例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
A semiconductor element comprises: a first substrate 300 where an inductor cell 311 is formed; a second substrate 500 where an RF element circuit section having transistors and wiring is formed; and a connection electrode 600 for electrically connecting the inductor cell 311 to the RF element circuit section.例文帳に追加
実施例に係る半導体素子は、インダクタセル311が形成された第1基板300と、トランジスタと配線を備えるRF素子回路部が形成された第2基板500と、前記インダクタセル311と前記RF素子回路部とを電気的に連結する連結電極600と、を備える。 - 特許庁
In the electrostatic chuck for holding a planar substrate such as a silicon wafer 180 and glass, a plurality of conductive areas 140 to be in contact with the planar substrate are formed on the surface of the electrostatic chuck and the respective conductive areas are electrically conducted by conductive wiring 150.例文帳に追加
シリコンウェハ180やガラスなどの板状基板を保持する静電チャックにおいて、静電チャックの表面に、板状基板と接触する複数の導電領域140を形成し、かつ導電領域それぞれは、導電配線150により電気的に導通していることとした。 - 特許庁
This substrate inspecting device 21 includes a first and second current supply terminals 22, 23, a first and second voltage measuring terminals 24, 25, a current supply section 26, a voltage measurement section 27, and a voltage stabilizing means 28, and inspects a substrate provided with a plurality of wiring patterns 29.例文帳に追加
この基板検査装置21は、第1及び第2の電流供給端子22,23と、第1及び第2の電圧計測端子24,25と、電流供給部26と、電圧計測部27と、電圧安定手段28とを備えており、複数の配線パターン29が設けられた基板の検査を行う。 - 特許庁
In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加
基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部(矢印13で図示する箇所)が、拡散層14が形成される基板10の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁
To increase the number of chip parts, for example, IC chips mountable on a wiring board to be connected with a panel substrate without increasing the panel substrate in the area for supporting electrooptical substance such as a liquid crystal on an electrooptical device such as a liquid crystal device.例文帳に追加
液晶装置等といった電気光学装置において液晶等といった電気光学物質を支持するパネル基板の面積を増大させることなく、そのパネル基板に接続される配線基板上に実装できるチップ部品、例えばICチップの数を増大できるようにする。 - 特許庁
To provide a substrate processing method for forming a wiring pattern on a substrate which can achieve reduction of the number of processing steps and prevention of an increase in apparatus configuration by simplifying layers below a photoresist layer, and can suppress a decrease in film thickness due to pattern formation processing.例文帳に追加
基板に配線パターンを形成する基板処理方法において、フォトレジスト層下の層をより単純化することにより工程数の削減、装置構成の増大抑制を実現でき、また、パターン形成処理に伴う膜厚減少を抑制することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide an automatic layout position decision method for efficiently executing layout processing for designing, on a virtual plane equivalent to a substrate surface, the positions of vias, wiring paths and plating lines on the substrate surface of a semiconductor package of a bilevel ball-grid type by a calculation processing unit.例文帳に追加
二層ボールグリッド型の半導体パッケージの基板面上におけるビア、配線経路およびめっき線の位置を、基板面上に相当する仮想平面上において設計する配置処理を、演算処理装置により効率的に実行する自動配置位置決定方法を実現する。 - 特許庁
A board 10 for mounting the optical parts has a least an optical part mounting part on one surface of a glass substrate 1, an optical wiring layer 9 composed of a core and a cladding material on the other surface, and is provided with a via hole 2 which conducts with the optical part mounting part and passes through the glass substrate.例文帳に追加
ガラス基板1の一面に光部品搭載部、他面にコアとクラッドから構成された光配線層9を少なくとも有するとともに、前記光部品搭載部と導通し、ガラス基板を貫通するビアホール2を具備する光部品搭載用基板10を作成する。 - 特許庁
In a liquid crystal device 10 and on the end part of a first substrate 1, spherical semiconductors 11 are mounted as dispersed on a wiring pattern 19 for mounting ICs which is extended from an input terminal 12 where a flexible substrate 29 is connected to a sealing region 4 of a liquid crystal.例文帳に追加
