「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electronic unit for attaching a wiring harness capable of preventing stress at the time of crimping a wire from being applied to a substrate directly and protecting the substrate or a wire crimping place from external forces surely.例文帳に追加

電線圧接時の応力が基板に直接及ばないようにすることができると共に、基板や電線圧接箇所を確実に外力から保護することができるワイヤーハーネス装着用電子ユニットを提供する。 - 特許庁

In the motor which is equipped with a three-phase drive coil, a roughly triangular sheet coil is made by applying an adhesive layer 22 onto a sheet-shaped insulating substrate 21, and wiring and burying the covered copper wire 23 in the insulating substrate.例文帳に追加

３相駆動コイルを備えるモータにおいて、シート状の絶縁基材２１の上に接着層２２を施し、被覆銅線２３を絶縁基材シート上に布線埋設して略三角形のシートコイル作る。 - 特許庁

The laminate for forming the substrate having wiring has an underlayer containing oxygen and/or nitrogen with an Ni-Mo alloy as a main constituent, and a conductive layer with Mo as a main constituent on a substrate.例文帳に追加

基板上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体。 - 特許庁

In a substrate 10 for semiconductor mounting devices, a semiconductor chip 21 can be surface-mounted on a semiconductor chip mounting region 23 of a first principal surface 12 of a multilayer wiring substrate 11 by a flip-chip connection method.例文帳に追加

本発明の半導体搭載装置用基板１０では、多層配線基板１１の第１主面１２の半導体チップ搭載領域２３に、半導体チップ２１がフリップチップ接続方式で表面実装されうる。 - 特許庁

In this method, it also becomes possible to measure the peeling load between a slim circular copper land formed by etching a copper foil on the glass epoxy resin printed wiring substrate and a glass epoxy resin laminate of the substrate.例文帳に追加

また、この発明の方法ではガラスエポキシ樹脂プリント配線基板の銅箔をエッチングして形成された細い円状の銅ランドと基材のガラスエポキシ樹脂積層板との剥離荷重の測定を可能にした。 - 特許庁

To provide a compact and highly reliable wiring substrate for high frequency of a simplified structure by sealing a substrate hermetically whereon a high frequency element is mounted and reducing transmission loss of a high frequency signal.例文帳に追加

高周波素子を搭載する基板を気密に封止するとともに高周波信号の伝送損失を低減し、簡略化した構造からなる小形で高信頼性の高周波用配線基板を提供する。 - 特許庁

The light emitting element 3 is mounted on a substrate sheet 5 formed by connecting a plurality of wiring substrates, and the optical components 4 for changing the light distribution characteristics of the light-emitting element 3 are preferably mounted together on the substrate sheet 5.例文帳に追加

複数の配線基板がつながってなる基板シート５上に発光素子３を取り付け、次に、発光素子３の配光特性を変化させる光学部材４を基板シート５上に、望ましくは一括して取り付ける。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device in which a wiring is formed on a substrate 10, the barrier metal layer 16 consisting of a Ta-based barrier metal material and an alloy of Cu and/or Ag is firstly formed on the substrate 10.例文帳に追加

基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。 - 特許庁

As a preferred processing condition of cleaning a substrate that is formed with an Al wiring pattern, a gas flow rate of 80 L/min is used to process a substrate that is formed with a pattern having an aspect ratio of less than 2.2.例文帳に追加

好適な処理条件の１つとして、Ａｌ配線パターンが形成された基板上において、アスペクト比２．２未満のパターンが形成された基板に対して、気体流量８０Ｌ／ｍｉｎで処理を行う。 - 特許庁

