「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

After a first thermal-oxidation film 10 is formed by a first thermal process on a first transistor formation region, where a first MOS transistor of high threshold voltage is formed and a second transistor formation region where a second MOS transistor of low threshold voltage is formed, a CVD oxide film 11 is laminated over it.例文帳に追加

高しきい値電圧の第１ＭＯＳトランジスタを形成するための第１トランジスタ形成領域１と、低しきい値電圧の第２ＭＯＳトランジスタを形成するための第２トランジスタ形成領域２との上に、第１回目の熱処理を行なって第１の熱酸化膜１０を形成した後、その上にＣＶＤ酸化膜１１を積層する。 - 特許庁

Thermal conductivity of about 0.4-2.5 W/mK is imparted to the composite material by substantially uniformly dispersing a plurality of passivated aluminum nitride particles 120 in a polyimide resin 110 having thermal conductivity, wherein each of the plurality of passivated aluminum nitride particles can include a passivation layer disposed over an aluminum nitride particle core to inhibit oxidation and thermal degradation of a surface of the aluminum nitride particle core.例文帳に追加

熱伝導性を有するポリイミド樹脂１１０中に複数の不動態化された窒化アルミニウム粒子１２０を実質的に均一に分散させることにより、該複合材料に約０．４Ｗ／ｍＫ〜約２．５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を付与するとともに、該複数の不動態化された窒化アルミニウム粒子の各々は窒化アルミニウム粒子コア上に配設した不動態化層を含んで窒化アルミニウム粒子コアの表面の酸化および熱劣化を阻止する。 - 特許庁

An ONO film for a gate insulating film 25a of a memory transistor of a nonvolatile memory cell is formed, on which the gate electrode 20a of the memory transistor is formed, and the side surface of the gate electrode 20a is oxidized with quick thermal oxidation to form an insulating film 23.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのメモリトランジスタのゲート絶縁膜２５ａ用のＯＮＯ膜を形成し、その上にメモリトランジスタのゲート電極２０ａを形成し、ゲート電極２０ａの側面を急速熱酸化により酸化して絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

Then, the film 106 is patterned to form the film 106 into island-like silicon layers 108 and thereafter, a thermal oxidation treatment of the layers 108 is performed in an oxidizing atmosphere containing a halogen element, whereby island-like silicon layers 109 from which a trap level and a defect are removed, are obtained.例文帳に追加

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 - 特許庁

The quartz glass material obviates the dust generation of the particles, is satisfactory in hydrofluoric acid durability and thermal oxidation resistance, has high corrosion resistivity to a gaseous halide and/or its plasma, and is excellent in surface characteristics of a member for a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

パーティクルの発塵がなく、フッ酸耐久性や熱酸化速度が良好であり、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、半導体製造装置用部材など、表面特性に優れた石英ガラス材料として好適である。 - 特許庁

Desirably, to 100 pts.wt. of the gypsum, 10-30 pts.wt. of the carbon-base thermal conductivity promoting agent of the carbon fiber which is oxidation treated by heating so as to be graphitized in the fiber direction, and 1-3 pts.wt. of hydrophilic treating agent, are blended.例文帳に追加

好ましくは、石膏１００重量部に対し、炭素繊維を加熱により酸化処理し繊維方向にグラファイト化した前記炭素系熱伝導性付与剤１０〜３０重量部と、親水化処理剤１〜３重量部とが配合されている。 - 特許庁

When cavitation air bubbles are collapsed, a local high temperature and high pressure field formed in water by adiabatic compression action and harmful microorganisms in polluted water are killed by thermal decomposition action or strong oxidation action due to OH radicals or the like.例文帳に追加

また、キャビテーション気泡の崩壊時には、断熱圧縮作用によって水中に局所的な高温高圧場が作り出され、熱分解作用ないしＯＨラジカル等による強い酸化作用によっても汚染水中の有害微生物が死滅する。 - 特許庁

An insulating film 161 is then formed on an upper surface of the gate electrodes 122A, 124A and 129A and the thermal oxidation film 160 and further on an upper surface of the insulating film, a light shielding film (tungstic acid film) 162 and a flattening film 163 are layered and formed.例文帳に追加

