例文 (741件) |
substrate oxidationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 741件
To provide a surface coated member and a surface coated cutting tool, which have a TiAlN hard film having an improved wear resistance on the surface of the substrate, while maintaining high oxidation resistance and high chipping resistance by controlling internal stress of the TiAlN film.例文帳に追加
高い耐酸化性を維持し、TiAlN皮膜の内部応力を制御して高い耐欠損性を維持しつつ、耐摩耗性を向上させたTiAlN硬質皮膜を基材表面に被着形成した表面被覆部材および表面被覆切削工具を提供することである。 - 特許庁
In the manufacturing apparatus 101 for the particulate material of which a surface is coated with a ferrite layer, the manufacturing apparatus 101 comprises mechanisms 6, 7 for bringing an oxidation medium containing a reactive solution containing at least ferrous ions, at least an oxidizing agent or at least oxygen into contact with a substrate.例文帳に追加
表面がフェライト層で被覆された粒子状物の製造装置101であって、前記製造装置は少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、少なくとも酸化剤もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる機構6,7を備えている。 - 特許庁
The visible light reflection plate 10 is provided with a reflection layer 2 which is composed of a thin aluminum film having a main surface azimuth of (111) disposed on a substrate 1 and the protective film 3 which is disposed on the surface of the reflection layer 2 and is composed of an aluminum oxide film formed by plasma oxidation.例文帳に追加
可視光反射板10は、基板1上に設けられた(111)の主要面方位を備えたアルミニウム薄膜からなる反射層2と、前記反射層2の表面に設けられ、プラズマ酸化によって形成された酸化アルミニウム膜からなる保護層3とを備えている。 - 特許庁
To reduce the gate leakage current in three kinds of MOS transistors having their respective gate oxide films of a small, medium and large thicknesses formed on the same semiconductor substrate, by preventing the deterioration of the gate oxide films with holding high the accelerated oxidation effect of the medium-thickness gate oxide film.例文帳に追加
それぞれ小膜厚、中膜厚及び大膜厚のゲート酸化膜を有する3種類のMOS型トランジスタを同一半導体基板に形成する場合、中膜厚のゲート酸化膜の増速酸化効果を高く保ちつつゲート酸化膜の劣化を防止して、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁
This manufacturing method of the magneto-resistance effect element has a process for forming an aluminum thin film on the glass substrate 1, an anodic oxidation process for obtaining the almite (R) thin film 2 by oxidizing the aluminum thin film, and a process for forming the ferromagnetic thin film 3 in a prescribed pattern on the almite (R) thin film 2.例文帳に追加
ガラス基板1にアルミニウム薄膜を形成する工程、アルミニウム薄膜を酸化させてアルマイト薄膜2とする陽極酸化工程、アルマイト薄膜2上に所定のパターンで強磁性薄膜3を形成する工程を有する磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 特許庁
The flexible dye-sensitized solar cell is composed of a photoelectric transfer electrode having a semiconductor layer decorated by a sensitizer on a metal mesh, fixed on a transparent substrate, an electrolyte layer containing at least a material exhibiting a reversible electrochemical oxidation-reduction property, and a counter electrode constructed of a metal foil which is covered by a substance having a catalyst action to the substance showing the reversible electrochemical oxidation-reduction property.例文帳に追加
増感剤により修飾された半導体層を金属メッシュ上に有してなる光電変換電極を透明基板に固定したもの、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有した電解質層、および前記可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質に対して触媒作用を有する物質により被覆された金属箔から構成される対向電極、からなることを特徴とするフレキシブル色素増感太陽電池。 - 特許庁