The method includes a winding process wherein a flexible substrate made of a thermoplastic resin and provided with a wiring pattern thereon is subjected to thermocompression bonding while being wound on a winding core, so that the wiring pattern is wound around the winding core to form an electronic element.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなり、表面に配線パターンが形成されたフレキシブル基板を、巻回芯に巻回しつつ熱圧着することで、巻回芯に前記配線パターンを巻回して電子素子とする巻回工程を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming local wiring 15 on a first interlayer insulating film 5 formed on a silicon substrate 1, and forming a second interlayer insulating film 8 on the first interlayer insulating layer 5 to cover the local wiring 15.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した第１層間絶縁膜５上に局所配線１５を形成し、この局所配線１５を覆うように第１層間絶縁膜５上に第２層間絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

While the TFT array substrate is being manufactured, wiring 90 for short-circuiting for electrically connecting the scanning lines 3 and the capacity lines 3b is formed, and the wiring 90 for short-circuiting is cut at a cutting position that is marked by X.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板の製造工程中、走査線３及び容量線３ｂを電気的に接続する短絡用配線９０が形成され、この短絡用配線９０は×印で示された切断位置にて切断される。 - 特許庁

Solder is supplied on a wiring board 2, a semiconductor chip and passive component 4 are mounted, and a connecting terminal 4a of the passive component part 4 is connected to the substrate side terminal 11a of the wiring board 2 via a solder 13a by reflowing.例文帳に追加

配線基板２上に半田を供給し、半導体チップおよび受動部品４を搭載し、リフローにより受動部品４の接続端子４ａを配線基板２の基板側端子１１ａに半田１３ａを介して接続する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board having through holes for interconnecting respective wiring layers on a substrate in which accurate cross- sectional polishing is ensured even if positional shift takes place in a through hole made as an observation sample.例文帳に追加

基板の各配線層間で導通をとるために形成されたスルーホールを備え、観察用サンプルとして加工されるスルーホールに位置ずれが生じた場合でも正確な断面研磨を可能にするプリント配線板を提供する。 - 特許庁

A metal film 7 bonded to the pad electrode 2 is formed over the substrate 1 in the shape of a re-wiring pattern, and a plated power supply layer metal film 8 and a Cu plated layer 11 are formed in sequence on the metal film 7 to form a wiring layer.例文帳に追加

基板１上にパッド電極接着メタル膜７が再配線パターン状に形成され、このメタル膜７上にメッキ給電層メタル膜８及びＣｕメッキ層１１が順次形成されて配線層が形成されている。 - 特許庁

To provide a polishing compound which enables embedded wiring with low dishing, low erosion and few scratches to be formed at high polishing speed through the use of the polishing compound in polishing a substrate, having an insulative film on which a wiring metal film and a barrier film are formed.例文帳に追加

絶縁膜上に配線金属膜とバリア膜が形成された基板の研磨に使用することにより、高研磨速度で低ディッシング、低エロージョン、低スクラッチの埋め込み配線の形成が可能となる研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for flexible printed wiring which can obtain high adhesiveness between the respective layers, has superior thermal resistance, chemical resistance, elasticity and electrical property, and can form a reliable wiring circuit.例文帳に追加

各層間に高い密着性が得られると共に、優れた耐熱性、耐薬品性、耐屈曲性および電気的特性を有し、信頼性の高い配線回路を形成することのできるフレキシブルプリント配線用基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed wiring board which can mount a module substrate, having electronic components such as a semiconductor element, a chip component, and a hybrid IC mounted on both the top and reverse surfaces of a printed wiring board to high density, on a mother board in contact.例文帳に追加

プリント配線板の表裏両面に半導体素子，チップ部品，ハイブリッドＩＣなどの電子部品を高密度に搭載したモジュール基板をマザーボードに密着実装することのできるプリント配線板の製造方法に関する。 - 特許庁

A plurality of LEDs (light-emitting diodes) 21 are attached to the surface 20a side of a wiring substrate 20, and a wiring circuit 22 for performing electric supply to the LEDs 21 and a metal film island 23 for performing heat release are prepared at a backside 20b side.例文帳に追加

配線基板２０の表面２０ａ側には、複数のＬＥＤ２１が取り付けられており、裏面２０ｂ側にはＬＥＤ２１に給電を行うための配線回路２２や放熱を行うための金属膜アイランド２３が設けられる。 - 特許庁

