「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

By covering the metal wiring 61 with a protecting film 51 excepting for the area to be exposed like an external terminals 45, the metal wiring 61 is protected by a non- thermoplastic resin film 11 or protecting film 51 so that the high-reliability flexible substrate 5 can be obtained with high yield.例文帳に追加

金属配線６１のうち、外部端子４５のように、露出させておくことが必要な領域以外は、保護フィルム５１で覆っておくと、金属配線６１は、非熱可塑性樹脂フィルム１１又は保護フィルム５１によって保護されるので、信頼性が高いフレキシブル基板５が高歩留まりで得られる。 - 特許庁

Each upper end of a capacitive element is positioned as high as the surface of the metallic wiring layer 22, each lower end thereof is positioned as high as the surface of a metallic wiring layer 12, and the element comprises a pair of metallic electrode 40, 41 which extend vertically to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

容量素子はそれぞれの上端が金属配線層２２の表面と同じ高さに位置し、そのそれぞれの下端が金属配線層１２の表面と同じ高さに位置し、半導体基板１に対して垂直方向に延びる１対の金属電極４０，４１を含む。 - 特許庁

To provide a resin composition containing a polyimide resin which can be suitably used as a substrate material of printed-wiring boards by combining a low melt viscosity before curing with a low coefficient of linear expansion after curing, and a representative technique for utilizing this resin composition in manufacturing printed-wiring boards and the like.例文帳に追加

硬化前の低い溶融粘度および硬化後の低い線膨張係数を両立させることにより、プリント配線板の基板材料として好適に用いることが可能な、ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物と、これを用いたプリント配線板等の代表的な利用技術とを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices by patterning a wiring material film (film to be worked) 10 containing metal to be formed on a substrate 1 consists in first forming the resist patterns 13 across an antireflection film 11 consisting of a silicon material on the wiring material film 10.例文帳に追加

基板１上に形成された金属を含有する配線材料膜（被加工膜）１０をパターニングする半導体装置の製造方法であり、先ず、配線材料膜１０上にシリコン系材料からなる反射防止膜１１を介してレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁

To avoid a so-called process antenna problem that an insulating film under a gate electrode of a transistor formed over a semiconductor substrate is damaged by accumulated charge when wiring connected to the relevant gate electrode is formed while the requirement for the signal transmission characteristic of a wiring region is satisfied and the number of manufacturing processes requiring mask correction is controlled.例文帳に追加

半導体基板上に形成されるトランジスタのゲート電極下の絶縁膜が、当該ゲート電極に接続される配線の形成時の蓄積電荷によりダメージを受けるプロセスアンテナ問題を回避しつつ配線レイアウトの変更を行うことが容易でない。 - 特許庁

The organic EL display device comprises wiring electrodes arranged in matrix shape, organic EL elements driven by the wiring electrodes, thin film resistance bodies formed on an insulating substrate, the resistivity of the thin film resistance bodies in 20°C is not less than 150 μΩ.cm.例文帳に追加

マトリクス状に配置された配線電極と、この配線電極により駆動される複数の有機ＥＬ素子と、絶縁性基板上に形成されている薄膜抵抗体とを有し、前記薄膜抵抗体の２０℃における抵抗率が１５０μΩ・cm以上である構成の有機ＥＬ表示装置とした。 - 特許庁

To provide a composition of resist peeling agent which can remove in high performance the resist residue produced during wiring in the process of manufacturing semiconductors, device circuits for a liquid crystal or the like and which can preferably prevent corrosion of a metal thin film such as aluminum wiring on a substrate.例文帳に追加

半導体又は液晶用の素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去することができるとともに、基板上のアルミニウム配線等の金属薄膜の腐食を良好に防止できるレジスト剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

A plurality of metal wirings 11 made of metal films equal to wirings used for a semiconductor device are formed on a semiconductor substrate, and each metal wiring 11 is connected to a lower layer metal wiring 13 through a lower via hole 12 serially, and a constant current is supplied thereto.例文帳に追加

半導体基板上に、半導体装置に使用の配線と同じ，金属の被膜からなる複数の金属配線１１を形成し、各金属配線１１を、下方ビア１２及びこれに接続した下層金属配線１３でもって直列に繋ぎ、これに定電流を供給する。 - 特許庁

A plurality of outer part connection parts 4e are formed on a lower surface 4a2 of the wiring board 4, and when the substrate 3 and the wiring board 4 are inserted and coupled in the housing 2, the spiral contacts 20 and the outer part connection parts 4e are faced, pressure-welded, and electrically connected.例文帳に追加

