「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁

A vacuum pump 14 controls a supply flow rate of a gas containing ozone, based on an ozone concentration or ozone partial pressure of the gas after supplied to the substrate, measured by an ozone densitometer 13, when forming the oxide film on a surface of the substrate by supplying the gas containing the ozone from an ozone supply device 11 to the substrate in an oxidation treatment chamber 12.例文帳に追加

オゾン供給装置１１からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ１２内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ１４はオゾン濃度計１３によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。 - 特許庁

A variant of a parent Termamyl-like α-amylase is provided, which variant has α-amylase activity and exhibits an alteration in at least one of the following properties relative to the parent α-amylase: substrate specificity, substrate binding, substrate cleavage pattern, thermal stability, pH/activity profile, pH/stability profile, stability against oxidation, Ca^2+ dependency and specific activity.例文帳に追加

本発明は、親のテルマミル様α−アミラーゼの変異体であって、α−アミラーゼ活性を有し、且つ前記親のα−アミラーゼと比較すると次の性質：基質特異性、基質結合、基質開裂パターン、熱安定性、ｐＨ／活性プロフィール、ｐＨ／安定性プロフィール、酸化に対する安定性、Ca^2+依存性および比活性のうちの少なくとも１つの性質に変更を示す変異体に関する。 - 特許庁

In such a way, the inert gas is jetted toward the area overlapped with the cover portion 21 in a plane view, but not jetted from the jet ports 214 not overlapped with the substrate 9 on the upper surface 91 of the substrate 9, thereby reducing the amount of used inert gas for inhibiting the oxidation of a fluid material applied onto the substrate 9, water adsorption and the like.例文帳に追加

このように、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９とは重なっていない噴出口２１４からは不活性ガスが噴出されないため、基板９上に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着等を抑制するための不活性ガスの使用量を低減することができる。 - 特許庁

A VCSEL (vertical cavity surface emitting semiconductor laser) 10 containing a mesa of a selective oxidation type has; a substrate 100; a first mesa 20 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that emits laser beams; and has a second mesa 30 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that suppresses the emission of the laser beams.例文帳に追加

本発明に係る選択酸化型のメサを含むＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）１０は、基板１００と、前記基板１００上に形成され、レーザ光を出射する少なくとも１つのメサを含む第１のメサ２０と、前記基板１００上に形成され、レーザ光の出射を抑制する少なくとも１つのメサを含む第２のメサ３０とを有する。 - 特許庁

The method of subjecting the organic chlorine compounds in the soil and/or underground water to the decomposition treatment by supplying a proliferation substrate of the microorganisms to the soil and/or underground water and utilizing the effect of the microorganisms comprises supplying the proliferation substrate as a treating agent of ≤+100 mV in oxidation reduction potential of a silver/silver chloride electrode potential.例文帳に追加

微生物の増殖基質を土壌及び／又は地下水に供給し、微生物の作用を利用して土壌及び／又は地下水中の有機塩素化合物を分解処理する方法において、増殖基質を銀／塩化銀電極電位の酸化還元電位が＋１００ｍＶ以下の処理剤として供給する。 - 特許庁

The aluminum conductor is an insulation-coated aluminum conductor constituted of a substrate made from pure aluminum or an aluminum alloy and of an insulation coating covering the outer surface thereof, wherein the insulation coating formed on the surface of the substrate is comprised of an anodic oxidation coating having a specific surface area of 25 m^2/g or greater.例文帳に追加

本発明のアルミニウム導体は、純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材と該基材の外表面を被覆する絶縁被膜とからなる絶縁被覆アルミニウム導体であって、その絶縁被膜は、基材上に形成された比表面積が２５ｍ^２／ｇ以上ある陽極酸化皮膜からなることを特徴とする。 - 特許庁

The substrate 10 is thermally oxidized to form a first gate insulating film 110 and a second gate insulating film 210 in a first element region 101 and a second element region 201, respectively, and to form a thermal oxidation film on the substrate 10 positioned in a third element region 301 and a fourth element region 401.例文帳に追加

