例文 (741件) |
substrate oxidationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 741件
In the image display device, a lower electrode 11 is formed on a main face of a first insulating substrate 10, and an electron accelerating layer 12 is formed on the surface of the lower electrode 11 with a maximum height of a surface ruggedness by oxidation of an anode of 23 nm to 25 nm.例文帳に追加
第1絶縁基板10の主面に下部電極11を形成して、当該下部電極11の表面に陽極酸化により該表面凹凸の最大高さを略23nm乃至25nmとした電子加速層12を形成する。 - 特許庁
After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加
半導体基板10の表面にゲート絶縁膜12aを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層14a及び層間絶縁膜16aを形成する。 - 特許庁
For example, the solar cell module comprises a silica film as a protecting member which is obtained by applying a coating solution including polysilasane to at least one side of a substrate made of a resin having translucency and a heat resistance at normal pressures, and subjecting to water vapor oxidation and a heat treatment.例文帳に追加
例えば、透光性および耐熱性を有する樹脂製の基材の少なくとも一方の面に、常圧下、ポリシラザン含有塗布液を塗布し、水蒸気酸化と熱処理して得られたシリカ膜を保護部材として有する太陽電池モジュールとする。 - 特許庁
To enable after oxidation amount and an annealing condition to be optimized, even if transistors are different from each other in gate length in an EEPROM composed of a cell transistor and peripheral transistors formed on the same substrate.例文帳に追加
本発明は、セルトランジスタと周辺トランジスタとが同一基板上に設けられてなるEEPROMにおいて、それぞれのゲート長が異なっても、後酸化量やアニールの条件を最適化できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁
A through-hole 9 is provided to penetrate the intermediate oxidation film layer 2 and supporting substrate layer 1, and a stencil pattern area 11 from which the membrane layer 3 is removed in the shape of a pattern is formed in the part of the membrane layer 3 exposed in the through-hole 9.例文帳に追加
中間酸化膜層2と支持基板層1とを貫通する貫通孔9が設けられ、貫通孔9内に露出するメンブレン層3の箇所にメンブレン層3がパターン状に除去されたステンシルパターン領域11が形成されている。 - 特許庁
An aluminum oxide layer 14 is formed in at least one surface of an aluminum substrate 12 by an anode oxidation method, a solution wherein perhydropolysilazane is dissolved is applied on the aluminum oxide layer 14 and a silica glass layer 16 is formed by heating treatment.例文帳に追加
アルミニウム基板12の少なくとも一方の面に、陽極酸化法により酸化アルミニウム層14を形成し、酸化アルミニウム層14上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、加熱処理することによりシリカガラス層16を形成する。 - 特許庁
In the method for forming metal compound thin film, dispersion liquid containing metal colloid particles of average particle size 1-100 nm is applied to a substrate and, thereafter, is subjected to oxidation treatment and, thereby, metal oxide is formed.例文帳に追加
基板上に、平均粒子サイズが1〜100nmである金属コロイド粒子を含有する分散液を塗布した後、酸化処理することにより金属酸化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法である。 - 特許庁
The dielectric material 18 is formed by, after filling a gap of a structure with electrode material, which structure being made of an oxide substrate obtained by anode oxidation of metal, removing the structure and filling the gap with high-k dielectric constant material.例文帳に追加
誘電体18は、金属の陽極酸化により得られた酸化物基材の構造体の空隙に電極材料を充填したのち、前記構造体を除去し、その空隙に高誘電率材料を充填することにより形成される。 - 特許庁
Since vapor not of oxygen or ozone having radical oxygen but of alcohol is used as the reactive gas for depositing a thin film, direct oxidation of a substrate or the deposition plane by the reactive gas is suppressed during the deposition process.例文帳に追加
本発明は薄膜の蒸着のための反応性ガスとして酸素、オゾンのようにラジカル酸素を有していないアルコールの蒸気を使用するため、蒸着過程中に反応性ガスによる基板または蒸着面の直接的な酸化を抑制する。 - 特許庁
