「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermopile 4 is formed on the upper surface of an Si substrate 2; a self-organizing film 6 is produced by combining an organic function of an organic silane compound and an insulation film 5a on the insulation film 5a on the surface of the hot junction of this thermopile 4; and oxidation catalyst particles 7, such as Pt are carried by the surface of this self-organizing film 6 by chemically bonding.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上面に、サーモパイル４が形成され、このサーモパイル４の温接点部表面の絶縁膜５ａ上に、有機シラン化合物の有機官能と絶縁膜５ａとの結合により自己組織化膜６を生成し、この自己組織化膜６の表面にＰｔ等の酸化触媒粒子７を化学結合により担持させてなる。 - 特許庁

In the method, a conductive circuit is readily formed at low cost by drawing a circuit pattern on an insulating substrate by using an organic material containing a metal particle, especially a metal particle which is subjected to anti-oxidation treatment in a surface, and by baking the circuit pattern by heating and treating at a temperature of 5% loss weight temperature ±10°C of the organic material.例文帳に追加

金属粒子、特に、表面に抗酸化処理を行った金属粒子、を含有する有機材料を用いて絶縁基板上に回路パターンを描画し、該回路パターンを有機材料の５％減量温度±１０℃の温度で加熱処理して焼成し、簡便かつ安価に導電回路を形成することを特徴とする導電回路の形成方法。 - 特許庁

The magnetic recording medium having a magnetic layer on a substrate is characterized in that the magnetic layer is formed by sequentially applying oxidation processing and annealing under a non-oxidizing atmosphere to the alloy containing Fe and Pt and the atomic ratio (Fe/Pt) of Fe and Pt in the alloy is 50/50 to 65/35.例文帳に追加

支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、前記磁性層が、ＦｅとＰｔとを含む合金に酸化処理および非酸化性雰囲気下でのアニール処理を順次施して形成され、前記合金におけるＦｅとＰｔとの原子比（Ｆｅ／Ｐｔ）が、５０／５０〜６５／３５であることを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte membrane for a fuel cell, which provides high proton conductivity at a low graft ratio while inhibiting deterioration of characteristics inherent to a polymer film substrate, inhibits dimensional change, mechanical strength change and permeation of methanol fuels, and moreover has favorable heat resistance and oxidation resistance and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高分子フィルム基材の持つ固有の特性の低下を抑制しつつ、低いグラフト率において、高いプロトン伝導性を与えるとともに寸法変化、機械的な強度変化、メタノール燃料の透過を抑制し、さらに、耐熱性、耐酸化性が良好な燃料電池用高分子電解質膜及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the biosensor having an insulating substrate, an electrode including at least one active pole and a counter pole formed on the insulating substrate, and a sample supply section formed on the electrode, the sample supply section has a reaction layer that includes an oxidation-reduction enzyme containing at least a prosthetic group as a pyrroloquinoline quinone (PQQ); a flavin adenine dinucleotide (FAD) or a flavin mononucleotide (FMN); and an electron carrier, an interfacial active agent and a glucose.例文帳に追加

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されてなる、少なくとも作用極および対極を含む電極と、前記電極上に形成されてなる試料供給部と、を有するバイオセンサであって、前記試料供給部が、少なくとも補欠分子族としてピロロキノリンキノン（ＰＱＱ）、フラビンアデニンジヌクレオチド（ＦＡＤ）またはフラビンモノヌクレオチド（ＦＭＮ）を含む酸化還元酵素と、電子伝達体と、界面活性剤と、グルコースと、を含む反応層を有する、バイオセンサ。 - 特許庁

The hydroxyapatite film is firmly fixed on the surface of the metal substrate by applying a decomposition product of the hydroxyapatite to form an extremely thin film in a short period of time under high vacuum as a pre-processing coating in the initial stage of the coating to prevent the oxidation of the surface of the metal substrate and then passing steam or a steam mixed gas and applying hydroxyapatite under such atmosphere.例文帳に追加

