「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxidation-resistant film 12 comprises a composite oxide having different compositions in an interface 12a with the cermet substrate 11 and in an outermost surface 12b from each other.例文帳に追加

耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なった組成を有する複合酸化物によって構成される。 - 特許庁

To prolong the service life of a substrate treating device in which electrodes are arranged in a buffer chamber as a plasma generating source by preventing the oxidation of the electrodes.例文帳に追加

バッファ室内にプラズマ発生源として電極を配置する基板処理装置において、その電極の酸化を防止し、長寿命にすることにある。 - 特許庁

A silicon oxide film 52 is formed on a silicon substrate 50 by a thermal oxidation method, and a high dielectric constant insulating film 54 formed of HfSiOx is formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板５０上に熱酸化法によりシリコン酸化膜５２を形成し、その上にＨｆＳｉＯｘからなる高誘電率絶縁膜５４を形成する。 - 特許庁

The control device 13 conveys the substrate 14 into the oxidation chamber F4 and exposes the entire surface of the tantalum layer 16 to oxygen radicals to oxidize the tantalum layer 16.例文帳に追加

また、制御装置１３が、基板１４を酸化チャンバＦ４に搬送し、タンタル層１６の表面全体を酸素ラジカルに晒してタンタル層１６を酸化する。 - 特許庁

On the other hand, in a part of the silicon substrate exposed to the etching hole, a silicon thermal-oxidation film 120 sealing the etching hole and blockading the gap is made grow and formed.例文帳に追加

一方、そのエッチング孔に露出するシリコン基板の一部に、エッチング孔を封止してギャップを閉塞するシリコン熱酸化膜１２０を成長形成する。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

A lower capacitor electrode 15, capacitor insulating film 10 and upper capacitor electrode 8 are formed on an element isolation film (thermal oxidation film 2) of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の素子分離膜（熱酸化膜２）上に下部容量電極１５、容量絶縁膜１０及び上部容量電極８を形成する。 - 特許庁

To provide an oxide forming method which safely forms a contamination-free homogeneous film on a wafer substrate using vapor oxidation by a high speed heating device.例文帳に追加

高速過熱装置で蒸気酸化を用いて汚染のない均質な膜をウエハ基板上に安全に形成する酸化物形成方法を提供する。 - 特許庁

The insulation part 2 is constituted of a porous silicon layer formed by making one part of the base substrate 1 porous with anodic oxidation treatment.例文帳に追加

ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating oxide film with superior electric characteristics, wherein oxidation is prevented from advancing into a substrate during the period of deposition of the oxide film.例文帳に追加

酸化膜堆積中に基板内部への酸化が進行せず、かつ良好な電気特性を有する酸化絶縁膜の形成方法を得ることにある。 - 特許庁

To provide a substrate for electronic equipment that can be improved in oxidation resistance to water and resist peeling liquid and also improved in oxidation resistance to an etching agent etc., when copper with low resistance is used for electrode and wiring materials, and electronic equipment equipped with such a substrate for electronic equipment.例文帳に追加

低抵抗の銅を電極や配線材料として用いる場合に、水分やレジスト剥離液に対する耐酸化性を向上でき、しかもエッチング剤などに対する耐酸性を向上できる電子機器用基板及びその製造方法を提供することと、そのような電子機器用基板を備えた電子機器の提供。 - 特許庁

In the production of the laminate, an oxidation inhibitor is applied on the surface of the substrate or the laminate, and the monomer is contacted with the oxidation inhibitor and polymerized in a vapor phase, so that the electro-conductive layer of the conductive polymer is formed on the surface of the substrate or the laminate.例文帳に追加

また、本発明に係る上記積層体の製造方法は、基材または積層体の表面に酸化防止剤を塗布し、単量体を該酸化剤と接触させて気相重合により、基材または積層体の表面に導電性ポリマーからなる導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises repeating the following processes several times: a process for forming a silicon film by depositing either one of polysilicon, epitaxial silicon or amorphous silicon on a silicon substrate or on a silicon dioxide film formed on the silicon substrate by a thermal oxidation treatment; and a process for converting the above film into the silicon dioxide film by the thermal oxidation treatment.例文帳に追加