In the method of reprocessing the semiconductor substrate, an embrittlement layer and a semiconductor layer remaining on a periphery of the film-separated semiconductor substrate are selectively removed with use of a mixture solution containing a material which functions as an oxidant which oxidizes a semiconductor, a material which resolve an oxide of the semiconductor, and a material which functions as a moderator for oxidation of the semiconductor and for dissolution of the oxide of the semiconductor.例文帳に追加
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。 - 特許庁
To provide a method of forming a porous layer on a silicon single crystal substrate by an electrolytic oxidation method wherein only the plane orientation (111) of a silicon single crystal substrate is left on the surface to flaten the surface of the porous layer, and a part of the plane orientation (111) is selectively etched, and a triangular hole with an appropriately controlled etching hole and hole density is formed.例文帳に追加
電解酸化法によってシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成する際、該多孔質層の表面が平坦化するようシリコン単結晶基板の(111)面方位のみを表面に残し、かつ、該(111)面方位の一部を選択的にエッチングでき、エッチング孔径及び孔密度等、適切に制御された三角柱状孔を生成し、多孔質層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁
A substrate for cell culture includes a base material and a cell adhesive region formed on a substrate surface, wherein the cell adhesive region is formed of a membrane obtained by applying an oxidation treatment and/or decomposition to a cell-adhesion-inhibitory hydrophilic membrane, that contains an organic compound having a carbon-oxygen bond, to make the membrane cell-adhesive.例文帳に追加
本発明は、基材と、基材表面に形成された細胞接着性領域とを備える細胞培養用基板であって、細胞接着性領域が、炭素酸素結合を有する有機化合物を含む細胞接着阻害性の親水性膜に酸化処理および/または分解処理を施して細胞接着性とした膜で形成されていることを特徴とする細胞培養用基板を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加
下地基板1上にエピタキシャル法によって、バッファ層2、チャネル層3、及び電子供給層4から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してAlNを電子供給層4上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜5を形成する。 - 特許庁
The gaseous hydrogen detecting apparatus detects concentration of the gaseous hydrogen in both an oxygen-free environment and an oxygen- present environment, and is provided with an insulating substrate 310, sensing membranes 30 and 31 having Pd as a main component and provided on one surface of the insulating substrate, and oxidation-resistive membranes 90 and 91 having a metal element as a main component hardly oxidizable in the atmosphere and provided on the sensing membranes.例文帳に追加
無酸素環境下および有酸素環境下のいずれにおいても水素ガスの濃度を検出する水素ガス検出装置であって、絶縁性基板310と、この絶縁性基板の一方側の面上に設けられたPdを主成分とする感知薄膜30,31と、この感知薄膜の上に設けられた大気中で酸化され難い金属元素を主成分とする酸化抵抗薄膜90,91とを具備する。 - 特許庁
The magnetite thin film containing Co is deposited on a long-length substrate consisting of polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN), its substrate side is made to run while being brought into contact with a drum whose circumferential surface is cooled and the side of the magnetite thin film containing cobalt is subjected to thermal oxidation treatment to deposit the magnetic layer consisting of the maghemite thin film containing cobalt having 1 to 10 wt% cobalt content.例文帳に追加
ポリエチレンテレフタレート(PET)、又はポリエチレンナフタレート(PEN)よりなる長尺状の基体上にコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、続いて周面を冷却させたドラム上に基体側を接触させて走行させ、かつコバルト含有マグネタイト薄膜側に対し加熱酸化処理を施し、コバルトの含有量1〜10重量%のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を形成する。 - 特許庁
The semiconductor device is fabricated by a process of selectively introducing halogen element or argon to an element region 14 of a silicon substrate 10 and a process of forming a silicon oxide film 24 over an element region 16 and a silicon oxide film 22, which is thicker than film 24, over the element region 14 by wet oxidation of the substrate 10 under the reduced pressure or the diluted atmosphere by nitrogen or rare gas.例文帳に追加