ハイドロキシアパタイトを基体金属表面に必要とされる最低限の薄膜にコーティングするため、レーザーアブレーション法にてコーティングを行なうこととし、コーティングの初期において高真空中でハイドロキシアパタイトの分解生成物を短時間、極く薄く前処理コーティングして該基体金属表面の酸化を防止し、その後水蒸気または水蒸気混合ガスを流入し、この雰囲気中でハイドロキシアパタイトのコーティングを行なうことにより、ハイドロキシアパタイト膜を強固に固着させることが出来る。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises a first process of applying a solution containing the overhydrogenated silazane polymer on a substrate 110, a second process of forming a film 108 containing the overhydrogenated silazane polymer by heating the solution, and a third process of turning the film 108 into an insulating film containing silicon and oxygen by subjecting the film 108 to an oxidation treatment in a reduced-pressure atmosphere 110 of water vapor.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１１０上に過水素化シラザン重合体を含む溶液を塗布する工程と、前記溶液を加熱して、過水素化シラザン重合体を含む膜１０８を形成する工程と、減圧下の水蒸気雰囲気１１０中で膜１０８を酸化処理して、膜１０８をシリコンおよび酸素を含む絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

In a field-enhanced oxide film producing apparatus 1, the tip of a conductive probe 5 is made of a material with a work function around the LUMO level of the organic layer 10 and an oxide film by the field enhanced oxidation is formed on the organic layer 10 arranged between the conductive probe 5 as a cathode and a conductive substrate 2 and an underlayer 3 as an anode.例文帳に追加

電界支援酸化膜作製装置１において、導電性探針５の先端部を、有機層１０のＬＵＭＯ準位付近の仕事関数を有する材料から構成し、陰極である導電性の導電性探針５と、陽極である導電性基板２および下地３との間に配置された有機層１０上に、電界支援酸化による酸化膜を作製する。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a substrate having a trench that defines an active region; an element isolation film buried in the trench; a pro-oxidant region formed at an upper corner portion of the trench to enhance oxidation at the upper corner portion of the trench when a gate insulating film is grown on the active region; and a gate conductive film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、活性領域を画定するトレンチが形成された基板と、該トレンチに埋め込まれた素子分離膜と、前記活性領域上にゲート絶縁膜の成長時に前記トレンチの上部縁部位での酸化を促進するために前記トレンチの上部縁部位に形成された酸化促進領域と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜と、を備える。 - 特許庁

The disclosed semiconductor device manufacturing method comprises implanting fluorine ions into a region 5B for forming a medium- thickness gate oxide film 12 under the condition of a fluorine range Rp of 15-150 nm in a substrate 1, removing a chemical oxide film 7 on the surface of the region 5B, and applying the oxidation to form the medium-thickness gate oxide film 12 on the region 5B.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、フッ素イオン注入を中膜厚のゲート酸化膜１２を形成すべき領域５Ｂに、フッ素の飛程Ｒｐが基板１中で１５〜１５０ｎｍとなるようなイオン注入条件で行った後、領域５Ｂの表面のケミカル酸化膜７を除去し、次に酸化処理により領域５Ｂに中膜厚のゲート酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

The invention further provides a polishing composition and a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising ruthenium, the polishing composition comprising (a) an oxidizing agent that oxidizes ruthenium upper than +4 oxidation state, (b) a polishing additive selected from the group consisting of polymer-type sequestering agent, metal chelating agent, organic thiols, compounds that reduce ruthenium tetraoxide, and lactones, and a-hydroxycarbonyl compounds.例文帳に追加

さらに磨き組成物およびルテニウムを含む基材の化学的で機械的な磨き方法、以下を含む磨き組成物を与える：(a)+４の酸化状態より上にルテニウムを酸化する酸化剤、(b)ポリマー型金属イオン封鎖剤、金属キレート剤、有機チオール、四酸化ルテニウム還元する化合物、ラクトンからなる群から選択された磨き追加物、およびヒドロキシカルボニル化合物。 - 特許庁

In the photoelectric convertor composed of a metal oxide semiconductor electrode, a pigment adsorbed on the surface, an electrolyte having an oxidation-reduction pair and a counter electrode, the titanium oxide semiconductor electrode having the porous titanium oxide thin film formed on the conductive substrate is provided as the metal oxide semiconductor electrode in a structural element.例文帳に追加

金属酸化物半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解質と対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記多孔質酸化チタン薄膜が導電性基体上に形成されている酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

When performing dicing of the laminate 15 after the completion of the wafer process, the laminate is first ground in advance to remove the electrode pad 16b formed on a silicon substrate 12 of a dicing region 20, and which is the constitution part of TEG and difficult to transmit the laser beam including the silicon oxidation film 14b and the passivation film 18b.例文帳に追加

