「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor device, a gate insulating film 9 and an insulating film 10 are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 as oxide films by subjecting a channel layer 7 containing nitrogen to thermal oxidation, after the layer 7 is formed in a channel region 5 in the main surface of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面の中のチャネル領域５に、窒素を含有するチャネル層７が形成された後に、熱酸化処理が施されることにより、半導体基板１の主面の上に、ゲート絶縁膜９および絶縁膜１０が、酸化膜として形成される。 - 特許庁

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

While a substrate surface 2 made of the magnesium or the magnesium alloy is immersed into an electrolyte 4 of 40 to 70°C containing alkali metal hydroxide and aluminate, the substrate surface is subjected, as one electrode, to the anodic oxidation treatment at current density 2 to 7 A/dm^2 without producing a spark discharge.例文帳に追加

マグネシウム製またはマグネシウム合金製の基材２を、アルカリ金属水酸化物およびアルミン酸塩を含む４０〜７０℃の電解液４に浸漬しつつ、当該基材を一方の電極として、２〜７Ａ／ｄｍ^２の電流密度で火花放電を生じさせずに陽極酸化処理を行う。 - 特許庁

The element separation structure which separates the photodiodes from each other, e.g. an STI structure 7b is formed by a method other than the thermal oxidation of a substrate and a channel stopper layer 6 of a 2nd conductivity type is formed in a semiconductor substrate 1 of a 1st conductivity type surrounding the element separation structure 7b in contact therewith.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

The element isolating structure for isolating the photodiodes from each other, such as an STI structure 7b, is formed by a method not using the thermal oxidation of a substrate, and a second conductive type channel stopper layer 6 is formed so as to have contact with and surround the element isolating structure 7b in the first conductive type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

The rear surface treatment method is carried out by: preparing the semiconductor device in which an integrated circuit having a plurality of electrodes is provided on the front surface of the semiconductor substrate; electrically connecting the plurality of electrodes to an anode; and electropolishing the rear surface of the semiconductor substrate by performing anodic oxidation with an electrolytic solution placed in contact with the rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 - 特許庁

To enable restraining generation of crystal defects on a semiconductor substrate which is to be caused by execution of an oxide film forming process of the substrate and realize improvement of yield, in a case containing the oxide film forming process for forming a thick oxide film by using thermal oxidation with which film a trench part formed on the semiconductor substrate is filled in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程中に、半導体基板上に形成された溝部を埋めた状態の厚い酸化膜を熱酸化によって形成する酸化膜形成工程を含む場合であっても、その酸化膜形成工程の実行に伴う半導体基板での結晶欠陥の発生を抑制できて歩留まりの向上を実現すること。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加

第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁

A substrate, which contains an amino acid oxidized or reduced electrochemically and is characterized in that the current accompanying by oxidation or reduction disappears by phosphorization, is brought into contact with protein kinase for adding the phosphoric acid group of a phosphoric acid group donor to the amino acid in the substrate and electrochemical measurement is subsequently performed in the state that the substrate is collected on the surface of an electrode.例文帳に追加

電気化学的に酸化又は還元されるとともに、前記酸化又は還元に伴う電流がリン酸化によって消失するアミノ酸を含む基質と、前記基質中の前記アミノ酸にリン酸基供与体のリン酸基を付加するプロテインキナーゼとを接触させた後、前記基質を電極の表面に集めた状態で電気化学測定を行う。 - 特許庁

Two layers containing an oxygen detection agent composition formed by mixing at least oxidation-reduction pigment and reducer on a substrate are provided, further a first oxygen indicator layer and a second oxygen indicator layer are provided sequentially from the substrate side, and the first oxygen indicator layer on the substrate side contains a stratified silicate selected from a smectite group.例文帳に追加