そして、ゲート電極１２２Ａ，１２４Ａ、および１２９Ａ並びに熱酸化膜１６０の上面には、絶縁膜１６１が形成され、さらにその上面に遮光膜（タングステン酸化膜）１６２と平坦化膜１６３が積層して形成されている。 - 特許庁

To provide a catalyst carrier capable of enhancing anti-oxidation property of a stainless steel foil and reducing thermal stress in the catalyst carrier for cleaning exhaust gas using a honeycomb body with Fe-Cr-Al-based stainless steel foils laminated.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系ステンレス鋼箔を積層したハニカム体を用いてなる排気ガス浄化用触媒担体において、ステンレス鋼箔の耐酸化性を向上するとともに熱応力を低減することのできる触媒担体を提供する。 - 特許庁

To provide a new chromium alloy which functions as a practical substitute for a Ni-based alloy and which keeps characteristics of a chromium-based alloy such as a high melting point and excellent corrosion resistance, oxidation resistance and thermal conductivity and has preferable ductility at room temperature.例文帳に追加

Ｎｉ基合金に実用的に代替し得るものとして、クロム基合金の、高融点、優れた耐食性、耐酸化性、熱伝導性等の特徴を生かしつつ、しかも、室温での延性も良好な、新しいクロム合金を提供する。 - 特許庁

Then the resist pattern 8 is removed, followed by the entire silicon nitride film 7 and the silicon oxide film 6 of about 0.2 nm or smaller in thickness are removed, and the semiconductor substrate 1 is treated by thermal oxidation to form gate insulating films which are different in thickness.例文帳に追加

この後、レジストパターン８を除去し、続いて窒化シリコン膜７の全てと約０. ２ｎｍ以下の厚さの酸化シリコン膜６とを除去し、次いで熱酸化処理を半導体基板１に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Thermal decomposition and oxidation decomposition of the organic matter occur at the same time in the catalyst unit 31, most of the organic matter included in the exhaust gas is decomposed, and the outlet-side temperature of the catalyst unit 31 rises around 200°C relative to the inlet-side temperature thereof.例文帳に追加

触媒ユニット３１では有機物の熱分解と酸化分解とが同時に生じ、排気気体中に含まれる有機物のほとんどが分解され、触媒ユニット３１の入口側温度よりも出口側温度が約２００℃上昇する。 - 特許庁

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁

To provide nickel powder in which oxidation of the metallic nickel at binder removing time is difficult to develop, thermal shrinkage characteristic at the burning time is made close to a ceramic dielectric substance and the suitable characteristic as an inner part electrode material of a laminated ceramic condenser is given, and its production method.例文帳に追加

脱バインダー時の金属ニッケルの酸化を起こしにくく、焼成時の熱収縮特性をセラミック誘電体に近づけた、積層セラミックコンデンサの内部電極材料として好適な特性を有するニッケル粉及びその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide dispersion type alloy which has excellent oxidation resistance and thermal strength, and is used at high temperatures, e.g., for a boiler tube in heat generation or the like, a furnace core tube of a heat treatment furnace or the like, a reaction tube of a chemical plant, a skid rail of a heating furnace or the like.例文帳に追加

発電等のボイラチューブ、熱処理炉等の炉心管、化学プラントの反応管、加熱炉などのスキッドレール等の高温度で使用される耐酸化性、耐熱強度に優れた酸化物分散型合金の製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce using CZ method under stable conditions a silicon single crystal wafer having OSF or OSF nuclei on the whole crystal surface or the whole crystal surface except the outer peripheral part when subjected to thermal oxidation treatment and having gettering ability as well.例文帳に追加

熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にＯＳＦまたはＯＳＦの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁

A microchannel chip manufactured by adhering resin members is obtained by implementing a hydrophilic process by a surface oxidation process on surfaces of two or more resin members, facing the processed surfaces, and bonding them by the thermal compression bonding.例文帳に追加

樹脂部材を貼り合わせて作製するマイクロ流路チップであって、二つ以上の樹脂部材の表面を表面酸化処理により親水化処理し処理面を向かい合わせて熱圧着にて接合させることによりマイクロ流路チップを得た。 - 特許庁

To provide an etching solution capable of selectively removing SiO_2 system deposit and CF system deposit in the same process, while controlling etching of a thermal oxidation film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using, such etchant.例文帳に追加

熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, thermal oxidation is made at a temperature of 500-700°C to prevent a substrate, or the like from being damaged thermally, and a reactive gas containing thermally excited/decomposed oxygen or nitrogen oxides (NO_x, 0.5≤x≤2.5) is used as an oxidizing gas.例文帳に追加

このとき、基板等に熱的なダメージを与えないように、５００〜７００℃の温度で熱酸化をおこない、酸化気体として熱的に励起・分解された酸素もしくは窒素酸化物（ＮＯ_ｘ、０．５≦ｘ≦２．５）を含有する反応性気体を用いる。 - 特許庁

To provide a fuel reforming apparatus capable of transferring the heat generated by the partial oxidation reaction efficiently to the steam reforming reaction part and having excellent durability and energy efficiency in an auto thermal reforming (ATR) type reforming apparatus.例文帳に追加

自己熱改質（ＡＴＲ）型改質装置において、部分酸化反応での発熱を水蒸気改質反応部へと効率的に伝達することができ、触媒の耐久性、エネルギー効率のすぐれた燃料改質装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とＲＴＯ工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

A contact hole 94 is bored in the laminated SOI substrate, an insulating film 66 is formed on its inner circumferential end face by thermal oxidation, a capacitor C1 is formed by the use of the insulating film 66, and the capacitor C1 is used as a part of a signal wire.例文帳に追加

また、貼り合わせＳＯＩ基板にコンタクトホール９４を形成し、その内周端面に熱酸化により形成した絶縁膜６６を形成し、その絶縁膜を利用してキャパシタＣ１を形成し、そのキャパシタを信号線の一部に利用する。 - 特許庁

Inside the subsidiary chamber 21 where the air-fuel mixture enters, an subsidiary fuel injection valve 31 injects fuel, and temperature rises due to an influence of such as a high temperature wall part 25 in which heat is insulated, whereby reforming of thermal decomposition, oxidation and the like is advanced.例文帳に追加

混合気が入り込んだ副室２１内では、副燃料噴射弁３１が燃料を噴射するとともに、遮熱された高温の壁部２５などの影響によって温度が高まり、燃料の熱分解や酸化などの改質が進む。 - 特許庁

When a second time of thermal oxidation treatment is carried out, the first gate-oxide-film 107 (film thickness of 45 Å) existing in an active region 5 is grown to increase its film thickness to be a second gate-oxide-film 21 (film thickness of 90 Å).例文帳に追加

２回目の熱酸化処理を行うと，領域Ｂに属するアクティブ領域５に存在していた第１ゲート酸化膜１０７（膜厚４５Å）は，その膜厚が増加して第２ゲート酸化膜２１（膜厚９０Å）へと成長する。 - 特許庁

The method also provides the thin-film pigment with high quality, because it does not use peeling oil but uses the peeling layer 50 composed of a material such as carbon and plastic, which can be removed through thermal oxidation, and accordingly does not contaminate the multilayer 15_1 with the peeling oil.例文帳に追加

また、剥離層５０はカーボンやプラスチック等、加熱酸化により除去可能な材料で構成されており、剥離オイルは用いられないので、積層膜１５_1が剥離オイルで汚染されることがなく、品質の良い薄膜顔料が得られる。 - 特許庁

This method for forming a metal oxide film with predetermined patterns on a substrate comprises: a first step of applying a liquid form matter containing a metal salt on the substrate and forming a metal salt film; a second step of providing predetermined patterns to the metal salt film; and a third step of subjecting the metal salt film to thermal oxidation treatment or predetermined plasma oxidation treatment to convert it into a metal oxide film.例文帳に追加

基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 - 特許庁

A connection part 12 in one of a plurality of phases constituting a power cable line is disassembled to recover an insulating reinforcement layer 9, the oxidation degree, amount of residual antioxidant, oxidation induction period, thermal decomposition starting temperature, and elongation during breaking of this insulating reinforcement layer 9 are measured, and based on the measurement result, the service life of the connection parts of the entire cable line is judged.例文帳に追加

電力ケーブル線路を構成する複数の相のうちのいずれか１相の接続部１２を解体して絶縁補強層９を回収し、この絶縁補強層９の酸化度合、残留酸化防止剤の量、酸化誘導期、熱分解開始温度、および破断時の伸びを測定し、測定結果に基づいてケーブル線路全体の接続部の耐用寿命を判定する。 - 特許庁

