「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

A recess 12 of a predetermined depth, having an acute angle step Ea, is formed in a substrate 11, a resist film is formed having an open annular pattern RP passing through the acute angle step, an annular wiring conductor 16 and an annular insulating layer are formed alternately, to form a helical wiring conductor.例文帳に追加

鋭角段差部Ｅａを備える所定深さのくぼみ１２を基板１１に形成し、この鋭角段差部を通る環状パターンＲＰを開口したレジスト膜を形成し、環状配線導体１６と環状絶縁層とを交互に形成してヘリカル状の配線導体を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate for mounting a semiconductor device which can realize a higher density and finer wiring to cope with the increase in the number of terminals of the semiconductor device and the tendency toward narrower pitches, and a narrower pitch of an external electrode to cope with a more compact and higher density system, and superior in mounting reliability.例文帳に追加

半導体デバイスの端子の増加や狭ピッチ化に対応した高密度化、微細配線化を実現でき、かつ、システムの小型化、高密度化に対応した外部電極の狭ピッチ化を実現でき、しかも実装信頼性に優れた半導体装置搭載用配線基板を提供する。 - 特許庁

The first ground conductor 2 comprises a first ground conductor part 3 provided on the wiring inhibiting region 1, and a second ground conductor part 4 provided on a region except the wiring inhibiting region 1 and at different position of the laminating direction of the multilayer substrate 5 from the first ground conductor part 3.例文帳に追加

第１の接地導体２は、配線禁止領域１に設けられた第１の接地導体部分３と、配線禁止領域１以外の領域に設けられ、第１の接地導体部分３とは多層基板５の積層方向の位置が異なる第２の接地導体部分４とからなる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device is constituted by mounting a semiconductor chip, through solder resist, on the surface of an interposer substrate partially coated with the solder resist at the wiring section wherein concentration of stress on the solder resist is reduced by altering the arrangement of the solder resist and the wiring section.例文帳に追加

配線部の表面の一部がソルダーレジストにて被覆されたインターポーザ基板の表面にソルダーレジストを介して半導体チップを搭載してなる半導体装置において、ソルダーレジストや配線部の構成を変更することなく、ソルダーレジストへ加わる応力の集中を低減する。 - 特許庁

To provide an ink jet head and its manufacturing method in which Au plating can be facilitated by suppressing breakage of a wiring conductor at a contact via hole part of the ink jet head having at least heating resistors and wiring being connected with the heating resistors on a chip substrate.例文帳に追加

少なくとも発熱抵抗体と、この発熱抵抗体に接続される配線をチップ基板上に有するインクジェットヘッドでの接続用ｖｉａホール部等での配線導体の断線を抑制し、Ａｕメッキが容易に行えるインクジェットヘッドおよびこのインクジェットヘッドの製造法を提供する。 - 特許庁

A connector main body 22 is formed with a member having a thermal expansion coefficient almost equal to that of a substrate constituting a connecting object 30, plural semiconductor devices are installed on the surface of the connector main body 22, and a wiring pattern and a common wiring layer to be connected to these semiconductor devices are installed.例文帳に追加

コネクタ本体２２を接続対象物３０を構成する基板と熱膨張係数が略等しい部材で形成し、コネクタ本体２２の表面に複数の半導体装置を設け、これらの半導体装置に接続される配線パターンおよび共通配線層を設ける。 - 特許庁

Since a gate wiring region does not exist on the surface of a substrate around an IGBT cell region and an FWD cell region, and holes resulting from freewheel current are not stored in the gate wiring region, the semiconductor device has no risk of being destroyed by the recovery current.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル領域およびＦＷＤセル領域の周囲の基板面上には、ゲート配線領域が存在しないため、フリー・ホイール電流に起因するホールがゲート配線領域に蓄積されることがないので、そのホールに起因するリカバリ電流によって破壊されるおそれがない。 - 特許庁

A first resin layer 10 is formed on a substrate 30 where the first wiring pattern including a mounting land 11c is formed, the second wiring patterns 21a to 21c are formed on the first resin layer, and an opening 15 is formed in the first resin layer to expose the mounting land 11c.例文帳に追加

実装ランド１１ｃを含む第１配線パターンが形成された基板３０の上に第１の樹脂層１０を形成し、第１の樹脂層上に第２配線パターン２１ａ〜２１ｃを形成し、第１の樹脂層に開口部１５を形成し、実装ランド１１ｃを露出させる。 - 特許庁

