「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To eliminate reaction of oxidation by controlling flow of oxygen in the atmosphere, into a substrate processing chamber when the substrate is transferred.例文帳に追加

基板搬送時、基板処理室へ大気中の酸素が流入するのを抑制して、酸化反応を無くすことを可能とする。 - 特許庁

A method for determining an impurity pollution includes simultaneously treating of a substrate to be determined at pretreating time before thermal oxidation of a semiconductor substrate or a semiconductor material (a).例文帳に追加

判定用基板を半導体基板もしくは半導体材料の熱酸化前の前処理時に同時処理する（ａ）。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method wherein the oxidation of a metal layer can be prevented and treating stages are simple and to provide a substrate treatment system.例文帳に追加

金属層の酸化を防止することができ、かつ、処理工程が簡易な基板処理方法およびそのシステムを提供する。 - 特許庁

An antenna array which generates plasma by using an oxidation gas and a substrate stage on which a substrate is mounted are arranged in a deposition container.例文帳に追加

成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。 - 特許庁

The method includes a step of measuring the thickness of the thermal oxidation film formed on the substrate to be determined (d).例文帳に追加

次に、判定用基板上に形成された前記熱酸化膜の膜厚を測定する（ｄ）。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the surface of an Si substrate 10 by performing a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜１２が熱酸化処理によって形成されている。 - 特許庁

This oxidation equipment has such constitution that the target substrate 31 is made to adsorb oxidative seeds and nitric seeds mixedly in advance.例文帳に追加

ターゲット基板３１には、酸化種と窒化種を混合させて吸着させておく構成とする。 - 特許庁

To provide a substrate of meter for vehicle which prevents the oxidation of a copper foil by an inexpensive constitution.例文帳に追加

安価な構成にて銅箔の酸化を防止する車両用計器の基板を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration caused by oxidation of a hydrogen permeable metal substrate containing a group 5A metal element.例文帳に追加

５Ａ属金属元素を含む水素透過性金属基材の酸化による劣化を抑制する。 - 特許庁

An oxide film is grown on the dug surface of the silicon substrate by oxidation (S3-S5).例文帳に追加

酸化処理によって掘り下げられたシリコン基板の表面に酸化膜を成長させる（Ｓ３〜Ｓ５）。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANODIC OXIDATION SUBSTRATE FOR USE THEREIN, AND SOLAR CELL例文帳に追加

光電変換素子、その製造方法、それに用いられる陽極酸化基板及び太陽電池 - 特許庁

The second oxidation window 15b reaching the semiconductor substrate 11 is formed on the second region 11b.例文帳に追加

第２領域１１ｂに半導体基板１１にまで達する第２酸化窓１５ｂを形成する。 - 特許庁

THERMAL OXIDATION METHOD, PIEZOELECTRIC ACTUATOR WITH SUBSTRATE FORMED THEREBY, AND LIQUID INJECTION DEVICE例文帳に追加

熱酸化方法及びこれによって得られた基板を備えた圧電アクチュエータ並びに液体噴射装置 - 特許庁

Thereafter, low-density ozone water is supplied onto the surface of the substrate W from the nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

その後、基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０から低濃度オゾン水が供給される。 - 特許庁

In the method for producing the electrophotographic photoreceptor, an electrically conductive substrate is immersed in an anodic oxidation solution at 0-16°C and subjected to anodic oxidation.例文帳に追加

導電性支持基体を温度が０℃〜１６℃である陽極酸化処理液に浸して陽極酸化処理を施す電子写真感光体の製造方法 - 特許庁

A cell gate insulation film comprising a tunnel oxidation film, a silicon nitride film and an upper oxidation film stacked successively on the whole face of a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

半導体基板全面に順次にスタックされたトンネル酸化膜、シリコン窒化膜及び上部酸化膜からなったセルゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for adequately oxidizing a substrate to be processed on one hand, and for restraining oxidation of the substrate on the other hand.例文帳に追加

一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A CVD oxidation film 3 is formed on the surface of a substrate 1 without directly forming the thermal oxide film on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１表面上に直接、熱酸化膜を形成するのではなく、基板１表面上に、ＣＶＤ酸化膜３を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 exhibiting a high oxidation barrier characteristic is formed selectively on the surface of a silicon substrate 1 by subjecting the substrate 1 to a direct thermal nitriding process or the like.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に酸化バリア性の高いシリコン窒化膜をシリコン基板の直接熱窒化等で形成する。 - 特許庁