前記配線板４の下面４ａ２には複数の外部接続部４ｅが形成されており、前記基板３と前記配線板４とが前記ハウジング２内で嵌合した時、前記スパイラル接触子２０と前記外部接続部４ｅとが対向して圧接されて電気的に接続される。 - 特許庁

Thus, a wiring area for the display element is secured on the back surface of the substrate 2, and non-displaying area is narrowed to the utmost, further, the wiring patterns 6 can be formed and connected without adding any excessive stress of heat and pressure to the display element.例文帳に追加

これによって、表示素子に対する配線領域を基板２の裏面に確保するとともに非表示領域を極力低減することができ、また、表示素子に対して熱や圧力による過度のストレスを加えることなく配線パターン６の形成及び接続を行える。 - 特許庁

The connection wiring layers decrease in reflection factor to a wavelength of a laser for processing for forming an integrated solar cell, so even when the power of the laser is lowered, processing for removing the connection wiring layers is possible, thereby reducing an influence of the laser on the substrate 5 which is exposed at a separation part 4.例文帳に追加

集積型の太陽電池を形成する加工用のレーザーの波長に対する接続配線層の反射率が低減するため、レーザーのパワーを弱めても接続配線層を除去する加工が可能になり、分離部４にて露出する基板５に対するレーザーの影響が軽減される。 - 特許庁

When signal electrodes are divided for multi-screen driving, a wiring electrode is formed on a 1st CF substrate where a plurality of signal electrodes are formed, and a light shield film, a CF layer, and an insulating layer such as a transparent insulating film are formed on the wiring electrode except a connection region.例文帳に追加

信号電極を分割して多画面駆動する場合に、複数の信号電極が形成される第一のＣＦ基板には配線電極が形成され、配線電極上には接続領域を除いた部位に遮光膜、ＣＦ層、透明絶縁膜などの絶縁層が形成されている。 - 特許庁

Providing and arranging a notch 7A on the forming surface of a wiring pattern 7 at the contacting part with the wiring pattern 9 of an external substrate makes solder 9a melted by the solder reflow rapidly move upward along the edge of the notch 7A to improve the solderability.例文帳に追加

配線パターン７形成面に切欠部７Ａを設け、外部基板の配線パターン９と接触する部分に配置するようにしたので、はんだリフローによって溶けたはんだ９ａが切欠部７Ａのエッジに沿って速やかに上昇するようになり、はんだ接合性が向上する。 - 特許庁

This jig 100 for electrical inspection is obtained, by forming wiring 21 with pads 22 for measuring instrument connection on one surface of a film substrate 11 and inspection electrodes 31 on the other surface, and forming incisions 41 in portions near the ends of the inspection electrodes 31 and of the wiring 21.例文帳に追加

フィルム基材１１の一方の面に配線２１及び計測器接続用のパッド２２が、他方の面に検査電極３１が形成されており、検査電極３１及び配線２１の先端周辺部に切り込み４１を形成し、本発明の電気検査治具１００を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises: an opening part forming process in which the opening part is formed on an interlayer insulating film 320 provided on a semiconductor substrate 100; a barrier layer forming process for forming a barrier layer 340 on the upper face of the opening part; and a wiring seed layer forming process for forming a wiring seed layer on the barrier layer 340.例文帳に追加

半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the polyimide wiring board for forming the wiring part after forming a modified layer with an imide ring opened on the surface of the polyimide substrate removes a metal-ion attached to the modified layer with the use of a complexing agent solution.例文帳に追加

ポリイミド基板表面にイミド環が開環された改質層を形成した後、配線部を形成するポリイミド配線板の製造方法において、錯化剤溶液を用いて、改質層に付着する金属イオンを除去することを特徴とするポリイミド配線板の製造方法。 - 特許庁

To obtain a flexible substrate and its manufacturing method in which the sealing of metal wiring by resin is not spoiled or there is no risk of occurrence of resinous separation when it is inflected even if the thickness of the metal wiring becomes thick or even if the aspect ratio becomes a high aspect ratio like 2 or higher.例文帳に追加

金属配線の厚みが厚くなっても、あるいはアスペクト比が２以上のように高アスペトク比となっても、樹脂による金属配線の封止が損なわれることのない、また屈曲時に樹脂剥離が生じる恐れもない、フレキシブル基板およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a wiring board in which mounting reliability is improved to accurately and strongly connect a connecting pad of the wiring board to an external electric circuit by effectively preventing a principal surface of an insulating substrate with a plurality of electrode pads formed thereon from being deformed such as warped or wound.例文帳に追加

