「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This method is characterized by including at least one kind of radical-trapping agent in an oxidation reaction system in producing at least one kind of oxidation reaction product by reacting at least one kind of reaction substrate with an oxidizing agent in the presence of a metal-containing solid catalyst.例文帳に追加

少なくとも１種の反応基質を、金属含有固体触媒の存在下、酸化剤により酸化反応させ、少なくとも１種の酸化反応生成物を製造する方法において、酸化反応系中に、少なくとも１種類のラジカルトラップ剤を存在させることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.例文帳に追加

基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, capable of reducing the surface roughness of the principal surface of a strained Si layer provided on the principal surface of a strain-relaxing SiGe layer while suppressing differences due to positions in the rate of oxidation from surfaces of a Si-SiGe stack caused by heat treatment in an oxidation atmosphere.例文帳に追加

酸化雰囲気での熱処理によるＳｉ−ＳｉＧｅ積層体の表面からの酸化速度の位置による差異を抑えつつ、歪緩和ＳｉＧｅ層の主表面に設けられた歪みＳｉ層の主表面の表面粗さを小さくできる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A die having recessed part of square cone shape is fabricated by applying anisotropic heat oxidation on a silicon substrate, and by applying thermal oxidation on this, an oxidized film of 0.8 μm or more is formed, and by making each face of the recessed part of square cone shape a convex face, the tip shape of the recessed part is made sharp.例文帳に追加

シリコン基板を異方性エッチングして四角錐形状の凹部を有した型を作製し、これを熱酸化することにより０．８μｍ以上の酸化膜を形成し、四角錐形状の凹部の各面を凸面とすることにより、凹部の先端形状を鋭利にする。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The substrate for solar cell is obtained by forming a first insulating oxide film having a plurality of pores on the metal substrate by anodic oxidation and then forming the second insulating film over the pores so as to seal the pores at a sealing ratio of 5-80%.例文帳に追加

金属基板上に、陽極酸化により複数の細孔を有する第一の絶縁性酸化膜を形成し、前記細孔の部分に第二の絶縁性の膜を形成し封孔率５〜８０％で封孔することにより得られる太陽電池用基板。 - 特許庁

To provide a metal core substrate which is capable of exhibiting high heat dissipation, high insulation, and a high electromagnetic wave shielding property, and in which an oxide film as an insulation layer of the metal core substrate is formed using a plasma electrolytic oxidation method, a production method thereof, and a semiconductor package.例文帳に追加

メタルコア基板の絶縁層としてプラズマ電解酸化法を用いて酸化膜を形成させ、高放熱性、高絶縁性及び高電磁シールド性を発揮可能なメタルコア基板とその製造方法及び半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The micro mass sensor includes a substrate 3, a metal electrode film 4 deposited on the substrate 3, and a sensitive film 2 deposited over the electrode film 4, wherein the sensitive film 2 is formed with micro carbon fibers made hydrophilic by subjecting the fiber surface to an oxidation treatment.例文帳に追加

基板３と、該基板３上に成膜された金属の電極膜４と、該電極膜４上に成膜された感応膜２と、を備え、該感応膜２が、繊維表面を酸化処理して親水化した微細炭素繊維で形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a package substrate with a fine circuit pattern by anodic oxidation by which a finer circuit can be provided by using an existing facility, and further a package substrate possible to prevent an interface peel-off phenomenon from occurring between layers can be provided.例文帳に追加

より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate which prevents the intrusion of impurities into an optical waveguide substrate to be manufactured by a steam oxidation method having high safety and can thickly oxidize the surface of silicon by suppressing the consumption of energy to a lower level.例文帳に追加

安全性の高いスチーム酸化法で、製造される光導波路基板に不純物が混入することのない、またエネルギーの消耗を少なく抑えてシリコンの表面を厚く酸化できる光導波路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a substrate 10 for a magnetic recording medium by anodically oxidizing the surface of the substrate 1 mainly formed of aluminum to form alumite coating 2, the anodic oxidation is performed by direct-current pulse electrolysis in an oxalic acid bath.例文帳に追加

アルミニウムを主体とする基板１の表面に陽極酸化処理を施してアルマイト皮膜２を形成する磁気記録媒体用基板１０の製造方法において、前記陽極酸化処理をしゅう酸浴による直流パルス電解で行う。 - 特許庁

A carbon fiber reinforced SiC composite material comprises using a Si-SiC composite material or a SiC composite material as a substrate and at least forming an oxidation resistant layer comprising a phosphate on a surface layer portion of the substrate.例文帳に追加

基材としてＳｉ−ＳｉＣ系複合材料またはＳｉＣ系複合材料を用い、同基材の少なくとも表層部にリン酸塩からなる耐酸化性層を形成させた炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材料により達成。 - 特許庁

The aluminum nitride substrate without irregular color is characterized in that difference of oxygen content between the maximum value and the minimum value in the substrate is ≤0.20 mass%, and uses an oxidation-treated aluminum nitride powder as a raw material.例文帳に追加

