例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
A surface formed with the projecting parts 15 and the wiring electrodes 14 of a substrate body 13 of the glass substrate 15 and a surface formed with the bumps 24 of a chip body 27 of the IC chip are subjected to press-bonding connection to each other by thermal pressurization through an anisotropic conductive film 16.例文帳に追加
ガラス基板15の基板本体13の凸部15及び配線電極14が形成されている面とICチップのチップ本体27のバンプ24が形成されている面とを、異方性導電フィルム16を介して熱加圧により圧着接続する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (24) on which elements (30) are formed and a plug (19a) and a wiring layer (19b) which are formed on the semiconductor substrate (24) and are buried in a low-dielectric-constant insulating film (14) exhibiting relative permittivity of 3 or below.例文帳に追加
素子(30)が形成された半導体基板(24)と、前記半導体基板上に形成され、3以下の比誘電率を有する低誘電率絶縁膜(14)中に埋め込まれたプラグ(19a)および配線層(19b)とを具備する半導体装置である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device mounted substrate and a method for manufacturing it and a method for checking the substrate and a semiconductor package capable of realizing high density and micronization corresponding to pitch narrowing, and making mounting reliability excellent by improving a conventional wiring board.例文帳に追加
従来の配線基板を改良し、狭ピッチ化に対応した高密度化、微細化を実現することができ、しかも実装信頼性に優れた半導体装置搭載基板とその製造方法およびその基板検査法、並びに半導体パッケージを提供する。 - 特許庁
After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1上に、ゲート電極10及び高濃度不純物拡散層12等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第2の配線22を形成し、その後、シリコン基板1の上にプラズマ窒化膜23を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method is used to manufacture the semiconductor device 1 having a second wiring board 50 that has an active matrix substrate body 14 and a first electrode terminal 13 provided on the active matrix substrate body 14, and a first IC chip 30 having a salient electrode.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板本体14と、アクティブマトリクス基板本体14上に設けられた第1電極端子13とを有する第2配線基板50と、突起電極を有する第1ICチップ30とを備えた半導体装置1を製造する方法に関する。 - 特許庁
To provide a thermosetting molding material easily moldable by extrusion molding method or the like, compatible with both heat resistance and toughness, and excellent in secondary processability, wherein a wiring substrate that strongly adheres to a metal electrode or a substrate can be produced.例文帳に追加
押出成形法等により容易に成形可能であり、耐熱性と強靱性とを両立でき、二次加工性に優れ、かつ、金属電極又は基板に強力に接着できる配線基板を製造することができる熱硬化性成形材料を提供する。 - 特許庁
A printed wiring original plate 1 is made up such that it has a first mounting substrate part 5 on which a circuit pattern for a first printed-circuit board 3 is printed and a second mounting substrate part 9 on which a circuit pattern for a second printed-circuit board 7 is printed.例文帳に追加
プリント配線原板1を、第1のプリント回路板3のための回路パターンが印刷された第1の実装用基板部分5と、第2のプリント回路板7のための回路パターンが印刷された第2の実装用基板部分9と、を有するように構成する。 - 特許庁
Thereby, the connection area (c) of the electrode (123) and the wiring (107) can be utilized as the joining area (b+c) of the substrate and the sealing substrate, and while securing the joining width necessary for gas barrier and the like, portions that are structural elements of the frame of the display device are reduced.例文帳に追加
それにより、電極(123)と配線(107)との接続領域(c)を基板と封止基板との接合領域(b+c)として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 - 特許庁