基材上に、少なくとも酸化還元色素及び還元剤を混合してなる酸素検知剤組成物を含む層を２層設け、さらに、基材側より第一酸素インジケーター層、第二酸素インジケーター層を順に設け、かつ、基材側の第一酸素インジケーター層にスメクタイト族から選ばれた層状ケイ酸塩を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The two or more types of process chambers are used to deposit the one or more silicon-containing layers and the one or more metal-containing layers in the same substrate processing system without breaking the vacuum, taking the substrate out of the substrate processing system to prevent surface contamination, oxidation, etc., such that additional cleaning or surface treatment steps can be eliminated.例文帳に追加

２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。 - 特許庁

This method of forming the oxidized coating on a metal titanium substrate comprises applying titanic acid or organic titanium compound on the surface of the metal titanium substrate to form the oxidized coating thereon, firing the metal titanium substrate having the oxidized coating to reduce the thickness of the oxidized coating, then subjecting the oxidized coating to anodic oxidation in an electrolyte-containing solution, thereby forming the oxidized coating again on the surface of the metal titanium substrate.例文帳に追加

金属チタン基体表面にチタン酸あるいは有機チタン化合物を塗布して酸化被膜を形成し、酸化被膜を有する金属チタン基体を焼成して、該酸化被膜の厚さを減少せしめ、その後電解質含有溶液中で陽極酸化することにより該金属チタン基体表面に酸化被膜を再形成することを特徴とする金属チタン基体上への酸化被膜の形成方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the solid-state image pickup device, a pad insulation film 2 and an oxidation resistant film 3 are formed on a silicon substrate 1 for patterning, thus forming an opening 4 for opening the region for separating elements.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板１の上に、パッド絶縁膜２と耐酸化性膜３とを形成し、パターニングを行うことにより、素子分離用領域を開口する開口４を形成する。 - 特許庁

To provide a hard coating which has improved adhesiveness to a substrate, and excellent oxidation resistance and abrasion resistance, and to provide a tool coated with the hard coating, which copes with dry machining, the speeding up of machining and high feeding in machining.例文帳に追加

基体との密着性を改善し、耐酸化性、耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜で被覆された工具を提供することである。 - 特許庁

The difference in oxidizing speed of an oxide film by thermal oxidation between a polysilicon of a gate electrode 13 and a semiconductor substrate is utilized to form an inter-layer insulating film 17 embedded in the opening part of a trench 7 at the upper part of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３のポリシリコンと半導体基板の熱酸化による酸化膜の酸化速度の違いを利用し、ゲート電極１３上部のトレンチ７開口部に埋め込まれた層間絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

A phosphorous-doped film is laminated on the silicon layer of the rear surface side of a wafer having a device layer formed on its front surface side in a non-oxidation atmosphere, and a phosphate (P) is directly supplied to a silicon substrate from the phosphorous-doped film by thermal annealing.例文帳に追加

非酸化雰囲気下で、表面側にデバイス層が形成されたウエーハ裏面側のシリコン層に、リンドープ膜を積層させ、熱アニールでリンドープ膜より直接的にシリコン基板に対しリン（Ｐ）を供給する。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on a silicon substrate 1 through a thermal oxidation method, and another silicon oxide film is formed thereon through a chemical vapor growth method so as to form a multilayered silicon oxide film whose upper part gets lower in density than its lower part.例文帳に追加

シリコン基板１上に熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成した後、その上に化学気相成長法によりシリコン酸化膜を形成し、上層ほど密度が低い多層シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

In this light-emitting device 1, an n clad layer 3, an active layer 4 and a first p-clad layer 5 are laminated on a substrate 2, and a second p-clad layer 6 lower in oxidation nature and lower in conductivity than the first p-clad layer 5 is further laminated.例文帳に追加

発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, when a semiconductor substrate formed with a local wiring layer is heat treated in an atmosphere containing an oxygen, an oxidation of this local wiring layer can be prevented; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