複数の電極パッドが形成された絶縁基体の主面に反りやうねり等の変形が生じることが効果的に防止され、配線基板の接続パッドを外部電気回路に正確かつ強固に接続させることが可能な、実装の信頼性に優れた配線基板を提供すること。 - 特許庁

Since parts of metallic wiring patterns (wiring electrodes) on a substrate 12 are formed wider than other patterns and no insulation film is formed on the parts, the parts act like a light reflection section reflecting a light component that is spread leterally from light emitting elements 13 and does not directly emit a light to an original.例文帳に追加

本発明によれば、基板１２上の金属配線パターン（配線電極）の一部が、他のパターンより幅広に形成され、しかも、絶縁膜が形成されていないことにより、発光素子から横に広がり原稿を直接に照射しない成分の光を反射する光反射部となる。 - 特許庁

Using the wiring layer 21a as a plating electrode, the aperture 61 is subjected to an electrolytic plating to form an inspection electrode 71, and the resist pattern 41b and the resist pattern 51b are subjected to releasing treatment to obtain the inspection tool having the wiring layer 21a and the inspection electrode 71 on the insulating substrate 11.例文帳に追加

配線層２１ａをめっき電極にして、開口部６１に電解めっきを行い検査電極７１を形成し、レジストパターン４１ｂ及びレジストパターン５１ｂを剥離処理して、絶縁基材１１上に配線層２１ａ及び検査電極７１を有する検査治具を得る。 - 特許庁

To provide a wiring substrate which can always operate an electronic part to be placed by alleviating non-matching of a characteristic impedance between an external connection pad for a signal surrounded by the external connection pad for grounding or a power source and a wiring conductor connected to the external connection pad.例文帳に追加

接地用または電源用の外部接続用パッドで取り囲まれた信号用の外部接続用パッドと、それに接続された配線導体との間のインピーダンスの不整合を緩和し、搭載する電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。 - 特許庁

In addition, a lens 30 cured after a liquid resin which a silicone resin is made to contain silica is dropped is prepared at the surface 20a side of the wiring substrate 20 that is a side at which the wiring circuit 22 or the metal film island 23 are not prepared so as to cover each of LEDs 21.例文帳に追加

そして、配線基板２０の表面２０ａ側すなわち配線回路２２や金属膜アイランド２３が設けられていない側には、シリコーン樹脂にシリカを含有させた液状樹脂を滴下した後に硬化させたレンズ３０が、各ＬＥＤ２１をそれぞれ覆うように設けられる。 - 特許庁

A multilayer wiring substrate 100 included in the semiconductor package includes: a first insulating layer 104 and a second insulating layer 106 in which wiring layers are formed on an upper surface and lower surface, respectively; and a core layer 102 formed between the first insulating layer 104 and the second insulating layer 106.例文帳に追加

半導体パッケージに含まれる多層配線基板１００は、上面および下面にそれぞれ配線層が設けられた第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６と、第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６の間に設けられたコア層１０２と、を含む。 - 特許庁

The invention relates to: a wiring substrate including microcapsules, an insulating resin in which the microcapsules are dispersed, a through-hole with which voids of the microcapsules contact, and a through wiring formed in the through-hole and exposed at both surfaces of the insulating resin; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first lower layer wiring (31) formed on an insulating film on a semiconductor substrate, a first via hole (61) formed on the first lower layer wiring, and an MIM capacitor formed on this first via hole and composed of a lower electrode (9), an insulating film (8), and an upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

Segment terminals 4 are arranged in the upper center part of a protecting part 2a of a segment substrate 2, being connected with segment wiring 9, and on the right and left sides thereof, common terminals 5, 6 and terminal array pitch adjusting wiring 14, 18 connected with the common terminals 5, 6 are arranged.例文帳に追加

セグメント基板２の突出部２ａの上面中央部にはセグメント端子４がセグメント配線９に接続されて設けられ、その左側及び右側にはコモン端子５、６及び該コモン端子５、６に接続された端子配列ピッチ調整用配線１４、１８が設けられている。 - 特許庁

In this sealing structure of a semiconductor device for high frequencies, the semiconductor device is crimped to a wiring board for fixing while a bump is being held between the semiconductor device and wiring board, a portion around the semiconductor device is sealed by resin, and at the same time clearance where the resin is not filled is formed at a portion where the device that sandwiches the bump and the substrate.例文帳に追加

