「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The catalyst for nitrogen oxide removal is a catalyst produced by forming a catalyst layer (2) on the surface of the oxidation resistant and corrosion resistant metal substrate (1).例文帳に追加

（２）前記耐酸化性耐腐食性金属基板の表面に触媒層を形成した脱硝用触媒。 - 特許庁

The low-temperature oxidation catalyst and the binding component are heated to 250°C or more when being fixed to the substrate wall surface (4).例文帳に追加

低温酸化触媒と粘結成分は、基材壁面(４)へ固定する際に２５０℃以上に加熱しておく。 - 特許庁

This method is applicable for measuring a surface temperature of a substrate surface not irradiated directly with the light, when the substrate is arranged in midair in the oxidation process system.例文帳に追加

前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 - 特許庁

To prevent an oxidation-reduction reaction between an electrode and an alignment layer caused by incident light, to improve resistance properties of a substrate and to suppress deterioration of the substrate.例文帳に追加

入射光による電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、基板の耐性を向上させると共に、基板の劣化を抑制する。 - 特許庁

The treated substrate surface is able to have a color the same as or different from that of the surface of the substrate and simultaneously prevent the occurrence of oxidation/tarnish.例文帳に追加

処理された基板表面は、基板の表面と同じ色または異なる色を有することができ、同時に酸化／変色の発生を避けることができる。 - 特許庁

To provide a method for processing a silicon substrate, in which various brilliant colors are taken on a porous silicon surface after anodic oxidation of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の陽極酸化後の多孔質シリコン表面において鮮やかで様々な色を呈することができるシリコン基板加工方法を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate 11 is exposed to plasma containing oxygen radicals, and a DC voltage is applied to the substrate 11 via a resistor element 6, thereby executing oxidation.例文帳に追加

シリコン基板１１を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、前記基板１１に抵抗素子６を通して直流電圧を印加して酸化を行う。 - 特許庁

The method further includes a step of performing an oxidation process to form oxide layers over the exposed portion of the substrate and an interface between the material and the substrate.例文帳に追加

この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。 - 特許庁

At the time of growing the oxide thin film on the surface of a substrate by jetting at least a material gas and an oxidation gas to the substrate, together with heating the substrate arranged in a reaction chamber, the initial oxidation film is deposited on the surface of the substrate before the substrate is risen up to a temperature at which the temperature rise is occurred by catalysis.例文帳に追加

成膜室内に配置された基板を加熱しつつ、該基板に向けて少なくとも原料ガスと酸化ガスとを噴出させて基板表面に酸化物薄膜を成長させるにあたり、原料ガス及び／または酸化ガスにより基板が触媒作用で温度上昇を起こす温度まで上昇する前に、基板の表面に初期酸化膜を成膜する。 - 特許庁

The method for alcohol analysis comprises oxidizing an alcohol in a specimen by alcohol oxidase to form hydrogen peroxide, reducing the hydrogen peroxide by a peroxidase in the presence of a chromogenic substrate to color by oxidation, converting the chromogenic substrate from a reduction type to an oxidation type and reconverting the chromogenic substrate from the oxidation type to the reducing type by reduction type glutathione.例文帳に追加

検体中のアルコールをアルコールオキシダーゼにより酸化して過酸化水素を生成させ、酸化により発色する発色基質の存在下、前記過酸化水素をペルオキシダーゼにより還元して、前記発色基質を還元型から酸化型に変換し、還元型グルタチオンによって、前記発色基質を酸化型から還元型に再度変換する。 - 特許庁

A stage wherein a reaction liquid at least comprising ferrous ions is brought into contact with a substrate 4; a stage wherein the reaction liquid is removed from the substrate; a stage wherein an oxidation liquid is brought into contact with the substrate; and a stage wherein the oxidation liquid is removed from the substrate are repeated to obtain the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals 10.例文帳に追加