Then the resist pattern 8 is removed, followed by the entire silicon nitride film 7 and the silicon oxide film 6 of about 0.2 nm or smaller in thickness are removed, and the semiconductor substrate 1 is treated by thermal oxidation to form gate insulating films which are different in thickness.例文帳に追加
この後、レジストパターン8を除去し、続いて窒化シリコン膜7の全てと約0. 2nm以下の厚さの酸化シリコン膜6とを除去し、次いで熱酸化処理を半導体基板1に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with an active region 12A, composed of GaN based semiconductor grown on a substrate 11 composed of Si, and an insulating oxide film 12B which is formed through oxidation of the GaN based semiconductor and arranged around the active region 12A.例文帳に追加
半導体装置は、SiCからなる基板11上に成長したGaN系半導体からなる活性領域12Aと、該活性領域12Aの周囲にGaN系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜12Bとを有している。 - 特許庁
The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加
高耐圧絶縁膜IH1は、熱酸化法によって、シリコン基板1の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜IM1は高耐圧絶縁膜IH1より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加
炭化けい素半導体基板の熱酸化時にMOS界面に生じ、例えば炭化けい素MOSFETの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のSiC半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁
In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加
CO_2及び/又はCOの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁
To provide wet stripping/cleaning method and equipment in which damage on an underlying film, e.g. a metal thin film or a semiconductor thin film, formed on a substrate is reduced even if the concentration of oxidation species and reduction species is increased in order to increase the processing speed.例文帳に追加
処理速度の増加を目的として、酸化種および還元種の濃度を増加させても、基板上に形成された金属薄膜または半導体薄膜などの下地膜のダメージが少ないウェット剥離洗浄方法および装置を提供する。 - 特許庁
At least a part of lines (power supply voltage line La and select line Ls) formed at a top layer out of wiring layers connected to transistors Tr11 and Tr12 formed on a substrate 11 is formed of an anodic oxidation film.例文帳に追加
基板11上に形成されるトランジスタTr11、Tr12に接続される配線層のうち、最上層に形成される配線(電源電圧ラインLa、選択ラインLs)表面の少なくとも一部が陽極酸化膜で形成されている。 - 特許庁
In this case, thermal oxidation is made at a temperature of 500-700°C to prevent a substrate, or the like from being damaged thermally, and a reactive gas containing thermally excited/decomposed oxygen or nitrogen oxides (NO_x, 0.5≤x≤2.5) is used as an oxidizing gas.例文帳に追加
このとき、基板等に熱的なダメージを与えないように、500〜700℃の温度で熱酸化をおこない、酸化気体として熱的に励起・分解された酸素もしくは窒素酸化物(NO_x、0.5≦x≦2.5)を含有する反応性気体を用いる。 - 特許庁
To provide an element including a copper-containing electrode in which oxidation of a copper is suppressed at the time of calcination and good ohmic contact is obtained, the electrode being formed on a silicon-containing substrate of the element, and to provide a paste composition for electrodes suitable for arranging the element.例文帳に追加
焼成時における銅の酸化が抑制され、良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極がシリコンを含む基板上に形成された素子及び該素子を構成するのに好適な電極用ペースト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とRTO工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ONO(Oxide-Nitride-Oxide)スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁
An electrically conductive material such as copper is alloyed with a dopant such as phosphorus, boron, indium, tin, beryllium or their combination to improve the uniformity of the deposition of the doped layer onto the surface of the substrate and also to reduce the oxidation of the electrically conductive material.例文帳に追加
銅のような導電性材料を、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムまたはそれらの組合せのようなドーパントと合金にし、基板表面上へのドープ済みの層の堆積均一性を改善し、且つ導電性材料の酸化を減少させる。 - 特許庁