液晶装置10において、第1の基板1の端部分で、フレキシブル基板29が接続された入力端子12から液晶の封入領域4に向けて延びるIC実装用の配線パターン19の上には球状半導体11が分散して実装されている。 - 特許庁
In electroplating to a semiconductor or compound substrate having fine wiring and via holes, a slight current is passed between the substrate and the anode electrode in such a manner the potential of a conductive film is made baser than the natural potential in order to prevent the chemical dissolution of the conductive film before the plating is started.例文帳に追加
微細配線およびViaホールを有する半導体あるいは化合物基板への電解めっきにおいて、めっき開始するまでの間に導電膜の化学的溶解を防止するため、導電膜の電位が自然電位より卑になるように基板とアノード電極間に微弱電流を流す。 - 特許庁
An integrated circuit chip 10 includes a semiconductor substrate 11 which has a peripheral region A_peri between an A_cell2 and a cell region A_cell1, where an integrated circuit by a center pad type chip design is formed, and a bond pad wiring pattern 12 which is connected with the integrated circuit on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
集積回路チップ10は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域A_cell1、A_cell2の間に周辺領域A_periを有する半導体基板11と、該半導体基板11上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン12とを含む。 - 特許庁
A multi-chip module 1 or electronic semiconductor element has a multilayered substrate 9, and the bottom face of the bottom layer 15 of the substrate 9 works as a bonding surface when the module 1 or element is bonded to a printed wiring board with a heat-sensitive adhesive, solder, etc.例文帳に追加
多重チップモジュール(1)又は他の電子半導体素子は多重層基体(9)を有し、その底層(15)の底表面は熱感応性接着剤又ははんだ等を用いて多重チップモジュール又は素子を印刷配線板(8)に接着するための接着表面として作用する。 - 特許庁
The semiconductor package is equipped with a semiconductor device 6 with electrodes formed on the surface of a circuit, a flexible substrate 101 provided with a thermoplastic insulating resin layer formed on the one or both the sides of a wiring pattern, and, at least, an insert substrate 201 arranged around the semiconductor device 6.例文帳に追加
回路面上に電極が形成された半導体デバイス6と、配線パターンの片面又は両面に熱可塑性絶縁樹脂層を有する可撓性基板101と、半導体デバイス6の周囲に配置された少なくとも1つの挿入基板201とを備えている。 - 特許庁
To load various electronic components without constraints, to shorten a process and to reduce cost without occurrence of contamination in a substrate and the electronic components when a wiring pattern is formed and without trouble of cleaning in an electronic component loading device where the electronic components are loaded on the substrate and in a manufacturing method of the device.例文帳に追加
電子部品を基材上に搭載した電子部品搭載装置とその製造方法において、制約なく多様な電子部品を搭載可能で、配線パターン形成に際して基板や電子部品の汚染が発生することがなく、洗浄などの手間がかからず、工程が短く低コストとなる。 - 特許庁
To enable reliable wiring patterning by eliminating or reducing linear thermal expansion coefficient between a transfer mold and a substrate, and thus by eliminating a problem of expansion difference between the transfer mold and the substrate when they are heated up to a predetermined temperature in an embossing process.例文帳に追加
転写金型と基板との間の線熱膨張係数の差をなくするか或いは減少して、エンボス加工の際に転写金型と基板とを所定温度まで加熱しても両者間の膨張差による問題を解消し、信頼性のある配線パターニングを可能にする。 - 特許庁
The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板1において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第1の回路形成領域と、この領域と画素部11との間に位置する第2の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁
To provide an etching treatment method which can form a wiring pattern having a high aspect ratio in its cross section, so as to have few irregularities and spots within a substrate plane and have adequate uniformity, when etching a large-sized substrate to be etched such as a printed circuit board with a spray method, and to provide an etching treatment apparatus.例文帳に追加