シリコン基板上に、あるいは熱酸化処理によりこのシリコン基板上に形成された二酸化シリコン膜上に、ポリシリコン、エピタキシャルシリコンあるいはアモルファスシリコンのいずれかを堆積しシリコン膜を形成する工程と、この膜を熱酸化処理し二酸化シリコン膜にせしめる工程とを複数回繰り返す。 - 特許庁

The semiconductor substrate holding device for holding a semiconductor substrate in the reaction room of a plasma CVD device consists of a mounting block and a heating block, the upper surface and side faces of the mounting block are treated with anode oxidation treatment and the film thickness of the anode oxidation film is 30 to 60μm.例文帳に追加

プラズマCVD装置の反応室内で半導体基板を保持するための半導体基板保持装置であって、載置ブロックと、加熱ブロックとから成り、載置ブロックの上面及び側面が陽極酸化処理されており、陽極酸化膜の膜厚が３０μｍから６０μｍであることを特徴とする装置。 - 特許庁

The substrate electrode 11 is provided, in a defective part 23a extending from the surface of the oxidation film 23 to the surface of the parent material 22, with a barrier layer 24 formed from the surface of the parent material 22 to the surface side of the oxidation film 23 in order to seal the defective part 23a.例文帳に追加

基板電極１１は、酸化皮膜２３の表面から母材２２の表面に達する欠陥部２３ａ内に、母材２２の表面から酸化皮膜２３の表面側に形成され、欠陥部２３ａを封止するバリア層２４を備える。 - 特許庁

Liquid material in which metal particles to become transparent metal oxide are dispersed is used to form first patterns isolated from each other on the glass substrate and to form the electrode regions in a non-oxidation firing step and a first oxidation firing step.例文帳に追加

透明な金属酸化物となる金属微粒子を分散させた液体材料を用いて、ガラス基板に互いに離間した第１パターンを形成し、非酸化焼成工程と第１酸化焼成工程とにより電極領域を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the structure having the pores comprises the steps of: forming initiation points for anodic oxidation at predetermined intervals on an aluminum alloy formed on a substrate; and forming the pores by the anodic oxidation starting from the initiation points.例文帳に追加

また、基板上に形成したアルミニウム合金に所定の間隔で陽極酸化の開始点を形成する工程と、該開始点を起点として陽極酸化により孔を形成する工程と、を有した孔を有した構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum substrate for printed circuits (1) is constituted such that anodic oxidation coatings (11) and (12) with different film thickness are formed in both sides of an aluminum plate (10), and at least thick anodic oxidation coatings (12) comprise the film formed with sulfuric acid or an organic acid.例文帳に追加

プリント回路用アルミニウム基板(1)は、アルミニウム板(10)の両面に膜厚の異なる陽極酸化皮膜(11)(12)が形成され、少なくとも厚い陽極酸化皮膜(12)が硫酸または有機酸によって形成された皮膜を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

After setting the substrate temperature at ≤500°C and the pressure at ≤50 Pa, a transparent conductive carbon film is deposited on the substrate surface of a thin film of copper or aluminum by a microwave surface wave plasma CVD method in a gas atmosphere formed by adding an oxidation inhibitor for inhibiting oxidation of the substrate surface as addition gas into mixed gas comprising carbon-containing gas and inert gas.例文帳に追加

基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 - 特許庁

To provide a treatment method which can remove fine particles and metal impurities on the surface of a semiconductor substrate without causing corrosion or oxidation of the semiconductor substrate and a metal wiring, and can simultaneously remove carbon defect on the surface of the substrate without removing a metal corrosion inhibitor-Cu coating film.例文帳に追加

