「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method of the nanostructure wherein a plurality of periodic pore arrangement structures having different periods are formed on the anodic oxide film next to each other comprises a step wherein pore-starting points comprising different kinds of periodic arrangements are formed on the surface of a substrate essentially comprising aluminum, and a step wherein the substrate is simultaneously subjected to anodic oxidation with the same anodic oxidation potential.例文帳に追加

陽極酸化膜に形成された異なる周期を有する複数の細孔周期配列構造が、互いに隣接して配列したナノ構造体の製造方法であって、アルミニウムを主成分とする基板表面に複数種類の周期配列からなる細孔開始点を作製する工程と、基板を同じ陽極酸化電圧で同時に陽極酸化をする工程とからなる。 - 特許庁

This method for forming a metal oxide film with predetermined patterns on a substrate comprises: a first step of applying a liquid form matter containing a metal salt on the substrate and forming a metal salt film; a second step of providing predetermined patterns to the metal salt film; and a third step of subjecting the metal salt film to thermal oxidation treatment or predetermined plasma oxidation treatment to convert it into a metal oxide film.例文帳に追加

基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 - 特許庁

The method for producing the fine structure comprises obtaining the fine structure having micropores on its surface by subjecting an aluminum member comprising an aluminum substrate and an anodic oxidation film existing on the surface of the aluminum substrate and having micropores to at least a film stripping treatment comprising stripping the film by using an acidic aqueous solution containing a barium compound and an anodic oxidation treatment in this order.例文帳に追加

アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に存在する、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜とを有するアルミニウム部材に、少なくとも、バリウム化合物を含有する酸性水溶液を用いて脱膜させる、脱膜処理と、陽極酸化処理とをこの順に施して、表面にマイクロポアを有する微細構造体を得る、微細構造体の製造方法。 - 特許庁

A second thermal oxidation film is formed even at the surface of the thin oxide film 20, and the same conditions are selected for interfaces between the first thermal oxide film and second thermal oxidation films, and the substrate to form a flat substrate having no step on the surface after the first thermal oxide film and second oxide film are removed.例文帳に追加

この第二の熱処理により薄い酸化膜２０の表面部分にも第二の熱酸化膜が形成され、このとき第一の熱酸化膜及び第二の熱酸化膜の基板との界面が等しく条件を選択することによって、第一の熱酸化膜と第二の熱酸化膜を除去した後には表面には段差のない平坦な基板を形成することが可能となる。 - 特許庁

An oxidation metallic layer 8 is previously formed on a joining surface of the graphite sheet 3 forming the composite component 4 with the ceramic substrate 1, these are baked in a state where the layer 8 abuts on the ceramic substrate 1 in an unsintered or sintered state, thereby integrating the ceramic substrate 1 with the graphite sheet 3.例文帳に追加

特に複合部品４を形成するグラファイトシート３のセラミクス基板１との接合面に予め酸化金属層８を形成し、この酸化金属層８を未焼結状態或いは焼結状態にあるセラミクス基板１に当接させた状態でこれらを焼成しセラミクス基板１とグラファイトシート３を一体化する。 - 特許庁

In a capacitor including a SOI substrate 1, a high-concentration impurity layer 2 formed on the substrate 1, a thermal oxidation film 4 formed on the layer 2, and a polysilicon electrode 5 formed on the film 4 after the polysilicon electrode 5 is formed, the substrate is subjected to a heat treatment at high temperatures over 1150°C in an atmosphere of N2.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１に高不純物濃度層２を形成し、その表面に熱酸化膜４を形成し、この熱酸化膜４上にポリシリコン電極５を形成した構成のキャパシタにおいて、ポリシリコン電極５を形成した後に、Ｎ_2雰囲気中で１１５０℃以上の高温熱処理を行う。 - 特許庁

The method of treating the surface of the substrate is used for detecting foreign materials on the surface of the semiconductor substrate, and comprises steps of isotropically oxidizing the surface 11a of the substrate so as to reduce the scattered light, and isotropically etch-removing an oxide film 12 formed by oxidation.例文帳に追加

半導体基板表面の異物検出に用いるための基板の表面処理方法であって、散乱光を減少させるために、基板表面１１ａを等方的に酸化させる工程と、酸化によって形成された酸化膜１２を等方的にエッチング除去する工程とによって表面処理する。 - 特許庁

In the phenolic resin substrate obtained by forming through-holes 2 in the substrate main body 1 prepared by impregnating a substrate with a phenolic resin composition and curing the phenolic resin composition with heating under pressure, and filling a copper paste 3 in the through-holes 3, the phenolic resin composition contains an antioxidant which can prevent the oxidation of the copper paste 3.例文帳に追加