The discharge gap apparatus connects a copper-plated wire 10 between wiring patterns 6a and 6b connected to commercial power source circuit in a wiring substrate 2 and a grounding pattern 7 and an intermediate part 12 of the copper-plated wire is cut for a specified length.例文帳に追加

配線基板２の商用電源線路に接続された配線パターン６ａ及び６ｂと、接地パターン７との間に銅メッキ線１０を接続し、この銅メッキ線の中間部１２を所定長さカットしたものである。 - 特許庁

Insulating layers 13, 17 are formed on a substrate 10, a wiring layer 16a is formed while being buried in the insulating layers and a bump 19 is formed while connecting to the wiring layer on an upper surface of the insulating layers.例文帳に追加

基板１０上に絶縁層１３，１７が形成されており、絶縁層中に埋め込まれて配線層１６ａが形成されており、絶縁層の上面において配線層に接続してバンプ１９が形成されている構成である。 - 特許庁

To provide a metal body attached wiring board which is joined to a part of a wiring layer included in a dielectric substrate made of glass ceramics or the like, and raises reliability in joining of a metal body which is in charge of a function of a heat sink, a sealed ring, or the like.例文帳に追加

ガラスセラミック等よりなる誘電体基板が有する配線層の一部に接合された、ヒートシンク、シールドリング等の機能を担う金属体の接合信頼性を向上させた金属体付配線基板を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, recessed parts 15a and 15b are formed respectively on the surface of a polysilicon wiring 12 and on the surface of a silicon substrate 11 on which the polysilicon wiring 12 is not formed, and titanium silicide films 17a and 17b are formed on the recessed parts 15a and 15b respectively.例文帳に追加

ポリシリコン配線１２の表面及びポリシリコン配線１２の形成されないシリコン基板１１の表面に凹部１５ａ、１５ｂが形成され、この凹部１５ａ、１５ｂ上にチタンサリサイド膜１７ａ、１７ｂが形成される。 - 特許庁

A wiring groove 5 is formed within the porous MSQ(2) with the plasma etching with an SiC mask 3 used as a mask, and a deposited film 7 is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the side surface of the wiring groove 5 using the plasma of deposition gas.例文帳に追加

ＳｉＣマスク３をマスクとしたプラズマエッチングによりポーラスＭＳＱ（２）内に配線溝５を形成し、堆積性ガスのプラズマを用いて配線溝５の側面を含むシリコン基板１全面に堆積膜７を形成する。 - 特許庁

A sensor 60 is mounted in the recess 5 of the module substrate 4 while directing the light receiving surface upward, and conductive portions (bumps 7a, 7b) transmits an electric signal converted by the sensor 60 to the circuit wiring 3b through the circuit wiring 3c.例文帳に追加

モジュール基板４の凹部５には、受光面を上にセンサ６０が搭載され、センサ６０が変換した電気信号を、回路配線３ｃを介して回路配線３ｂの回路配線に伝える導電部（バンプ７ａ，７ｂ）を具備する。 - 特許庁

A first metal wiring layer 41 (51, 52) suitably thin for microfabrication is formed on a substrate surface via a first interlayer film 31, and a second metal thick wiring layer 46 is thereon formed via a second interlayer film 35.例文帳に追加

基板表面上に第１の層間膜３１を介して微細加工が可能な程度に薄い第１の金属配線層４１（５１，５２）を形成し、その上に第２の層間膜３５を介して厚い第２の金属配線層４６を形成する。 - 特許庁

In addition, the optical waveguide substrate 11 has a wiring pattern 21, which is electrically connected to the light emitting device 40, and a component 41, which is installed on the wiring pattern 21 on the end side of the optical waveguide 30 and supports the light emitting device 40.例文帳に追加

