「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device for forming an insulation film in which the reduction of light through a light transmitting window is suppressed, the size of a substrate being treated can be increased and an oxidation rate can be enhanced.例文帳に追加

光透過窓による光の減少を低減し、処理基板を大型化できると共に、酸化速度を向上できる絶縁膜の製造装置を提供する。 - 特許庁

Namely, the lamination structure of an N^+ high concentration substrate 1 and the N^- low concentration layer 2 is arranged under a state that the whole surface of the thermal oxidation film 5 is contacted with the susceptor 11.例文帳に追加

すなわち、熱酸化膜５の全表面をサセプタ１１に接触させた状態で、Ｎ^+高濃度基板１及びＮ^-低濃度層２の積層構造を配置する。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 containing the perovskite-type composite oxide can be formed by applying the treatment liquid to the cermet substrate 11 and heating the applied liquid.例文帳に追加

本発明の処理液を、サーメット基材１１に塗布した後加熱することによって、ペロブスカイト型複合酸化物を含む耐酸化膜１２を形成させることができる。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 containing the ilmenite-type composite oxide can be formed by applying the treatment liquid to the cermet substrate 11 and heating the applied liquid.例文帳に追加

本発明の処理液を、サーメット基材１１に塗布した後加熱することによって、イルメナイト型複合酸化物を含む耐酸化膜１２を形成させることができる。 - 特許庁

To manufacture a highly reliable substrate, in which damages to an active layer and dislocations of the crystal due to influence of natural oxidation of an AlxGa1-xAs layer during etching do not occur.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ層のエッチング時の自然酸化による影響で活性層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高いものを製造すること。 - 特許庁

At least the joining surface of the aluminum substrate 11 to be joined to the copper plates 12 and 12a is treated with a chemical surface treatment liquid to facilitate oxygen supply to the joining surface; then, the joining surface is subjected to an oxidation treatment.例文帳に追加

そして、この窒化アルミニウム基板１１と銅板１２、１２ａの接合体１０において、表面処理がフッ化水素（ＨＦ）溶液で行われているのがよい。 - 特許庁

Plenty of oxygen ions (active oxygen) are generated on the surface of the substrate 100 in parallel with the reduction and HC and CO in waste gas are efficiently oxidation-removed with the oxygen ions.例文帳に追加

それと同時に、基板 100表面上に多量の酸素イオン（活性酸素）が生成し、この酸素イオンによって排ガス中のHC及びCOが効率よく酸化浄化される。 - 特許庁

After a silicon oxide film 14 is formed on one principal surface of a silicon substrate 10 by a thermal oxidation method, a silicon nitride film 16 is formed on the film 14 by a CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１０の一方の主面に酸化シリコン膜１４を熱酸化法により形成した後、膜１４の上に窒化シリコン膜１６をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

A pad oxide film 12 and an oxidation prevention film 13 are formed sequentially from a lower layer on a first region 11a and a second region 11b of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の第１領域１１ａ上と第２領域１１ｂ上とにパッド酸化膜１２及び酸化防止膜１３を下層から順に成膜する。 - 特許庁

Insulation films 18a, 18b are formed on a side surface of the electrode layer 14a by a thermal oxidation method, and insulation films 18A, 18B are formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱酸化法により電極層１４ａの側面に絶縁膜１８ａ，１８ｂを形成すると共に基板表面に絶縁膜１８Ａ，１８Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming one or more deposited layers on a substrate using cold spray which avoids oxidation of an outermost deposited layer during deposition.例文帳に追加

堆積の際に最も外側の堆積層の酸化を回避する、コールドスプレーを用いて一つまたは複数の堆積層を基体上に形成する方法が提供される。 - 特許庁

Oxide films 10, 12 of 10 nm or smaller thickness are formed by thermal oxidation of silicon on the sides of the FUSI gate 50 and a silicon substrate 1, respectively.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート５０の側面には酸化膜１０が、シリコン基板１上には酸化膜１２が、それぞれ、シリコンの熱酸化により１０ｎｍ以下の膜厚で形成されている。 - 特許庁