基材にフェノール樹脂組成物を含浸させ、加熱加圧して硬化させて得られる基板本体（１）にスルーホール（２）を形成して、このスルーホール（２）内に銅ペースト（３）を充填するフェノール樹脂基板であって、上記フェノール樹脂組成物が、上記銅ペースト（３）の酸化を防止させる酸化防止剤を含有している。 - 特許庁

When a silicon oxide film 74 is formed on a substrate 71 by using a thermal oxidation method, the surface of the substrate 71 is supplied with oxygen from both end sides in the widthwise direction of the substrate 71, the film 74 is formed because each silicon nitride film 11 is formed in a band shape having a narrow width, and the film thickness Da of the film 74 is made thinner than the film thickness Db.例文帳に追加

熱酸化法を用いて基板７１上に酸化シリコン膜７４を形成するとき、各窒化シリコン膜１１は幅の狭い帯状であるため、その幅方向両端側から基板７１の表面へ酸素が供給されて膜７４が形成され、膜７４の膜厚Ｄａは膜厚Ｄｂに比べて薄くなる。 - 特許庁

This method for forming the oxide coating film on a metallic titanium substrate features that the metallic titanium substrate is subjected to heat-treatment under the presence of oxygen so as to form the oxide coating film, is further fired unde vacuum pressure and, thereafter, is subjected to anodic-oxidation in a solution including electrolyte and, thereby, the oxide coating film is reformed on the surface of the metallic titanium substrate.例文帳に追加

金属チタン基体を酸素存在下で加熱処理して酸化被膜を形成し、さらに真空中で焼成し、その後電解質含有溶液中で陽極酸化することにより該金属チタン基体表面に酸化被膜を再形成することを特徴とする金属チタン基体上への酸化被膜の形成方法。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

A substrate on the surface of which a Co film is formed as a seed layer is prepared, and when a Cu film is deposited on the Co film of the substrate by electrolytic plating using a plating solution mainly composed of a copper sulfate solution, before immersing the substrate surface into the plating solution, a negative voltage is applied to the substrate so that the surface potential of Co becomes lower than the oxidation potential of Co.例文帳に追加

表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

To obtain a substrate of an electrophotographic photoreceptor having a uniform coating with little thickness deviation by improving anodic oxidation carried out as surface treatment and to obtain an electrophotographic photoreceptor having good printing quality with the substrate.例文帳に追加

表面処理として行う陽極酸化処理を改良することにより、膜厚偏差の少ない均一な皮膜を有する電子写真用感光体基板を実現し、また、これを用いて、良好な印字品質を有する電子写真用感光体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by plasma electrolytic oxidation, wherein the film formed on the surface of a substrate made of light metal, especially magnesium or magnesium alloy improves corrosion resistance and furthermore acts as a living body compatible protective layer while appropriately controlling the deterioration of the substrate.例文帳に追加

軽金属、特に、マグネシウム又はマグネシウム合金の基材の表面の耐蝕性を向上する皮膜、更に基材の劣化を適宜制御しながら生体適合保護層となる皮膜の形成を、プラズマ電解酸化処理によって形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate plating apparatus which prevents detachment or oxidation of a black film formed on the surface even when an anode is formed of copper-containing phosphor, and fills a space between a surface of a substrate to be plated and the anode with the plating solution not leaving any air therebetween.例文帳に追加

アノードを含リン銅で構成しても、この表面に生成されるブラックフィルムの脱落や酸化を防止し、しかも基板の被めっき面とアノードとの間を空気が存在しない状態でめっき液で満たすことができるようにした基板のめっき装置を提供する。 - 特許庁

An oxidation film (b) is provided on a silicon substrate (a), upon which cells (g, i, l, n and p) are constituted and then the silicon substrate (a) and the cells' upper metal current collector (p) are connected electrically so that a lower metal current collector (g) may be served also as electrodes of the capacitors (a, b and g).例文帳に追加

シリコン基板ａ上に酸化膜ｂを設け、その上に電池（ｇ，ｉ，ｌ，ｎ，ｐ）を構成し、シリコン基板ａと電池の上部金属集電体ｐを電気的に導通させ、下部金属集電体ｇがコンデンサ（ａ，ｂ，ｇ）の電極も兼ねる構造とする。 - 特許庁

In this printing method using an oxidation polymerization-type printing ink and a printing plate material where a hydrophilic layer and an image forming layer enabling on-printer development are provided on a substrate, the oxidation polymerization-type printing ink does not form a skim after being left still for 24-hour in the environment at a 25°C/55% RH (relative humidity).例文帳に追加