ウェハプロセス終了後の積層体１５に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域２０のシリコン基板１２上に形成されている、ＴＥＧの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド１６ｂをはじめシリコン酸化膜１４ｂやパッシベーション膜１８ｂを除去するための第１の研削工程を行っておく。 - 特許庁

This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electroplating method includes electroplating a substrate using an electroplating solution of tin or a tin alloy, containing: a basis solution comprising an acid, optionally a salt thereof, the acid is selected from the group consisting of fluoboric acid, an organic sulfonic acid, or a combination thereof; divalent tin ions; and an antioxidant containing a hydroxybenzene sulfonic acid or salt thereof, in an amount effective to reduction of the oxidation of divalent tin ions.例文帳に追加

フルオロホウ酸、有機スルホン酸又はこれらの組み合わせからなる群から選択される酸、任意にこれらの塩を含む基準溶液；二価スズイオン；および酸化二価スズを還元するのに有効量のヒドロキシベンゼンスルホン酸又はこれらの塩を含む酸化防止化合物、を含むスズ及びスズ合金のメッキ溶液を使用して基体を電気メッキするメッキ方法。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に０．０４Ｍの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化する。 - 特許庁

To provide a paste composition for electrodes capable of forming copper-containing electrodes in which oxidation of a copper at the time of calcination is suppressed, the electrodes exhibiting low resistance can be formed, and further formation of a reaction phase between the copper and a silicon substrate is suppressed to obtain good ohmic contact, and also to provide a solar cell element and a solar cell which have the electrodes formed using the paste composition for the electrodes.例文帳に追加

焼成時における銅の酸化が抑制され、抵抗率の低い電極を形成でき、さらに銅とシリコン基板との反応物相の形成が抑制され良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極を形成できる電極用ペースト組成物、並びに、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池素子及び太陽電池を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device having a BiCMOS, a base region 14 is formed through implantation of ions, then a thermal treatment, is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and then an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

また、ＢｉＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってベース領域１４を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device equipped with a CMOS, LDDs 12 and 13 are formed by implantation of ions, then a thermal treatment is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and thereafter an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

ＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってＬＤＤ１２、１３を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。 - 特許庁

A method of producing SRO comprises: a process of allowing a first silicon source gas containing no oxygen to adsorb to a substrate and then of forming a SiO_2 film by oxidation reaction between a reaction gas containing oxygen and the first silicon source gas; and a process of forming a Si film by reduction reaction between a second silicon source gas containing no oxygen and a reaction gas corresponding to it.例文帳に追加

Ｏが含まれていない第１シリコンソースガスを基板に吸着させた後、Ｏが含まれた反応ガスと第１シリコンソースガスとの酸化反応によりＳｉＯ_２膜を形成する工程と、Ｏ成分を含んでいない第２シリコンソースガスとこれに対応する反応ガスとの還元反応によりＳｉ膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするＳＲＯの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the piezoelectric layer includes a process for forming the material layer 2 of the piezoelectric layer, formed of sodium potassium niobate, on a substrate 1, a process for introducing a raw material gas containing steam and oxygen gas into an oxidizing gas production part, and a process for oxidizing the material layer by heating gas in the oxidizing gas production part and feeding the heated gas into an oxidation furnace.例文帳に追加

圧電体層の製造方法は、基体１の上方に、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層の材料層２を形成する工程と、水蒸気および酸素ガスを含む原料ガスを酸化性ガス製造部に導入する工程と、前記酸化性ガス製造部内のガスを加熱して、酸化炉内に供給し、前記材料層を酸化させる工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used in a cleaning process after a flattening polishing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a copper interconnection, wherein corrosion and oxidation of the copper interconnection and surface roughening of the flattened interconnection on a substrate due thereto, are suppressed and impurities on a semiconductor device surface can effectively be removed, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

The substrate is washed by using a basic aqueous solution containing a nonionic surfactant having ≥3 and <12 HLB and a nonionic surfactant having ≥12 and ≤20 HLb and each having at least one hydroxy group in one molecule and having nearly ≥-1,200 mV and ≤100 mV or nearly ≥400 mV and ≤1,200 mV oxidation-reduction potential based on hydrogen electrode at 25°C.例文帳に追加

１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、且つＨＬＢが３以上１２未満の非イオン界面活性剤と、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤とを含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 - 特許庁

The optical element has at least one layer made of low refractive index material 105 and a layer made of high refractive index material 107 formed alternately as a damage suppression film, on a substrate 101 made of a thermoplastic transparent resin cycloolefin polymer having oxidation preventive function, wherein at least the layers made of high refractive index material are formed on the condition that the plasma is generated.例文帳に追加