半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

The supply hole of a raw material gas is provided in a wall of the deposition container between an end downstream of the gas flow direction of the oxidation gas of the antenna array and an end, on the antenna array side, of the position where the substrate is mounted on the substrate stage.例文帳に追加

アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、基板ステージ上に基板が載置される位置の、アンテナアレイ側の端部と、の間の成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられている。 - 特許庁

The substrate is brought into contact with water molecules (for example, immersed in pure water) to introduce a hydroxy group into a carbon atom in a radical state, immediately after the substrate is subjected to the oxidation treatment (for example, oxygen gas low temperature plasma discharge).例文帳に追加

基板に酸化処理（例えば酸素ガス低温プラズマ放電処理）を行なった直後に、基板に水分子を接触させ（例えば純水に浸漬）、ラジカル状態のな炭素原子に水酸基を導入する。 - 特許庁

To provide a biosensor using high active lipid modification enzyme, that excels in storage reliability; that allows oxidation current value to be low when substrate concentration is 0; and that may quantify a substrate with high precision.例文帳に追加

高活性の脂質修飾酵素を用いて、保存信頼性が高く、しかも基質濃度が０の場合の酸化電流値が低く、基質を高精度で定量することができるバイオセンサを提供することをも目的とする。 - 特許庁

To provide a gas barrier film formed of a silicon nitride film having excellent gas barrier property, excellent unevenness coating property of a substrate, excellent suppression of damages of the substrate, and excellent oxidation resistance, and a film deposition method and a film deposition apparatus thereof.例文帳に追加

優れたガスバリア性、基板の凹凸の被覆性、基板の損傷抑制、および、耐酸化性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

To solve the problem that, when a semiconductor package or electronic element is press-bonded to a substrate, such as the wiring board etc., under a high-temperature and high-pressure condition, the decomposition or dissociation of the resin forming the substrate occurs or the deterioration of a metallic material by oxidation occurs.例文帳に追加

半導体パッケージや電子素子を配線板等の基板に高温、高圧条件で圧接接合すると、基板を形成する樹脂の分解、解離が生じたり、金属材料の酸化による劣化が生じている。 - 特許庁

A method for manufacturing a substrate for an oxide superconductive wire material has an oxidation treatment process for performing heat treatment of a metal substrate containing at least Cr in an ambient atmosphere including oxygen at 350°C or greater and 550°C or less.例文帳に追加

少なくともＣｒを含有する金属基板を３５０℃以上５５０℃以下におい酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う酸化処理工程を有する酸化物超電導線材用基板の製造方法。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

To carry out the cleaning treatment of the surface of a substrate in the atmosphere without using a vacuum apparatus, and to remove natural oxidation films or organic substances on the substrate surface without depending on plasma cleaning.例文帳に追加

真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。 - 特許庁

The surface finishing method of titanium comprises a process of forming an oxide film in the titanium substrate surface by the use of anode oxidation, and a process of the cathode polarization of the titanium substrate in which the oxide film is formed.例文帳に追加

本実施形態に係るチタンの表面処理方法は、陽極酸化により、チタン基板表面に酸化膜を形成する処理と、酸化膜が形成されたチタン基板をカソード分極する処理とを含む。 - 特許庁

In a state where an N- or P-type silicon substrate subjected to dopant processing is not subjected to oxidation treatment but subjected to hydrogen termination treatment, surface treatment is performed by a silane coupling reagent to obtain a surface modification semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。 - 特許庁

Thus, a large-sized glass substrate 31 is cut along a cutting line 32 and even if the cut surface of the connection line 45 for anodic oxidation is exposed to an end surface of the glass substrate 31, static electricity is prevented from entering it.例文帳に追加

したがって、大型のガラス基板３１をカットライン３２に沿って切断し、陽極酸化用接続ライン４５の切断面がガラス基板３１の端面に露出しても、静電気の侵入を防止することができる。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling the pH of an aqueous solution capable of simply and precisely controlling the pH and oxidation and reduction potential(ORP) of washing water in order to obtain higher washing effect in washing water of wet washing in a process of manufacturing for a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate, a magnetic substrate or a superconductive substrate.例文帳に追加