基板１０を熱酸化することにより、第１素子領域１０１及び第２素子領域２０１に、第１ゲート絶縁膜１１０及び第２ゲート絶縁膜２１０を形成し、かつ第３素子領域３０１及び第４素子領域４０１それぞれに位置する基板１０に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of an insulating film for forming an insulating film 50 on a substrate 40 includes a coating process for coating a dispersing solvent 30 containing nano-particles 10, and an oxidation process for exposing the nano-particles contained in the dispersing solvent coated on the substrate to an oxygen atmosphere.例文帳に追加

基板４０上に絶縁膜５０を形成する絶縁膜の形成方法であって、 前記基板上に、ナノ粒子１０を含む分散溶液３０を塗布する塗布工程と、 前記基板上に塗布された前記分散溶液に含まれる前記ナノ粒子を酸素雰囲気下に暴露する酸化工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The first substrate includes: a scribe mark 50 formed at a part positioned at a panel circumference outside the seal 40 at the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed of transparent conductive oxidation films; an electrode line formed of a metal material; and a flat film 15 formed so as to cover the substrate.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール40の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク50と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、基板を被覆するように設けられた平坦化膜15とを有する。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which the oxidation of the Al component of an Al-containing compound semiconductor layer can be prevented effectively, furthermore, contact resistance between the element and an element substrate and, in addition, the forward voltage of the element can be reduced even when the compound semiconductor layer is disposed on the side of the surface of the element stuck to the element substrate.例文帳に追加

素子基板との貼り合わせ面側にＡｌ含有化合物半導体層が配置される場合でも、該Ａｌ含有化合物半導体層のＡｌ成分が酸化されることが効果的に防止され、ひいては素子基板との間の接触抵抗ひいては順方向電圧の低減が容易な発光素子を提供する。 - 特許庁

The sheet material is provided with a metallic base material 1 consisting of aluminum or an aluminum alloy, a substrate layer 2 consisting of an anodic oxidation film, and formed on the surface of the metallic base material, a coated layer 3 of a silane coupling agent applied to the surface of the substrate layer 2, and an organic resin layer 4 formed on the surface of the coated layer 3.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属基材１と、該金属基材の表面に形成された陽極酸化皮膜からなる下地層２と、この下地層２の表面に塗布されたシランカップリング剤の塗布層３と、塗布層３の表面に形成された有機樹脂層４とを備える。 - 特許庁

To provide a composition of an adhesive for sealing semiconductor devices, wherein the adhesive exhibits high insulation reliability by allowing the adhesive to have effects of suppressing occurrence of voids in connecting a semiconductor chip and a substrate at a high temperature of 200°C or above and suppressing formation of electrically conductive substances by oxidation of tin plated on wiring lines of the substrate.例文帳に追加

２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体封止用接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

The coloring method for the magnesium material comprises an anodic oxidation step S13 providing a white oxide film on the surface of a substrate, by anodizing the surface of the substrate made of magnesium or the magnesium alloy, and coloring the anodic oxide film without coating it.例文帳に追加

マグネシウム材の着色方法において、マグネシウム製またはマグネシウム合金製の基材の表面を陽極酸化処理することによって、基材の表面に対して白色の陽極酸化膜を設ける陽極酸化工程Ｓ１３を含み、陽極酸化膜に対して無塗装着色を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching device for wet-etching a silicon substrate which is arranged to suppress the decrease in the etching rate resulting from the decrease in the oxidation-reduction potential of an etchant, and the deterioration in the in-plane uniformity of the amount of etching owing to the reduction in the circulating flow rate of the etchant.例文帳に追加

シリコン基板をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング液の酸化還元電位の低下によるエッチングレートの低下や、エッチング液の循環流量の低下によるエッチング量の面内均一性の低下を抑制する。 - 特許庁

In this medium, the nonmagnetic substrate 1 contains any of glass, carbon and silicon, the surface of the second underlaid film 3 faced to the first underlaid film 2 is subjected to oxidation treatment and the surface of the first underlaid film 2 is subjected to texture treatment.例文帳に追加

更に、非磁性基板１はガラス、カーボン、シリコンのいずれかを含み、第２の下地膜３は前記第１の下地膜２と向き合う面に酸化処理が施され、第１の下地膜２の表面にテクスチャ処理が施されている。 - 特許庁

An alignment regulation film 2 is formed on a non-metallic substrate 1 which undergoes texturing on a surface and the surface of the alignment regulation film 2 is subjected to oxidation or nitridation, and a non-magnetic undercoat film 3 and a magnetic film 4 are formed thereon.例文帳に追加

