例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
In a first discharge process, liquid droplets are discharged with a pitch larger than the diameter of a liquid droplet after landing at a substrate over the whole wiring formation region.例文帳に追加
第1吐出工程では、液滴を配線形成領域全体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid jetting head which can well form a high-density wiring pattern on a joining substrate with a penetration part.例文帳に追加
貫通部を有する接合基板上に高密度な配線パターンを良好に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an ink jet printer in which a member constituting a recording head, especially a substrate and its wiring, can be protected against ink mist flying after ejecting ink from a nozzle.例文帳に追加
インクジェットプリンタにおいてノズルからのインク吐出後に飛翔するインクミストから記録ヘッドを構成する部材、特に基板およびその配線を保護する。 - 特許庁
To provide a printed wiring circuit board capable of protecting packaging parts from an external noise voltage input via conductive parts for fixing a substrate.例文帳に追加
基板固定用導電性部品を経由して入力する外来ノイズ電圧から実装部品を保護し得る印刷配線回路基板を提供する。 - 特許庁
A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加
銅配線層1が形成された半導体基板2の上に、第2の拡散防止層7、第2の層間絶縁膜8およびキャップ層9を形成する。 - 特許庁
A corner electrode 22c is formed around the through hole 2c on the lower surface of the substrate, and a side wiring layer 28 is formed inside the through hole 2c.例文帳に追加
基板下面のスルーホール2cの周囲にはコーナー電極22cが形成されており、スルーホール2cの内部には側面配線層28が形成されている。 - 特許庁
To provide a display panel substrate and its production method in which electric resistance in a wiring electrode is reduced and the production process can be shortened.例文帳に追加
配線電極における電気抵抗を低下させ、製造工程を短縮することができる表示パネル用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicone substrate 35 to be disposed with the plurality of c-MUT cells 31a is provided with an access circuit formation part 43 and a wiring electrode 44.例文帳に追加
複数のc−MUTセル31aが配列されるシリコン基板35にはアクセス回路形成部43や、配線電極44が設けられている。 - 特許庁
A semiconductor device manufacturing method involves manufacturing at least one of wring layers on a semiconductor substrate by using the wiring layer formation method.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも1つを製造する。 - 特許庁
The reflection electrode 30 is connected to a wiring layer 35 which is connected to an electrode of the pixel switch (an MOS transistor) on the substrate via a plug 34.例文帳に追加
反射電極30は、基板上の画素スイッチ(MOSトランジスタ)の電極に接続された配線層35にプラグ34を介して接続される。 - 特許庁
A memory cell 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a first wiring layer 14 is formed on the memory cell 12 via a first interlayer insulating film 13.例文帳に追加
半導体基板11にメモリセル12が形成され、メモリセル12上に第1層間絶縁膜13を介して第1配線層14が形成される。 - 特許庁
A number of terminals (electrode patterns) 11, 12, and a common wiring pattern for commonly connecting each terminal are formed on the substrate surface of the liquid crystal panel 10.例文帳に追加
液晶パネル10の基板面には多数の端子(電極パターン)11,12と、各端子を共通接続する共通配線パターンとが形成されている。 - 特許庁
The wiring substrate 18 is arranged to tilt at a first angle of π/2 radian or less to another reference surface perpendicular to the reference surface.例文帳に追加
配線基板18は、基準面に直交する別の基準面に対してπ/2ラジアン未満の第1の角度で傾斜するように配置されている。 - 特許庁
A magnetoresistance effect element 19 is arranged in a layer with the same height as that of the first wiring layer M1A from a semiconductor substrate surface on the contact plug 16B.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子19は、コンタクトプラグ16B上の、第1配線層M1Aと半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁
A light absorption layer 401, absorbing transmitted light which transmits a photo diode 21, is provided between a surface of a semiconductor substrate 101 and a wiring layer 111.例文帳に追加
半導体基板101の表面と配線層111との間に、フォトダイオード21を透過した透過光を吸収する光吸収層401を設ける。 - 特許庁
At least a part of a wiring and an electronic element is formed on a substrate and, thereon, a protective insulation film for protecting the same from the deterioration due to heat is formed.例文帳に追加
基板上に、配線及び電子素子の少なくとも一部を形成し、その上に、これを熱による変質から保護するための保護絶縁膜を成膜する。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate whose defect can be corrected with high precision without causing breaking of a signal wiring line nor damage to a pixel electrode.例文帳に追加