局所配線層を形成した半導体基板を酸素を含む雰囲気中で熱処理した場合に、この局所配線層の酸化を防止できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a sidewall 5 made of amorphous silicon is formed on the side of the opening 4, and wet etching is made with the oxidation resistant film 3 and the sidewall 5 as a mask, thus forming a groove 6 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、開口４の側面上に非晶質シリコンからなるサイドウォール５を形成し、耐酸化性膜３およびサイドウォール５をマスクとしてウェットエッチングを行うことにより、シリコン基板１に溝６を形成する。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

Under the voltage application, a current is fed between the mold pattern 121 and the silicon substrate 131 contacted therewith via moisture adsorbed on the contacting surface of the mold pattern 121, so as to enable the anodic oxidation.例文帳に追加

この電圧印加において、モールドパターン１２１の当接面に吸着している水分を介し、モールドパターン１２１とこれに接触しているシリコン基板１３１との間に電流が流れ、陽極酸化が行われる。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

The substrate is provided which has a graphene film and a metal oxide film, for example, an SiO_2 film laminated in order on an insulating layer and obtained by subjecting a metal carbide film, for example, an SiC film on the insulating layer to oxidation treatment.例文帳に追加

絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。 - 特許庁

To provide: a high-temperature Pb-free Zn-based solder alloy capable of preventing oxidation and excellent in wettability and bondability; a method for manufacturing the same; and a mount substrate bonded with the Pb-free Zn-based solder alloy.例文帳に追加

酸化を防ぐことができ、濡れ性や接合性に優れた高温用のＰｂフリーＺｎ系はんだ合金及びその製造方法と、そのＰｂフリーＺｎ系はんだ合金によって接合された実装基板を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a metal oxide semiconductor is characterized in that a thin film containing a precursor of the metal oxide semiconductor is formed on a substrate, thereafter a reduction treatment is executed to the thin film, and thereafter an oxidation treatment is executed.例文帳に追加

基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 - 特許庁

The fine structure having ≥30 m^2/g-Al_2O_3 BET specific surface area is obtained by applying an anodic oxidation treatment (A) to an aluminum substrate in an electrolyte containing 3-12 mol/L sulfuric acid.例文帳に追加

３〜１２ｍｏｌ／Ｌの硫酸を含有する電解浴中で、アルミニウム基板に陽極酸化処理（Ａ）を施し、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ^2／ｇ-Ａｌ_2Ｏ_3以上の微細構造体を得る、微細構造体の製造方法。 - 特許庁

The rugged surface of the Ni layer 13 formed by peeling the Ni layer 13 from the disk 11 is washed after the resist 12 left there are removed and the rugged surface is subjected to oxidation treatment to form a first Ni substrate.例文帳に追加

このＮｉ層13を円板11から剥離がしたＮｉ層13の凹凸表面に残留するレジスト12を除去した後洗浄し、凹凸表面を酸化処理して酸化層14を形成したものを第一のＮｉ基板とする。 - 特許庁

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs.例文帳に追加

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。 - 特許庁

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１上の下地絶縁膜１１上に、陽極酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電極１２、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

After forming a backing layer 22 of a soft magnetic material on a substrate 21, an oxidation preventive layer 23 is formed in 0.1-1.0 nm thick by using rare earth metals, such as Tb, Gd, Sm, and Y on the backing layer 22.例文帳に追加

基板２１上に軟磁性体により裏打層２２を形成した後、裏打層２２の上にＴｂ、Ｇｄ、Ｓｍ及びＹ等の希土類金属により酸化防止層２３を０．１〜１．０ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁

Moreover, after an impurity-element-containing silicon oxide solid electrolyte is formed on a single crystal silicon substrate by selective oxidation, micro single-cells capable of being arranged in series or parallel are formed, and planar multi-cell batteries are formed.例文帳に追加

さらに、単結晶ケイ素基板上で選択酸化により不純物元素含有酸化ケイ素固体電解質を形成後、並列、直列配列可能なマイクロ単セルを形成し平板マルチセル電池を形成する。 - 特許庁

To provide a method for packaging an substrate for efficiently packaging an etched wafer or the like with the surface of a material being exposed at low costs and effectively suppressing oxidation of the surface during storage, and to provide a package.例文帳に追加