スプレー法によるプリント基板等の大型被エッチング基板のエッチングにおいて、断面のアスペクト比の高い配線パターンを基板面内でのばらつきや斑が少なく均一性良く形成することができるエッチング処理方法およびエッチング処理装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a wiring substrate which allows fabrication by a simple process with good adhesion between a resin substrate and a circuit, suppresses transmission loss in a high frequency band when used as a high-frequency antenna, and has a hole that enables precise etching due to the fact that a copper layer forming a circuit is thin.例文帳に追加
簡単なプロセスでもって、樹脂基板と回路との密着性もよく、高周波アンテナとして使用したときに高周波帯域での伝送損失を抑制することができ、回路を形成する銅層が薄いことから精密なエッチングが可能となる、ホールを有する配線基板を得る。 - 特許庁
To provide a mold structure for housing an inertial sensor capable of making wiring patterns on a substrate common, so as to allow the inertial sensor in the same structure to be used, regardless of the packaging format of the inertial sensor and an installation direction of a packaging substrate, and to provide a sensor system which uses the mold structure.例文帳に追加
慣性センサの実装形態や実装基板の設置方向によらず、同一構造の慣性センサが使用できるよう、基板上の配線パターンを共通化とすることができる慣性センサを収容するモールド構造およびおよびそれを用いたセンサシステムを提供する。 - 特許庁
Electric passage parts 6 surrounded by annular grooves 5 are formed on the low-resistance silicon substrate 2, and a wiring film 13 electrically connected to the electric passage parts 6 through openings 8 of the insulating layer 3 are formed on the backside 4b of the high-resistance silicon substrate 4 and inner surfaces 11a of recessed parts 11.例文帳に追加
低抵抗シリコン基板2には、環状溝5によって包囲された電気通路部6が設けられ、高抵抗シリコン基板4の裏面4b及び凹部11の内面11aには、絶縁層3の開口8を介して電気通路部6と電気的に接続された配線膜13が設けられている。 - 特許庁
In the wiring board having a plurality of external connection pads 7 arranged on a surface of an insulating substrate 1 in a lattice pattern, the dots 11 constituting the two-dimensional bar code are dispersed between the plurality of the external connection pads 7 on the surface of the insulating substrate 1.例文帳に追加
絶縁基板1の表面に格子状の並びに配列された複数の外部接続パッド7を有する配線基板であって、絶縁基板1表面における複数の外部接続パッド7同士の間に二次元バーコードを構成するドット11を分散させて設けた配線基板である。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flexure substrate for a suspension which can effectively prevent damage and breaking of a wiring of a flying lead part with suppressing an increase of the number of processes in a method of manufacturing a flexure substrate for a suspension using a subtractive process.例文帳に追加
本発明は、サブトラクティブ法を用いたサスペンション用フレキシャー基板の製造方法において、工程数の増加を抑制しつつ、フライングリード部の配線の破損や断線を効果的に防止することができるサスペンション用フレキシャー基板の製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
A conductor pattern having a traverse cross section in the form of a semi-long circle is formed on the side wall of a ceramic substrate specifying a cavity to package electronic components, and the conductor pattern is configured so as to connect wiring patterns provided on the surface and/or inside of the ceramic substrate.例文帳に追加
電子部品を搭載するキャビティを規定するセラミック基板の側壁に半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、かつその導体パターンがセラミック基板の表面及び(又は)内部に設けられた配線パターンどうしを接続しているように構成する。 - 特許庁
The electro-optical device is so constituted that a counter substrate 200, one of whose surfaces is fully provided with common electrodes 220, does not overlap with the periphery drive circuit 130, 170 provided on the active matrix substrate 100 or the wiring for providing signals to the periphery drive circuit 130, 170, in planar view.例文帳に追加
共通電極220が一方の面に全面に亘って設けられた対向基板200が、アクティブマトリクス基板100上に設けられた周辺駆動回路130,170又はこの周辺駆動回路130,170に信号を供給する配線と平面視で重ならないように構成する。 - 特許庁