A projector 30 extending along a virtual straight line 21 is formed in a base substrate 10 with a plurality of wirings 20 which are electrically insulated mutually and disposed to intersect with one virtual straight line 21 so that both ends of the wiring 20 are exposed from the wiring 20.例文帳に追加

相互に電気的に絶縁されて一つの仮想直線２１に交差するように配置されてなる複数の配線２０を有するベース基板１０に、仮想直線２１に沿って延びる凸部３０を、配線２０の上から配線２０の両端が露出するように形成する。 - 特許庁

Even if an oscillating circuit, etc., provided in the circuit-element-forming region of the silicon substrate 11 crosses with the re-wiring 20, generation of crosstalks is prevented by the grounding electric potential layer 16, and restriction by the placement of the re-wiring 20 is prevented.例文帳に追加

そして、シリコン基板１１の回路素子形成領域内に設けられた発振回路等と再配線２０とがクロスしても、接地電位層１６によりクロストークが発生しないようにすることができ、ひいては再配線２０の配置に制約を受けないようにすることができる。 - 特許庁

When a plurality of wiring substrates including a semiconductor device mounted thereon are stacked and integrally fused, a perforated wiring substrate 3 having an opening 16 formed therein for accommodating the semiconductor device is used, the planar shape of the opening 16 not having 5 or more recesses 10.例文帳に追加

半導体装置を搭載した配線基材を含む複数の配線基材を積層・融着一体化する際に、半導体装置を収納するために形成された開口部１６の平面形状が５箇所以上の凹み部１０を持たない図形である穴明き配線基材３を用いる。 - 特許庁

There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

Subsequently, silicon nitride film 31 and a polyimide resin film 32 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 1, an opening 33 is made in the wiring film 28, and the opening 33 is buried by solder past printing to form a bump electrode 41 to be electrically connected with the wiring layer 28.例文帳に追加

続いて、半導体基板１上に窒化シリコン膜３１およびポリイミド樹脂膜３２を順次堆積し、配線２８上に開口部３３を形成し、はんだペーストの印刷によって開口部３３を埋め込み配線２８と電気的に接続するバンプ電極４１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for processing an LSI for flip chip formed with copper wiring or copper containing wiring and having solder balls, by which the solder balls can be covered with a photo resist after forming the solder balls on the LSI chip, wires in a substrate, can be processed, and also the LSI device packaging.例文帳に追加

半田ボールを有し、銅配線又は銅を含む配線で形成されたフリップチップ用ＬＳＩにて半田ボールをＬＳＩチップ上に形成した後 半田ボールをフォトレジストにて覆い、基板内の配線を加工し、しかもその該当ＬＳＩを装置実装することが可能な加工方法を提供する。 - 特許庁

The second component built-in substrate 150b includes a wiring layer 102b having electronic components mounted on one main surface and an insulating layer 109 which consists principally of a mixer containing an inorganic filler and a thermosetting resin and in which the electronic components 104c to 104e mounted on the wiring layer 102b are buried.例文帳に追加

第２の部品内蔵基板１５０ｂは、一主面に電子部品が実装された配線層１０２ｂと、無機フィラと熱硬化性樹脂とを含む混合物を主成分とし、配線層１０２ｂ上に実装された電子部品１０４ｃ〜１０４ｅが埋設された絶縁層１０９とを備える。 - 特許庁

The wiring guide 93 is provided with locking claw 93c which locks the lead wire 90, a wiring cover 93h which covers part of the lead wire 90, recessed parts 93f and 93g which secure slide spaces for pins 51 and 52, a projection part 93e which engages a locking hole 6d of the substrate 6, etc.例文帳に追加

配線ガイド９３には、リード線９０を係止する係止爪９３ｃと、リード線９０の一部を覆う配線カバー９３ｈと、ピン５１，５２の摺動スペースを確保する凹部９３ｆ、９３ｇと、基板６の係止穴６ｄと係合する突起部９３ｅ等を設けた。 - 特許庁

A suspension substrate 1 in the invention comprises an insulation layer 10, a spring material layer 11 installed on one face of the insulation layer 10, and a plurality of wirings 12 having a first wiring 13 and a second wiring 14 adjacent to each other, which are provided on the other face of the insulation layer 10.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面に設けられたバネ性材料層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられ、互いに隣接する第１配線１３と第２配線１４とを有する複数の配線１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a circuit board capable of forming a circuit of fine pattern by improving etching characteristic of a copper layer or copper foil, as well as a laminate of an insulating substrate and a copper layer or a copper foil for a wiring board which is suitable for fine pattern, along with a printed wiring board using the same.例文帳に追加

ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pair of through-holes 24 are formed on the substrate 21 so as to put each of the current detection element 22 and the wiring bus bar 23 in between, and a resin material 25 having a high magnetic permeability is disposed so as to cover the current detection element 22, the wiring bus bar 23 and the through-holes 24.例文帳に追加

電流検出素子２２と配線バスバー２３のそれぞれを挟むように、基板２１に一対の貫通孔２４が形成されており、電流検出素子２２、配線バスバー２３及び貫通孔２４を覆うように高透磁率の樹脂材２５が設けられている。 - 特許庁

To provide a novel jig that prevents adhesion to a material to be burned and reduces the contamination of the material to be burned, as the jig used for burning a metallized aluminum nitride substrate having a wiring pattern made of tungsten and an insulating pattern made of aluminum nitride in a part on the wiring pattern.例文帳に追加

タングステンよりなる配線パターンと更にその上の一部に窒化アルミニウムよりなる絶縁パターンを持つメタライズド窒化アルミニウム基板の焼成に用いる治具として、被焼成物との癒着を防止し、かつ被焼成物への汚染を少なくすることが可能な新規な治具を提供する。 - 特許庁

A pedestal electrode 7p is provided between the electrode 6 and the contact layer 4, while the area S of the electrode 6 with the layer 4 remains small, and a connection with circuit wiring 20p on a wiring substrate 200 is conducted by a ball electrode 9p, having a contact area larger than the S with the pedestal electrode.例文帳に追加

そこで当該オーミック電極６と当該コンタクト層４との接触面積Ｓを小さくしたまま、間に台座電極７ｐを設け、配線基板２００上の回路配線２０ｐとの接続を台座電極との接合面積がＳより大きなボール電極９ｐで行うようにする。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which has good photosensitive function and basic properties as an electrical insulating material and ensures small warpage of a flexible printed wiring board when applied on one surface of a soft substrate of the printed wiring board or the like.例文帳に追加

本発明の課題は、良好な感光性機能、電気絶縁材料としての基本特性を有する感光性樹脂組成物であって、更には、フレキシブルプリント配線板等の柔らかい基材の片面に塗工した時のプリント配線板の反りが小さい感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a substrate-bonding device and method in which two substrates are bonded wherein a contact area between opposed wiring electrode patterns are increased with respect to whole surfaces of the relatively-large-area substrates with the wiring electrode patterns formed by preventing voids from being mixed while minimizing a coating amount of a hardening resin.例文帳に追加

硬化性樹脂の塗布量を最小限に抑えながら、ボイドの混入を防いで、配線電極パターンが形成された比較的広い面積の基板全面に対して、対向する配線電極パターン同士の接触面積を増やして貼り合わせる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

When the element substrate 3 on which a plurality of electrode terminals are formed is connected to the flexible wiring base 2 having a plurality of flying lead terminals connected to each electrode terminal, first a long reel member 1 is punched to obtain the flexible wiring base 2.例文帳に追加

表面に複数の電極端子が形成された素子基板３と、該電極端子のそれぞれに接続される複数のフライングリード端子を備えたフレキシブル配線基材２と接続するにあたって、まず、長尺なリール部材１を打ち抜くことによってフレキシブル配線基材２を得る。 - 特許庁

The active matrix substrate further has an auxiliary capacitance common wiring connected to the auxiliary capacitance common electrodes, an upper conductive layer electrically connected to the auxiliary capacitance common wiring and an interlayer insulating layer provided between the pixel electrodes and the auxiliary capacitances and between the upper conductive layer and the auxiliary capacitances.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、さらに、補助容量共通電極に接続された補助容量共通配線と、補助容量共通配線に電気的に接続された上層導電層と、画素電極および上層導電層と補助容量との間に設けられた層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

Ground wiring 22 and power supply wiring 33 provided in the multilayer circuit board 100 are arranged so that they mostly overlap vertically along a longitudinal direction of a substrate and their currents flow through the overlapped part in opposite directions mutually, thus mutually canceling a generated magnetic field.例文帳に追加

多層回路基板１００に備えられる接地配線２２および電源配線３３は、基板の長手方向に沿ってその大部分が上下に重なるよう配置され、その重なる部分において互いに逆方向に電流が流れるので、発生する磁界が互いに打ち消しあう。 - 特許庁