また、光導波路基板１１は、発光素子４０と電気的に接続される配線パターン２１と、光導波路３０の端部側で配線パターン２１上に設けられ、発光素子４０を支持する部品４１と、を有している。 - 特許庁

In a wiring board for probe cards, the connection substrate is joined to an upper surface of the wiring board, thus enabling a terminal of a semiconductor element to reliably abut on the probe pin 14, matching to requested impedance characteristics as much as possible, and improving transmission of high-frequency signals.例文帳に追加

半導体素子の端子とプローブピン14との接触を確実にすることが可能となり、また要求されるインピーダンス特性に極力整合させることができ、高周波信号の伝送を良好にすることが可能となる。 - 特許庁

A first opening 128 and a second opening 129 are formed at the same time over a first metal wiring 119 and a second metal wiring 121, respectively which are provided as the same layer on a substrate on which a transistor for selecting a memory cell is formed.例文帳に追加

メモリセル選択用のトランジスタが形成された基板上の同一層の第１の金属配線１１９及び第２の金属配線１２１上に、夫々、第１の開口部１２８及び第２の開口部１２９を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a substrate to which a voltage for detecting a conduction state of a wiring for chipping detection can be applied after forming electronic components by dicing even in a state where the wiring for chipping detection is covered by another component.例文帳に追加

チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。 - 特許庁

The module substrate 11 comprises: a reset signal wiring 14R commonly connected to the reset terminal 30R provided in each of the plurality of semiconductor chips 12; and a resonance prevention device 15 connected to the reset signal wiring 14R.例文帳に追加

モジュール基板１１は、複数の半導体チップ１２にそれぞれ設けられたリセット端子３０Ｒに共通接続されたリセット信号配線１４Ｒと、リセット信号配線１４Ｒに接続された共振防止素子１５とを備える。 - 特許庁

The bias voltage impressing wiring part 29 is arranged between the spacer 28 and the detecting substrate 22 in an upper side thereof, and is stored in a space formed with respect to an under face of the upper wiring board 24 on a stepped part 28b of the spacer 28.例文帳に追加

バイアス電圧印加用配線部２９は、スペーサ２８とその上側の検出基板２２との間に配置され、スペーサ２８の段差部２８ｂ上で、上側の配線基板２４の下面との間の空間に収容される。 - 特許庁

A notch section 101 is formed on the connecting part of the TFT substrate 1 with the flexible wiring board 5, and the flexible wiring board 5 is bent to the rear side of the liquid crystal display device on the notch section 101 inside a mold 6.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１のフレキシブル配線基板５と接続される部分には切り欠き部１０１が形成され、フレキシブル配線基板５が切り欠き部１０１において、モールド６内で液晶表示装置の背面側に曲げられる。 - 特許庁

The method for manufacturing the wiring board includes a process to form a wiring pattern 30 on a base substrate 10 comprising a metal layer 12 and a mask 14 formed on the metal layer 12 by being patterned by removing a part of the metal layer 12 by spraying an etchant 20.例文帳に追加

金属層１２と、パターニングされて金属層１２上に設けられたマスク１４とを有するベース基板１０に、エッチング液２０を噴射して金属層１２の一部を除去し、配線パターン３０を形成することを含む。 - 特許庁

Since there is an interlayer film 44 provided between the aluminum wiring 48 and the field oxide film 38, an inversion is hardly caused in the surface of the semiconductor substrate 36 located under the field oxide film 38 by the voltage of the aluminum wiring 48.例文帳に追加

また、アルミ配線４８とフィールド酸化膜３８との間には層間膜４４があるので、アルミ配線４８の電圧によってフィールド酸化膜３８の下にある半導体基板３６の表面が反転することもほとんどない。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy-made array substrate which has outer connection pads at the peripheral edge and outer wiring terminals pasted to the outer connection pads and prevents the outer connection pads from being peeled off when the outer wiring terminals are stripped off.例文帳に追加

