「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the ratio of the carbon atom having a π-bond in a molecular layer on the surface of the substrate decreases to less than that for the state of only oxidation treatment.例文帳に追加

その結果、基板表面の分子層のπ結合を有する炭素原子の割合はを酸化処理のみの状態よりも減少する。 - 特許庁

On the inner wall of a minute channel 22 formed on one side of an aluminum substrate 21, a porous anode oxidation film 23 is formed directly.例文帳に追加

アルミニウム基板２１の一面に形成された微小な流路２２の内壁面には多孔質の陽極酸化膜２３が直接形成されている。 - 特許庁

A pattern of a masking layer for local oxidation of silicon 12 is formed on this substrate 11, and an element-isolation insulating film 13 is formed by selectively oxidizing the pattern.例文帳に追加

この基板１１上に選択酸化用のマスク層１２のパターンを形成し、選択的に酸化して素子分離絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

Next, plasma oxidation is carried out (step S18) and many protrusions of about 5 nm in height are selectively formed only in the substrate region of the air bearing surface.例文帳に追加

次に、プラズマ酸化を行い（ステップＳ１８）、エアベアリング面の基体領域にのみ、高さが５ｎｍ程度の多数の凸部を選択的に形成する。 - 特許庁

The photoreceptor has UCL 2 comprising an anodic oxidation film having ≥4×1010/cm2 cell density on an aluminum alloy substrate 1.例文帳に追加

アルミニウム合金基体上にセル密度が４×１０^10個／ｃｍ^2 以上である陽極酸化皮膜からなるＵＣＬを備えた感光体とする。 - 特許庁

To recover/remove metal ions contained in a processing solution by the use of an oxidation-reduction reaction so as to prevent them from affecting a substrate adversely.例文帳に追加

酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of growing a thin oxynitride film on a substrate by adding a high concentration nitrogen to an oxynitrid film using a water-vapor thermal-oxidation process.例文帳に追加

水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The substrate electrode 11 of a plasma processing unit comprises a parent material 22 of aluminum, and an oxidation film 23 formed thereon.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極１１は、アルミニウムからなる母材２２と、この母材２２の表面に形成された酸化皮膜２３とを備える。 - 特許庁

The detection sensor of the oxidation stress substance includes a substrate, a pair of the electrodes arranged on the substrate at a predetermined interval and the insulating film applied to the surfaces of a pair of the electrodes and the surface of the substrate between a pair of the electrodes and coming into contact with the liquid to be inspected containing body fluids such as blood, lymph, cytoplasm substrate, etc.例文帳に追加

基板と、基板上に所定間隔をおいて配置された電極対と、電極対の表面及び電極対間の基板の表面を被覆し血液、リンパ液、細胞質基質などの体液を含む被検体液と接触する絶縁膜と、を備えている。 - 特許庁

To provide a substrate which can be used as a substrate and can solve problems that the substrate itself is corroded during an electrochemical oxidation treatment, or the electrolysis cannot be continued by separating a diamond layer from the substrate, or the electrolytic efficiency is considerably degraded, and an electrode.例文帳に追加

電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of a thermal oxidation film of 25-45 angstroms thick on the surface of the silicon substrate 1, by loading the substrate 1 into the furnace while introducing an N2 gas having 1% of O2 gas added therein, and thereafter forming a thermal oxidation film of 100 angstroms or less on the substrate 1.例文帳に追加

この方法は、加熱した炉内に１％のＯ_２ガスを添加したＮ_２ガスを導入しながら、前記炉内にシリコン基板１をローディングすることにより、シリコン基板１の表面上に２５〜４５オングストロームの熱酸化膜を形成する工程と、その後、シリコン基板１の表面上に１００オングストローム以下の熱酸化膜を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

An RRAM memory cell includes a first oxidation resistance layer 20, a first heat resistance metal layer 22, a CMR layer 24, a second heat-resistant metal layer 26, and a second oxidation resistance layer 28; and is formed on a silicon substrate having a metal plug 16 which is connected operably in the silicon substrate, and which is formed on the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のＲＲＡＭメモリセルは、第１の酸化耐性層２０と、第１の耐熱性金属層２２と、ＣＭＲ層２４と、第２の耐熱性金属層２６と、第２の酸化耐性層２８とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ１６を有する該シリコン基板上に形成される。 - 特許庁

Data base 11 and 12 store the standard oxidation reduction potential of a reaction system relating the conduction band and valence electron band of the photocatalyst and a sample substrate and pretreating means 1 corrects the oxidation reduction potential by computation from the pH of the reaction system and the standard oxidation reduction potential relating to the photocatalyst and sample substrate existing in the reaction system from the date base 12.例文帳に追加

データベース11,12は、光触媒の伝導帯及び価電子帯並びに試供基質の関わる反応系の標準酸化還元電位を格納しており、前処理手段１は、反応系のpHと、データベース12から当該反応系に存在する光触媒及び試供基質に関わる標準酸化還元電位とから、演算によって前記酸化還元電位を補正する。 - 特許庁

