「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A catalyst layer (5) which keeps the low-temperature oxidation catalyst fixed to a substrate wall surface (4) with a binding component is formed inside the ventilation flue (3).例文帳に追加

低温酸化触媒を粘結成分で基材壁面(４)へ固定した触媒層(５)を、通風路(３)の内面に形成する。 - 特許庁

For reducing gate capacitance, at least one oxidation region can be formed at the substrate under the mesh-type gate electrode.例文帳に追加

ゲートキャパシタンスを減少させるために、メッシュ型のゲート電極の下部の基板に少なくとも一つの酸化領域を形成できる。 - 特許庁

To provide an application apparatus and an application method for applying a coating solution to a substrate at an increased apparatus efficiency while preventing oxidation of the coating solution.例文帳に追加

塗布液の酸化を防止しながら装置効率を上げて基板に塗布を行う塗布装置および塗布方法を提供する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon oxide film 2 formed on a single crystalline silicon substrate 1 in a predetermined region, and the gate insulating film 3 as the thermal oxidation film formed by thermally oxidizing the surface of the silicon substrate 1 in a region adjacent to the silicon oxidation film.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶シリコン基板１上の所定の領域に形成されたシリコン酸化膜２、それと隣接する領域に単結晶シリコン基板１の表面を熱酸化して形成した熱酸化膜であるゲート絶縁膜３を備える。 - 特許庁

Then, the polishing stop film 20 is interposed between the semiconductor substrate 11 and an oxidation prevention film 14 at the peripheral region of the semiconductor substrate 11, thus preventing the oxidation prevention film 14 from being peeled due to stress, or the like when forming a ferroelectric film 16.例文帳に追加

そして、この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、当該半導体基板１１と酸化防止膜１４との間に介在し、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

A glass substrate after an abrasion process is treated with functional water having a plus oxidation-reduction potential(ORP) for a fixed time in the final cleaning process.例文帳に追加

研磨工程を経た後のガラス基板を、最終洗浄工程において、ＯＲＰプラスの機能水で所定時間処理するようにした。 - 特許庁

A thermal oxidation film is formed as an underlying insulating film 103 on a substrate 100 and irregularities 105a-105d on the surface are smoothed.例文帳に追加

基板１００上に、下地絶縁膜１０３として熱酸化膜を形成し、表面の凹凸１０５ａ〜１０５ｄを平滑化する。 - 特許庁

The base body 31 is provided with a silicon oxide film formed by thermal oxidation treatment on the surface of a silicon substrate with the penetration holes 32 formed.例文帳に追加

基体部３１は、貫通孔３２を形成したシリコン基板の表面に、熱酸化処理によりシリコン酸化膜を形成して作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which prevents a defect in contact between a bump electrode and a substrate by suppressing oxidation of the bump electrode.例文帳に追加

バンプ電極の酸化を抑制し、バンプ電極と基板との密着不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device forms a LOCOS (local oxidation of silicon) film extended from the element forming region to the element isolation region on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

The thermal oxidation process is carried out under an atmosphere in which a substrate surface temperature is ≥850°C, and water concentration is ≥7% and ≤20%.例文帳に追加

熱酸化工程は、基板表面温度を８５０℃以上とし、水分濃度が７％以上で２０％以下の雰囲気下で行う。 - 特許庁

To provide an improved semiconductor substrate holding device having an anode oxidation film capable of reducing a leakage current and preventing easy generation of dielectric breakdown.例文帳に追加

リーク電流が小さく、絶縁破壊の生じにくい陽極酸化膜を有する改良された半導体基板保持装置を与える。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Si substrate is thermally oxidized by RTO method as oxidation of a base to form a silicon oxide film (step S2).例文帳に追加

その後、下地酸化として、Ｓｉ基板の表面をＲＴＯ法により熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

The anodization to form the aluminum oxide is performed through treatment at low temperature unlike thermal oxidation, and the use of a glass substrate is made possible.例文帳に追加

酸化アルミニウムを形成するための陽極酸化処理は、熱酸化と異なり低温処理であるため、ガラス基板の使用が可能である。 - 特許庁

A third oxide film 17 is formed on sidewalls of a first polysilicon layer 14 and a bottom face of an exposed substrate 10 by an oxidation treatment.例文帳に追加

酸化処理により、第１ポリシリコン層１４の側壁及び露出した基板１０の底面に第３酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide suitable conditions when a monocrystal semiconductor layer of a composite substrate is reduced in thickness by sacrificial oxidation.例文帳に追加

複合基板の単結晶半導体層を犠牲酸化によって薄膜化する際の好適な条件を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of oxidation for rounding to prevent degradation of oxide film breakdown voltage and a reverse narrow channel effect and planarization of a substrate.例文帳に追加

酸化膜耐圧の劣化や逆狭チャネル効果を抑えた丸め酸化と基板の平坦化の方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a layered film having superior heat resistance, oxidation resistance and adhesiveness to a substrate, even when the substrate has been heated to 700°C or higher and exposed to an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