The silicon carbide substrate 1 on which a silicon film 2 is formed is exposed to the temperature in the upper limit of 900°C under the dry oxygen gas atmosphere for thermal oxidation of the silicon film 2.例文帳に追加

シリコン膜２が形成されたシリコンカーバイド基板１を乾燥酸素ガス雰囲気中で９００度を上限とする温度に曝し、シリコン膜２を熱酸化する。 - 特許庁

The separation insulators 2a-2c are formed inside the grooves by a thermal oxidation method, and isolate an element-forming region on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

分離絶縁体２ａ〜２ｃは、熱酸化法を用いて溝の内部に形成され、半導体基板１の主表面において素子形成領域を分離するものである。 - 特許庁

The coating is obtained by exposing a substrate to plasma-electrolytic oxidation so that the functional composition penetrates into the pores and finishing it by a mechanical treatment.例文帳に追加

この被膜は、基材に電解プラズマ方法による酸化を受けさせ、孔の中に機能的組成物を入り込ませ、そして機械的処理で仕上げを実施することによって得られる。 - 特許庁

The electrochromic element comprises a transparent conductive film 2, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer 5, a reduction coloring layer and a transparent conductive film 10 sequentially constructed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に透明導電膜２、酸化発色層、電解質層５、還元発色層、透明導電膜１０が順次構成されているエレクトロクロミック素子である。 - 特許庁

To provide an electrode substrate of a flat panel display with a protection layer which can prevent the oxidation of a conductive thin-film layer and control the shape of etched wiring.例文帳に追加

導電薄膜層の酸化を防ぐとともにエッチングされた配線の形状を制御できる、保護層を有するフラットパネルディスプレイの電極基板を提供する。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

In wash-treatment sections 5a-5d, ozone water is supplied onto the surface of the substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０からオゾン水が供給される。 - 特許庁

After a trench isolation 3 is formed on a silicon substrate 1, oxidation is carried out in a mixed gas atmosphere of hydrogen and oxygen, and further, the oxide film thereof is removed through wet etching.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ分離３を形成後、水素と酸素の混合ガス雰囲気の酸化を行い、さらにその酸化膜をウェットエッチで除去するようにしたものである。 - 特許庁

In the surface emitting semiconductor element where a current constricting part is formed by lateral oxidation, a mesa part 100 is formed so that it becomes reversely tapered against a substrate 1.例文帳に追加

横方向参加により電流狭窄部が形成された面発光型半導体素子において、基板１に対して逆テーパ形状になるようにメサ部１００を形成する。 - 特許庁

By this composition, the inner diffusion of corrosive ions such as oxygen ions is restrained even at a high temperature of ≥1,100°C and the oxidation of the carbon-based substrate is suppressed.例文帳に追加

このような構成により、１１００℃以上の高温下においても酸素イオンなどの腐食種イオンの内方拡散を抑制し、炭素系基体の酸化を抑制できる。 - 特許庁

Then the substrate having the pattern of recesses and projections is subjected to anodic oxidation in oxalic acid to obtain a metal oxide thin film 105 having a periodical nanohole structure 104.例文帳に追加

次に、その凹凸パターンを有する基板をシュウ酸中で陽極酸化することにより、基板は周期的ナノホール構造１０４を有する金属酸化物薄膜１０５となる。 - 特許庁

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible.例文帳に追加

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。 - 特許庁

Since an Si rich silicon oxide film is employed, voids are extinguished, the SiO2 film is protected against cracking due to contraction during oxidation and the Si substrate is protected against eneration of defect due to expansion.例文帳に追加

Ｓiリッチなシリコン酸化膜とすることにより、ボイドを消滅させ、酸化時の収縮によるSiO_2膜のクラックや、膨張によるSi基板への欠陥発生を防止する。 - 特許庁

The first and second porous structures 12 and 22 are same in structure, and anodic oxidation treatment and oxidation treatment are applied to the non-doped polycrystalline silicon layer formed on one surface side of the element forming substrate 1.例文帳に追加

第１の多孔質構造部１２と第２の多孔質構造部２２とは同一構造であって、素子形成基板１の一表面側に成膜したノンドープの多結晶シリコン層に対して陽極酸化処理および酸化処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁

To provide a novel dinuclear metal complex in the reaction process accompanying the oxidation of a substrate (oxygenation as a typical reaction), a high performance oxidation catalyst comprising the metal complex as an active constituent, and to provide a method of producing an organic compound using such a catalyst.例文帳に追加

基質の酸化（典型的には酸素化）を伴う反応プロセスにおいて新規なニ核金属錯体及び該金属錯体を有効成分とする高性能な酸化触媒及びかかる触媒を用いて有機化合物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A metal substrate with an insulating layer 2 is provided by applying anodic oxidation on at least one surface of an Al base material 1 which contains only the precipitation particles 15 composed of substances anodized during anodic oxidation in an Al matrix.例文帳に追加

絶縁層付金属基板２は、Ａｌマトリックス中に、陽極酸化の際に陽極酸化される物質からなる析出粒子１５のみを含有するＡｌ基材１の少なくとも一方の面に陽極酸化を行うことによって形成されたものである。 - 特許庁

Oxidation films 11', 13' of Ti and Al are formed between the upper part or the lower part of the capacitor or both electrodes 12, 13 and a dielectric film making the dielectric film 12 of a high dielectric metal oxidation film such as Ta_2O_5 on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上のＴａ_2 Ｏ_5 などの高誘電率の金属酸化膜を誘電体膜１２とするキャパシタの上部又は下部或いは両方の電極１２、１３と誘電体膜との間にＴｉとＡｌの酸化膜１１′、１３′を形成する。 - 特許庁

To provide a low-cost electrically conductive antireflection laminate consisting essentially of a substrate, a visible light absorbing film and a low refractive index film and capable of preventing the oxidation of the visible light absorbing film without disposing an oxidation preventing film.例文帳に追加

本発明は、可視光吸収膜の酸化防止を可能とした、酸化防止膜を設ける必要のない、基材／可視光吸収膜／低屈折率膜の構成を基本とする低コストの導電性反射防止積層体を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Immediately after a semiconductor substrate 17 having surface polished with polishing liquid is taken out from a rotary surface plate 11, aqueous solution 22 containing oxidizing agent and having oxidation-reduction potential of 10 mV or above is sprayed to the surface of the substrate 17 or the substrate 17 is immersed into the aqueous solution 22.例文帳に追加

研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板１７を回転定盤１１から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が１０ｍＶ以上である水溶液２２を基板１７の表面に噴霧するか、又は水溶液２２に基板１７を浸漬する。 - 特許庁

To obtain a substrate heater for semiconductor-manufacturing equipment, that can stably supply heat to a semiconductor substrate by avoiding the oxidation of a surface that directly makes contact with at least the semiconductor substrate or a susceptor within a heating plate surface, even if oxygen is used as the reaction gas.例文帳に追加

例え反応ガスとして酸素を使用しても、加熱板表面の内の、少なくとも半導体基板またはサセプタと直接接触する面の酸化を極力回避して、半導体基板に安定した熱供給を行えるようにした半導体製造装置用基板ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a substrate, useful in the case of manufacturing a semiconductor element for imparting a clean substrate surface, by selectively removing a spontaneous oxidation film, without impairing a needing thermal oxide film by exceeding an allowing range and without bringing about a microscopic roughness on the surface of the substrate after treatment.例文帳に追加

必要とする熱酸化膜を許容範囲を超えて損なうことなく、処理後の基板表面にマイクロラフネスを生じることなく自然酸化膜を選択的に除去し、清浄な基板面を与える半導体素子の製造の際に有用な基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

To solve the conventional problem that the continuation of electrolysis is no more possible or electric efficiency is remarkably degraded due to peeling of a silicon substrate from a diamond layer and the corrosion of the substrate starts from this portion during electrode oxidation treatment by a diamond electrode using the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を用いたダイヤモンド電極による電極酸化処理中に、ダイヤモンド層と基板が剥離し、その部分から基板が腐食することにより、電解が継続できなくなる、又は、電気効率が著しく悪くなるという従来の問題を解決するためのものである。 - 特許庁

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one.例文帳に追加

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。 - 特許庁

In the formation method for the organic material membrane, the surface of the substrate constituted by the inorganic material is subjected to an oxidation treatment and is exposed to a silane coupling agent vapor under a vacuum atmosphere, and thereafter, the organic material membrane is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