表面にテクスチャ加工を施した非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理し、その上に非磁性下地膜３および磁性膜４を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

Then, thermal oxidation is applied to the silicon substrate 1 to thicken the silicon oxide film formed on the region RH to form a silicon oxide film 18, and a silicon oxide film 17 is formed on the region RM and the region RL.例文帳に追加

次に、シリコン基板１に熱酸化処理を施すことにより、領域ＲＨに形成されたシリコン酸化膜を厚膜化してシリコン酸化膜１８とすると共に、領域ＲＭ及び領域ＲＬにシリコン酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

Due to the formation of the oxidation product 34, the leakage current 30 becomes difficult to flow along the crystal defect 32, and the leakage current 30 flowing between a compound semiconductor substrate 6 and a metal film 2 can be reduced.例文帳に追加

酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV mask blank in which initial EUV light reflectance is high and decrease of EUV light reflectance due to oxidation of a Ru protective layer is inhibited, and to provide a substrate with a function membrane that is used for production of the EUV mask blank.例文帳に追加

初期のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される機能膜付基板の提供。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

The horizontal side support shafts 210 are provided with a plurality of panel guide parts 220 expanded toward the element substrate 20, and the surface of the panel guide part 220 is made of ceramics such as hydrophilic glass among the various kinds of oxidation resistant materials.例文帳に追加

横側支持軸２１０は、素子基板２０の間に向けて張り出す複数のパネルガイド部２２０を備え、このパネルガイド部２２０の表面は、各種の耐酸化性材料のうち、親水性を備えるガラスなどといったセラミックス製である。 - 特許庁

Hydrogen and oxygen are simultaneously led into a reaction chamber in which the silicon substrate 10 having the STI film 17 formed is mounted, and the sacrificial oxide film 19 is formed in the element forming region 18 surrounded by the STI film 17 by radical oxidation.例文帳に追加

ＳＴＩ膜１７を形成したシリコン基板１０を載置した反応室内に水素と酸素を同時に導入し、ラジカル酸化によってＳＴＩ膜１７で囲まれた素子形成領域１８に犠牲酸化膜１９を形成する。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

In order to form the hydrated oxide layer, the oxide film layer and the aluminum enriched layer, the substrate metal is subjected to blasting or dry-honing, and oxidation for 1-10 hours in high-temperature pure water at 200-250°C.例文帳に追加

水和酸化物層，酸化皮膜層及びアルミニウム富裕層を形成するには、基体金属にブラスト又はドライホーニング処理を施した後、温度２００〜２５０℃の高温純水中において１〜１０時間の酸化処理を行う。 - 特許庁

To properly contain a gas for preventing oxidation, by making the member of a mask stage of a stepper light in weight and of high rigidity for preventing generation of a gap between the substrate and the mask stage.例文帳に追加

露光装置用マスクステージの部材を軽量で高剛性のものとすることで、自重たわみによる基板とマスクステージの間の隙間が生ずることがなくなるようにして、良好に酸化防止用の気体を収容することが可能とする。 - 特許庁

To provide an aluminum-graphite-silicon carbide composite suitable for a substrate of an LED package, which has remarkably improved strength characteristics while maintaining excellent characteristics in a thermal expansion coefficient, a thermal conductivity, oxidation resistance and plating property.例文帳に追加

熱膨張係数、熱伝導率、耐酸化性、めっき性などの点で優れた特性を維持しながら強度特性を顕著に改善された、ＬＥＤパッケージの基板として好適なアルミニウム−黒鉛−炭化珪素質複合体を提供する。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high field layer 6 is formed whose surface side of a polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 is made to have a porosity by a anode oxidation treatment and thereafter is made to be oxidized by a dilute nitric acid.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコン３の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。 - 特許庁

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.例文帳に追加

もしくは、スピンオン法（例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、ＲＦスパッタリング法）を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。 - 特許庁

For forming the hydrated oxide layer 105, the oxide layer 104 and the Al enriched layer 103, the substrate metal 101 is subjected to blast or honing treatment, and is thereafter subjected to oxidation treatment in high temperature pure water heated to 100 to 300°C.例文帳に追加