To provide a composite dielectric having not only excellent dielectric characteristics in a high-frequency region but also characteristics of high heat resistance and low water absorption, and being easily formed into a thin substrate; and to provide a composite dielectric sheet, a wiring board and a multilayer wiring board.例文帳に追加

高周波領域での誘電特性に優れるばかりでなく高耐熱性及び低吸水率であるという特性も同時に有しており、さらに薄型の基板を容易に形成可能な複合誘電体、複合誘電体シート、配線板及び多層配線板を提供すること。 - 特許庁

A wiring pattern 21 (22) for the passage of a high frequency signal and a ground potential wiring pattern 23 are positioned close to each other on the surface of a dielectric substrate 1, and a hallow part 5 is provided at a site closest to the both patterns 21 (22) and 23 to form a glass coated film 4.例文帳に追加

誘電体基板１の表面に、高周波信号が流れる配線パターン２１（２２）と接地電位配線パターン２３を近接配置するとともに、前記両配線パターン２１（２２）、２３を最も近接する部位に、中空部５を設けてガラス被覆膜４を形成した。 - 特許庁

To provide a wiring board where a high conductive circuit pattern is formed on a substrate without need of generation of a private mask and a complicated process and the conductor layer of the conductive circuit pattern can sufficiently be formed, and to provide a manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

専用マスクの作成や複雑な工程を必要とすることなく、基板上に高度な導電性の回路パターンが形成され、また、導電性の回路パターンの導体層を良好に形成することができる配線基板および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wiring structure which is excellent in the flatness of wiring and capable of sufficiently coping with smaller terminals of electronic components by sufficiently enhancing connection strength and connection reliability even if the aspect ratio of a connection hole is high, and to provide a substrate achieved in further micronization and lower profile.例文帳に追加

接続孔のアスペクト比が大きくとも、接続強度及び接続信頼性を十分に高めることにより、電子部品の端子の狭小化に十分に対応でき、また、配線の平坦性に優れる配線構造、及び、更なる微細化及び低背化を実現できる基板を提供する。 - 特許庁

The package substrate 5 comprises a printed wiring board 51, a semiconductor chip 52 which is a first electronic component mounted on the printed wiring board 51, a heat spreader 53 which is a second electronic component mounted on the semiconductor chip 52, and chamfered portions 61 formed in the corners of the heat spreader 53.例文帳に追加

本発明のパッケージ基板５は、プリント基板５１と、このプリント基板５１に搭載された第１の電子部品である半導体チップ５２と、半導体チップ５２に搭載された第２の電子部品であるヒートスプレッダ５３と、ヒートスプレッダ５３の角部に形成された面取り部分６１を有している。 - 特許庁

To provide a composite substrate wherein a plurality of wiring boards each comprising through-wiring are laminated and the surface of a base member can be planarized, which has high electric reliability and high flexibility in design, and which can be formed with reduced man-hours; and to provide a manufacturing method thereof and an electronic apparatus.例文帳に追加

基材表面の平坦化を可能とし、電気的な信頼性が高く、設計上の自由度の高い、しかも工数が少なく形成できる、貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせた複合基板とその製造方法、および電子装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Further, the active matrix substrate is provided with conductive members 9 for connecting the lower layer pixel electrodes 14B to the corresponding thin film transistors 10, and the conductive members 9 project from the lower layer pixel electrodes 14B in the extending direction of the signal wiring 5, and the scanning wiring 2 crosses the conductive members 9.例文帳に追加

更に、下層画素電極１４Ｂを、これに対応する薄膜トランジスタ１０に接続する導電部材９を更に備えており、この導電部材９は、信号配線５が延びる方向に下層画素電極１４Ｂから突出し、走査配線２は導電部材９と交差している。 - 特許庁

To provide a low resistivity metallic thin film, with which a wiring free from display degradation can be attained even in the case of a film thickness of the order of a value causing no deformation of a plastic substrate, and also to provide a liquid crystal display device provided with the low resistivity metallic thin film as a metallic wiring and having high image reproducibility.例文帳に追加

プラスチック基板を変形させない程度の膜厚であっても、表示品位を低下させないような配線を実現できる低抵抗金属薄膜と、該低抵抗金属薄膜を金属配線として備えた、画像再現性の高い液晶表示装置とを提供する。 - 特許庁

The opto-electric wiring board and the packaging substrate are manufactured by using the optical wiring layer which has a core 1 for propagating light in parallel to the layer, a mirror 4 having an inclination with the core and a lens 3 for condensing light to the mirror and which lens is the same member as the clad 2 or the core.例文帳に追加