基材上に親水性層及び機上現像可能な画像形成層を有する印刷版材料と酸化重合タイプの印刷インキを用いる印刷方法において、該酸化重合タイプのインキが、２５℃・５５％ＲＨ（相対湿度）の環境下で２４時間静置後、皮張りしないことを特徴とする印刷方法。 - 特許庁

At least, a step 20 for preparing a substrate with an insulation layer on a surface, a step 24 for applying ultraviolet rays to the surface of the insulation layer, a step 26 for performing the oxidation treatment of the surface of the insulation layer after applying ultraviolet rays, and a step 29 for providing a conductor layer on the insulation layer after the oxidation treatment, are included.例文帳に追加

少なくとも表面に絶縁層を有する基板を準備するステップ２０と、絶縁層表面に紫外光を照射するステップ２４と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処理するステップ２６と、酸化処理後の絶縁層上に導体層を設けるステップ２９とを含む。 - 特許庁

A surface of the at least one blind via is passivated by an oxidation material, and a seed material 228 containing copper is formed on the surface of the oxidation material of the at least one blind via so as to confine the seed material inside the at least one blind via and expose the first surface of the substrate.例文帳に追加

酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。 - 特許庁

To provide an MoSi_2-Si_3N_4 composite coating layer which is formed on a substrate material composed of molybdenum, a molybdenum alloy, molybdenum- coated niobium or a molybdenum-coated niobium alloy and by which repeated-oxidation resistance and low temperature oxidation resistance can be improved and the high- temperature mechanical properties of a coating layer can be improved, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

モリブデン、モリブデン合金又はモリブデンが被覆されたニオビウム若しくはニオビウム合金の基材材料に、反復耐酸化性及び低温耐酸化性を向上させ、被覆層の高温の機械的性質を改善し得るＭｏＳｉ_2−Ｓｉ_3Ｎ_4複合被覆層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less.例文帳に追加

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.例文帳に追加

基板１１上のｐ側電極１９と活性層１４との間に酸化工程を経て形成される第１の電流狭窄層１７を有し、かつ、活性層１４と第１の電流狭窄層１７との間に酸化工程を経ることなく形成された第２の電流狭窄層２２を有する。 - 特許庁

(1) A magnetic recording medium wherein a magnetic layer is formed by applying a magnetic paint containing magnetic powder formed by subjecting ferromagnetic powder consisting of the super fine particles coated with carbon to surface oxidation treatment and a bonding agent onto a substrate.例文帳に追加

（１）炭素被覆超微粒子強磁性粉末を表面酸化処理した磁性粉と結合剤を含有する磁性塗料を支持体に塗布して磁性層を形成させた磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a rolled material for continuous casting which has excellent thermal fatigue resistance for continuous casting or a build-up welding material to a rolled substrate, and has sufficient oxidation and wear resistances.例文帳に追加

従来の連続鋳造用ロール材あるいはロール基体に被覆する肉盛材以上に耐熱疲労特性に優れ、かつ、十分な対酸化性、耐摩耗性を有する連続鋳造用ロール材を提供する。 - 特許庁

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁

The photoreceptor is produced by electrolytically treating the aluminum alloy substrate 1 in a sulfuric acid bath at ≤1.2 A/dm2 of current density and using the resulting anodic oxidation film as the UCL 2.例文帳に追加

このような感光体はアルミニウム合金基体を硫酸浴中で１．２Ａ／ｄｍ^2 以下の電流密度で電解処理して陽極酸化皮膜を形成し、これをＵＣＬとすることによって製造される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-reliability semiconductor substrate without causing damage of a compound semiconductor layer or transition of a crystal by influence due to natural oxidation in etching a selection etching layer.例文帳に追加

選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 100, wherein a natural oxide layer 102 is naturally generated is put in a furnace or an RTO chamber (rapid thermal oxidation chamber) and a hot hydrogen gas is introduced into the chamber so that the natural oxide layer 102 is deoxidized.例文帳に追加

自然酸化物層が自然生成された半導体基板を、炉内またはＲＴＯ室（急速熱酸化室）に入れ、高温水素ガスを室内に導入して自然酸化物層を脱酸する。 - 特許庁

A single-layered silicon oxide film 102a is formed by the thermal oxidation on the surface of a silicon substrate 101, its film thickness is measured, and openings 143a are formed in the silicon oxide film 102a.例文帳に追加

シリコン基板１０１の表面に熱酸化による単一層からなる酸化シリコン膜１０２ａを形成し、この膜厚を測定し、酸化シリコン膜１０２ａに開口部１４３ａを形成する。 - 特許庁