シリコン基板10の素子領域14に、ハロゲン元素又はアルゴンを選択的に導入する工程と、シリコン基板10を、減圧下又は窒素若しくは希ガスにより希釈された雰囲気でウェット酸化することにより、素子領域16にシリコン酸化膜24を、領域14にシリコン酸化膜24より厚いシリコン酸化膜22を、それぞれ形成する工程とを有する製造方法により半導体装置を製造する。 - 特許庁
To obtain a photocatalytic hydrophilic coating agent for an automobile body, capable of not damaging initial hydrophilicity/hydrophilization rate by preventing decomposition of substrate by oxidation-reduction without hindering hydrophilicity and capable of maintaining initial appearance by preventing occurrence/growth of crack, etc., in a photocatalytic hydrophilic coating agent for coating the surface of the substrate constituting the automobile body.例文帳に追加
自動車の車体を構成する基材表面をコーティングする光触媒性親水性コーティング剤において、親水性を阻害せずに基材の酸化還元による分解を防止することによって初期親水性・親水化速度を損なわず、かつクラックなどの発生・成長を防止することによって初期外観を維持することが可能な自動車ボディー用光触媒性親水性コーティング剤を提供する。 - 特許庁
The amorphous silicon film 102 is formed on an insulating substrate 101, the metal element 103 (nickel) that promotes the crystallization is added to the amorphous silicon film 102, and then the crystallization heating process is carried out in non-oxidation gas that is adjusted to have an oxygen concentration of a process chamber atmosphere of 1000 ppm or below.例文帳に追加
絶縁基板101上にアモルファスシリコン膜102を形成し、結晶化を助長する金属元素(ニッケル)103をアモルファスシリコン膜102に添加した後、処理室雰囲気の酸素濃度が1000ppm以下となるように調節された非酸化性ガス中で結晶化加熱処理を行なう。 - 特許庁
To provide a curable composition for an aluminum substrate which can obtain a cured product high in surface hardness and scratch resistance and good in antifouling properties by a simple operation and a surface-treated aluminum molding protected from surface hurting, oxidation, corrosion, etc., by applying the composition on the molding and curing the composition.例文帳に追加
簡便な操作で表面硬度や耐擦傷性が高く、防汚性を有する硬化物が得られるアルミニウム基材用の硬化性組成物を提供すると共に、該硬化性組成物をアルミニウム成形品に塗布、硬化させることで、表面の傷つき、酸化、腐食などから保護された表面処理アルミニウム成形品を提供すること。 - 特許庁
To provide an oxidation coloring electrochromic material which need not be placed in an electrochemically decolorized state, when turned into an element by improving the visible light transmissivity of a substrate with a nickel oxide film formed by an EB vapor-depositing method etc., and to provide an electrochromic element which has a high contrast ratio in decoloration and superior durability.例文帳に追加
EB蒸着法等で成膜された酸化ニッケル膜付き基板の可視光透過率を向上させ、素子化する際に電気化学的に消色状態とする必要が無い酸化発色性エレクトロクロミック材料を提供すると共に、着消色時のコントラスト比が高く、耐久性に優れたエレクトロクロミック素子を提供する - 特許庁
To provide a method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor capable of providing a sufficient strength to a dielectric substrate, resulting in suppressing the occurrence of cracks while oxidation of ends of internal electrode layers using a base metal is suppressed and excellent IR temperature dependence is maintained.例文帳に追加
卑金属を用いた内部電極層の端部酸化の抑制と良好なIR温度依存性を維持したまま、誘電体素地に十分な強度を付与できる結果、クラックの発生を抑制することができる、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造する方法を提供すること。 - 特許庁
The substrate 1 for a printed wiring board is formed by laminating a plating layer 30 on the surface of the insulative base material 10, wherein metal particles L for suppressing oxidation of the plating layer 30 are dispersed and deposited on an interface between the insulative base material 10 and the plating layer 30.例文帳に追加
絶縁性の基材10の表面にめっき層30を積層してなるプリント配線板用基板1であって、前記絶縁性の基材10とめっき層30との界面にめっき層30の酸化を抑制する金属粒子Lを分散付着させてあることを特徴とするプリント配線板用基板である。 - 特許庁