In this method for manufacturing the fine particle dispersion, a resin substrate containing an ion-exchange group is brought into contact with a solution containing metal ions and then subjected to at least one treatment selected from reduction, oxidation and sublurization in a vapor phase.例文帳に追加
イオン交換基を含む樹脂基材を、金属イオンを含有する溶液に接触させた後、気相中において還元、酸化及び硫化から選ばれた少なくとも一種の処理を行うことを特徴とする微粒子分散体の製造方法。 - 特許庁
Since the substrate 21 can be made relatively thick, the oxidation film 23 can be made relatively thick and hence can carry a relatively large amount of the catalyst.例文帳に追加
この場合、アルミニウム基板21の厚さは比較的厚くすることができるため、多孔質の陽極酸化膜23の厚さを比較的厚くすることができ、この比較的厚めの多孔質の陽極酸化膜23に比較的多めの触媒を担持させることができる。 - 特許庁
A contact hole 94 is bored in the laminated SOI substrate, an insulating film 66 is formed on its inner circumferential end face by thermal oxidation, a capacitor C1 is formed by the use of the insulating film 66, and the capacitor C1 is used as a part of a signal wire.例文帳に追加
また、貼り合わせSOI基板にコンタクトホール94を形成し、その内周端面に熱酸化により形成した絶縁膜66を形成し、その絶縁膜を利用してキャパシタC1を形成し、そのキャパシタを信号線の一部に利用する。 - 特許庁
The negative type photosensitive planographic printing plate is obtained by disposing a negative type photosensitive layer on an aluminum substrate subjected to anodic oxidation and treatment with an aqueous solution of a polyvinylphosphonic acid and interposing a middle layer containing a compound having at least one diazonium group between the aluminum substrate and the photosensitive layer.例文帳に追加
陽極酸化し、ポリビニルホスホン酸水溶液処理したアルミニウム支持体上にネガ型感光層を設けたネガ型感光性平版印刷版であって、該アルミニウム支持体と該感光層との間に少なくとも一つのジアゾニウム基を有する化合物を含有する中間層を有することを特徴とする上記ネガ型感光性平版印刷版。 - 特許庁
A method for producing a ferrite thin film comprises continuously or intermittently spraying a solution prepared by adding an oxidation promoter to a source solution comprised of a metal nitrate or a metal alkoxide from atomizer 6 on substrate 4 heated by hot plate 5 using a pressurized gas as a carrier gas with a certain distance apart therefrom to form the ferrite thin film on substrate 4.例文帳に追加
フェライト薄膜の製造方法であって、ホットプレート5により加熱された基板4に、金属の硝酸塩又は金属アルコキシドからなる原料溶液に酸化促進剤を加えて作成した溶液を、アトマイザ6から圧縮ガスをキャリアガスとして一定の距離だけ離して、連続的或いは間欠的に噴霧し、フェライト薄膜を基板4上に形成する。 - 特許庁
The production method of a substrate for synthesizing CNT includes: an alloy layer forming step of forming an alloy layer containing a component A having a catalytic function and a component B having no catalytic function on the surface of a substrate; and a selective oxidation step of selectively oxidizing the component B on at least the surface of the alloy layer.例文帳に追加
本発明のCNT合成用基板の製造方法は、触媒作用を持つ成分A、及び触媒作用を持たない成分Bを含む合金層を基板の表面に形成する合金層形成工程と、前記合金層の少なくとも表面において、前記成分Bを選択的に酸化する選択酸化工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
This qualitative or quantitative analysis of an object to be analyzed is performed by preparing an inclusion mediator obtained by including the mediator with a cyclodextrin, transmitting electrons to a substrate developing a color by reduction through the inclusion mediator from the object to be analyzed by the oxidation reduction enzyme and measuring the developed color of the substrate caused as a result.例文帳に追加
メディエータをシクロデキストリンで包接した包接メディエータを調製し、酸化還元酵素により、分析対象物から、前記包接メディエータを介して、還元により発色する基質に電子を伝達し、その結果生じる前記基質の発色を測定することにより、前記分析対象物の定性若しくは定量を行う分析方法を提供する。 - 特許庁
Here, the equivalent oxidation film thickness of the gate insulating film 5 in the low-voltage transistor formation region A is thinner than the equivalent oxide film thickness of the gate insulating film 5 in the high-voltage transistor formation region B, and the substrate surface height in the low-voltage transistor formation region A is higher than the substrate surface height in the high-voltage transistor formation region B.例文帳に追加