The solenoid type probe coil is constituted of a superconductive thin film coil substrate formed with a superconductive thin film coil provided by working a superconductive thin film, and a superconductive thin film wiring substrate formed with a support side plate orthogonal thereto and a superconductive thin film wire, by a building block system.例文帳に追加
超電導薄膜を加工した超電導薄膜コイルを形成した超電導薄膜コイル基板と、これと直交する支持側板および超電導薄膜配線を形成した超電導配線基板とで、ビルディングブロック式にソレノイド型プローブコイルを構成する。 - 特許庁
A process for burying the electronic components 40-42 in the substrate 5, and a process for forming a wiring pattern 23 connected with external connection electrodes 40a-42a of the electronic components 40-42 buried in the substrate 5 by ejecting a liquid drop containing a conductive material are provided.例文帳に追加
基板5に電子部品40〜42を埋め込む工程と、導電性材料を含む液滴を吐出して、基板5に埋め込まれた電子部品40〜42の外部接続電極40a〜42aに接続される配線パターン23を形成する工程とを有する。 - 特許庁
The wiring section 30 for actuator drive signals comprises a first conductive pattern 32 formed on one surface 2102 in the thickness direction of the insulating substrate 21; and a second conductive pattern 34 formed on the other surface 2104 in the thickness direction of the insulating substrate 21.例文帳に追加
アクチュエータ駆動信号用配線部30は、絶縁基板21の厚さ方向の一方の面2102に形成された第1導電パターン32と、絶縁基板21の厚さ方向の他方の面2104に形成された第2導電パターン34とで構成されている。 - 特許庁
To provide a complex substrate in which a sensor circuit and an outer electrode, which are arranged in the internal space of the complex substrate obtained by directly connecting a pair of substrates each other, are easily connected by a metal wiring, are also excellent in the sealing property of the internal space and are easy in production.例文帳に追加
一対の基板同士が直接接合された複合基板の内部空間内に設けられたセンサー回路と外部電極とが金属配線によって容易に接続され、しかも内部空間の封止性に優れ、製作が容易な複合基板を提供する。 - 特許庁
In the liquid crystal display panel, the connection wiring consisting of a two-layered structure composed of indium tin oxide (ITO) layer and the low-reflection metallic layer is formed in a non-image display portion on an upper substrate and, on the other hand, a shielding film is formed in a non-image display portion on a lower substrate.例文帳に追加
液晶表示パネルにおいて、上側基板上で非画像表示部には酸化インジウム錫(ITO)と低反射金属層との2層構造からなる接続配線を形成し、一方、下側基板上で非画像表示部には遮蔽膜を形成する。 - 特許庁
The hybrid module comprises: a silicon substrate 3 having a plurality of opening 8 for loading components; a plurality of kinds of packaging component 4 being loaded in the component loading openings 8 and secured by a sealing resin layer 9; and a wiring layer 5 formed on the silicon substrate 3.例文帳に追加
複数個の部品装填開口部8を形成したシリコン基板3と、部品装填開口部8内に装填されて封止樹脂層9により固定される複数種の実装部品4と、シリコン基板3上に形成される配線層5から構成される。 - 特許庁
The sensor substrate 1 and the through hole wiring substrate 2 are constituted such that the first shielding connection metal layer 18 and the second shielding connection metal layer 28 are connected and the first connection metal layer 18 and the second connection metal layer 28 are connected.例文帳に追加
センサ基板1と貫通孔配線形成基板2とは、第1の封止用接合金属層18と第2の封止用接合金属層28とが接合され、第1の接続用接合金属層19と第2の接続用接合金属層29とが接合されている。 - 特許庁
A part of the common electrode 220 formed on a counter substrate 200 is removed where the electrode overlaps in the plan view with peripheral driving circuits 130, 170 or wiring to supply signals to the peripheral driving circuits 130, 170 on the active matrix substrate 100.例文帳に追加
対向基板200に設けられた共通電極220の内、平面視でアクティブマトリクス基板100上に設けられた周辺駆動回路130,170又はこの周辺駆動回路130,170に信号を供給する配線と重なる部分を除去する。 - 特許庁