To provide a thermal processor that can be used at a high temperature by electromagnetic induction heating a tube consisting of glassy carbon and having an anti-oxidation coating layer on an outer surface, and is capable of controlling a temperature at a high speed and improving a throughput in a processing work.例文帳に追加

ガラス状炭素からなり、外表面に耐酸化皮膜層を有する管体を電磁誘導加熱することにより、高温での使用を可能とし、温度制御を高速で行い処理作業のスループットを向上させることができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure enabling prevention of distortion due to thermal expansion of an inner wall of the furnace and also effective prevention of furnace contamination due to generation of dust from oxidation of a component and a heater in a high-temperature burning furnace having air-right structure requiring high cleanliness.例文帳に追加

高いクリーン度が要求される気密構造の高温焼成炉において、炉の内壁の熱膨張等による歪みを防止するとともに、構成材の酸化やヒーターからの発塵による炉内汚染を効果的に防止できるような構造を提供する。 - 特許庁

Grooves on the outer periphery of a pair of mutually opposing sides of the element forming region for forming at least a transistor provided on an Si base semiconductor substrate are buried completely by a thermal oxidation film, in a degree that the compression stress is impressed in a uniaxial direction in the surface.例文帳に追加

Ｓｉ系半導体基体に設けた少なくともトランジスタを形成する素子形成領域の一対の互いに対向する辺の外周に設けた溝を面内の１軸方向に圧縮応力が印加される程度に熱酸化膜で完全に埋め込む。 - 特許庁

As for the thermal spraying material, a mixture of refractory particles and the metal particles of an oxidizing powder is sprayed together with oxygen on the material to be repaired which is made of silica brick and is melted by the exothermic oxidation reaction to be thermally deposited on the material to be repaired.例文帳に追加

耐火性粒子と酸化性粉体である金属粒子との混合物を酸素と共に珪石れんがからなる被補修体に吹き付け、上記金属粒子の酸化発熱反応により混合物を溶融させて、被補修体に溶着させるものである。 - 特許庁

To form a film superior in quality to films formed by a conventional CVD method, and form a film equal or superior in quality to films formed by a thermal oxidation method at a temperature which does not affect substrates, when manufacturing a thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する際、従来のＣＶＤ法により形成される膜よりも高品質の膜を形成すること、熱酸化法で形成される膜と同等又はそれ以上の品質の膜を基板に影響を及ぼさない温度で形成することを目的とする。 - 特許庁

The thermally-oxidized film and the protective oxide film are used as the oxide films for blocking silicide formation, thereby sufficient blocking performance can be secured, even if the thickness of the thermally-oxidized film generated by the rapid thermal oxidation differs among the numerous kinds of polysilicon resistors.例文帳に追加

多種のポリシリコン抵抗体間で急速熱酸化処理により生成される熱酸化膜の膜厚に差が生じる場合でも、熱酸化膜と保護酸化膜とをシリサイド化ブロック用酸化膜として用いることにより、充分なブロック性能を確保することができる。 - 特許庁

To provide a low-cost inorganic/organic hybrid electrolyte film excellent in proton conductivity, durability (acid resistance, oxidation resistance, and thermal resistance) and dimensional stability, and its manufacturing method, a solid electrolyte film, and a membrane electrode conjugant and a fuel cell using the same.例文帳に追加

高プロトン伝導性、耐久性（耐酸性、耐酸化性、耐熱性）および寸法安定性に優れ、低コストである無機・有機ハイブリッド電解質膜、その製造方法、固体電解質膜、これを用いた膜電極接合体および燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high performance catalyst capable of conveniently and reproducibly manufacturing the same, which decreases deterioration of the catalytic performance by the thermal decomposition of additives in the heating step of a catalyst for use in producing an unsaturated aldehyde and an unsaturated carboxylic acid by the gas phase catalytic oxidation method.例文帳に追加

気相接触酸化法により、不飽和アルデヒドおよび不飽和カルボン酸を生成する触媒の加熱工程において、添加剤の熱分解等による触媒性能の低下が少ない高性能な触媒を簡便に再現性良く製造する。 - 特許庁