基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a sapphire substrate 101; a primary GaN layer 103 formed on the sapphire substrate 101; and a primary oxidation layer 104 formed near to an upper part of a defect which resides in the primary GaN layer 103.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１と、サファイア基板１０１上に形成された第１のＧａＮ層１０３と、第１のＧａＮ層１０３に存在する欠陥の上部近傍に形成された第１の酸化層１０４とを備える。 - 特許庁

The insulating oxide film with superior electric characteristics can be formed by switching oxidizing gases to be supplied or separating gas components under control to prevent oxidation from advancing into a substrate.例文帳に追加

酸化ガスの供給を切り替え制御又はガス成分の分離制御を行うことで、基板内部への酸化進行を防止して電気特性に優れた酸化絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor devices, an element isolation insulating film 30 is formed in an element isolation recessed section 22a through thermal oxidation, after the recessed section 22a has been formed on the surface of a substrate 22 through wet etching.例文帳に追加

基板２２の上部に、ウエットエッチングにより素子分離用凹部２２ａを予め形成し、該素子分離用凹部２２ａに、熱酸化により素子分離用絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁

By this setup, a silicon dioxide film which is almost equal in characteristics to other silicon dioxide films formed through a conventional high-temperature thermal oxidation method can be easily formed on the surface of the processed silicon substrate 1.例文帳に追加

これにより、該被処理用シリコン基板１の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。 - 特許庁

To improve the oxidation resistance and abrasion resistance of a hard coat by applying at least two physical vapor deposition sources with different plasma densities to the surface of a substrate.例文帳に追加

基体表面にプラズマ密度の異なる少なくとも２種以上の物理蒸着源を併用することより、硬質皮膜の耐酸化性及び耐摩耗性を向上させることである。 - 特許庁

The surface of a base material (including the one obtained by previously forming a substrate film on a base material) is subjected to metal ion bombardment treatment, thereafter, the surface is subjected to oxidation treatment, and subsequently, an alumina film is formed thereon.例文帳に追加

基材（基材上に予め下地皮膜が形成されたものを含む）表面にメタルイオンボンバード処理を施した後、表面を酸化処理し、その後にアルミナ皮膜を形成する。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

To provide a graphite fixture for brazing of a ceramic, which has a thermal expansion coefficient adjusted to match to that of a ceramic substrate or the like, enhanced hardness, improved wear resistance, and excellent oxidation resistance.例文帳に追加

熱膨張率をセラミック基板等と合わせるとともに、硬度を高め、耐摩耗性を向上させ、さらには耐酸化性に優れたセラミックろう付け用黒鉛治具を提供する。 - 特許庁

The support for the planographic printing plate is constituted by treating a metal substrate, to which surface roughening treatment and anodic oxidation treatment are applied, with an aqueous solution containing an inorganic fluorine compound and a silicic acid compound.例文帳に追加

粗面化処理および陽極酸化処理を施された金属基体を、無機フッ素化合物とケイ酸化合物とを含有する水溶液で処理してなる平版印刷版用支持体。 - 特許庁

Thus, a metal oxide thin film can be deposited at high speed on the substrate since the oxidation of the metallic target is prevented by minimizing the movement of a reactive gas to the metallic target.例文帳に追加

これによれば、反応性ガスが金属ターゲットに移動するのを最小化して金属ターゲットの酸化を防止できるため、基板上に金属酸化物薄膜を高速で蒸着できる。 - 特許庁

To provide an insulating substrate in which a uniform anodic oxidation coating is formed at the surface of the plating layer of an Al-alloy-plated steel sheet, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ａｌ系合金のめっき鋼板のめっき層表層に陽極酸化皮膜を形成した絶縁基板において、陽極酸化皮膜が均一なものおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To limit solution deterioration such as drying, oxidation, etc. of a coating solution inside the slit nozzle during standby in substrate coating methods and devices that coat coating solutions on substrates using slit nozzles.例文帳に追加

スリットノズルを用いて基板上に塗布液を塗布する基板塗布方法及び装置において、待機時間におけるスリットノズル内の塗布液の乾燥及び酸化等の液劣化を抑制する。 - 特許庁

A titanium plate 71, or an alloy including titanium is used for a substrate of an insoluble anode while on a cathode side, an anticorrosion product is arranged so as to suppress a reduction reaction on the cathode side and to prevent oxidation.例文帳に追加

不溶性アノードにチタン板７１、或いはチタンを含む合金を基板に用いておりカソード側に被防食製品を配置しカソード側の還元反応を抑制し酸化を防止する。 - 特許庁

An epitaxial mask 4 comprising a metallic oxide in major proportions is formed on the substrate 1 by patterning the photosensitive mask layer with a photolithography method and further by conducting an oxidation treatment or a reductional treatment.例文帳に追加