信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁
The apparatus of optical fiber wiring comprises a transporting apparatus for performing the above described method, an adhesive ejection apparatus, and a stage for fixing the substrate.例文帳に追加
上記方法を実施するための搬送装置と、接着剤吐出装置と、基板を固定するステージと、からなることを特徴とする光ファイバ配線装置。 - 特許庁
To realize the wiring method of a piezoelectric actuator and a flexible substrate for sharply improving the reliability and producing efficiency of a product.例文帳に追加
本発明は、製品の信頼性及び生産効率を格段と向上し得る圧電アクチュエータの配線方法及びフレキシブル基板を実現するものである。 - 特許庁
After a gate oxidized film and a polysilicon film are formed on the surface of a silicon substrate, a tungsten silicide (WSi) film containing impurities is formed on the polysilicon film as a first wiring layer.例文帳に追加
シリコン基板の表面にゲート酸化膜、ポリシリコン膜を形成し、不純物を含むタングステンシリサイド(WSi)膜を形成し、これを第1配線層とする。 - 特許庁
To provide a substrate for semiconductor devices supporting the microfabrication and densification of a wiring pattern while maintaining reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
信頼性を維持しながら、配線パターンの微細化、高密度化に対応できる半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device free from problems which cause a wiring pattern formed on the rear of a semiconductor substrate to come out in an output image.例文帳に追加
出力画像に半導体基板の裏面に形成された配線のパターンが映り込むという問題を解消した半導体装置を提供する。 - 特許庁
To remove resin residue and solder residue as much as possible so that an electrode pad of a printed wiring substrate hardly peels, and that cream solder printing is applicable.例文帳に追加
プリント配線基板の電極パッドが剥がれにくく、クリームはんだ印刷が可能になるように樹脂残渣、はんだ残渣を可能な限り除去する。 - 特許庁
A semiconductor chip 2 is mounted on a wiring substrate 6, and a bump electrode 5 and a connection pad 12 are electrically connected with the semiconductor chip 2 through a conductive material 11.例文帳に追加
配線基板6に半導体チップ2が搭載され、バンプ電極5と接続パッド12とが、導電材料11を介して電気的に接続されている。 - 特許庁
A wiring layer 61 connected electrically with the pad electrode 53 is formed to extend from the via hole VH onto the rear surface of the semiconductor substrate 51.例文帳に追加
そして、パッド電極53と電気的に接続され、かつビアホールVHから半導体基板51の裏面上に延びる配線層61を形成する。 - 特許庁
The through-wiring 21 is formed by curing the conductive resin material 62 and removing a part of the semiconductor substrate 24 from the other surface 36 side.例文帳に追加
導電性樹脂材料62を硬化させ、半導体基材24の一部を他表面36側から除去することによって貫通配線21が形成される。 - 特許庁
N pieces of wiring lines 105, 106 to which N phases (N is a positive integer of 2 or more) of signals are supplied are located on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加
半導体基板101上にN相(ただしNは2以上の正の整数)の信号が供給されるN本の配線105,106が設けられる。 - 特許庁
An animation cel 9 is provided on a game board 12, and for example a flexible substrate 8 on which a wiring pattern is formed is provided thereon.例文帳に追加
遊技盤12の上にはセル画9が設けられていて、更にその上には配線パターンが形成された、例えばフレキシブル基板8が設けられている。 - 特許庁
To provide a film base material for a wiring substrate made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin and suitable for a highly fine and high frequency application.例文帳に追加
熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。 - 特許庁
In the gap expanding process, a distance between the interposer 31 and the wiring substrate 41 is enlarged in a state that the solder bump 70 is melted for mounting the interposer.例文帳に追加
ギャップ拡張工程では、インターポーザ実装用はんだバンプ70が溶融した状態で、インターポーザ31と配線基板41との間の距離が広げられる。 - 特許庁
Resultingly, the corrosion is restrained while securing a function as the grounding wiring pattern of removing electrostatic electricity transmitted to a key substrate 50 to a device outside.例文帳に追加
その結果、キー基板50に伝わった静電気を装置外部に逃がす接地用配線パターンとしての機能を確保しつつ、腐食を抑制することができる。 - 特許庁
Then, a glue film 110 and a metal film 112 are formed at the upper part of the semiconductor substrate 100 which has a metal wiring contact hole 108 (as shown Fig.1C).例文帳に追加
その後、金属配線コンタクトホール108(図1C参照)を有する半導体基板100の上部にグルー膜110と金属膜112を形成する。 - 特許庁