層に対して平行に光を伝搬させるコア１と、コアに対して傾きを有するミラー４と、ミラーに集光させるレンズ３を有し、該レンズがクラッド２またはコアと同一部材である光配線層を用いて、光・電気配線基板及び実装基板を製造する。 - 特許庁

A desired wiring pattern 12 is formed on a copper foil which is formed on the other face of the polyimide, and an island 15 for mounting a semiconductor chip 13 thereto as well as a through-hole 11 to obtain electrical conduction between a copper wiring pattern and a copper base substrate is formed on the poyimide, and the through-hole 11 is embedded by metallic plating.例文帳に追加

ポリイミドの他面に形成された銅箔には、所望の配線パターン１２を形成し、ポリイミドには、半導体チップ１３を搭載するためのアイランド１５と、銅配線パターンと銅ベース基板の電気的導通を得るために、スルーホール１１を形成し、金属メッキによりスルーホールを埋め込む。 - 特許庁

Then, a through-hole 36 for identification is formed at the corner, for example, the right-hand lower corner of the printed wiring board 31 as the specific shape for discriminating the type of the substrate, and the type of the printed wiring board 31 can be discriminated by changing the diameter of the through-hole 36 for identification.例文帳に追加

そして、基板の種類を判別する特定形状として、プリント配線基板３１の隅部、例えば右下隅部に識別用貫通穴３６を設け、この識別用貫通穴３６の直径を変えることによってプリント配線基板３１の種類を判別できるようにする。 - 特許庁

To provide a wiring substrate for mounting a semiconductor device for realizing a higher density and a finer wiring in order to cope with the increase in the number of and the tendency toward narrower pitches of terminals of a semiconductor device, and a narrower pitch of an external electrode in order to cope with the tendency toward more compact and higher density systems, and excellent in mounting reliability.例文帳に追加

半導体デバイスの端子の増加や狭ピッチ化に対応した高密度化、微細配線化を実現でき、かつ、システムの小型化、高密度化に対応した外部電極の狭ピッチ化を実現でき、しかも実装信頼性に優れた半導体装置搭載用配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board with a built-in electric element excellent in reliability wherein an electric element of a capacitor or the like is built in an insulating substrate and even after the thermal treatment of reflow soldering or the like, connection reliability between the electric element and wiring circuit layers is excellent and a function of the electric element does not vary.例文帳に追加

絶縁基板内にコンデンサなどの電気素子を内蔵してなり、半田リフローなどの熱処理後においても、電気素子と配線回路層との接続信頼性に優れ、電気素子による機能が変化しない信頼性に優れた電気素子内蔵配線基板を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a semiconductor chip 20 having an electrode 22 is mounted on a substrate 10 having a wiring pattern 12, and a conductive layer 50 which electrically connects the electrode 22 and wiring pattern 12 together is formed through the flank of the semiconductor chip 20.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、配線パターン１２を有する基板１０に電極２２を有する半導体チップ２０を搭載し、電極２２と配線パターン１２とを電気的に接続する導電層５０を、半導体チップ２０の側面を通るように形成することを含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first insulating film 1 formed on a substrate and having a first wiring 2, a second insulating film 3 formed on the first insulation film 1 and the first wiring 2, and a third insulating film 4 formed on the second insulating film 3.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a MOS transistor formed on a semiconductor substrate, wiring connected to a gate electrode for composing the MOS transistor via a first insulation film, an antenna pattern in L/S shape connected to the wring, and a second insulation film forming on the wiring and the antenna pattern.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタと、第１絶縁膜を介して前記ＭＯＳトランジスタを構成するゲート電極に接続された配線と、該配線に接続されたＬ／Ｓ状のアンテナパターンと、前記配線及びアンテナパターン上に形成された第２絶縁膜からなる半導体装置。 - 特許庁

The deposition method is for forming a manganese-containing film on a substrate in which a wiring line using copper and an insulating film are exposed from the surface, and includes a step (step 2) wherein the manganese-containing film is formed on the wiring line using copper by a CVD method using a manganese compound.例文帳に追加

銅を使用している配線と絶縁膜とが表面に露出している基板に対してマンガン含有膜を成膜する成膜方法であって、銅を使用している配線上に、マンガン化合物を用いたＣＶＤ法を用いてマンガン含有膜を形成する工程（ステップ２）を備える。 - 特許庁