The methods involve depositing a barrier layer on the germanium substrate to prevent oxidation of the germanium substrate, when forming a dielectric layer on the germanium substrate (step 130).例文帳に追加

ゲルマニウム基板上に誘電層を形成する場合のゲルマニウム基板の酸化を防止するためにゲルマニウム基板上にバリア層を堆積するステップ１３０を伴う。 - 特許庁

The oxidation resistant and corrosion resistant metal substrate (1) is a substrate produced by forming a dense titania layer (5) on the surface of a metal substrate by applying a titanium peroxide solution or its sol.例文帳に追加

（１）金属基板表面に過酸化チタン溶液またはそのゾル状物をコーティングして緻密なチタニア層を形成した耐酸化性耐腐食性金属基板。 - 特許庁

This cleaning method includes a process 10 for oxidizing the semiconductor substrate, a process 11 for performing the oxidation-reduction of the oxidized semiconductor substrate, a process 12 for oxidizing the semiconductor substrate which is subjected to oxidation-reduction, a process 13 for reducing the oxidized semiconductor substrate, a process 14 for rinsing the reduced semiconductor substrate, and a process 15 for oxidizing the rinsed semiconductor substrate again.例文帳に追加

半導体基板を酸化する工程１０と、酸化した半導体基板を酸化還元する工程１１と、酸化還元した半導体基板を酸化する工程１２と、酸化した半導体基板を還元する工程１３と、還元した半導体基板をリンスする工程１４と、リンスした半導体基板を再度酸化する工程１５とを含む。 - 特許庁

To form at a high speed an anodic oxidation film as an insulating layer on one side of a metal substrate.例文帳に追加

金属基板の絶縁層として陽極酸化被膜を金属基板の片面に高速に製膜する。 - 特許庁

An extremely thin oxide film 2 is formed by subjecting a surface of an Si substrate 1 to thermal oxidation (refer to Fig.(a) and (b)).例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。 - 特許庁

An insulating film (40) which contains silicon oxide or silicon oxynitride is formed on a semiconductor substrate by thermal oxidation.例文帳に追加

半導体基板上に、熱酸化により酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む絶縁膜(40)を形成する。 - 特許庁

The chemical conversion coating can be obtained by subjecting a substrate metal containing nitrogen in the valve metal to anodic oxidation treatment.例文帳に追加

弁金属中に窒素を含有した基体金属を陽極酸化処理することにより得られる。 - 特許庁

Thermal oxide films 21 and 22 are formed on both the front and rear of a silicon carbide semiconductor substrate 1 by thermal oxidation.例文帳に追加

まず、炭化珪素半導体基板１の表裏面を熱酸化して熱酸化膜２１、２２を形成する。 - 特許庁

To reduce the level of metal contamination of an oxide film formed on a silicon substrate by plasma oxidation.例文帳に追加

プラズマ酸化によりシリコン基板上に形成される酸化膜の金属汚染量を低減すること。 - 特許庁

Thereafter, thermal oxidation of the Si substrate 1 forms a thermally-oxidized film each in the cavities 25 and 27.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

Then, the surface of the exposed semiconductor substrate 1 is subjected to oxidation treatment.例文帳に追加

次に、所定の条件のもとで、露出している半導体基板１の表面に酸化処理が施される。 - 特許庁

A formaldehyde oxidation/reduction enzyme is fixed on the surface of a substrate in the filter for eliminating formaldehyde.例文帳に追加

本発明のホルムアルデヒド除去フィルタは、ホルムアルデヒド酸化還元酵素を担体表面に固定化している。 - 特許庁

The upper surface of a semiconductor substrate 1 is subjected to thermal oxidation treatment to form a gate insulation film 5.例文帳に追加

半導体基板１の上面には、ゲート絶縁膜５を形成すべく熱酸化処理が施される。 - 特許庁

The optical waveguide consists of a silicon substrate and a thermal oxidation film to be a lower clad film formed on the substrate, and the thermal oxidation film is formed by thermally oxidizing the silicon substrate and contains aluminum.例文帳に追加