Pad electrodes 26 of a silicon wiring board 100 are arrayed nearly across the entire surface of the substrate, as well with the same pitch as of the bare chip IP.例文帳に追加
シリコン配線基板100のパッド電極26も、上記ベアチップIPと同じピッチで、基板のほぼ全面に亘ってアレイ状に配置されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrate circuit device which can shield or reduce noise propagating through a semiconductor substrate or a metal wiring layer.例文帳に追加
この発明は、半導体基板またはメタル配線層を介して伝播するノイズを遮蔽・低減することができる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
A circumferential wiring 14 is arranged along the circumference of four sides of a semiconductor substrate 10 outside a circuit area 11 and pad electrodes P1-P8.例文帳に追加
外周配線14は、回路領域11とパッド電極P1〜P8の外の半導体基板10の4辺の外周に沿って配置されている。 - 特許庁
To prevent the breakage of electronic parts mounted in a printed wiring board by static electricity applied to the substrate from the outside.例文帳に追加
プリント配線基板に外部から加わる静電気が基板内に取り付けた電子部品に加わり電子部品の破損が生じるのを防止することを目的とする。 - 特許庁
A plurality of display input electrodes 34 supply display data outputted from the substrate 32 via a conductor wiring 52 to the semiconductor element 30.例文帳に追加
複数の表示用入力電極34は、基板32から導体配線52を介して出力された表示データを半導体素子30に供給する。 - 特許庁
The plurality of bump electrodes are electrically connected with a wiring layer formed on the substrate constituting the display panel via an anisotropic conductive film.例文帳に追加
前記複数のバンプ電極は、異方性導電膜を介して前記表示パネルを構成する基板上に形成された配線層に電気的に接続されている。 - 特許庁
The current output electrodes 132 are electrically connected to substrate electrodes 118b with a first wiring layer 114 via bonding wires 134.例文帳に追加
電流出力用電極132は、ボンディングワイヤ134を介して第1の配線層114に設けられた基板電極118bと電気的に接続されている。 - 特許庁
After forming a photoresist layer by applying photoresist to the film substrate 51 and baking it, the alignment marks 501 are formed to complete a wiring power supply layer 50.例文帳に追加
フィルム基板51にフォトレジストを塗布し、ベークを行ってフォトレジスト層を形成後、アライメントマーク501を形成し、配線電源層50を完成させる。 - 特許庁
An integrated circuit part 2 is provided on the surface of a P-type silicon substrate PSub and a multilayer wiring layer M1 in a semiconductor integrated circuit device 1.例文帳に追加
半導体集積回路装置1において、P型シリコン基板PSubの表面及び多層配線層M1に集積回路部2を設ける。 - 特許庁
The invention can be further utilized as an electrode for wiring and a flexible electrode in electric conduction working apparatus for food by the use of an insulating substrate having flexibility.例文帳に追加
可撓性を有する絶縁基板の使用により、配線用の電極や、食品の通電加工装置のフレキシブルな電極としても利用できる。 - 特許庁
The substrate for the flexible printed wiring board is provided with the resin layer containing a liquid crystal polyester layer on an extremely thin copper foil with a thickness of ≤5 μm.例文帳に追加
本発明のフレキシブルプリント配線板用基板は、厚さ5μm以下の極薄銅箔上に液晶ポリエステルを含有する樹脂層を備える。 - 特許庁
Furthermore, disconnection of the barrier metal layer can be prevented because it can be formed stably, and the wiring material can be prevented from oozing onto the substrate.例文帳に追加
加えて、バリアメタル層を安定して作成することが出来るため、バリアメタル層の断線を防止し、配線材の基板への染み出しを防止することができる。 - 特許庁
After an insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1, Cu wiring 11 and 12 having contacts 13 and dummy contacts 14 are formed on the insulating film 3.例文帳に追加
半導体基板1上に絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3にコンタクト13及びダミーコンタクト14を有するCu配線11、12を形成する。 - 特許庁
To remove a semiconductor chip resin-sealed by underfill from a wiring board, leaving little resin residue and without damaging the substrate surface.例文帳に追加
アンダーフィルにより樹脂封止された半導体チップを、樹脂残渣少なく且つ基板表面を傷つけることなく配線基板から取り外すことができるようにする。 - 特許庁
The body patterns 2 electrically connected to multilayer wiring and the floated dummy patterns 3 are mixed and formed in the surface of the semiconductor substrate 1S.例文帳に追加
多層配線と電気的に接続された本体パターン2と、フローティングされたダミーパターン3とが、半導体基板1Sの面内で混在して設けられている。 - 特許庁
The optoelectronic device is provided with a plurality of pixel electrodes (9a), and electronic elements or wiring (30, 70, 71) connected with the pixel electrodes on a substrate (10).例文帳に追加
電気光学装置は、基板(10)上に、複数の画素電極(9a)と、該画素電極に接続された電子素子又は配線(30、70、71)とを備える。 - 特許庁
例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|