この感光性マスク層をフォトリソグラフィによりパターニングし、更に酸化処理又は還元処理して、基板１上に金属酸化物を主成分とするエピタキシャルマスク４を形成する。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited on an upper surface of a substrate after forming a gate insulating film 14 in an element hole of a field insulating film 12, and thereon a silicon oxide layer is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フィールド絶縁膜１２の素子孔内にゲート絶縁膜１４を形成した後、基板上面にポリシリコン層を堆積し、その表面に熱酸化によりシリコンオキサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate having a good crystallinity and a low dislocation through suppressing contamination caused by oxidation and the adhesion of dusts, and also to provide a method for growing the same.例文帳に追加

酸化およびゴミの付着による汚染を抑制することにより結晶性が良好であり、かつ低転位である窒化物半導体基板、及びその成長方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a base material (including the one obtained by previously forming a substrate film on a base material) is subjected to gas ion bombardment treatment, thereafter, the surface is subjected to oxidation treatment, and subsequently, an alumna film is formed thereon.例文帳に追加

基材（基材上に予め下地皮膜が形成されたものを含む）表面にガスイオンボンバード処理を施した後、表面を酸化処理し、その後にアルミナ皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a quartz optical waveguide substrate by which a thermal oxidation film being a lower clad film can rapidly be produced with high quality by a thermal oxidization method and to provide an optical waveguide.例文帳に追加

熱酸化法で下部クラッド膜となる熱酸化膜を高品質かつ迅速に作製できる石英系光導波路基板の製造方法および光導波路基板を提供する。 - 特許庁

Accordingly, oxidation reaction and decarboxylation reaction are allowed to proceed repeatedly for a given substrate, and a large amount of reduced coenzyme is produced, accompanying the proceeding of the reactions.例文帳に追加

従って、任意の基質に対し、酸化反応と脱炭酸反応を繰り返し進行させることができるため、それに伴い、還元型補酵素を大量に生成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed circuit substrate capable of attaining oxidation prevention of a through-hole 10, a land 10a, and a pad 12 and improvement in the wettability at soldering, at low cost.例文帳に追加

スルーホール１０およびランド１０ａならびにパッド１２の酸化防止とはんだ付け時の濡れ性向上を低コストで実現できるプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polysilazane film 4d is transformed to a silicon dioxide film by keeping the semiconductor substrate 2 to which the polysilazane film 4d is applied at steam oxidation temperature and steam-oxygenizing it.例文帳に追加

次に、ポリシラザン膜４ｄを塗布した半導体基板２を水蒸気酸化温度に保持し、水蒸気酸化を行うことでポリシラザン膜４ｄについてシリコン酸化膜に転換する。 - 特許庁

To provide a silver or silver alloy wiring, capable of attaining a low resistance in a connecting line in a printing circuit, remarkably usable as a substrate for displaying panel, and excellent in oxidation resistance.例文帳に追加

印刷回路における接続ラインの低抵抗化が達成でき、表示パネル基板用として極めて有用であり、耐酸化性に優れた銀若しくは銀合金配線を提供する。 - 特許庁

The solar cell has a photoelectric conversion layer including a semiconductor layer including an Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element on an aluminum substrate provided with an insulative anodic oxidation film.例文帳に追加

絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。 - 特許庁

Anode oxidation is applied in an alkaline solution on the metal substrate of iron ferrous metal (for example, stainless steel), and then, noble metal plating (for example, gold plating) is applied.例文帳に追加

鉄系金属製（例えばステンレス鋼製）の金属基材に対しアルカリ溶液中で陽極酸化を施し、その後、その金属基材に対し貴金属めっき（例えば金めっき）を施す。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。 - 特許庁

To prevent warping of a substrate or occurrence of a missing part in a semiconductor film by not performing sacrifice oxidation when the semiconductor film becoming an active layer is made thin.例文帳に追加

本発明は、能動層となる半導体膜を薄膜化する際に犠牲酸化を行なわないようにし、基板の反りや半導体膜への欠損部の発生を防止することを目的とする。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

To suppress increase of a film thickness due to oxidation incident to nitriding when an oxide film formed on the surface of a silicon substrate is subjected to plasma nitriding and converted into an oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板表面に形成された酸化膜をプラズマ窒化処理により窒化し、酸窒化膜に変換する際に、窒化処理に伴って生じる酸化による膜厚増大を抑制する。 - 特許庁

Although the solubility of ozone is unavoidably low, due to the high temperature of the water vapor blown to the substrate W, the oxidation reaction itself is active simply because the temperature is high.例文帳に追加

基板Ｗに吹き付けられる水蒸気の温度が高いため、オゾンの溶解度が低くなるのは避けられないものの、高温であるが故に酸化反応自体は活性なものとなる。 - 特許庁

In wash-treatment sections 5a-5d, high-density ozone water is supplied onto the surface of a substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０から高濃度オゾン水が供給される。 - 特許庁

(2) Methane gas is mass-produced by using not only formate, etc., but also hydrogen gas as a substrate for a methane-producing bacterium generated together with carbon monoxide gas in partial oxidation in the process (1).例文帳に追加

２）１において蟻酸塩等だけでなく部分酸化処理する際に一酸化炭素ガスと同時に発生する水素ガスをメタン生成菌の基質として活用しメタンガスを大量生産する。 - 特許庁