少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体４に接触させる工程、反応液を基体から除去する工程、酸化液を基体に接触させる工程、酸化液を基体から除去する工程を繰り返すことにより、均質な柱状結晶１０の集合体であるフェライト膜１３が得られる。 - 特許庁

The method includes: a cleaning step of cleaning the cermet substrate 11; and a subsequent oxidation-resistant-film-forming step of forming an oxidation-resistant film 12 formed from a complex oxide containing titanium, on the surface of the cermet substrate 11.例文帳に追加

本方法は、サーメット基材１１を洗浄する洗浄工程と、その後、前記サーメット基材１１の表面に、チタンを含む複合酸化物によって構成される耐酸化膜１２を形成する耐酸化膜形成工程とを含む。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

To provide an Au fine particle catalyst that is active to an oxidation-reduction reaction and inactive to a methanol oxidation reaction as an oxygen electrode catalyst for a direct methanol fuel cell and that is carried by a carbon substrate.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池の酸素極触媒として、酸素還元反応には活性で、メタノール酸化反応には不活性であるＡｕ微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

After formation of a stopper film 4 consisting of a diamond-form carbon film on a semiconductor substrate 1, oxidation preventing films 3 and 5 and an oxidation preventing film sidewall 7a to cover the stopper film 4 are made.例文帳に追加

半導体基板１上にダイヤモンド状炭素膜からなるストッパー膜４を形成した後、ストッパー膜４を覆う酸化防止膜３、５および酸化防止膜サイドウォール７ａを形成する。 - 特許庁

In the plasma oxidation treatment method for subjecting a substrate to a plasma oxidation treatment, inert gas used for generating plasma is so selected as to enable the wavelength of plasma emission light to be in a prescribed range.例文帳に追加

プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ酸化処理方法において、プラズマ発光波長が所望の範囲となるように、プラズマ生成に使用される不活性ガスを選択する。 - 特許庁

The flatness of the surface of the silicon substrate can be improved by forming the sacrificial oxide film on the surface through isotropic oxidation, and peeling the oxide film formed through the isotropic oxidation from the surface.例文帳に追加

シリコン基板表面を等方性酸化により犠牲酸化膜を形成し、等方性酸化によって形成された酸化膜を剥離することによって、平坦度の高い表面が得られる。 - 特許庁

The method for producing the carbonyl compound by an oxidation reaction using a catalyst includes using a hydrocarbon compound as a substrate of the oxidation reaction, and a mononuclear vanadium complex represented by formula (1) as the catalyst.例文帳に追加

触媒を用いた酸化反応によるカルボニル化合物の製造方法であって、前記酸化反応の基質として、炭化水素化合物を用い、前記触媒は、下記式（１）： - 特許庁

To provide a fine substrate treatment means/method and a glass substrate having heat dissipation property even if an element generating heat is formed in the heat treatment of the glass substrate (film deposition, crystal growth, oxidation, and the like carried out especially near the point of the strain of the glass substrate or a temperature more than the same).例文帳に追加

ガラス基板の熱処理（成膜、結晶成長、酸化等で、特にガラス基板の歪み点付近もしくはそれ以上の温度でおこなわれる場合）工程において、良好な基板処理手段・方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for anodic oxidation surface treatment of an aluminum substrate whereby deposition of metallic copper can be reduced.例文帳に追加

金属銅の付着を低減できるアルミニウム基板の陽極酸化表面処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a unit pixel of a CMOS image sensor, a thermal oxidation film 160 is formed on an upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素において、半導体基板の上面に、熱酸化膜１６０が形成されている。 - 特許庁

In the 2nd step, an under coating layer of the anode oxidation coatings is formed by anode oxidizing the surface of the conductive substrate.例文帳に追加

第２工程で、導電性基体の表面に陽極酸化処理により陽極酸化皮膜の下引き層を形成する。 - 特許庁

A thermally oxidized SiO_2 film 22 is formed on the front and rear of the (110) Si single crystal substrate 21 using a thermal oxidation method.例文帳に追加

次に、熱酸化法を用いて、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏に熱酸化ＳｉＯ_2膜２２を形成する。 - 特許庁