低電圧系トランジスタ形成領域Aのゲート絶縁膜5の等価酸化膜厚は、高電圧系トランジスタ形成領域Bのゲート絶縁膜5の等価酸化膜厚よりも薄く、低電圧系トランジスタ形成領域Aの基板表面高さは、高電圧系トランジスタ形成領域Bの基板表面高さよりも高い。 - 特許庁
After a plurality of steps 10a and a plurality of terraces 10b are formed on a silicon substrate 10 by re-arraying silicon atoms on the surface thereof, thermal oxidation is performed for the surface of the silicon substrate 10 while the surface is prevented from being contaminated, so that a crystalline silicon dioxide, that is, a crystalline oxide 11 is epitaxially grown on the step 10a.例文帳に追加
シリコン基板10に、その表面のシリコン原子を再配列させることにより、複数のステップ10aと複数のテラス10bとを形成した後、シリコン基板10の表面が汚染されることを防止しつつ該表面に対して熱酸化を行なって、ステップ10a上に結晶質二酸化シリコンつまり結晶質酸化物11をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device includes: a film forming process of forming a silicon film on a substrate; a modifying process of supplying an oxidation seed onto the substrate, performing heat treatment on the silicon film and modifying the surface layer of the silicon film into an oxidized silicon film; and a removing process of removing the oxidized silicon film.例文帳に追加
基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。 - 特許庁
In the method of forming a semiconductor gate insulating film which forms a silicon oxide film by oxidizing the silicon surface of a silicon substrate held at a temperature of 500°C or less by using oxygen radicals, hydrogen atoms terminating the surface of the silicon substrate are removed until the surface density of 1×10^14 atoms/cm^2 or less is attained before radical oxidation is carried out.例文帳に追加
500℃以下の温度で保持されたシリコン基板に対し、酸素ラジカルを用いてシリコン表面を酸化し、シリコン酸化膜を形成する半導体ゲート絶縁膜の形成方法において、ラジカル酸化を行う前に、シリコン基板表面を終端している水素原子を1x10^14原子/cm^2以下の面密度にまで除去することを特徴とする。 - 特許庁
A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加
Si基板1にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層103を振動板11として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板11aを形成した後、該Si基板1に熱酸化により熱酸化膜106を形成する工程と、前記熱酸化膜106をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁
The electrode element is provided with an oxidation-reduction active film formed by depositing a polymer compound on a conductor substrate, by impregnating the conductor substrate and the counter electrode which become action electrodes in a solution containing the polymer compound expressed by a general formula (1) or a general formula (2) in a reduction state, applying a voltage to the both electrodes and electrolyzing the solution.例文帳に追加
電極素子は、一般式(1)または一般式(2)で表される高分子化合物を還元状態で含む溶液中に作用極となる導電体基板と対極とを浸漬し、両極に電圧を印加して該溶液を電解することにより、該導電体基板上に該高分子化合物を析出させて形成された酸化還元活性膜を備える。 - 特許庁
The mask stage to be mounted on the stepper for transferring a fine pattern on the resist of a substrate by photolithography for holding the gas for preventing the resist of the substrate from oxidation is characterized, by forming with ceramics-metal composite material and by forming a compacted film over the surface of the ceramics-metal composite.例文帳に追加
微細なパターンをフォトリソグラフィーにより基板のレジストに転写する露光装置に搭載されるマスクステージであって、該基板のレジストの酸化防止をするための気体を収容するマスクステージがセラミックス−金属複合材料からなり、かつ、該セラミックス−金属複合材の表面に緻密質の膜が形成されていることを特徴とする露光装置用マスクステージ。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a groove 1a whose side view inclines on a semiconductor substrate 1, forming an element isolation film 4a by embedding an insulating film in the groove 1a, and forming a gate oxide film of a transistor by carrying out the thermal oxidation of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1に、側面が傾斜している溝1aを形成する工程と、溝1aに絶縁膜を埋め込むことにより素子分離膜4aを形成する工程と、半導体基板1を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程とを具備する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a high quality semiconductor device by suppressing a large fluctucation in oxide film thickness caused by a large difference of hydrogen concentration depending on a place of an arrangement of the substrate when an isotropic oxidation is conducted by a batch type vertical device, and to provide a substrate processor.例文帳に追加