The rewritable hologram recording medium has a gel film containing a silver salt component, organosiloxane component, titanium compound component and halogeno component, applied on a substrate, wherein silver-containing nanoparticles having a particle diameter of 1 to 100 nm and inducing a reversible oxidation-reduction reaction between a silver ion derived from the silver salt and silver are dispersed in the gel film.例文帳に追加
書換可能ホログラム記録媒体は、銀塩成分とオルガノシロキサン成分とチタン化合物成分とハロゲノ成分とを含むゲル膜が基材上に付されており、前記銀塩由来の銀イオンと銀との可逆な酸化還元反応を起こす1〜100nmの粒径の銀含有ナノ粒子が、該ゲル膜中に分散している。 - 特許庁
The present invention relates to the composition for dyeing keratin fibers and in particular human keratin fibers such as hair, containing, in a support that is suitable for dyeing, at least one oxidation dye precursor, characterized in that it comprises at least one alcohol oxidase enzyme and at least one substrate for the enzyme.例文帳に追加
本発明は、染色に適した支持体中に、少なくとも一つの酸化染料前駆体を含み、少なくとも一つのアルコールオキシダーゼ酵素及び少なくとも一つの該酵素の基質を含むことを特徴とする、ケラチン繊維、特にヒトのケラチン繊維、例えば毛髪を染色するための組成物に関する。 - 特許庁
To provide a method of producing a photochromic optical article having a photochromic layer containing an indenonaphthopyran compound as a photochromic compound formed on the surface of an optical substrate such as a plastic lens, highly suppressing a decrease in the properties of the photochromic layer caused by the deterioration by oxidation, and featuring very excellent photochromic light resistance.例文帳に追加
プラスチックレンズ等の光学基板の表面に、フォトクロミック化合物としてインデノナフトピラン化合物を含むフォトクロミック層が形成されており、酸化劣化によるフォトクロミック層の特性低下が高度に抑制され、フォトクロミック性の耐久性に極めて優れたフォトクロミック性光学物品の製造方法を提供すること - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加
食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース/ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁
An element isolation oxide film 3 and a first gate oxide film 5 are formed on a semiconductor substrate 1, the gate oxide film 5 in device forming regions 3b and 3c is removed using the mask of a silicon nitride film 7 formed on the first gate oxide film 5 of a device forming region 3a, and a second oxide film 11 is formed by thermal oxidation (D).例文帳に追加
半導体基板1に素子分離酸化膜3及び第1ゲート酸化膜5を形成し、素子形成領域3aの第1ゲート酸化膜5上に形成したシリコン窒化膜7をマクスにして素子形成領域3b,3cのゲート酸化膜5を除去し、熱酸化処理により第2ゲート酸化膜11を形成する(D)。 - 特許庁
An oxide film serving as a gate oxide layer 2 is formed on a silicon semiconductor substrate 1, a shield is laminated on the oxide film at a position where a gate electrode is formed, the oxide film is additionally grown by oxidation, then the shield is removed, and a gate electrode 6 is formed on a site from which the shield is removed.例文帳に追加
シリコン半導体基盤1上にゲート酸化層2となる酸化膜を形成し、ゲート電極が作成される位置の酸化膜上に遮蔽体を積層し、酸化を行って酸化膜を追加成長させた後に遮蔽体を除去し、遮蔽体を除去した跡にゲート電極6を作成する。 - 特許庁
A migration of the electrons is performed through the oxide film or the like by not only the oxide film obtained by directly thermally oxidation of the substrate having high reliability with the high reliability as a background but also through the oxide film or the like deposited via a CVD, and hence controlled by potentials of the same polarity at the time of writing and erasing information.例文帳に追加
この高信頼性を背景に、信頼性の高い、シリコン基板を直接熱酸化膜して得られる酸化膜だけではなく、CVDで堆積した酸化膜などを通して電子の移動を可能とすることで、情報の書き込み時および情報の消去時に同じ極性の電位で制御する。 - 特許庁
This electrochemical sensor is made by fixing the enzyme on a metallic electrode by covalent bonding through the medium of hydrophilic macromolecules such as polyethylene glycol (PEG) and is characterized by being used for detecting variations in an electrochemical signal, such as oxidation or reduction current, caused by an action of a substrate on the fixed enzyme.例文帳に追加