基材温度を７００℃以上に高めかつ酸化性雰囲気に曝したときにも基材との密着性に優れ、かつ耐熱性および耐酸化性にも優れた積層皮膜を提供する。 - 特許庁

The mask layer is then patterned on the side of the silicon substrate 2 previously applied with a thermal oxidation film 3 and through holes 52 are opened in the silicon substrate 2 with high concentration alkaline liquid of KOH, for example, (Fig. (C)).例文帳に追加

予め熱酸化膜３がついていたシリコン基板２側のマスク層をパターニングし、ＫＯＨ等の高濃度アルカリ液にてシリコン基板２に貫通穴５２を開口する（図１（Ｃ））。 - 特許庁

A light emitting layer 16 to which a light emitting material emitting light through an electrochemical oxidation reaction or reduction reaction is provided between the first substrate 11 and the second substrate 12.例文帳に追加

第１基板１１及び第２基板１２の間には、電気化学的な酸化反応、或いは、還元反応を経て発光する発光材料を注入する発光層１６が設けられている。 - 特許庁

Thus, the photosensitive resin can be removed without using oxygen plasma, so that the oxidation of the substrate due to oxygen plasma and the quantity of shaving of substrate accompanied therewith can be suppressed.例文帳に追加

これにより、酸素プラズマを用いずに感光性樹脂を除去することができるため、酸素プラズマによる基板酸化、それに伴う基板の削れ量を抑制することが可能である。 - 特許庁

A silicon oxide film is coated by the thermal oxidation method to the whole of a front face of a chamber substrate having the manifold, the restrictor and the chamber of a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板で形成されたマニホールド、リストリクタ、チャンバを有するチャンバ基板の表面全体に、熱酸化法により酸化シリコン膜を被覆することを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method of the micro array includes a process for implementing an anodic oxidation process on a surface of a silicon substrate within a HF solution, and a process for fixing the polynucleotide on the obtained porus silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の表面をＨＦ溶液中で陽極酸化処理する工程、及び得られたポーラスシリコン基板にポリヌクレオチドを固定化する工程を含む、マイクロアレイの製造方法。 - 特許庁

The low thermal conducting portion 120 is formed, by oxidizing partially the aluminum nitride substrate in an oxidation atmosphere and by forming a portion, containing aluminum oxide in the aluminum nitride substrate.例文帳に追加

酸化雰囲気中で窒化アルミニウム基板を部分的に酸化して、酸化アルミニウムを含む部分を窒化アルミニウム基板内に形成することによって低熱伝導部分１２０を形成する。 - 特許庁

In the plasma electrolytic oxidation, the substrate is dipped in an electrolyte liquid together with a counter electrode and potential enough to generate spark discharging is applied on the surface of the substrate.例文帳に追加

プラズマ電解酸化処理は、対電極と共に基材を電極として電解質液に浸漬し、火花放電を発生させるのに十分な電位を該基材の表面に印加する。 - 特許庁

In addition, since the anodic-oxidation can be performed at a room temperature unlike the case of thermal oxidation, the oxide film can be formed easily and, at the same time, the quality of the inner part of the silicon carbide substrate not forming the oxide film can be maintained.例文帳に追加

また、熱酸化法と異なり室温で処理可能であるため、酸化膜を簡易に形成できるとともに、炭化ケイ素基板において酸化膜を形成しない内層部分の品質を保持することができる。 - 特許庁

In the semiconductor storage device according to an embodiment, an oxidation film is formed on a substrate surface between mutually-adjacent selection transistors, and a cross section in a direction vertical to the predetermined direction below the oxidation film has a convex shape.例文帳に追加

実施形態の半導体記憶装置は、互いに隣接する選択トランジスタ間の基板表面に酸化膜が形成され、その下の所定方向に垂直方向の断面が凸型形状になっている。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate film, wherein when a nitrogen is implanted in a silicon substrate for suppressing an oxidation speed, the thickness of oxide film formed by the oxidation process can be made smaller with good controllability.例文帳に追加

本発明は、窒素をシリコン基板中に注入して酸化速度を抑制する際に、酸化処理によって形成される酸化膜厚を制御性良く薄くできるゲート膜形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method for forming an oxide film in a processing chamber 205 includes an oxidation step of forming an oxide film on a treated substrate by supplying only an ozone containing gas to the treated substrate, and a CVD step of forming the oxide film composed of oxide components of a material gas on the treated substrate by supplying the CVD material gas and the ozone containing gas to the treated substrate which has undergone the oxidation step.例文帳に追加

処理チャンバ２０５内において、処理基板に対してオゾン含有ガスのみを供給して処理基板上に酸化膜を形成する酸化工程と、この酸化工程を経た処理基板に対してＣＶＤ原料ガスとオゾン含有ガスとを供給して当該処理基板上に前記原料ガスの成分の酸化物からなる酸化膜を形成させるＣＶＤ工程とが実行される。 - 特許庁

In the vacuum treatment tank 52, a metallic film is formed on a substrate 55 in first and second film deposition areas 57 and 59 while turning a rotary supporting drum 53, and the metallic film on the substrate 55 is oxidized in the oxidation area 60 by the oxidation source 69.例文帳に追加