The thermal head X includes: a head base body 3 having a substrate 9 and a plurality of heating parts 11 arranged on the substrate 9; and a multilayered printed wiring board 5 extending along an arranged direction of the heating parts 11 for supplying current to the heating parts 11.例文帳に追加
本発明のサーマルヘッドXは、基板9および基板9上に配列された複数の発熱部11を有するヘッド基体3と、発熱部11の配列方向に沿って延びており、発熱部11に電流を供給するための多層プリント配線板5とを備えている。 - 特許庁
The wiring board 100 with capacitor function comprises a metal core substrate 15, a ferroelectric layer 16 formed on at least one surface of the substrate 15, and a conductive layer 17 formed on an outside surface of the ferroelectric layer 16, and the method for manufacturing it is proposed.例文帳に追加
金属製のコア基板15と、この基板15の少なくとも一方の面に形成された強誘電体層16およびこの強誘電体層16の外面側に形成された導体層17から構成され、コンデンサ機能が付与されてなる配線板100およびその製造方法を提案する。 - 特許庁
To provide a linkable transistor cell capable of eliminating wiring between the transistor cells of the substrate contact regions when continuously disposing transistor cells, forming a substrate contact region without restricting the design rules at designing a layout, and reducing the possibility of variations of the threshold voltage.例文帳に追加
トランジスタセルを連続配置する際に、基板コンタクト領域同士のトランジスタセル間の配線を回避し、レイアウト設計時にデザインルールの制約を受けずに基板コンタクト領域を形成し、閾値電圧のばらつきの可能性を低減し得る連結可能なトランジスタセル構造を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.例文帳に追加
スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Alternatively, the piezoelectric oscillator is provided with a second substrate on which the piezoelectric vibrator is mounted, the cushioning material for supporting the second substrate and suppressing impact transmitted from the case to the piezoelectric vibrator and flexible wiring members for electrically connecting both the substrates with each other and for having flexibility.例文帳に追加
あるいは圧電振動子を搭載した第2の基板と、第2の基板を支持して前記ケースから圧電振動子に伝わる衝撃を抑える緩衝材と、各基板同士を電気的に接続し、柔軟性を有する配線部材と、を備えるように圧電発信器を構成する。 - 特許庁
In the semiconductor device 100 in which an insulating layer 105 having an overhung section 109 protruded from the end face of a silicon substrate 101 is formed on the element forming surface of the substrate 101, the overhung section 109 has Cu wiring 107 buried in the insulating layer 105.例文帳に追加
シリコン基板101の素子形成面に絶縁層105が設けられ、絶縁層105がシリコン基板101の端面から突出した張出部109を有する半導体装置100において、張出部109は絶縁層105中に埋設されたCuの配線107を有する。 - 特許庁
To provide a wiring substrate for mounting semiconductor which is effective for the high integration of a semiconductor device, high speed, or increase in terminal by multifunctionalities, and the narrow pitch of a distance between terminals, in which the semiconductor device can be mounted at high density and high accuracy, specifically on both the surfaces of a substrate, and which is superior also in reliability.例文帳に追加
半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子の増加及び端子間隔の狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に基板両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更に信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板を提供する。 - 特許庁
The axial center part of the rotary shaft 14 is provided with a shaft member 22 containing electric wiring for feeding electric power introduced from the dust collector 17 to the substrate supporting stand 13 and a feed/exhaust pipe for circularly feeding a cooling medium such as cooling water to the substrate supporting stand 13.例文帳に追加
回転軸14の軸心部には、集電装置17から導入された電力を基板支持台13に供給する電気配線や、基板支持台13に対して冷却水等の冷却媒体を循環供給するための給排管を収容した軸部材22が設けられている。 - 特許庁
The substrate holding member 400 is formed like a tube wherein an outer shape is substantially circular and an inner side is rectangular, a periphery of the bonding wire 14 is covered by providing an interval with the boding wire 14, and the wiring substrate 12 is held in a side wall portion by an inner wall part facing the inner side.例文帳に追加