低屈折率材料（１０５）から成る層および高屈折材料（１０７）から成る層を、交互に少なくとも一層ずつ、酸化防止機能を有する熱可塑性透明樹脂シクロオレフィンポリマーから成る基板（１０１）上に損傷抑制膜として形成した光学素子であって、少なくとも高屈折率材料から成る層がプラズマ状態を発生させた条件で成膜されたものである。 - 特許庁

This manufacturing method can produce a titania nano-array electrode comprising a nanotube-shaped titania with a high aspect ratio in such a way that a transparent conductive film is formed on the alloy containing a titanium metal or titanium material as a main element, and the anodic oxidation of the electrode with a transparent substrate attached to this transparent conductive film is performed in the electrolytic solution containing a halogen atom such as a perchloric acid aqueous solution.例文帳に追加

チタン金属もしくはチタンを主成分とする合金上に透明導電膜を形成し、さらに当該透明導電膜上に透明基板を貼り付けた電極を、過塩素酸水溶液のようなハロゲン原子を含有するイオンを含む電解質溶液中で、陽極酸化を行うことにより高アスペクト比のナノチューブ形状のチタニアから構成されるチタニアナノアレイ電極を製造することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device having an AlGaN layer and an AlGaN oxide film formed on a surface of the AlGaN layer comprises an oxidation step of directing ultraviolet light on the AlGaN layer while applying voltage between the AlGaN layer and a cathode 44 so as to make the AlGaN layer become positive with a substrate 40 having the AlGaN layer and the cathode 44 being soaked in an alkali solution 48.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層の表面に形成されたＡｌＧａＮ酸化膜とを備えている半導体装置の製造方法であって、アルカリ溶液４８中にＡｌＧａＮ層を有する基板４０と陰極４４とを浸した状態で、ＡｌＧａＮ層と陰極４４との間にＡｌＧａＮ層がプラスとなる電圧を印加するとともに、ＡｌＧａＮ層に紫外線を照射する酸化ステップを有している。 - 特許庁

The method is characterized in that it includes processes of: forming a film to be etched having a layer containing a nitrogen atom as a structural atom as at least the uppermost layer on a substrate; subjecting the film to be etched to a thermal oxidation process to form an oxidized layer on the surface; forming a chemical amplification resist film on the film to be etched; and selectively exposing and developing the chemical amplification resist film.例文帳に追加

少なくとも最上層に窒素原子を構成原子とする膜を有する被エッチング膜を基板上に形成する工程と、前記被エッチング膜を熱酸化処理を施してその表面に酸化層を形成する工程と、前記被エッチング膜上に化学増幅レジスト膜を形成する工程、前記化学増幅レジスト膜を選択的に露光し、現像する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cell and a cell plate for a porous metal supporting type solid oxide fuel cell forming a thin film state battery element on a light weight, thin and low cost gas permeating metal substrate provided with reduction resistance and oxidation resistance preventing peeling or cracking of an electrolyte layer due to a difference in heat expansion and furthermore, a fuel cell using them.例文帳に追加

耐還元性及び耐酸化性を備え、軽量、薄肉、且つ安価なガス透過性金属基板に薄膜状の電池要素を形成することができ、ヒートサイクルの繰り返しによっても熱膨張差による電解質層の剥離や割れを防止することができ、耐久性に優れた多孔質金属支持型の固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらにこれらを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.例文帳に追加

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore.例文帳に追加

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板１１の主面に対し垂直方向に形成された細孔１２の孔壁表面を多孔質化して多孔質層１５を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層１６を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質１７を充填する金属充填工程とを有する。 - 特許庁

The method of producing a nanostructure comprises: a stage wherein a plurality of regularly arranged recesses are formed on a substrate; a stage wherein, as to fine pores formed by the subsequent anodic oxidation, at least a part of the fine pores is self-organizationally diverged; and a stage wherein the parts before the divergence in the fine pores are removed.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする基板を陽極酸化して得られる陽極酸化皮膜によるナノ構造体の製造方法において、該基板上に規則的に配列した複数の窪みを形成する工程、その後陽極酸化により形成される細孔について、少なくとも一部の細孔を形成過程において自己組織的に分岐させる工程、更に該細孔における分岐する以前の部分を除去する工程を含むナノ構造体の製造方法。 - 特許庁