In this method, at least an organic coating film formed on an inorganic substrate is eliminated by oxidation in supercritical water.例文帳に追加

少なくとも、無機基板上に形成された有機被膜を超臨界水中で酸化除去する方法を提供する。 - 特許庁

The field oxidized film 5 is formed on the surface of the silicon substrate 4 exposed in the opening 6 by selective oxidation.例文帳に追加

この開口６から露出するシリコン基板４の表面に、選択酸化によりフィールド酸化膜５が形成される。 - 特許庁

On the front surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed in the thickness of about 50 nm with hot oxidation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、膜厚が約５０ｎｍのシリコン酸化膜１１０を熱酸化によって形成する。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, a molecule whose oxidation reduction is possible with electronic spin is arranged on a substrate.例文帳に追加

本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。 - 特許庁

Next, an oxide film 24 is formed by performing thermal oxidation processing on the upper surface of a semiconductor substrate and wall surface of the gate wrench 21.例文帳に追加

次に，半導体基板の上面およびゲートトレンチ２１の壁面に熱酸化処理により酸化膜２４を形成する。 - 特許庁

The support film 14 is a SiO_2 thin film formed by thermal oxidation on an upper portion of an n-type substrate 10a (Si monocrystal).例文帳に追加

支持膜１４は、ｎ基板１０ａ（Ｓｉ単結晶）の上方に熱酸化により形成されたＳｉＯ_2薄膜である。 - 特許庁

The thermal oxidation film 37 is buried in a space between a source electrode 61 and a drain electrode 62 which are separately formed on the surface of the substrate 31 by using the substrate 31; and one or more slits 38 having a dielectric constant smaller than that of the thermal oxidation film 37 are formed in the thermal oxidation film 37 to manufacture the semiconductor device.例文帳に追加

この基板を用いて、基板表面上に離れて設けられたソース電極６１とドレイン電極６２との間に熱酸化膜３７が埋め込まれ、この熱酸化膜３７中に、酸化膜よりも小さい誘電率を有する１以上のスリット３８が設けられた半導体装置を作製する。 - 特許庁

After impurities that accelerate thermal oxidation are selectively introduced onto a silicon substrate surface by ion implantation or the like, the silicon substrate onto which the impurities are introduced is subjected to oxidation (dilution oxidation), oxynitriding or reoxidation continuously to form a plurality of kinds of gate insulating films having different film thicknesses on a semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化（希釈酸化）、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A power feeding line 13 for anode oxidation extending in the row direction out of power feeding lines 13 for anode oxidation of a lattice shape is provided in the upper edge part of an active element substrate forming region 3, and a power feeding line 13 for anode oxidation extending in the column direction is provided in the left edge part of the active element substrate forming region 3.例文帳に追加

格子状の陽極酸化用給電ライン１３のうち行方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の上辺部に設けられ、列方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の左辺部に設けられている。 - 特許庁

An oxidation pad layer 102 and a mask layer 104 are formed on the silicon substrate 100, a mask 104a is formed on the mask layer in the pattern of a photoresist formed thereon, and an oxidation pad layer 102a and the substrate 100 are etched, to form a trench.例文帳に追加

シリコン基板１００上に酸化パッド層１０２とマスク層１０４を形成し、その上に形成されたフォトレジストのパターンでマスク層にマスク１０４ａを形成し、酸化パッド層１０２ａ及び基板１００をエッチングし、トレンチを形成する。 - 特許庁

In the anodic oxidation substrate 10a in which an anodic oxidation film 12 is formed on an Al base material 11, an alkali-proof substrate protective film 13 is formed on a surface opposite to the side on which a laminated structure such as a photoelectric conversion layer or the like is formed.例文帳に追加

Ａｌ基材１１に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０ａにおいて、光電変換層等の積層構造が形成される側の反対側の面上に耐アルカリ性を有する基板保護層１３を備える。 - 特許庁