本発明の目的は、等方性酸化をバッチ式の縦型装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
To deposit a dense thermal spray coating film containing small contents of oxides or decomposition products on the surface of a substrate with an excellent adhesive property by a low-temperature, high-speed thermal spraying, and to provide an method of applying and forming the thermal spray coating membrane having excellent physical and chemical properties such as high temperature oxidation resistance, corrosion resistance or thermal conductiv ity on the surface of the substrate.例文帳に追加
低温高速溶射によって、基材表面に酸化物や分解生成物の含有が少ない緻密な溶射皮膜を高い密着性を確保して付着形成すること、また、基材表面に耐高温酸化性、耐食性、熱伝導性などの物理化学的性質に優れた溶射被膜を被覆形成する有利な方法を提供すること。 - 特許庁
The flexible dye sensitized solar cell comprises: a semiconductor layer modified by a sensitizer provided on metal foil; an electrolyte layer containing a substance for indicating at least reversible electrochemical oxidation-reduction characteristics; and a counter electrode for fixing a metal mesh covered with a substance having catalysis to a transparent substrate to a substance for indicating the reversible electrochemical oxidation-reduction characteristics.例文帳に追加
金属箔上に設けられた増感剤により修飾された半導体層と、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有した電解質層、および前記可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質に対して触媒作用を有する物質により被覆された金属メッシュを透明基板に固定した対向電極からなることを特徴とするフレキシブル色素増感太陽電池。 - 特許庁
In an internal combustion pyrognetic oxidation (ISSG) method, an oxygen having an added hydrogen of about 0.5-33% is introduced directly into a chamber of about 900-1100°C and about 1000-2000 Pa, by using a rapid thermal oxidation apparatus to generate moisture on a heated semiconductor substrate 1 with the introduced oxygen and hydrogen.例文帳に追加
急速熱酸化装置を用いて、温度が約900℃〜約1100℃で、圧力が約1000Pa〜約2000Paのチャンバ内に、0.5%〜33%程度の水素を添加した酸素を直接に導入し、加熱した半導体基板11上で、導入された水素と酸素とから水蒸気を発生させる内燃方式のパイロジェニック酸化(ISSG)法により、フローティングゲート電極14Bの上面及び側面を酸化する。 - 特許庁
At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加
半導体基板1を紫外光6,7を照射しながら一酸化二窒素3を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光7と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光6の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜2を形成する。 - 特許庁
Regions being the states of a plurality of kinds of the oxidation number are formed mutually identifiably by optical or magnetic characteristic difference by controlling the number of oxidation on a substrate surface using a minute electrode to which a plurality of kinds of bias voltages can be applied.例文帳に追加
複数種のバイアス電圧を印加可能な微小電極を用いて、基板表面の酸化数を制御することにより、複数種の酸化数状態の領域を、それぞれ一領域以上、光学又は磁気の特性差によって識別可能に形成することを特徴とする、磁気、光又は光磁気的に読取り可能に、記録媒体へ記録する方法及びその記録を消去乃至書換え方法、さらに、その記録媒体。 - 特許庁
In this extremely fine magnetic recording medium and its manufacturing method, non-oxidized regions enclosed by oxidized regions and oxidized regions enclosed by non-oxidized regions are arranged as an array by applying oxidation processing to the surface of a substrate which consists of magnetic material whose magnetic property is changed by oxidation by using an atomic force microscope under a wet atmosphere, and 1-bit information is made recordable in each region.例文帳に追加
酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に1bitの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁
A bottom silicon oxide film 2a is deposited on the upper surface of a silicon substrate 1 applied with annealing treatment under the atmosphere of ammonia gas by thermal oxidation method and, thereafter, a silicon nitride film 2b and a top silicon oxide film 2c are deposited sequentially by thermal CVD method to form the ONO film 2.例文帳に追加
アンモニアガス雰囲気下でアニール処理を施したシリコン基板1の上面に、ボトムシリコン酸化膜2aを熱酸化法により成膜した後、シリコン窒化膜2bとトップシリコン酸化膜2cとを熱CVD法により順次成膜することで、ONO膜2を形成する。 - 特許庁
Grooves on the outer periphery of a pair of mutually opposing sides of the element forming region for forming at least a transistor provided on an Si base semiconductor substrate are buried completely by a thermal oxidation film, in a degree that the compression stress is impressed in a uniaxial direction in the surface.例文帳に追加
Si系半導体基体に設けた少なくともトランジスタを形成する素子形成領域の一対の互いに対向する辺の外周に設けた溝を面内の1軸方向に圧縮応力が印加される程度に熱酸化膜で完全に埋め込む。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device in which oxidation of a wiring material or the like can be prevented by forming an oxide coating having high adhesiveness with a substrate, and a wiring line, an electrode or a terminal electrode having high conductivity is formed, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加
本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
In the oxidation-resistant C/C composite material, a first coating layer comprising a functionally gradient SiC coated film and a second coating layer comprising a composite coated film of a high-melting ceramic powder, fibrous SiC and B_2O_3-SiO_2 glass are formed on the surface of a C/C composite substrate in a laminated manner.例文帳に追加
C/C 複合基材面に傾斜機能組織のSiC 被膜からなる第1被覆層、高融点セラミックス粉末、繊維状SiC 、B_2O_3−SiO_2 系ガラスとの複合被膜からなる第2被覆層が積層形成された耐酸化性C/C 複合材。 - 特許庁
To provide a method for forming the lower electrode of a capacitor which has a plug capable of preventing the electric defective of a plug for connecting a lower electrode with a semiconductor substrate, which occurs at manufacture of a capacitor having a high dielectric film, and the oxidation of the lower electrode.例文帳に追加
高誘電体膜を有するキャパシタの製造工程時に生じる下部電極と半導体基板とを接続するプラグの電気的な欠陥及び下部電極の酸化を防止することができるプラグを有するキャパシタの下部電極形成方法を提供する。 - 特許庁
The surface coated cermet member comprises a cermet substrate 11 composed of a sintered body comprising at least one of titanium compound in titanium carbide, titanium nitride and titanium carbonitride, as an essential component of a hard phase, and an oxidation-resistant film 12 formed thereon.例文帳に追加
本発明は、炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材11に、耐酸化膜12が形成された表面被覆サーメット部材を対象とする。 - 特許庁
In the method, a modified layer 11 is formed on the surface of a transparent resin substrate 2 by an oxidation processing, and a resin-metal composite layer 3 in which catalyst metal particles are dispersed and adsorbed in the modified layer 11 by applying the catalyst metal particles to the modified layer 11.例文帳に追加
透明樹脂基体2の表面に酸化処理をして改質層11を形成し、その改質層11に触媒金属粒子を付与して、改質層11に触媒金属粒子が分散して吸着された樹脂−金属コンポジット層3を形成する。 - 特許庁
To provide a soldering material of high joining reliability and excellent in wettability which contains no lead as an environment-harmonized material suitable for mounting/joining electronic components on/with a substrate, and prevents oxidation of zinc.例文帳に追加
電子部品の基板への実装及び接合に適した環境調和型材料として、鉛を含有せず、亜鉛の酸化を防止し、接合信頼性が高いハンダ接合材料を実現し、さらに、濡れ性の良好なハンダ材料を実現することを目的とする。 - 特許庁
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