To provide a method for easily producing an oxidation-resistant carbon material having a coating film on the surface, which hardly causes cracks or defects even when the film thickness increases, and hardly exfoliates; thereby oxidation resistance of the graphite substrate is sufficiently improved.例文帳に追加

膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

An oxide film forming process for forming a trench part LOCOS oxide film 6 is formed on a trench part 5 formed in a semiconductor substrate 1 is constituted of a first wet oxidation process of (f) and a second wet oxidation process of (g).例文帳に追加

半導体基板１に形成された溝部５に溝部ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成するための酸化膜形成工程は、図１（ｆ）の第１のウエット酸化工程、図１（ｇ）の第２のウエット酸化工程によって構成される。 - 特許庁

In the method for oxidation treatment of the silicon based treated material 10, the silicon based treated material 10 is exposed to a plasma containing oxygen radicals, and the anisotropic oxidation is carried out by applying a DC voltage 5 to the above-mentioned substrate.例文帳に追加

シリコン系被処理物１０を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、前記基板に直流電圧５を印加することにより異方性の酸化を行うことを特徴とするシリコン系被処理物１０の酸化処理方法。 - 特許庁

After a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film is formed on the surface of a silicon substrate by thermal oxidation or thermal oxidation and nitriding (step S1), plasma nitriding is performed on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film (step S2).例文帳に追加

シリコン基板表面に熱酸化または熱酸窒化によってシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成した後（ステップＳ１）、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化膜表面にプラズマ窒化処理を施す（ステップＳ２）。 - 特許庁

To provide an Au fine particle catalyst of a particle diameter of 3 nm or less that is active to an oxidation-reduction reaction and inactive to a methanol oxidation reaction as an oxygen electrode catalyst for a direct methanol fuel cell and that is carried by a carbon substrate.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池の酸素極触媒として、酸素還元反応には活性で、メタノール酸化反応には不活性であり、カーボン基体に担持された粒径が３ｎｍ以下のＡｕ微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

Next, a semiconductor substrate 2 in which the polysilazane film 4d is applied is introduced into an oxidation furnace in oxidizing atmosphere, and residual gas in the polysilazane film 4d is evaporated by keeping it in an evacuated state in the oxidation furnace.例文帳に追加

次に、ポリシラザン膜４ｄを塗布した半導体基板２を酸化性雰囲気中で酸化炉内に導入し、該酸化炉内を真空排気した状態で保持することでポリシラザン膜４ｄ内に残留したガスを蒸散させる。 - 特許庁

Oxidation of an Si substrate 5 is not carried out in a process, before a gate insulating film 3 is formed on the Si substrate 5; and when an oxide film is necessary, it is formed by a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

The electronic cooling element 50 comprises an n-type silicon substrate 51, a natural oxidation film 52, a metal film 53, a power source for applying a voltage to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53, and a supply line.例文帳に追加

電子冷却素子５０は、Ｎ型シリコン基板５１、自然酸化膜５２、金属膜５３、Ｎ型シリコン基板５１と金属膜５３とに電圧を印加する電源、及び、電源線を備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel included in a metal substrate.例文帳に追加

金属基板に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel contained in a substrate.例文帳に追加

基体に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The entire surface of a substrate with a resist pattern formed thereon is subjected to oxidation treatment (for example, irradiation with ultraviolet ray), a top layer of the resist pattern is removed, and the entire surface of the substrate is subjected to electroless plating.例文帳に追加

レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理（例えば紫外線照射）し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate with electric characteristics improved by preventing natural oxidation and its manufacturing method, and to provide a liquid crystal display panel and an electroluminescent display panel that have the substrate.例文帳に追加

自然酸化を防止して電気的な特性を向上させた薄膜トランジスタ基板とその製造方法、並びにこれを有する液晶表示パネル及び電界発光表示パネルを提供する。 - 特許庁

An insulating layer and a conductive layer are successively formed on the rear of a substrate 301, a plurality of pairs of facing grooves are formed on the substrate 301, and the insulating layer 305 is formed on the side of the groove through thermal oxidation.例文帳に追加

基板３０１の裏面に絶縁層及び導電層を順に形成した後、基板３０１に複数対の対向する溝を形成し、熱酸化により溝の側面に絶縁層３０５を形成する。 - 特許庁

The metal substrate with an isolation layer comprises: an insulating oxide film 20 formed by anodic oxidation on a metal substrate 10; and a spin-on-glass film 30 on the insulating oxide film 20.例文帳に追加

絶縁層付金属基板を、金属基板１０上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜２０と、絶縁性酸化膜２０上にスピンオンガラス膜３０とを有するものとする。 - 特許庁

After the above films 3 and 5 are removed, a quantum wire 7a separately insulated from the substrate 1 is formed of an oxide film 5A formed by an oxidation of the substrate 1.例文帳に追加