基板保持部材400は、外形が略円形で内側が矩形状の筒状とされており、ボンディングワイヤ14の周囲を、当該ボンディングワイヤ14との間に間隔を設けて覆い、かつ、内側の対向する内壁部で配線基板12の側壁部分を保持している。 - 特許庁
After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process.例文帳に追加
半導体基板1上に、多層配線構造の下層部分2を適宜形成した後、半導体基板1のベベル部1aを覆うように、下層部分2と略同等の膜厚に縁部絶縁膜14を形成し、上部絶縁膜11aをCMPで表面研磨して平坦化する。 - 特許庁
On the active face of the IC chip 4 facing the second surface 2b, a plurality of terminals 5 are formed collectively in the center of the IC chip 4, and on the place corresponding to the second surface 2b of the substrate 2, a wiring pattern 8 is formed by collecting the wires in the center of the substrate 2.例文帳に追加
ICチップ4が第2面2bに対向する能動面には、ICチップ4の中央に集めて形成された複数の接続端子5が設けられ、基板2の第2面2bの対応位置には、基板2の中央に集められた配線パターン8が形成されている。 - 特許庁
A connection structure of a semiconductor chip, in which a semiconductor chip and a wiring substrate having an electrode in opposition thereto are connected by adhesive, capable of maintaining electrical connections, while deformation is in such an extent that the radius of a round bar is 40 mm or less, when the substrate is bent with the round bar which is an axis.例文帳に追加
半導体チップと、これに相対する電極を有する配線基板の接着剤による接続構造体を、丸棒を軸に基板を曲げたときに丸棒の半径が40mm以下の変形まで電気的接続が保たれてなる半導体チップの接続構造体。 - 特許庁
Another substrate 3 is overlapped on the one substrate 8 on which the wiring and the electro-deposited film 15 are formed through a fritt seal material 11, and the fritt seal material 11 is heat-treated at a temperature below the softening point of the binder glass to bond the pair of substrates 3, 8 together so that a plasma cell 2 is formed.例文帳に追加
配線及び電着膜15を形成した片方の基板8にフリットシール材11を介して他方の基板3を重ね、バインダーガラスの軟化点以下の温度でフリットシール材11を熱処理して一対の基板3、8を互いに接合し、プラズマセル2を形成する。 - 特許庁
Connection terminals 2A and 2B made of a metallic foil are formed on a card substrate 1, and conductive ink is printed on the card substrate 1 by silk screen print to form a wiring 7 of the coil, and terminals 7A and 7B of the coil are so formed that they may be superposed on connection terminals 2A and 2B.例文帳に追加
カード基板1上には金属箔の接続端子2A,2Bが形成されており、またカード基板1上には導電性インキがシルクスクリーン印刷されてコイルの配線7が形成されており、前記コイルの端子7A,7Bは前記接続端子2A,2Bに重なるように形成されている。 - 特許庁
The device has a transparent adhesive S1 which is filled and thinly speed to cover on image effective region 75a of the CCD bare chip 75 between the CCD bore chip 75 and the glass substrate 71, and bumps 74 which generates electrical continuity between the CCD bare chip 75 and the wiring patterns 73 on the glass substrate 71.例文帳に追加
CCDベアチップ75とガラス基板71との間にCCDベアチップ75の画素有効領域75aを被覆し薄層化して充填されている透明な接着剤S1と、CCDベアチップ75とガラス基板71の配線パターン73との間を導通するバンプ74とを備えている。 - 特許庁
To provide a display device capable of connecting a control substrate provided inside a cabinet and a control substrate provided inside a driving part through a light-weight wiring board to shorten the time required for the connection and reduce worker's burden in the work for connecting both of the control substrates.例文帳に追加
キャビネットの内部に設けてある制御基板と駆動部の内部に設けてある制御基板との接続を軽量な配線基板を介して行い、接続時間の短縮を図り、両制御基板の接続作業における作業者への負担を軽減することができる表示装置を提供する。 - 特許庁
A light emitting device includes: a light emitting device 5; a substrate 2 made of a metal, mounting the light emitting device 5 thereon; a first frame 3 made of an insulator surrounding the substrate 2, on which a wiring conductor 3a is formed; and a package composed of a second frame 4 made of a metal surrounding the light emitting device 5.例文帳に追加
発光素子5と、発光素子5が搭載された金属からなる基体部2と、配線導体3aが形成されており基体部2を囲む絶縁体からなる第1の枠体部3と、発光素子5を囲む金属からなる第2の枠体部4とからなるパッケージ1とを備えている。 - 特許庁