The integrated circuit chip 10 comprises a semiconductor substrate 11 having a perimeter region A_peri between cell regions A_cell1, A_cell2 where an integrated circuit is formed by center pad chip design, and a bond pad wiring pattern 12 connected with the integrated circuit on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
集積回路チップ10は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域A_cell1、A_cell2の間に周辺領域A_periを有する半導体基板11と、該半導体基板11上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン12とを含む。 - 特許庁
In the connection structure of printed wiring boards 10, 20, first electrodes 12, 13 formed on a first substrate 11, and second electrodes 22, 23 formed on a second substrate 21 are electrically connected through adhesive 30 containing conductive particles 31.例文帳に追加
プリント配線基板10,20の接続構造は、第1の基板11に設けられた第1の電極12,13と、第2の基板21に設けられた第2の電極22,23とを、導電性粒子31を含有した接着剤30を介して電気的に接続する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
絶縁性基板上に設けられた第1の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第2の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
When forming the nonlinear element (for example TFD 13) on the flexible plastic substrate 10, first a wiring film 141 for energization for anode oxidization is formed in a line on the plastic substrate 10 by using a mask sputtering method and a droplet discharge method.例文帳に追加
可撓性を有するプラスチック基板10上に非線形素子(例えばTFD13)を形成する場合に、まず、係るプラスチック基板10の上に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、陽極酸化のための通電用の配線膜141をライン状に形成する。 - 特許庁
The optical wiring 10 is set in a wavelength of guided light at about 850 nm and has a substrate 1, the optical waveguide 12 which is disposed on the substrate 11 and is formed with diffraction gratings 13 and 14, a surface light emitting laser 15 and a photodiode 16.例文帳に追加
光配線10は、導波光の波長が850nm付近に設定された光配線であって、基板11と、基板11上に配設され、回折格子13、14が形成された光導波路12と、面発光レーザ15と、フォトダイオード16とを有する。 - 特許庁
The thicknesses of the films within the wiring grooves of the semiconductor substrate 1 are measured with high accuracy by measuring the change in the resonance frequencies of a QCM 9 using a crystal oscillator formed on the same grooves as the grooves formed on the semiconductor substrate 1 on its surface.例文帳に追加
半導体基板1に形成したのと同じ溝が表面に形成された水晶振動子を用いたQCM9の共振周波数変化を測定することにより、半導体基板1の配線溝内部の膜厚をめっき中に高精度で計測する。 - 特許庁
The antenna 100 is constituted of a substrate 10, a loop antenna 12 formed on the substrate 10, a ground pattern 14 formed along the loop antenna 12 and four wiring patterns 16a to 16d for power supply formed adjacently to the ground pattern 14.例文帳に追加
アンテナ100は、基板10と、基板10上に形成されたループアンテナ12と、ループアンテナ12に沿って形成されたグランドパターン14と、グランドパターン14に隣接して形成された4つの電源供給用配線パターン16a〜16dとで構成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device bringing about no influence on patterning accuracy of electrodes, wiring and elements formed on a transparent substrate due to heat or moisture in the liquid crystal display device using the transparent substrate made of a transparent resin.例文帳に追加
透明樹脂からなる透明基板を用いた液晶表示装置において、熱および水分などによって透明基板に形成される電極、配線および素子などのパターン精度が影響を受けない液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The nitride aluminum metallized substrate on which a wiring circuit is composed of by forming a metalized layer 2a on the surface of the nitride aluminum substrate 1a has a resist pattern 3a for preventing a solder flow formed on the surface of the metallized layer.例文帳に追加
窒化アルミニウム基板1aの表面にメタライズ層2aを形成して配線回路を構成した窒化アルミニウムメタライズ基板において、前記メタライズ層の表面に、半田流出防止用レジストパターン3aが形成されていることを特徴とする窒化アルミニウムメタライズ基板。 - 特許庁