金属電極上にポリエチレングリコール(PEG)のような親水性高分子を介して酵素が共有結合により固定化されてなり、該固定化された酵素に対する基質が作用することにより生ずる電気化学的なシグナルの変動、例えば酸化もしくは還元電流を検出することを特徴とする電気化学センサー。 - 特許庁
There are provided the dye solution containing a melanin precursor produced by an enzymatic oxidation reaction of at least one substrate compound selected from the group consisting of DOPA(3-(3,4-dihydroxyphenyl)alanine) and an analog thereof, and ethanol, wherein the chloride ion concentration is 300 ppm or less; and a method for producing the same.例文帳に追加
DOPA(3-(3,4-ジヒドロキシフェニル)アラニン)及びこれらの類縁体からなる群より選ばれる少なくとも1種の基質化合物の酵素酸化反応により製造されたメラニン前駆体、及びエタノールを含有する染料溶液であって、塩化物イオン濃度が300 ppm以下であることを特徴とする染料溶液、並びにその製造方法。 - 特許庁
Before the wire bonding is performed on an electrode forming nickel plating on a thin film metal barrier used as the uppermost surface layer on a substrate such as an IC board, acid radical and hydroxyl group forming oxidation product of nickel being a trace quantity on the surface layer of the electrode are reduced and removed.例文帳に追加
IC基板等のサブストレート上の最表層としてなる薄膜金属のバリアにニッケルめっきを形成して成る電極にワイヤボンディングを行なうに先立ち、前記電極の表層部に微量なるニッケルの酸化生成物を形成する酸基および水酸基を還元して取り除くことを特徴とするワイヤボンディング前処理方法。 - 特許庁
To provide a photochromic product with high photochromic durability by effectively preventing the oxidation degradation of a dispersed photochromic compound, without causing a decrease in color development density, in an optical substrate, at least one side of which is provided with a photochromic surface layer part composed of a resin with the dispersed photochromic compound.例文帳に追加
少なくとも一方の表面にフォトクロミック化合物が分散した樹脂で構成されたフォトクロミック表層部を有する光学基板において、発色濃度の低下を生じることなく、フォトクロミック化合物の酸化劣化を有効に防止して、フォトクロミック耐久性の高いフォトクロミック製品を提供すること。 - 特許庁
In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.例文帳に追加
プラスチックフィルムよりなる基体1上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層3とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体10を提供する。 - 特許庁
In the sputtering method in an oxidation mode for depositing an optical multilayer film on a substrate face within a vacuum tank, the total pressure in the vacuum tank is controlled in the process of depositing the optical multilayer film, thus at least either the sputtering voltage or sputtering current is held to prescribed value or prescribed width.例文帳に追加
真空槽内で基板面上に光学多層膜の成膜をする為の酸化モードでのスパッタ方法であって、前記光学多層膜の成膜中に前記真空槽内の全圧を調節することによってスパッタ電圧又はスパッタ電流の少なくとも一方を所定値又は所定幅に保つスパッタ方法。 - 特許庁
The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加
本発明方法は、(a)半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、(b)該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル(RTA)を施す段階と、(c)該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁
In the respective mesas 100A to 100D of the surface-emitting lasers 10A to 10D, the semiconductor layer 104 has an equal outside dimension in plan view from the side of the substrate, and a current injection region 104A surrounded by a current constriction region formed by oxidation of a part of the semiconductor layer 104 has approximately an equal area.例文帳に追加
各面発光レーザ10A〜10Dの各メサ100A〜100Dは、基板面側からの平面視において半導体層104の外形寸法が等しく、かつ、半導体層104の一部を酸化して形成された電流狭窄領域に囲まれる電流注入領域104Aが略同一面積である。 - 特許庁
As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed.例文帳に追加
その結果、支持基板500と単結晶シリコン層230の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝260で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。 - 特許庁