To provide an opto-electric hybrid substrate and a method for manufacturing the substrate having an optical waveguide provided on a wiring board and an optical fiber disposed to face the core of the optical waveguide, with which the cost can be reduced.例文帳に追加
本発明は、配線基板上に設けられた光導波路と、光導波路のコア部と対向するように配置された光ファイバとを備えた光電気混載基板及びその製造方法に関し、コストを低減することのできる光電気混載基板及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
The substrate for mounting the semiconductor imaging device has a resin molded member for protecting the semiconductor imaging device on the substrate on which a wiring pattern is formed for mounting the semiconductor imaging device, wherein an opening for fitting a transparent lid is formed in the upper part of the resin molded member.例文帳に追加
撮像装置用半導体搭載用基板は、撮像用半導体を搭載する為の配線パターンが形成された基板上に、撮像用半導体を保護する為の、上部に透明蓋材取り付け用の開口部を有する樹脂成形部が設けられたことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a multilayer structure with a plurality of semiconductor chips stacked on a substrate, wherein the length of wiring for connecting the substrate and the semiconductor chips can be reduced in the stacking direction of the semiconductor chips, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
基板上に複数の半導体チップが積層された多段積層構造を有する半導体装置において、基板と半導体チップとを接続する配線について半導体チップの積層方向における短縮化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a relay substrate 21 having a plurality of relay pads 23 to relay each wiring connecting chip pads 11 of semiconductor chips and bonding fingers 3 of a package substrate 1, on which the semiconductor chips are mounted, on the semiconductor chips 10-1 and 10-2.例文帳に追加
半導体チップ10−1、10−2上に、半導体チップが備えるチップパッド11と半導体チップが搭載されるパッケージ基板1が備えるボンディングフィンガー3とを接続する各配線を中継する、複数の中継パッド23を備えた中継基板21を搭載する。 - 特許庁
To provide a photoresist composition for a lift-off process which facilitates resist stripping by ozone water without using an organic solvent and facilitates formation of a wiring pattern with high processability and reliability by a lift-off process, for example, on a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate.例文帳に追加
有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a structure for mounting pickup device that can precisely control the position of the pickup, when mounting on the substrate, even if the substrate is thin and simply build a reliable retainer for the pickup wiring cables.例文帳に追加
基板部材が薄くなった場合でも基板部材に装着されるピックアップ装置の位置決めや移動位置制御が精密に行うことでき、さらにピックアップ装置の配線ケーブルを確実に保持する保持部を簡単に形成できるピックアップ装置取付構造を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
The relay electrode pad RP of the lower layer first chip 12 electrically connected to a substrate terminal BP of the mounting substrate 10 via the coupling electrode pad P thereof is electrically connected to the coupling electrode pad P of the upper layer second chip 16 by wiring 27.例文帳に追加
そして、実装基板10の基板端子BPにその連結電極パッドPを介して電気的に接続された前記下層の第1チップ12の中継電極パッドRPと前記上層の第2チップ16の連結電極パッドPとが配線27により電気的に接続される。 - 特許庁
The wiring board 10 including an electronic component includes: the electronic component 200 arranged in an opening section of a substrate 100; an adhesive 200a (insulating material) formed in gaps between the substrate 100 and the electronic component 200; and a first conductive layer 110a formed on the adhesive 200a.例文帳に追加
電子部品内蔵配線板10が、基板100の開口部に配置される電子部品200と、基板100と電子部品200との隙間に形成される接着剤200a(絶縁材)と、接着剤200a上に形成される第1導体層110aと、を備える。 - 特許庁
This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加
多層配線構造を有する半導体装置は、MOS素子14および素子分離領域12が形成されたシリコン基板10、シリコン基板の上に形成された第1の層間絶縁層20、および第1の層間絶縁層より上に形成された金属配線層30(および50)を含む。 - 特許庁
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