The package comprises a semiconductor device 6 in which electrodes are formed on a circuit plane, a flexible substrate 101 having thermoplastic insulating resin layers on one or both sides of a wiring pattern, and at least one of insertion substrate 201 arranged around the semiconductor device 6.例文帳に追加
回路面上に電極が形成された半導体デバイス6と、配線パターンの片面又は両面に熱可塑性絶縁樹脂層を有する可撓性基板101と、半導体デバイス6の周囲に配置された少なくとも1つの挿入基板201とを備えている。 - 特許庁
The multi-layer flexible wiring cable 12 connected to one circuit substrate is reversely folded so as to extend toward another circuit substrate, and is wound so that the cable layer positioned outside the folded portion is positioned on the inside circumference.例文帳に追加
一方回路基板に接続された多層フレキシブル配線ケーブル12を、折り返して反転させることにより他方回路基板へ向けて延在させるとともに、折り返しの部分において外側に位置するケーブル層を内周側に位置させる態様で巻回する。 - 特許庁
A planarization film 80 is formed between electrodes such as electrodes 74 and 75 connected to wiring lines formed on a relay substrate such as a flexible substrate, etc., and a first interlayer dielectric 284 is formed on the planarization film 80 and at ends of the electrodes 74 and 75.例文帳に追加
フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極74,75等の電極の間に平坦化膜80が形成されており、平坦化膜80上及び電極74,75の端部に第1層間絶縁層284が形成されている。 - 特許庁
The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加
基板1中に列方向に延びるビット線拡散層2、ビット線拡散層2の間の領域上に形成された絶縁膜14、基板1及び絶縁膜14上のワード線3、ビット線拡散層2上方のビット線裏打ち配線7を備える。 - 特許庁
To obtain an induction heating cooker capable of facilitating a design of a substrate by reducing a wiring pattern part area of a printed circuit board in which a high frequency large current flows, reducing a pattern loss of the substrate, and facilitating a body assembling operation.例文帳に追加
高周波大電流の流れるプリント基板の配線パターン部面積を低減させることで基板の設計を容易にすると共に、基板のパターン損失も低減することができ,また本体組立作業を容易にすることのできる誘導加熱調理器を得る。 - 特許庁
In a process of forming an auxiliary wiring layer of the organic EL device, after a side of a transfer material 1 where a conductive layer 11 is formed is insulation-displaced at a side of the substrate 120 where barrier ribs 116 are formed, the base material 10 is pulled off the substrate 120.例文帳に追加
有機EL装置の補助配線層を形成する工程では、転写材1において導電層11が形成されている側を、基板120において隔壁116が形成されている面側に圧接させた後、基板120から基材10を引き離す。 - 特許庁
While keeping a short distance between the light-emitting elements 4, positions for light-emitting element 4L, 4M and 4S are shifted in the length direction of the substrate 1 so that the wide wiring patterns do not overlap in the width direction of the substrate 1 as much as possible.例文帳に追加
発光素子4間の距離を小さく保ちつつ、基板1の幅方向において幅広の配線パターン部同士ができるだけ重ならないように、基板1の長さ方向において、発光素子4Lと発光素子4Mおよび4Sとの位置をずらせる。 - 特許庁
To provide a method of etching a thin-film circuit in a quite efficient manner while ensuring etching selectivity when the thin-film circuit is formed on a semiconductor substrate, without causing any corrosion on a switching element or a wiring material which are used for the semiconductor substrate and the thin-film circuit.例文帳に追加
半導体基板上に薄膜回路を形成する際のエッチング選択性、さらに、半導体基板や薄膜回路に使用されるスイッチング素子や配線材料を全く腐食することなく、極めて効率よく薄膜回路をエッチングする方法を提供すること。 - 特許庁
Since the semiconductor layer 4 is hidden inside the gate wiring 2a when it is viewed from the back face of the array substrate, backlight does not fall on the semiconductor layer 4, and the increase of carriers due to the light from the back surface of the array substrate is more suppressed compared with a conventional liquid crystal display device.例文帳に追加
半導体層4はアレイ基板の裏面から見てゲート配線2aの内側に隠れるため、半導体層4にバックライト光が入射せず、従来の液晶表示装置と比較して、アレイ基板側の裏面からの光によるキャリアの増大が抑制される。 - 特許庁