半導体素子と配線基板の間にバンプを挟んで素子を基板に圧着固定し、該素子の周囲を樹脂で封止してなると共に、該バンプを挟んだ素子と基板の間に樹脂が注入されない隙間を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polishing pad for mechanically flattening the surface of an insulating layer or metal wiring formed on a silicon substrate by which the polishing rate is high, the global level difference is small, dishing at the metal wiring is hard to occur, few scratches are caused and little dust is adhered.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、研磨レートが高く、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、スクラッチが生じにくく、ダスト付着が少ない研磨パッドを提供する。 - 特許庁

On the substrate 40 of the wiring board 34, a plurality of lines 42 including a grounding conductor 42A, an electronic circuit 44 used for controlling the display body 32, and metal fastening patterns 46 formed around a through hole H1 at the four corners of the substrate 40 are arranged.例文帳に追加

配線基板３４の基材４０には、接地線４２Aを含む複数の配線４２と、表示体３２の制御に使用される電子回路４４と、基材４０の四隅の貫通孔Ｈ1の周囲に形成された金属の締結パターン４６とが配置される。 - 特許庁

Two chips 2A, 2B are overlapped and mounted on the film substrate 1 of a multichip module (MCM) and electrically connected with a wiring 4 on the main surface of the film substrate 1 via a plurality of Au bumps 3 connected with bonding pads BP on the main surfaces of the chips.例文帳に追加

マルチチップモジュール（ＭＣＭ）のフィルム基板１上には、２個のチップ２Ａ、２Ｂが重ねて実装され、それらの主面のボンディングパッドＢＰに接続された複数個のＡｕバンプ３を介してフィルム基板１の主面の配線４と電気的に接続されている。 - 特許庁

The electronic circuit device includes a substrate 1 on which an internal terminal 9 and the wiring 2 for the internal terminal are formed, an electronic component 10 which is mounted on the substrate and connected with the internal terminal 9, and a sealing resin 12 which seals the electronic component 10 and the internal terminal 9.例文帳に追加

内部端子９及びその内部端子に対する配線２が形成された基板１と、基板上に搭載され内部端子９と接続された電子部品１０と、電子部品１０および内部端子９を封止した封止樹脂１２とを備える。 - 特許庁

Trenches la with embedded-insulation layers 5 embedded therein are formed in a silicon substrate 1, and a gate electrode 2 having an emitter area part 2a, a gate wiring part 2b, and a bonding pad part 2c, is formed over the silicon substrate 1 with an insulation layer 4 interposed between them.例文帳に追加

シリコン基板１内には、埋設絶縁層５によって埋め込まれたトレンチ１ａが形成されており、シリコン基板１上には絶縁体層４を介して、エミッタエリア部２ａと、ゲート配線部２ｂと、ボンディングパッド部２ｃとを有するゲート電極２が形成される。 - 特許庁

In the wiring board, the protection layer 3 including inorganic insulation powder 12 and an organic resin is formed on the surface of the core substrate 1, amount of inorganic insulation powder 12 in the protection layer 3 in the side of the core substrate 1 is larger than that in the side of surface 15.例文帳に追加

コア基板１の表面に、無機絶縁粉末１２および有機樹脂を含有する保護層３が形成されてなる配線基板において、前記保護層３中の、前記コア基板１側の無機絶縁粉末１２量が表面１５側より多い。 - 特許庁

By connecting the other end of the electrode for internal connection with the wiring pattern on the substrate, the electrode structure for internal connection is secured onto the substrate and sealed and an electrode for external connection is arranged on at least one of the surface side or the backside.例文帳に追加

内部接続用電極の他端を、基板上の配線パターンと接続することにより、内部接続用電極構造体を基板上に固定して、樹脂を封止し、かつ、外部接続用電極を、おもて面側或いは裏面側の少なくとも一方に配置する。 - 特許庁

Also, the memory module 10 is provided with a contact part 13 having a plurality of through-holes 14 arrayed on the module substrate 12 correspondingly with each of the plurality of pins 21, and configured to, when the corresponding pins 21 are inserted, connecting the pertinent pins 21 to wiring on the module substrate 12.例文帳に追加

また、メモリモジュール１０は、複数のピン２１にそれぞれ対応してモジュール基板１２上に配列され、対応するピン２１が挿入されて該ピン２１をモジュール基板１２上の配線と接続する複数のスルーホール１４を具備するコンタクト部１３を有する。 - 特許庁

A hybrid module includes a silicon substrate 3 in which a plurality of components loading recesses 7 are formed, a plurality of sorts of packaging components 4 in which it is loaded into each components loading recess 7 and which are fixed by an adhesion resin layer 8, and a wiring layer 5 formed on the silicon substrate 3.例文帳に追加