無機材料により構成される基材表面を、酸化処理してから、真空雰囲気下においてシランカップリング剤蒸気に晒し、その後、前記基材表面に有機材料膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a package substrate with a fine circuit pattern by anodic oxidation, by which a finer circuit can be provided with using existing facility, and further the package substrate that will not cause delamination phenomenon to be produced.例文帳に追加

より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the colored clay mineral powder, a metal oxide obtained by absorbing a metal organic compound onto the surface of a substrate and heating the substrate to carry out pyrolysis and oxidation of the metal organic compound and making the resultant metal oxide exist in a state dispersed on the surface.例文帳に追加

基材の表面に金属有機化合物を吸着させた後に加熱することで、該金属有機化合物の熱分解および酸化により得られる金属酸化物を該表面に分散状態で存在させる。 - 特許庁

Droplets generated by mixing etchant including fluorine containing chlorine with gas are injected to the surface of the substrate W having a natural oxidation film formed on the surface by a two-fluid nozzle 80, to etch and clean the substrate surface.例文帳に追加

二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress the oxidation of a region including metal on a substrate when a region including silicon on a substrate is selectively oxidized to be repaired; and to provide a device of manufacturing semiconductor.例文帳に追加

基板上のシリコンを含む領域を選択的に酸化させて修復する際に、基板上の金属を含む領域の酸化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To solve problems of a conventional surface acoustic wave element that has had deteriorated adhesiveness between electrodes and a piezoelectric substrate and has caused a material Cu employed for the electrodes to be susceptible to oxidation when the Cu is employed for the electrodes formed on the piezoelectric substrate in order to improve the power resistance.例文帳に追加

耐電力性を向上させるため、圧電基板上に形成される電極においてＣｕを用いると、電極と圧電基板との密着性が悪く、またＣｕが酸化されやすいという問題に遭遇する。 - 特許庁

A method for forming an oxide film comprises a step for cleaning the surface of a silicon substrate 1, a step for annealing the silicon substrate 1 at a temperature higher than a temperature of thermal oxidation for forming a tunnel oxide film 3 in an atmosphere of Ar gas, and a step for forming the tunnel oxide film 3 through the thermal oxidation method.例文帳に追加

本発明に係る酸化膜の形成方法は、シリコン基板１表面を洗浄する工程と、上記シリコン基板１に、Ａｒガス雰囲気下でトンネル酸化膜３を形成する際の熱酸化温度以上の温度でアニールを施す工程と、上記シリコン基板１上に熱酸化法によりトンネル酸化膜３を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

The step of forming the trench etching pattern on the substrate substantially further includes depositing the silicon nitride film on the substrate on which a pad oxidation film is formed, patterning, and forming a thermal oxidation film on the inner wall surface by an annealing so as to repair etching damages between the step of forming the trench and the liner.例文帳に追加

本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。 - 特許庁

The wet oxidation treatment for the carbon particles is carried out by adding an oxidizing agent to water in which the carbon particles are suspended, and the carbon particles treated by the wet oxidation treatment are added to a cyanide containing silver plating solution for electroplating a substrate to form a coating of the composite material, which contains the carbon particles in a silver layer, on the substrate.例文帳に追加

炭素粒子を水中に懸濁させた後に酸化剤を添加して炭素粒子の湿式酸化処理を行い、この湿式酸化処理を行った炭素粒子をシアン系銀めっき液に添加して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, element to delay the oxidation of silicon is introduced into the semiconductor substrate 2 on both sides of the gate electrode 22, and after this introduction, the thermal oxidation is performed to form a silicon oxide film 26a on the semiconductor substrate 2, and to form a silicon oxide film 26b which is thicker than the silicon oxide film 26a on the sidewall of the electrode 22, at the same time.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側の半導体基板２内にシリコンの酸化を遅らせる元素を導入し、この導入後、熱酸化を行い、半導体基板２の上部にシリコン酸化膜２６ａを形成し、同時にゲート電極２２の側壁上にシリコン酸化膜２６ａより膜厚が厚いシリコン酸化膜２６ｂを形成する。 - 特許庁