Consequently, a connection area (c) between the electrode (123) and wiring (107) is used as a joining area (b+c) between the substrate and sealing substrate, and while a necessary joining width for a gas barrier etc., is secured, a part as a component of the frame of the display device is reduced.例文帳に追加
それにより、電極(123)と配線(107)との接続領域(c)を基板と封止基板との接合領域(b+c)として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 - 特許庁
To provide a display device manufacturing method capable of suppressing the influence of the dimensional change of a flexible substrate before press-contacting, and capable of enhancing the positional accuracy upon press-contacting between an external connection terminal and an external wiring, in the case of manufacturing the display device by using the flexible substrate.例文帳に追加
可撓性基板を用いて表示装置を製造する際、圧着前の基板の寸法変化の影響を抑え、外部接続端子と外部配線との圧着時の位置精度を向上させることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In mounting on PCB 50 (mother substrate), a second conductive layer 33, which is flat, and a second conductive layer 33a for grounding can be connected easily and surely to the wiring 52 of the PCB 50 which is a mother substrate, while pushing the intermediate connector 30 by a heater chip.例文帳に追加
PCB50(母基板)に搭載する際、ヒーターチップで中間接続体30を押しながら、平坦な第2導電層33および接地用第2導電層33aを母基板であるPCB50の配線52に簡単にかつ確実に接続することができる。 - 特許庁
To provide an optical printer head which facilitates the mounting of a light emitting element array chip and a head substrate and can easily achieve the electrical connection between a connecting terminal electrode of the light emitting element array chip and a wiring pattern of the head substrate, and a method of manufacturing the optical printer head and an optical printer.例文帳に追加
本発明は、発光素子アレイチップとヘッド基板との搭載が容易となり、発光素子アレイチップの接続端子電極とヘッド基板の配線パターンとの電気的な接続が非常に容易に達成できる光プリンタヘッドおよびプリンタを提供することにある。 - 特許庁
To provide an optical packaging substrate which is capable of dealing with the trend toward the higher density of the substrate, does not require optical alignment, can simultaneously send signals from one IC to plural ICs as well and can be improved in the degree of freedom in wiring.例文帳に追加
本発明は、基板の高密度化に対応でき、光学的位置合わせを要せず、一つのICから複数のICに対しても同時に信号を送ることができ、しかも配線の自由度の向上を図ることのできる光実装基板を提供する。 - 特許庁
One 201 of the electric power wirings is electrically connected to one end of the heater 103 through a penetrating electrode 104 penetrating through the surface side face and the back side face of the silicon substrate 101 and one wiring electrode part 102 on the surface side face of the silicon substrate 1.例文帳に追加
一方の電力配線201は、シリコン基板101の表側面と裏側面を貫通する貫通電極104とシリコン基板1の表側面の一方の配線電極部102とを介して、ヒータ103の一端に電気接続されている。 - 特許庁
To solve such a problem that thickness distribution of a plated film generates in a flowing direction of a substrate, especially in edges on forming a wiring pattern 8, in an isolated pattern, and in a pattern of a small area, when electroplating a film substrate 4 having flexibility in a reel to reel system.例文帳に追加
可撓性を持つフィルム基材4にリールトゥリール方式で電気めっきを施す場合、基材の流れ方向のめっき膜厚ばらつき、特に配線パターン8形成時端、孤立したパターン、面積の小さいパターン等でにめっき膜厚ばらつきが発生する、 - 特許庁
The electron source substrate has the electron emission element consisting of the conductive thin film having a pair of element electrodes and an electron emission part and the metal wiring connected to the element electrodes on a substrate, and the element electrode comprises ruthenium oxide on the surface.例文帳に追加