およびシリコン基板と、該基板上に形成された下側クラッド膜となる熱酸化膜から成る光導波路基板であって、前記熱酸化膜が、シリコン基板を熱酸化させて形成したアルミニウムを含有する熱酸化膜から成る光導波路基板。 - 特許庁

In the case of performing nitridation treatment or oxidation treatment to the substrate surface, a variable impedance value is adjusted to adjust susceptor potential, that is the potential of the substrate.例文帳に追加

基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、可変インピーダンス値を調整してサセプタ電位、すなわち基板の電位を調整する。 - 特許庁

The anodic-oxidation is performed on the silicon carbide substrate, by irradiating the substrate with light in a wavelength region having larger energy than the band gap of silicon carbide.例文帳に追加

炭化ケイ素基板に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ陽極酸化を行う。 - 特許庁

To provide a method for oxidation treatment of a silicon based material capable of carrying out anisotropic oxidation of a silicon based treated material such as a silicon substrate at a temperature lower than 1000°C.例文帳に追加

シリコン基板のようなシリコン系被処理物を１０００℃より低い温度で異方性の酸化を実行し得るシリコン系被処理物の酸化処理方法を提供する。 - 特許庁

After that, the substrate is fitted to a resistance heating furnace and is heated at 800-1000°C, thus forming a silicon oxide film 14 by the wet oxidation method or the dry oxidation method (d).例文帳に追加

その後、基板を抵抗加熱炉に装着して８００〜１０００℃の温度に加熱してウェット酸化法又はドライ酸化法にてシリコン酸化膜１４を形成する（ｄ）。 - 特許庁

In the electronic cooling element 50, the natural oxidation film 52 is formed on the n-type silicon substrate 51, and the metal film 53 is formed on the natural oxidation film 52.例文帳に追加

電子冷却素子５０では、Ｎ型シリコン基板５１の表面に自然酸化膜５２が形成されており、自然酸化膜５２上に金属膜５３が形成されている。 - 特許庁

The wiring board includes a metallic core substrate 1, an oxidation-resisting coating layer 2 formed over the entire surface of the core substrate 1, an insulating layer 3 formed on the oxidation-resisting coating layer 2, and a wiring layer 4.例文帳に追加

本発明の配線基板は、金属製のコア基板１と、このコア基板１の全面に形成された耐酸化性被覆層２と、耐酸化性被覆層２の上に形成された絶縁層３と、配線層４とを備える。 - 特許庁

To prevent oxidation of a base film and to provide a utilizing method of an epitaxial substrate to which the oxidation preventing effect is given, in the epitaxial substrate provided with the Al-containing group III nitride base film.例文帳に追加

Ａｌ含有III族窒化物下地膜を具えるエピタキシャル基板において、前記下地膜の酸化を防止するとともに、このようにして酸化防止効果が付与されたエピタキシャル基板の使用方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical waveguide including a process of thermally oxidizing at least a silicon substrate to form a thermal oxidation film to be a lower clad film on the surface of the substrate, the process of forming the thermal oxidation film is a process of forming a thermal oxidation film containing aluminum.例文帳に追加

少なくともシリコン基板を熱酸化して下側クラッド膜となる熱酸化膜を基板表面に形成する工程を有する光導波路基板の製造方法において、前記熱酸化膜の形成は、アルミニウムを含有する熱酸化膜を形成する光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

Therefore, when the silicon oxidation film 6 of the peripheral area, the first gate material 5 and the gate oxidation film 4 are removed by wet etching, the etching solution is prevented from entering between the silicon oxidation film 10 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４をウェットエッチングにより除去する際、エッチング溶液がシリコン酸化膜１０と半導体基板１との間に入り込むことを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide an application apparatus and an application method by which a coating solution is applied onto a substrate while preventing oxidation of the coating solution.例文帳に追加

塗布液の酸化を防止しながら基板に塗布を行う塗布装置および塗布方法を提供する。 - 特許庁

Oxidation is performed on the exposed surface of the substrate 101 to make round the surfaces of element regions.例文帳に追加

半導体基板１０１の露出している表面に酸化を行って素子領域の表面に丸みを付ける。 - 特許庁