真空処理槽５２内において、回転支持ドラム５３を回転させつつ第一及び第二成膜領域５７、５９にて基板５５上に金属膜を形成し、かつ、酸化領域６０にて基板５５上の当該膜に対して酸化源６９によって酸化処理を行う。 - 特許庁

On one side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 facing the other side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 provided with the P-type silicon film 11, a semiconductor substrate protruding portion 7 acting as a back gate channel portion BGC is provided over the semiconductor substrate 1 via an oxide film 10.例文帳に追加

Ｐ型シリコン膜１１が設けられる耐酸化性絶縁膜８の一側面と対向する耐酸化性絶縁膜８の他側面には、バックゲート・チャネル部ＢＧＣとしての半導体基板突起部７が半導体基板１上に酸化膜１０を介して設けられる。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation system to perform electrochemical oxidation of a substrate to be treated, and an oxide layer manufacturing method in which a series of treatments are performed with a simple configuration considering carriage of the substrate.例文帳に追加

被処理基板に電気化学的に酸化を施す陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法において被処理基板の搬送をも考えてより単純な装置構成で一連の処理を行うことが可能な陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This optical element molding die includes the substrate having a surface with a standard electrode potential getting negative in an oxidation reaction, a protection layer with the standard electrode potential getting positive, provided on the substrate, and an aluminum anodic oxidation layer provided on the protection layer.例文帳に追加

酸化反応における標準電極電位が負である表面を持つ基板と、前記基板の上に設けられた前記標準電極電位が正となる保護層と、前記保護層の上に設けられたアルミニウム陽極酸化層と、を有することを特徴とする光学素子成形用金型。 - 特許庁

The oxidation-resistant coating member is formed of an oxidation-resistant coated film on the surface of a heat-resistant alloy substrate, wherein an α-Al_2O_3 layer in which each content of Co and Ni is one atom% or less, respectively is formed on the surface of the heat-resistant alloy substrate.例文帳に追加

耐熱合金基材の表面に、耐酸化皮膜を形成した耐酸化コーティング部材において、耐酸化皮膜表面に、ＣｏおよびＮｉの各含有量がそれぞれ１原子％以下であるα−Ａｌ_２Ｏ_３層を形成したことを特徴とする耐酸化コーティング部材である。 - 特許庁

A dielectric film deposition method is used as a means for solving the problems, characterized in that anti-oxidation films to prevent the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted and deposited in the interface of the substrate and dielectric film, and the interfaces of the dielectric films, in a method of depositing the dielectric film on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電膜を蒸着する方法において、基板と誘電膜の界面と、誘電膜間の界面とに下部電極の酸化及び拡散を防止する酸化防止膜を挿入して蒸着することを特徴とする誘電膜蒸着法を課題の解決手段とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the resistor film includes a process of coating an insulating substrate with the resistor paste, a process of carrying out oxidation processing by heating the resistor paste applied over the insulating substrate at 200 to 240°C in an oxidizing atmosphere, and a process of baking the resistor paste having been subjected to the oxidation processing at a temperature of ≥750°C.例文帳に追加

抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下２００〜２４０℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを７５０℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical waveguide substrate by which a quartz layer is formed on a silicone substrate is characterized in that a silicone substrate of which the front and back surfaces are mirror ground is used as the silicone substrate and a quartz layer is formed on the whole part of the silicone substrate by oxidizing the silicone substrate by a thermal oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板上に石英膜を形成して光導波路基板を製造する方法であって、前記シリコン基板として基板の表面及び裏面が鏡面研磨されたシリコン基板を用い、該シリコン基板を熱酸化法により酸化することによって前記シリコン基板全体に石英膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

Further, the antenna array is arranged in a space upper-stream in a gas flow direction of the oxidation gas supplied toward the substrate stage from a supply hole formed in a sidewall of the deposition container, than a position where the substrate is mounted on the substrate stage.例文帳に追加

また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。 - 特許庁

In the 2nd area 52, a thermal oxidation film 8 has constant thickness, so that a height difference is generated at the remaining part of the substrate 1.例文帳に追加

第２の領域５２においては、熱酸化膜８が一定の厚みをもつため、半導体基板１の残存する部分に高低差ができる。 - 特許庁

An oxidation degree adjusting layer is provided between the substrate and a ferromagnetic layer and average oxygen concentration of the ferromagnetic layer in a layering direction is specified to be ≤5at%.例文帳に追加

基板と強磁性層との間に酸化度調整層を設け、強磁性層の積層方向の平均酸素濃度を５at％以下とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing the oxidation of a trench side wall, and for forming a thermal oxide film on a substrate.例文帳に追加

トレンチ側壁の酸化を防止しつつ基板上に熱酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each structure subjected to thermal oxidation and made of silicon is substituted for silicon oxide, thereby forming respective optical elements on the substrate surface in a lump.例文帳に追加

そして熱酸化し、シリコンからなる各構造体を酸化シリコンに置き換えることにより、各光学素子を基板面上に一括形成する。 - 特許庁