基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、表面にルテニウムの酸化物を具備する。 - 特許庁
A diode made in a polycrystal silicon and a diode made in a semiconductor substrate are used to form a two-way diode, which is connected between the gate electrode of the depletion type field effect MOS transistor and the semiconductor substrate by metallic wiring.例文帳に追加
多結晶シリコン中に作製したダイオード及び半導体基板中に作製したダイオードで双方向ダイオードを形成し、この双方向ダイオードを金属配線でデプレッション型電界効果型MOSトランジスタのゲート電極と半導体基板間に接続する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having a plurality of electrodes 14; a resin projection 20 formed on the semiconductor substrate 10; and a wiring 30 electrically connected to the electrodes 14, and formed so as to reach onto the resin projection 20.例文帳に追加
半導体装置は、複数の電極14を有する半導体基板10と、半導体基板10上に形成された樹脂突起20と、電極14と電気的に接続されてなり、樹脂突起20上に至るように形成された配線30とを含む。 - 特許庁
To configure a cleaning composition for a device substrate which prevents the erosion and dissolution of a device material such as wiring, an insulation film, and a capacitance film and is capable of effectively removing contamination such as particles on the substrate, and a method of cleaning and a cleaning device.例文帳に追加
デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (1), a porous insulating film (2) formed on the semiconductor substrate and constituted of first insulating materials whose relative dielectric constant is 2.5 or less, and at least either (6) a plug or a wiring layer buried in the porous insulating film.例文帳に追加
半導体基板(1)と、前記半導体基板上に形成された比誘電率2.5以下の第1の絶縁材からなるポーラス絶縁膜(2)と、前記ポーラス絶縁膜に埋め込まれたプラグおよび配線層の少なくとも一方(6)とを具備する半導体装置である。 - 特許庁
A dipole antenna 7A transmits a radio wave corresponding to an electric signal outputted from the body semiconductor substrate, in a stacking direction of the multilayer wiring structure and receives a radio wave propagating in the stacking direction to output an electric signal corresponding to this radio wave to the body semiconductor substrate 2A.例文帳に追加
ダイポールアンテナ7Aは、本体半導体基板から出力された電気信号に対応する電波を多層配線構造の積層方向に発信するとともに、積層方向に伝播する電波を受信して本体半導体基板2Aに出力する。 - 特許庁
A large number of chips are mounted in a substrate and after the internal electrode wiring of the substrate is connected to the electrodes of the IC chip through wires, epoxy resin is applied around the IC chip using a dispenser and the IC chip is surrounded by the frame of epoxy resin before being bonded with a planar lid.例文帳に追加
基板内に多数のチップを搭載し、基板の内部電極配線とICチップの電極とをワイヤで接続した後に、デスペンサーを用いてエポキシ樹脂をICチップのまわりに厚く塗布しエポキシ樹脂の枠で囲み板状のふたを接着する。 - 特許庁
In the method of forming an SOI structure on a silicon substrate 1 using an SBSI (separation by bonding silicon island) method, a supporter film is formed on the silicon substrate 1 so as to fill a hole h1 formed on an element forming region and a hole h2 formed on a wiring forming region.例文帳に追加
SBSI法を用いてシリコン基板1にSOI構造を形成する方法であって、素子形成領域に形成された穴h1と配線形成領域に形成された穴h2とを埋め込むようにシリコン基板1上に支持体膜を形成する。 - 特許庁
To provide an electrooptical device, an electronic equipment equipped with the electrooptical device and a mounting structure with which a mutual connection state of terminals in a mounting section is easily diagnosed when an IC is mounted on a substrate directly or via a wiring substrate.例文帳に追加
ICを直接あるいは配線基板を介して基板上に実装した場合に、実装部分での端子同士の接続状態を容易に診断可能な電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および実装構造体を提供すること。 - 特許庁
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