エッチング後のウェハ等，素材の表面を露出させたウェハを低コストで効率的に包装し，保管中の表面の酸化を効果的に抑制できる基板の包装方法及び包装体を提供する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation process for efficiently anodizing only a predetermined range of outer surface in the axis direction of a columnar or tubular substrate to be treated, by forming a reaction chamber containing only the portion, and provide an apparatus.例文帳に追加

柱状や筒状の被処理体の外周面軸方向所定範囲のみを内包する反応チャンバーを形成し能率的に陽極酸化処理する陽極酸化処理方法および装置の提供。 - 特許庁

The protective coating takes advantage of a glass material having a low melting point temperature in combination with an oxygen scavenging additive to achieve high mechanical and oxidation resistant properties required by the refractory based substrate.例文帳に追加

保護コーティングは、低い融点温度を有するガラス材料の特性を酸素スカベンジング添加剤と組み合わせて利用し、耐熱物ベース基材に要求される高い機械的特性および高い抗酸化特性を実現する。 - 特許庁

Related to a ferromagnetic tunneling effect element 10, a lower part ferromagnetic body layer 82, an oxidation-resistance layer 12, a tunnel barrier layer 84, and an upper part ferromagnetic body layer 86 are laminated in this order on a substrate 84.例文帳に追加

本発明に係る強磁性トンネル効果素子１０は、基板８８上に、下部強磁性体層８２、耐酸化層１２、トンネルバリア層８４及び上部強磁性体層８６が、この順に積層されてなるものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device performing anisotropic oxidation or anisotropic nitriding by which a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on a semiconductor substrate, thicker horizontally rather than vertically.例文帳に追加

半導体基板の垂直方向より水平方向により厚くシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜が形成される異方性酸化又は異方性窒化を行う半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid oxide fuel battery which needs no calcination at a high temperature, and which allows prevention of oxidation and deformation of a metal substrate, shortening of a manufacturing process, and simplification thereof.例文帳に追加

高温での焼成を必要とせず、金属基板の酸化や変形を防止することができると共に、工程の短縮化、簡略化が可能な固体酸化物形燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that, in electrode oxidation treatment by a diamond electrode, in the case where an insulating ceramics substrate is used, high electric power is needed, and electric power cost is increased.例文帳に追加

本発明は、ダイヤモンド電極による電極酸化処理において、絶縁セラミックス基板を用いる場合に、大きな電力が必要となり、電力コストが大きくなるという上記問題を解決するためになされたものである。 - 特許庁

The original plate for heat-sensitive lithographic printing plate has a heat-sensitive layer containing microcapsules, a hydrophilic resin and a compound for crosslinking the hydrophilic resin on an aluminum substrate on which hydrophilic treatment done after anodic oxidation treatment is performed is provided.例文帳に追加

陽極酸化処理した後に親水化処理を行ったアルミニウム支持体上に、マイクロカプセル、親水性樹脂、及び親水性樹脂を架橋させる化合物を含有する感熱層を有する平版印刷用原板。 - 特許庁

By controlling the conditions for the anodic oxidation in the porous area formation step, reflection spectra of the thin film formed on the surface of the porous silicon area on the main surface of the silicon substrate are adjusted.例文帳に追加

多孔質領域形成工程において陽極酸化の条件が制御されることにより、シリコン基板の一主面上における多孔質シリコン領域の表面に形成された薄膜の反射スペクトルが調整される。 - 特許庁

The contact mechanism is provided with feed nozzles 6 and 7 of bringing at least one kind of reactant selected from a reaction liquid comprising ferrous ions, an oxidizer and an oxidation medium comprising oxygen into contact with the substrate.例文帳に追加

接触機構は、基体を、第一鉄イオンを含む反応液、酸化剤、及び酸素を含んだ酸化媒体の内の少なくとも一種の反応物質を前記基体に接触させる供給ノズル６，７を備えている。 - 特許庁