水和酸化物層１０５、酸化皮膜１０４及びＡｌ富裕層１０３を形成するには、基体金属１０１にブラスト又はホーニング処理を施した後、温度１００〜３００℃の高温純水中にて酸化処理を行う。 - 特許庁

To increase the high temperature oxidation resistance on sintering with a crystallized glass layer and to improve the adhesion to the glass layer by providing stainless steel optimum as a metallic base material for an automobile air bag weight detection substrate.例文帳に追加

自動車エアバッグ重量検知センサー基板用の金属基材として最適なステンレス鋼を提供することにより、結晶化ガラス層との焼結時の高温耐酸化性を改善するとともにガラス層との密着性を向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dielectric material thin film capacitor which is formed on a substrate having wiring conductors such as via holes and does not generate problems resulting from oxidation of wiring conductor and diffused barrier layer.例文帳に追加

ビアホール等の配線導体を有する基板上に形成される誘電体薄膜キャパシタであって、配線導体や拡散バリヤ層の酸化に伴う諸問題が生じない誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat shield oxidation resistant coating 14 for an organic matrix composite substrate 12 has a constitution provided with a bond coat 24 containing nanoparticles dispersed in a polyimide matrix, and a heat shield layer 22 containing a silsesquioxane or an inorganic polymer.例文帳に追加

有機マトリックス複合材基材１２用の遮熱酸化防止コーティング１４を、ポリイミドマトリックス中に分散したナノ粒子を含むボンドコート２４と、シルセスキオキサン又は無機ポリマーを含有する遮熱層２２とを備える構造とする。 - 特許庁

The solar cell comprises a transparent electrode film 2 successively laminated onto a transparent substrate 1, a p-layer (p-type semiconductor layer) 3, a titanium oxide layer 4 where the oxidation number is controlled, an n layer (n-type semiconductor layer) 5, and an electrode film 6.例文帳に追加

この太陽電池は、透明基板１の上に順次に積層された透明電極膜２、ｐ層（ｐ型半導体層）３、酸化数が制御された酸化チタン層４、ｎ層（ｎ型半導体層）５及び電極膜６を有する。 - 特許庁

Since the second plating film comprises the metal baser than tin, it is oxidized more easily than the case of the first plating film, and, the prevention in the oxidation of the first plating film as the substrate is possible by the oxide layer, so as to improve the soldering properties or the like of the terminal component.例文帳に追加

第二のめっき膜は、スズよりも卑な金属を含むので、第一のめっき膜よりも容易に酸化されるが、その酸化物層により下地の第一のめっき膜の酸化防止が可能で、はんだ付け性などが向上する。 - 特許庁

A first cavity 102 is formed from one surface, to join a second cavity forming surface of a silicon base body 100 forming a second cavity 104 communicating with the first cavity from an opposite side surface, to a thermal oxidation vibrating plate surface of a vibrating plate base body 110 composed of a separate silicon support substrate 108 and a thermal oxidation film vibrating plate 106 formed on the surface.例文帳に追加

片面から第一の空洞１０２を形成し、反対側の面から前記第一の空洞と連通する第二の空洞１０４を形成したシリコン基体１００の前記第二の空洞形成面と、別のシリコン支持基板１０８とその表面に形成した熱酸化膜振動板１０６からなる振動板基体１１０の熱酸化振動板面を接合する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

On the main face of the same semiconductor substrate IS, a gate insulating film 4a of an inside circuit area ICA is made a high dielectric film, and a gate insulating film 3a of an input and output circuit area I/O is made an oxidation silicon film or a nitriding silicon film.例文帳に追加

同一の半導体基板１Ｓの主面上において、内部回路領域ＩＣＡのゲート絶縁膜４ａは高誘電体膜とし、入出力回路領域Ｉ／Ｏのゲート絶縁膜３ａを酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜とした。 - 特許庁

A field oxide film 3 is formed on a silicon substrate 1, a resistor pattern 7 is formed on the field oxide film 3, a thermal oxide film is formed on the surface of the resistor pattern 7 through a thermal oxidation treatment, and a gate oxide film 9 is formed at the same time.例文帳に追加

シリコン基板１にフィールド酸化膜３を形成し、酸化膜３上に抵抗体パターン７を形成した後、熱酸化処理により抵抗体パターン７の表面に熱酸化膜を形成し、同時にゲート酸化膜９を形成する。 - 特許庁