Thus, part of the surface of the semiconductor substrate 1 adjacent to the trench 9 is exposed, and thereafter when the trench 9 is buried by a silicon oxidation film 10, the silicon oxidation film 10 is formed even on a part exposing the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

このため、トレンチ９に隣接する半導体基板１表面が一部露出し、この後トレンチ９をシリコン酸化膜１０により埋め込む際、この半導体基板１表面が露出する部分上にもシリコン酸化膜１０が形成される。 - 特許庁

The wiring board 1 is employed under an oxidation atmosphere and comprises: an insulation substrate 2; an electrode 3 at least part of which is provided on the surface of the insulation substrate 2; and an oxidation-resistant coating layer 4 for covering an electrode 3a provided on the surface.例文帳に追加

酸化雰囲気下で用いられる配線基板１であって、絶縁基板２と、少なくとも一部が絶縁基板２の表面に設けられた電極３と、表面に設けられた電極３ａを覆う耐酸化性の被覆層４とを備える。 - 特許庁

In order to form the single crystal metal oxide thin film 6, the semiconductor substrate 2 is kept in a heated state, and then metal atoms and an oxidation gas are supplied to the oxide film 4 of the semiconductor substrate 2 in the film deposition apparatus.例文帳に追加

半導体基板２を加熱した状態で、成膜装置内で、金属原子および酸化ガスを半導体基板２の酸化膜４に供給する。 - 特許庁

In the oxide film forming method, the oxide film is locally formed on a substrate surface layer by jetting a high-pressure solution comprising an oxidation source on a substrate surface.例文帳に追加

酸化源を含む高圧溶液を基板表面に噴出することにより、基板表面層に局所的に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。 - 特許庁

To provide a method and device for processing a substrate capable of conducting a process using a processing solvent by suppressing or preventing an oxidation of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

After removing a natural oxidation film and washing the transparent conductive semiconductor substrate 70 with water, an alkari-containing organic solvent is brought into contact with the surface of the substrate, while applying ultrasonic waves.例文帳に追加

透明導電性半導体基板７０は、自然酸化膜を除去して水洗後、表面にアルカリ含有有機溶媒を超音波を印加しつつ接触させる。 - 特許庁

To provide a method for forming an ohmic electrode on an n-type 4H-SiC substrate by preventing precipitation of Si and C from the substrate, and at the same time preventing oxidation of Ni.例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、基板からのＳｉ、Ｃの析出を防止すると同時に、Ｎｉの酸化を防止してオーミック電極を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning apparatus that prevents oxidation of a copper pad, a copper frame and the like formed on a substrate, and can efficiently and equally clean both sides of the substrate.例文帳に追加

基板に形成された銅パッドや銅フレーム等の酸化を防止しつつ、基板の両面を効率よく同等に洗浄できるプラズマ洗浄装置を提供する。 - 特許庁

A first oxide film 9 is formed on a semiconductor substrate 1 so as to cover first transfer electrodes 7 which are formed on the semiconductor substrate 1 by plasma radical oxidation.例文帳に追加

プラズマ・ラジカル酸化により半導体基板１上に形成した第１転送電極７を覆う状態で、半導体基板１上に第１酸化膜９を成膜する。 - 特許庁

Thus, the organic matter such as a resist sticking to the surface of the substrate W is removed by an oxidation/decomposition reaction of the ozone water sticking to the surface of the substrate W.例文帳に追加

このようにして付着したオゾン水の酸化分解反応により、基板Ｗの表面に付着していたレジスト等の有機物が除去されることとなる。 - 特許庁

That is, a HD plasma oxidation process is performed, produces reactive oxygen species, removes Si-C couplings of the SiC substrate, and forms free atoms Si and C on the SiC substrate.例文帳に追加

つまり、ＨＤプラズマ酸化プロセスは実行され、反応酸素種を生成し、ＳｉＣ基板のＳｉ—Ｃ結合をはずし、ＳｉＣ基板に遊離原子ＳｉおよびＣを形成する。 - 特許庁