半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、洗浄水のｐＨと酸化還元電位（ＯＲＰ）をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のｐＨ制御の方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The production method is for producing a hydrogen separation membrane and involves steps of forming an oxidation suppressing layer for suppressing oxidation of a hydrogen-permeable metal layer on the surface of a hydrogen-permeable metal as a substrate and depositing a catalytic metal active to dissociation or bonding reaction of hydrogen on the surface of the oxidation suppression layer in granular state.例文帳に追加

水素分離膜の製造方法であって、基材としての水素透過性金属の表面に、水素透過性金属層の酸化を抑制するための酸化抑制層を形成する工程と、酸化抑制層の表面に水素の解離もしくは結合反応に活性のある触媒金属を粒子状に付着させる工程と、を備える。 - 特許庁

Thereby, it is possible to realize a shape, in which even if the oxidation process is not increased to the silicon substrate 1 at the upper end part of groove, electrical failures of transistor will not be generated.例文帳に追加

これにより、溝上端部のシリコン基板１に、酸化工程を増やさなくても、トランジスタの電気的不良を生じさせない形状を形成することができる。 - 特許庁

To provide a ceramic heater provided with a resistance heater while having good temperature control and excellent durability such as oxidation resistance or the like, by using a ceramic substrate as a base material of the heater.例文帳に追加

セラミック基板をヒータの基材とし、温度制御性が良いとともに、耐酸化性等の耐久性の優れた、抵抗発熱体を備えたセラミックヒータを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing thereof, which is equipped with a protective insulating film which is little in substrate oxidation, and does not cause the drive power reduction of a PMOS.例文帳に追加

基板酸化が少なく，かつＰＭＯＳの駆動力低下を起こさない、保護絶縁膜を備えた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming many holes 22 on the main surface of a substrate 10 forming the thin film resistor by the method of anodic oxidation or the like, a rugged structure 20 is formed.例文帳に追加

薄膜抵抗体を形成する基板１０の主面上に、陽極酸化などの方法で孔２２を多数形成することで、凹凸構造２０を形成する。 - 特許庁

A laminate for printed circuits (2) is constituted by forming a conductive layer (14) via an insulating layer (13) at the side wherein the anodic oxidation coatings (11) of the thin aluminum substrate (1) are formed.例文帳に追加

またプリント回路用積層板(2)は、前記アルミニウム基板(1)の薄い陽極酸化皮膜(11)が形成された側に、絶縁層(13)を介して導電層(14)が形成されてなる。 - 特許庁

To improve adhesion property of an ultraviolet-curable, oxidation-polymerizable intaglio printing ink composition to a substrate such as a plastic in which penetration of the ink composition cannot be expected.例文帳に追加

紫外線硬化酸化重合併用型凹版インキ組成物を、プラスチック等のインキ組成物の浸透が期待できない基材に対して、密着性を向上させる。 - 特許庁

By the additon of water, the oxidation of sputtering particles is promoted, so that the metallic oxide thin film formed on the substrate W is made into the one small in absorption and having high quality.例文帳に追加

水分の添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるため、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない高品質なものとなる。 - 特許庁

A multilayer stencil mask has a membrane layer 3, and the membrane layer 3 is held by a support layer consisting of an intermediate oxidation film layer 2 and a supporting substrate layer 1.例文帳に追加

本発明の多層型ステンシルマスクはメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。 - 特許庁

To provide a stable, sufficiently sensitive and inexpensive biosensor for measuring a substrate concentration by using an oxidation-reduction enzyme having a NAD(P) as a coenzyme.例文帳に追加

ＮＡＤ（Ｐ）を補酵素とする酸化還元酵素を用いて基質濃度を測定するバイオセンサであって、安定かつ十分な感度が得られ、なおかつ安価なバイオセンサを提供する。 - 特許庁