The structure of the oxidation-resistant coating formed on the heat-resistant alloy comprises: an alloy film of the first layer for the purpose of preventing diffusion formed as needed on the surface of a substrate of the heat-resistant alloy; and a composite film of the second layer further formed on the surface, which consists of an alloy layer containing at least Al or Si and reinforced fibers dispersed therein.例文帳に追加
耐熱合金の基材表面に、必要に応じて拡散防止を目的とする第一層の合金皮膜が形成され、さらにその表面に少なくともAl又はSiを含む合金層中に強化繊維が分散された第二相の複合皮膜が形成された耐熱合金の耐酸化被覆構造。 - 特許庁
The process for preparing an organic acid or its derivative comprises subjecting a hydrocarbon substrate to oxidation treatment with the use of an MC-type homogenous catalyst selected from Co/Br, Mn/Br, Co/Mn/Br, and Co/Mn/M/Br and an O_2/CO_2 mixed gas oxidizing agent whose oxygen partial pressure is adjusted to 30-40%.例文帳に追加
Co/Br、Mn/Br、Co/Mn/Br、Co/Mn/M/Brの中から選択されたMC型均一触媒、および酸素分圧が30〜40%に調節されたO_2/CO_2混合気体酸化剤を用いて炭化水素基質を酸化処理して有機酸またはその誘導体を製造する方法を提供する。 - 特許庁
The high efficiency heat conducting circuit board for electrically connecting an electronic part (5) includes a plurality of conductive contactors (4) for electrically connecting a metal oxide layer (3) formed of a micro arc oxidation on a metal substrate (2) and the electronic part (5) formed by plasma ion plating on the metal oxide layer (3).例文帳に追加
電子部品(5)を電気的に接続する高効率熱伝導回路基板は、金属基板(2)の上にマイクロアーク酸化により形成した金属酸化物層(3)と、金属酸化物層(3)の上にプラズマイオンメッキにより形成した、電子部品(5)を電気的に接続する複数の導電性接触子(4)とを含む。 - 特許庁
This device for producing a porous preform by accumulating on an accumulation substrate the glass particles produced by a flame hydrolysis reaction or an oxidation reaction using a burner, characterized in that a reaction vessel 1 used for forming the porous preform comprises a metal member 2 on whose surface a glass layer is formed.例文帳に追加
バーナを用いて火炎加水分解反応あるいは酸化反応により生成したガラス微粒子を堆積基材上に堆積させて多孔質母材を形成する装置において、多孔質母材の形成に用いる反応容器1が、表面にガラス層が形成された金属部材2からなっている。 - 特許庁
In the EL display element, a laminated film of a luminous layer 12 and a buffer layer 9 having carrier transportation ability is pinched by a first electrode 4 and a second electrode 14, and one of the first and the second electrode is formed on a substrate 2, and the buffer layer is made of at least an organic-solvent soluble polymer and a photo-oxidation initiator.例文帳に追加
発光層12と、キャリア輸送能を有するバッファ層9との積層膜が第1の電極4および第2の電極14で挟持されかつ第1および第2の電極の内の一方が基板2上に形成され、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと光酸発生剤からなっている。 - 特許庁
To provide an oxygen-absorbing coating film exhibiting high oxygen-absorbing performances that is used for prevention of deterioration of a metal substrate or the like of an industrial product, for prevention of oxidation of various foods, pharmaceuticals or cosmetics and for other various applications, and an oxygen-absorbing coating capable of forming the oxygen-absorbing coating film.例文帳に追加
本発明は、工業製品の金属下地等の劣化防止や、各種食品、医薬品、化粧品の酸化防止等、種々の用途に用いられる酸素吸収能の高い酸素吸収性塗膜、およびその酸素吸収性塗膜を形成可能な酸素吸収性塗料を提供することを主目的としている。 - 特許庁
Then, the silicon substrate is subjected to anodic oxidation in an electrolyte containing hydrofluoric acid in a porous area formation step, thereby a porous silicon area is selectively formed in an area surrounding the partial area and a surface thin film developing various colors is formed between the porous silicon area and the mask thin film.例文帳に追加
そして、シリコン基板は、多孔質領域形成工程において、弗酸を含有する電解液中で陽極酸化されることにより、一部領域を含む周囲領域に選択的に多孔質シリコン領域が形成され、多孔質シリコン領域とマスク薄膜との間に多彩な発色を示す表面薄膜が形成される。 - 特許庁
