「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent the spread of oxidation up to an SiC substrate for thermal oxidation of Si deposited on the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に堆積したＳｉを熱酸化する際に、ＳｉＣ基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。 - 特許庁

OXIDATION OF SUBSTRATE CONTAINING METHYL, METHYLENE OR METHINE GROUP例文帳に追加

メチル、メチレンまたはメチン基を含む基質を酸化する方法 - 特許庁

ANODIC OXIDATION SYSTEM, OXIDE LAYER MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD例文帳に追加

陽極酸化システム、酸化層の製造方法、基板処理方法 - 特許庁

To suppress corrosion of a surface of an anodic oxidation substrate due to an alkaline solution in the anodic oxidation substrate for a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子用の陽極酸化基板において、アルカリ溶液による陽極酸化基板の裏面の腐食を抑制する。 - 特許庁

ANODIC OXIDATION FILM APPLIED ALUMINUM SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

陽極酸化皮膜付きアルミ基材及びその製造方法 - 特許庁

To dope an alkaline metal on an anodic oxidation substrate in a photoelectric conversion device using the anodic oxidation substrate.例文帳に追加

陽極酸化基板を用いた光電変換素子において、陽極酸化基板にアルカリ金属をドープすることを可能とする。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxide film is formed within the cavity with thermal oxidation of the Si substrate 1 (BOX oxidation method).例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸化工程）。 - 特許庁

The method for applying the oxidation resistant coating on a substrate is also provided.例文帳に追加

耐酸化性皮膜を基板に施工する方法も提供される。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE WITH ANODIC OXIDATION COATING, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

陽極酸化皮膜を有する絶縁基板およびその製造方法 - 特許庁

To provide a coating method capable of improving an oxidation resistance of a substrate.例文帳に追加

基体の耐酸化性を改善するコーティング方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of simultaneously treating the substrate to be determined at the thermal oxidation treating time of the semiconductor substrate or the semiconductor material, and forming the thermal oxidation film on the substrate to be determined (c).例文帳に追加

次に、判定用基板を半導体基板もしくは半導体材料の熱酸化処理時に同時処理して、判定用基板上に熱酸化膜を形成する（ｃ）。 - 特許庁

The primary substrate 1000 is made to be a substrate formed of pores by aluminium anodic oxidation.例文帳に追加

第１の基板は、アルミニウムの陽極酸化処理により細孔が形成されている基板である。 - 特許庁

To provide a plasma oxidation method and apparatus enabling oxidation in a low temperature and oxidation of a thick film by increasing an oxidation rate even when a substrate temperature is low.例文帳に追加

基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide oxidation catalysts which can efficiently oxidize an organic substrate and an oxidation method.例文帳に追加

本発明の目的は、有機基質を効率よく酸化できる酸化触媒及び酸化方法を提供することにある。 - 特許庁

To measure an uppermost surface temperature of a substrate supplied to an oxidation process system using an oxidation treatment gas and light irradiation.例文帳に追加

酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供された基板の最表面温度を測定する。 - 特許庁

To achieve an efficient oxidation treatment of a substrate by preventing a decrease of oxidation power of ozone gas.例文帳に追加

オゾンガスの酸化力低下を防止し、効率的に基板の酸化処理を行うことができるようにすることにある。 - 特許庁

Subsequently, radical oxidation is carried out on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

次いで、露出した基板１の表面に対してラジカル酸化をする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR PACKAGE SUBSTRATE WITH FINE CIRCUIT PATTERN BY ANODIC OXIDATION例文帳に追加

陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法 - 特許庁

Next, heat treatment with oxidation is performed to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次に、半導体基板１に対して酸化を伴う熱処理を行う。 - 特許庁

To prevent oxidation of a surface of a processed substrate during peeling processing between the processed substrate and a support substrate, which involves heating processing.例文帳に追加

加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の表面の酸化を抑制する。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 functions as an oxidation preventive film which prevents the titanium oxide film 6 from oxidation when the surface of the substrate 1 is subjected to the thermal oxidation in the next process.例文帳に追加

窒化シリコン膜７は、次の工程で基板１の表面を熱酸化する時に酸化チタン膜６が酸化されるのを防ぐ酸化防止膜として機能する。 - 特許庁

A surface oxide film 4 is formed on a silicon substrate 1 with a hot oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板１に熱酸化法により表面酸化膜４を形成する。 - 特許庁

If the protective film on the side of the substrate protecting the membrane from oxidation is furthermore provided between the substrate and the membrane, the oxidation of the membrane is more effectively protected.例文帳に追加

さらに基板と薄膜との間に薄膜を酸化から保護する基板側保護膜を設ければ、薄膜の酸化をより効果的に防ぐことができる。 - 特許庁

To adequately oxidize a substrate to be processed on one hand, and to restrain oxidation of the substrate to be processed on the other hand.例文帳に追加

