら、前記炉内にシリコン基板１をローディングすることにより、シリコン基板１の表面上に２５〜４５オングストロームの熱酸化膜を形成する工程と、その後、シリコン基板１の表面上に１００オングストローム以下の熱酸化膜を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

A method for forming an oxide film comprises a step for cleaning the surface of a silicon substrate 1, a step for annealing the silicon substrate 1 at a temperature higher than a temperature of thermal oxidation for forming a tunnel oxide film 3 in an atmosphere of Ar gas, and a step for forming the tunnel oxide film 3 through the thermal oxidation method.例文帳に追加

本発明に係る酸化膜の形成方法は、シリコン基板１表面を洗浄する工程と、上記シリコン基板１に、Ａｒガス雰囲気下でトンネル酸化膜３を形成する際の熱酸化温度以上の温度でアニールを施す工程と、上記シリコン基板１上に熱酸化法によりトンネル酸化膜３を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