The nitrogen oxide decomposing element 1 has a conductive solid electrolyte film 2 through which hydrogen ions pass selectively, a first electrode layer 3 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst for promoting anodic oxidation, a second electrode layer 4 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst promoting cathodic reduction, and a platinum group element catalyst 6 which is arranged adjacently to the second electrode layer 4 and supported on a porous metal oxide 5.例文帳に追加
水素イオンを選択的に透過させる導電性の固体電解質膜2と、電子導電性基材と陽極酸化を促進する触媒よりなる第1の電極層3と、電子導電性基材と陰極還元を促進する触媒よりなる第2の電極層4と、第2の電極層4に隣接して配設され多孔体の金属酸化物5に担持された白金族触媒6を備えた窒素酸化物分解素子1を提案した。 - 特許庁
Since an outer surface of a transparent electrode 55 can be shut off from air and moisture by forming a coating film 102 made of transparent silicon resin over the whole upper surface of the transparent electrode 55 formed in an outer surface of a glass substrate 52a, the reduction and oxidation reactions caused by applying the high voltage can be prevented.例文帳に追加
ガラス基板52aの外面に形成された透明電極55の上面の全面に亘って、透明なシリコン樹脂からなるコーティング膜102を形成することにより、空気および湿気から透明電極55の外面を遮断できるので、高電圧を印可することによって起こる還元および酸化反応を防止することが可能となる。 - 特許庁
The metal silicate film 8 is formed by forming a silicon oxide film on the silicon substrate by a thermal oxidation method, forming a metal oxide film on this silicon oxide film, and then heating the silicon oxide film and the metal oxide film at 800°C or lower in at least one gas atmosphere of inert gas and nitrogen gas.例文帳に追加
金属シリケート膜8は、シリコン基板上に熱酸化法によってシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜の上に金属酸化膜を形成した後、不活性ガスおよび窒素ガスの少なくとも一方のガス雰囲気下において、800℃以下の温度でシリコン酸化膜および金属酸化膜を加熱することによって形成される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent buried gate oxidation caused by subsequent processing, can increase a contact area among a bit line contact, storage node contact and substrate, can reduce contact resistance, can reduce GIDL among the bit line contact, storage node contact and the buried gate, and can prevent a failure of a self-aligned contact.例文帳に追加
後続の工程に伴う埋め込みゲートの酸化を防止し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと基板との間のコンタクト面積を増加させ、コンタクト抵抗を低減し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと埋め込みゲートとの間のGIDLを低減し、自己整合コンタクト不良を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加
さらに、受光部5の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第3の絶縁膜11を成膜し、この膜厚が薄く安定した第3の絶縁膜11を通してn型半導体基板1の受光部5の表面部にp型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面p+層を形成する。 - 特許庁
In the hydrogen production method for feeding an organic substrate to a microorganism having a formate dehydrogenase gene and a hydrogenase gene under anaerobic conditions, and continuously carrying out a hydrogen formation reaction, the rate of change of oxidation-reduction potential is controlled such that the change at hydrogen formation reaction is 100 mV/min or smaller.例文帳に追加
蟻酸脱水素酵素遺伝子およびヒドロゲナーゼ遺伝子を有する微生物に嫌気的条件下にて有機性基質を供給して連続的に水素生成反応を行う水素生産方法において、水素生成反応時における酸化還元電位の変化率を100mV/min以下になるように制御することを特徴とする水素生産方法。 - 特許庁
To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加
本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
The method, for manufacturing a semiconductor device for generating the oxide film on a substrate 5 to be treated by a combustion gas 14 from external combustion equipment 2 having a hydrogen gas supply line 11, an oxygen gas supply line 12 and a dilute gas supply line 13, includes the step of distributing the dilute gas to the dilute gas supply line, when the oxidation film forming treatment is conducted without diluting.例文帳に追加
水素ガス供給ライン11、酸素ガス供給ライン12、希釈ガス供給ライン13を有する外部燃焼装置2からの燃焼ガス14により被処理基板5に酸化膜を生成する半導体装置の製造方法に於いて、希釈を行わない酸化成膜処理を行う際、前記希釈ガス供給ラインに希釈ガスを流す。 - 特許庁
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