In the multilayered film constituted by laminating a plurality of photosetting resin cured films on a substrate, the same hindered phenolic oxidation inhibitor is added to at least two adjacent layers.例文帳に追加

基材上に複数の光硬化性樹脂硬化膜が積層されてなる多層被覆において、少なくとも隣接する２つの層には、同一のヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させた多層被覆とする。 - 特許庁

To provide a metal substrate which is hardly corroded even when being exposed for a long period of time in an actual usage environment of a catalyst and to provide a denitration catalyst which can maintain a low SO_2 oxidation rate over the long term.例文帳に追加

触媒の実際の使用環境において長時間暴露されても腐食されにくい金属基板と、長期に亘り低いSO_2酸化率を維持することができる脱硝触媒とを提供する。 - 特許庁

Then, a gate insulating film is formed on the polysilicon, by supplying ozone gas to the polysilicon of the substrate by emitting the rays of light of the ultraviolet region from a light source 14, in an oxidation treatment furnace 10.例文帳に追加

次いで、酸化処理炉１０内で光源１４からの紫外領域の光を照射のもと前記基板のポリシリコンにオゾンガスを供して前記ポリシリコン上にゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide an alloy powder for thermal spraying, which is used for forming a thermal-sprayed film superior in heat resistance and high-temperature oxidation resistance on a substrate surface, and to provide an advantageous manufacturing method therefor.例文帳に追加

基材表面に耐熱性、耐高温酸化特性に優れた溶射皮膜を形成するために用いられる溶射用合金粉末を提供するとともにそれの有利な製造方法を提案する。 - 特許庁

The TMR element 10 is constructed on a substrate 1 in such a manner that a conductive layer 2, a lower magnetic layer 3, an oxidation control layer 4, an insulating layer 5, an upper magnetic layer 6, and an electrode pattern 7b, are laminated in this order.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１０は、基板１上に導電層２、下部磁性層３、酸化抑制層４、絶縁層５、上部磁性層６、電極パターン７ｂが順に積層された構造をしている。 - 特許庁

The aluminum exterior articles are obtained by polishing the surfaces of formed bodies formed to the shapes of the aluminum exterior articles by a polishing tool held with abrasive sized ≤0.1 μm on a substrate surface and subjecting the surface to anodic oxidation treatment.例文帳に追加

外装品形状に成形した成形体の表面を、基材に０．１μｍ以下の大きさの研磨材を保持させた研磨具で研磨し、陽極酸化処理を行ってアルミニウム外装品を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress oxidation below a nitride film arranged on a narrow-width element forming region, when an LOCOS oxide film is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する際に、幅の狭い素子形成領域上に配置させた窒化膜下部における酸化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the sake, it follows on the minimum of the electronic part, even if the amount of the solder of the lead-free solder on the land of the substrate decreases, the remarkable oxidation of the lead-free solder can be prevented.例文帳に追加

そのため、電子部品の極小化に伴い、基板のランド上における鉛フリー半田の半田量が少なくなっていても、鉛フリー半田の著しい酸化を防止することができる。 - 特許庁

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A nonporous anode oxidation film (MAO) 5 is formed by anodizing the surface of a wiring metal film formed on a substrate, and then the wiring metal film is patterned to form a gate electrode 4.例文帳に追加

基板上に形成された配線金属膜の表面を陽極酸化することにより無孔質陽極酸化膜(ＭＡＯ)５を形成した後、配線金属膜をパターニングしてゲート電極４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-receiving element equipped with a mesa-structure protruding from a semiconductor substrate, which can prevent time deterioration of a light-absorbing layer because of oxidation and the like.例文帳に追加

半導体基板から突出するメサ構造を備える半導体受光素子において、酸化等に起因する光吸収層の経時劣化を抑制することが可能な半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

In the drying method for ink, printing is performed on a substrate by oxidation-polymerization type ink and thereafter electron beams are irradiated in the atmosphere of 5,000 ppm-30% oxygen density.例文帳に追加

基材上に酸化重合型インキにより印刷したのち、酸素濃度５０００ｐｐｍ以上３０％以下の雰囲気中で電子線を照射することを特徴とするインキの乾燥方法。 - 特許庁

The catalyst composition is placed on a carbon substrate 21 and is exposed in an oxidizing atmosphere to remove the carbon 3 and the nano-structural carbon 2 by oxidation.例文帳に追加

前記触媒組成物を炭素基板２１上に配置した後、酸化雰囲気に曝露し、触媒金属粒子１の表面を被覆している炭素３と、ナノ構造炭素２とを酸化して除去する。 - 特許庁