周縁部にある外部接続パッドがアルミニウム合金からなるアレイ基板において、外部接続パッドに貼り付けられた外部配線端子を引き剥がす際の外部接続パッドの剥がれを防止できるものを提供する。 - 特許庁

To provide a compound wiring board which is flexibly adaptive to design alterations by easily making a substrate multi-layered at an arbitrary position, and to provide a compound wiring board having a cavity structure where circuit components can be arranged in three dimensions.例文帳に追加

基板の任意の位置を容易に多層化し、設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置することができるキャビティ構造を有した複合配線基板を提供する。 - 特許庁

To improve the planarity of a first flattening layer formed in the upper layer of a first wiring layer on a semiconductor substrate, and a second flattening layer formed in an upper layer of a second wiring layer formed on the first flattening layer.例文帳に追加

半導体基板上の第１の配線層の上層に形成される第１の平坦化層、第１の平坦化層上に形成される第２の配線層の上層に形成される第２の平坦化層の平坦性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, where copper can be filled into a fine hole such as a wiring groove, a via hole, or a contact hole as a principal component for a copper wiring without damaging semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を破壊させずに良好に配線溝、ヴィアホールあるいはコンタクトホールなどの微細孔を埋め込むことができる銅を配線材料の主成分とした半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To appropriately reduce the resistances of wiring sections which are required to be reduced in electrical resistance in or on a multilayered circuit board, which is formed by laminating a plurality of ceramic substrates upon another and forming wiring patterns in and on the multilayered substrate.例文帳に追加

複数のセラミック基板が積層された多層基板の内部および表面に配線パターンが形成されてなる回路基板において、電気的な低抵抗化が必要な配線部における低抵抗化を適切に実現する。 - 特許庁

A circuit characteristic adjusting component comprises a base 11 joined to a wiring pattern 51 formed on a wiring substrate 50 and a circuit characteristic adjusting member 12 which is formed in such a manner that the member can be housed in the base 11 and attached to the base 11 so as to be turnable.例文帳に追加

配線基板５０に形成された配線パターン５１に接合される基体１１と、基体１１に収容可能に形成され、基体１１に対して回動自在に取付けられた回路特性調整部材１２とを装備する。 - 特許庁

The front end of the TAB flying lead 11 is formed inside the pad of the substrate 1, and wiring 4 and an insulating film 3 are formed under the pad on the front end of the flying lead 11 away from the current-carrying part of the pad wiring.例文帳に追加

ＴＡＢフライングリード１１の先端を基板１のパッドの内側に形成し、かつパッド−配線の通電部よりもフライングリード１１先端側のパッド下層には配線４と絶縁膜３が形成している構成をとる。 - 特許庁

Wiring pads 6 are formed on a silicon substrate 1, a TiN film 16 is formed on the wiring pads 6 as an anti-reflection film, and then a silicon oxide film 7 and a silicon nitride film 8 are formed to cover the TiN film 16.例文帳に追加

シリコン基板１上に配線パッド６を形成し、配線パッド６上に反射防止膜としてのＴｉＮ膜１６を形成し、このＴｉＮ膜１６を覆うように、シリコン酸化膜７とシリコン窒化膜８を積層する。 - 特許庁

A film-forming gas containing tetraethoxysilane(TEOS) and dinitrogen monooxide (N_2O) is turned into plasma and made to react thereby forming the barrier insulating film 35a covering copper wiring 34a on a substrate 21, where the copper wiring 34b is exposed on the surface.例文帳に追加

テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ_2Ｏ）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線３４ｂが露出している基板２１上に銅配線３４ｂを被覆するバリア絶縁膜３５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate that has a pad for external connection to which a signal wiring conductor is connected through a signal through conductor, and can successfully transmit a high-frequency signal exceeding 25 GHz.例文帳に追加

外部接続用パッドに信号用貫通導体を介して信号配線導体を接続される配線基板において、２５ＧＨｚを超えるような高周波信号を良好に伝送することが可能な配線基板を提供する。 - 特許庁