そして、上記窒化膜３,酸化膜５を除去した後、半導体基板１の酸化により形成された酸化膜５Aによって半導体基板１と分離絶縁された量子細線７aを形成する。 - 特許庁

A trench is formed on a silicon substrate 1 by performing anisotropic etching using a mask pattern including a pad oxidation film formed on the silicon substrate 1, a polysilicon film 3a and a silicon nitride film 4a as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたパッド酸化膜、ポリシリコン膜３ａおよびシリコン窒化膜４ａを含むマスクパターンをマスクとして、シリコン基板１に異方性エッチングを施すことでトレンチを形成する。 - 特許庁

The micropores are formed by providing an anodic-oxidation alumina film 12 on a surface 11a of a polystyrene substrate 11, by masking the alumina film 12, and by etching the surface 11a of the polystyrene substrate 11.例文帳に追加

微細孔は、ポリスチレン基板１１表面１１ａ上に、陽極酸化アルミナ膜１２を設け、この陽極酸化アルミナ膜１２をマスクにして、ポリスチレン基板１１表面１１ａをエッチングすることにより得る。 - 特許庁

After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed.例文帳に追加

シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for microchips having a saturated cyclic polyolefin resin in which the fluorescence of the substrate is suppressed that increases by applying oxidation treatment to the plastic substrate for microchips made of a norbornene resin having the saturated cyclic polyolefin resin.例文帳に追加

飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有する製ノルボルネン樹脂のマイクロチップ用プラスチック基板に酸化処理を加えることによって増大する基板の蛍光を抑制した飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有するマイクロチップ用プラスチック基板を提供する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a substrate due to dissolved oxygen in rinse liquid by suppressing increase in concentration of dissolved oxygen in rinse liquid after discharging rinse liquid from a nozzle toward the substrate, and to suppress adhesion of contaminant to the substrate.例文帳に追加

ノズルから基板に向けてリンス液を吐出した後にリンス液中の溶存酸素濃度が上昇することを抑制することで、リンス液中の溶存酸素による基板の酸化を防止するとともに、基板への汚染物質の付着を抑制する。 - 特許庁

To provide a rotation type substrate drying machine that can quickly dry a substrates while preventing oxidation in a drying process.例文帳に追加

乾燥工程における基板の酸化を防止すると共に、基板を迅速に乾燥させることが可能な回転式基板乾燥装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To perform treatment at a low temperature and low costs and to form a treatment film to be thick and uniform in the case of performing nitridation treatment or oxidation treatment to a substrate surface.例文帳に追加

基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、処理を低温で安価に行なえ、処理膜を厚く均一に形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal device capable of preventing a defect due to a leak at a gate oxidation film and enhancing yield.例文帳に追加

ゲート酸化膜でのリークによる不良を防止でき、歩留まりを向上できる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently conduct a film-depositing work such as epitaxial growth or a work such as thermal diffusion or thermal oxidation for a semiconductor substrate having a large size while saving electric power.例文帳に追加

大面積半導体基板に対してエピタキシャル成長等の成膜作業や熱拡散、熱酸化等の作業を省電力で効率よく行う。 - 特許庁

To form a hard film on a substrate employing physical vapor deposition, which shows an oxidation resistance at ≥1,000°C and a good wear resistance.例文帳に追加

物理蒸着法を用いて、基材上に、耐酸化性を１０００℃以上有するとともに、耐摩耗性が良好な硬質皮膜を形成すること。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING SILICON DIOXIDE LAYER BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON SUBSTRATE HAVING GERMANIUM OR SILICON-GERMANIUM ALLOY ON AT LEAST ITS SURFACE例文帳に追加

少なくともその表面にゲルマニウムまたはケイ素−ゲルマニウム合金を持つ基板上において、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法 - 特許庁

In this manufacturing method, a pat oxide film 2, an amorphous silicon or polycrystalline silicon film 17 and an oxidation preventing film 3 are deposited on a silicon substrate 1, and these films are patterned ((a) to (f)).例文帳に追加

シリコン基板１上に、パット酸化膜２、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコン膜１７、酸化防止膜３を堆積し、パターニングする（（ａ）〜（ｆ））。 - 特許庁

The portion of the through-hole 9 located in the supporting substrate layer 1 is formed so that the sectional area increases as the through-hole recedes from the intermediate oxidation film layer 2.例文帳に追加

支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of minimizing the property deterioration caused by the oxidation of a metal film, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

金属膜の酸化に起因する特性劣化を最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 serves as an oxidation preventive film which prevents the titanium oxide film 6 from becoming oxidized, when the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a next process.例文帳に追加

窒化シリコン膜７は、次の工程で基板１の表面を熱酸化する時に酸化チタン膜６が酸化されるのを防ぐ酸化防止膜として機能する。 - 特許庁

To provide a fuel cell which prevents unusual oxidation of a metal substrate and cracking and peeling of an electrolyte layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

金属基材の異常酸化が抑制されかつ電解質層のひび、剥がれ等が抑制された、燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