複数個の部品装填凹部７を形成したシリコン基板３と、各部品装填凹部７内に装填され接着樹脂層８により固定される複数種の実装部品４と、シリコン基板３上に形成される配線層５から構成される。 - 特許庁

To favorably thin a package for an electronic device, an optical device, an MEMS device or the like which employs a mounting substrate for an SiP or the like having a penetrating wiring without any possibility of inviting a problem, such as chipping, cracking or the like of the mounting substrate, upon manufacturing the package.例文帳に追加

パッケージの作製時において、実装基板の欠けや割れといった問題を招くおそれなしに、貫通配線を有するＳｉＰなどのような実装基板を用いた電子デバイス、光デバイス、また、ＭＥＭＳデバイス等のパッケージについて有利に薄型化する。 - 特許庁

This substantially rectangular infrared detector for detecting a temperature change of the detection part by a detection film includes: a substrate; the detection part provided with the detection film; a support leg for supporting the detection part on the substrate; and a wiring layer provided in the support leg and connected to the detection film.例文帳に追加

検出部の温度変化を検知膜で検出する略矩形の赤外線検出器が、基板と、検知膜が設けられた検出部と、検出部を基板上に支持する支持脚と、支持脚に設けられ、検知膜と接続された配線層とを含む。 - 特許庁

The semiconductor element 2 has such a shape that a multiplicity of the substrate connection terminals 2a arranged on its lower surface in a lattice form, and a multiplicity of semiconductor element connection terminals 5 are provided on the wiring board 3 to correspond to the substrate connection terminals 2a of the semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２は、その下面に格子状に配置された多数の基板接続端子２ａを備えた形状を有し、配線基板３上には、半導体素子２の基板接続端子２ａに対応して多数の半導体素子接続端子５が設けられている。 - 特許庁

Parts out of a common electrode 220 disposed on a counter substrate 200, which, in a plane view, overlap with the peripheral driving circuits 130, 170 or wiring to supply signals to the peripheral driving circuits 130, 170 disposed on the active matrix substrate 100 are removed.例文帳に追加

対向基板２００に設けられた共通電極２２０の内、平面視でアクティブマトリクス基板１００上に設けられた周辺駆動回路１３０，１７０又はこの周辺駆動回路１３０，１７０に信号を供給する配線と重なる部分を除去する。 - 特許庁

A connection area (c) of the electrode 123 and the wiring 107 is thereby utilized as the joining area (b+c) of the substrate and the sealing substrate, and portions which are components of the frame of the display device are reduced while securing the joining width required for gas barrier or the like.例文帳に追加

それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 - 特許庁

An inspecting object 1 is pressed to the test substrate 2 by pushing down a press jig 5 provided in an upper part of the object 1 such as a semiconductor device to connect a high-frequency signal terminal of the inspecting object 1 to a high-frequency signal wiring on the test substrate 2.例文帳に追加

半導体デバイス等の被検査体１の上部に設けられたプレス治具５を押し下げることにより、被検査体１が試験基板２に押し付けられ、被検査体１の高周波信号端子と、試験基板２上の高周波信号配線が接続される。 - 特許庁

In a face 91 of the translucent cover 90, which is bonded to the translucent substrate 20, a concave part 95 is formed in a region where the translucent cover 90 overlaps with a part 35a of a flexible wiring board 35, the part 35a being positioned over the first face 20a of the translucent substrate 20.例文帳に追加

透光性カバー９０において透光性基板２０に接着された面９１には、フレキシブル配線基板３５において透光性基板２０の第１面２０ａ上に位置する部分３５ａと重なる領域に凹部９５が形成されている。 - 特許庁

As the countermeasure for heat generation, for example, heat dissipation holes 22, 23 are formed at side walls 5a, 5b of the lens member 2, the substrate 11 of the LED 3 is formed of an aluminum material, copper rods 28, 29 are mounted to the substrate 11, or resistances 14, 15 are formed in an aerial wiring structure.例文帳に追加

発熱対策として、例えばレンズ部材２の側壁５ａ，５ｂに放熱孔２２，２３を設けたり、ＬＥＤ３の基板１１をアルミ材としたり、基板１１に銅棒２８，２９を取り付けたり、抵抗１４，１５を空中配線構造としたりする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate, capable of improving display quality without forming an inspection wiring for inspecting short circuit between connection wirings, in a terminal arrangement area, along with a display device, a method for inspecting the active matrix substrate, and a method for inspecting the display device.例文帳に追加

接続配線間の短絡を検査するための検査配線を端子配置領域に形成することなく、しかも、表示品質を向上できるアクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法を提供する。 - 特許庁