一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。 - 特許庁

To prevent oxidation of a non-joined surface of a processed substrate during peeling processing between the processed substrate and a support substrate, which involves heating processing.例文帳に追加

加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。 - 特許庁

Then LOCOS oxidation is performed on both front and rear surfaces of the substrate 10.例文帳に追加

次に、シリコン基板１０の表裏両面に対し、ＬＯＣＯＳ酸化を行う。 - 特許庁

OXIDATION METHOD OF ORGANIC SUBSTRATE AND CATALYST COMPOSITION FOR PERFORMING THE SAME例文帳に追加

有機基質の酸化方法及び前記方法を実施するための触媒組成物 - 特許庁

To provide an anode oxidation heat dissipation substrate with high density/high integration characteristics while maintaining a high heat-dissipation characteristic by having an anode oxidation substrate, and provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

陽極酸化基板によって高放熱特性を維持し、高密度／高集積の特性を持つ陽極酸化放熱基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 12 is subjected to anodic oxidation treatment accompanied by spark discharge, i.e., microarc oxidation treatment to thereby form an oxide film 13 on one main face 12a of the substrate 12.例文帳に追加

基体１２に対して火花放電を伴うアノード酸化処理、即ちマイクロアーク酸化処理を行い、基体１２の一主面１２ａに酸化被膜１３を形成する。 - 特許庁

To reduce defective parts of an oxidation film in the substrate electrode of a plasma processing unit.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極における酸化皮膜の欠陥部を低減する。 - 特許庁

Part of the surface of the semiconductor substrate 10 is coated with an oxidation suppression film 12a, and the rest of the surface of the semiconductor substrate being exposed from the oxidation suppression film is heat- treated.例文帳に追加

半導体基板１０の表面を部分的に酸化抑制膜１２ａで覆い、該酸化抑制膜から露出した半導体基板表面に熱処理を施す。 - 特許庁

An SiO_2 film 2 is formed as a thermal oxidation film on the surface of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に熱酸化膜としてＳｉＯ_2膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning method capable of preventing the oxidation of the surface of an active layer.例文帳に追加

活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To form an oxide film of a substrate while monitoring the stability of an oxidation process system.例文帳に追加

酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。 - 特許庁

In a process system of performing the oxidation treatment of a substrate or the like using the ozone gas, the ozone gas supplied for the oxidation treatment of the substrate is decomposed in the ozone decomposing device 10.例文帳に追加

そして、オゾンガスを用いて基板等の酸化処理を行うプロセスシステムにおいて、前記基板の酸化処理に供したオゾンガスをオゾン分解装置１０で分解処理する。 - 特許庁

HEAT SHIELD OXIDATION RESISTANT COATING FOR ORGANIC MATRIX COMPOSITE SUBSTRATE AND COATED ARTICLE例文帳に追加

有機マトリックス複合材基材用の遮熱酸化防止コーティング及び被覆物品 - 特許庁

In this manufacturing method, A heat oxidation film serving as an etching mask is formed for an Si substrate having <100> crystal orientation.例文帳に追加

＜１００＞Ｓｉ基板に対して、エッチングマスクとなる熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

To restrain a formed oxide film from deteriorating in characteristics in a plasma oxidation treatment method for subjecting a substrate to a plasma oxidation treatment.例文帳に追加

プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ酸化処理方法において、生成する酸化膜の特性劣化を抑制すること。 - 特許庁

On a silicon carbide semiconductor substrate 2, an oxidation silicon 5 with a thickness of 0.5 to 2 nm is formed by a thermal oxidation method.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板２上に、熱酸化法により、０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内の厚みを有する酸化珪素５を形成する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION OF NITROGEN INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRIOR TO OXIDATION FOR OFFSET SPACER FORMATION例文帳に追加

オフセット・スペーサ形成用の酸化に先立つ半導体基板への窒素のイオン注入方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform oxide film on a substrate with strong oxidation power.例文帳に追加

強い酸化力で基板上に均一な酸化膜を形成することができる。 - 特許庁

Further, the SiO_2 layer 2 is formed in the surface of a silicon substrate 1 by using a thermal oxidation method.例文帳に追加

また、熱酸化法により、シリコン基板１の表面にＳｉＯ_２層２を形成する。 - 特許庁

OXIDATION RESISTANT AND CORROSION RESISTANT METAL SUBSTRATE, CATALYST FOR NITROGEN OXIDE REMOVAL, AND WASTE GAS CLEANING METHOD例文帳に追加

耐酸化性耐腐食性金属基板、脱硝用触媒および排ガスの浄化方法 - 特許庁

Thereafter, oxygen water is supplied onto the surface of the substrate W from the nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

その後、基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０から酸素水が供給される。 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILM ON SURFACE OF LIGHT METAL SUBSTRATE BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION例文帳に追加

プラズマ電解酸化処理による軽金属系基材の表面への皮膜形成方法 - 特許庁