To provide a catalyst which can stably keep a high conversion rate of acrolein over a long period of time by lowering the temperature of a hot spot and preventing the reaction efficiency from being deteriorated owing to the thermal degradation of the catalyst and to provide a catalytic vapor-phase oxidation method using this catalyst.例文帳に追加

ホットスポット温度を低減すると共に、触媒の熱劣化に伴う反応効率の低下を抑制し、長期間にわたって、安定的に高いアクロレイン転化率を維持できる触媒、及び該触媒を用いた接触気相酸化方法を提供すること。 - 特許庁

After removing the nitride film 1 therefrom, a nitride film 6 is deposited again, and after removing the nitride film 6 of an N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 8 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 9 having the same thickness as the oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

窒化膜１を除去した後、再度、窒化膜６を堆積し、写真製版とエッチングによりＮウエル領域の窒化膜６を除去した後、基板１０にリン８をイオン注入し、熱酸化により酸化膜９を酸化膜４と同じ厚さに形成する。 - 特許庁

To form a thin-film transistor, to form a film superior in quality to films formed by conventional CVD methods, and to form a film equal or superior to films formed by thermal oxidation method at a temperature which will not affect substrates.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する際、従来のＣＶＤ法により形成される膜よりも高品質の膜を形成すること、熱酸化法で形成される膜と同等又はそれ以上の品質の膜を基板に影響を及ぼさない温度で形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electric motor oil composition having excellent electric insulation, cooling performance and thermal oxidation stability, a high ignition point from safety point of view, having lubricity and low-temperature start-up performance usable also as a transmission oil, and preferably having excellent biodegradability.例文帳に追加

電気絶縁性、冷却性、熱酸化安定性に優れ、安全性の点から引火点が高く、兼用油として変速機油としても使用できる潤滑性、低温始動性を有し、好ましくは生分解性に優れた電動モータ油組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent a polysilicon resistor from partially becoming silicide by a fact that a thickness of a thermally-oxidized film formed by rapid thermal oxidation on the polysilicon resistor to use as a part of an oxide film for blocking silicide formation varies among numerous kinds of polysilicon resistors.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗体の上に急速熱酸化処理により形成され、シリサイド化ブロック用酸化膜の一部として用いる熱酸化膜の膜厚が多種のポリシリコン抵抗体間でばらつくことにより、ポリシリコン抵抗体が部分的にシリサイド化されることを回避する。 - 特許庁

The catalyst for the polymerization of a polyester contains a first metal-containing component comprising at least one compound selected from aluminum and its compounds, and the use thereof gives a polyethylene terephthalate having a thermal oxidation stability parameter (TOS) below 0.10.例文帳に追加

アルミニウムおよびその化合物から選ばれる少なくとも１種を第１金属含有成分として含み、その触媒を用いて重合したポリエチレンテレフタレートの熱酸化安定性パラメータ（ＴＯＳ）は式ＴＯＳ＜０．１０を、満たすポリエステル重合触媒とする。 - 特許庁

A thin oxide film 8 having a thickness of ≤15 nm is formed by thermal oxidation and is annealed in gaseous N2, H2, NH3, Ar, or the like, and then an oxide film 9 thicker than the thin oxide film 8 is formed by deposition to obtain a prescribed oxide film thickness.例文帳に追加

熱酸化による１５ｎｍ以下の薄い酸化膜８の形成と、その後のＮ２、Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて前記薄い酸化膜８よりも厚い酸化膜９を更に形成し、所定の酸化膜厚とする。 - 特許庁

To provide a lubricating oil composition which has such thermal oxidation stabilty and high-temperature cleanliness as to be enough under the severe operation conditions of diesel engines for today's ships and on-land power generation and which exhibits an excellent lubricity even under severe friction conditions.例文帳に追加

最近の船舶用及び陸上発電用のディーゼルエンジンの厳しい運転条件に充分に適合する熱酸化安定性と高温清浄性を示し、さらに厳しい摩擦条件下でも優れた潤滑性を示す潤滑油組成物を提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device having a BiCMOS, a base region 14 is formed through implantation of ions, then a thermal treatment, is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and then an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

また、ＢｉＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってベース領域１４を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。 - 特許庁