「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(183ページ目) - Weblio英語例文検索

Between adjacent recessed parts 3 and 3, the bottom of the splitting groove 2 is not present at a position higher than bottom surfaces of the adjacent recessed parts 3 and 3, so that the possibility of development of a crack originating from the bottom part of the splitting groove 2 toward the recessed parts 3 is reduced to decrease the possibility of burr formation and chipping of the wiring substrate having been divided.例文帳に追加

隣接する凹部３・３の間に凹部３の底面より高い位置に分割溝２の底部は存在しないので、分割溝２の底部を起点とした亀裂が凹部３側に向かって進展する可能性が低減し、分割後の配線基板にバリや欠けが発生する可能性が低減する。 - 特許庁

The wiring board 1 includes conductor layers 7 on both sides of a substrate core 5, and resist layers 9 as insulating layers on both the surfaces thereof, respectively, wherein lead terminals 11 of an electric component 3 are connected to a land portion 13 as electrodes of the conductor layers 7 exposed on an opening of the resist layer 9 via a solder 15.例文帳に追加

配線基板１は、基板コア５の両側に導体層７を、さらにその両側に絶縁層となるレジスト層９をそれぞれ備えており、レジスト層９の開口部に露出する導体層７の電極となるランド部１３に、電子部品３のリード端子１１を半田１５により接続する。 - 特許庁

After a circuit conductor, including a metallic die pad part for mounting the electronic component elements, is formed on an insulating substrate, a groove part is provided between the die and bonding pad parts by laser machining, thus achieving groove machining even between the adjacent pad parts, and hence providing the printed-wiring board where the electronic component elements can be mounted adjacently.例文帳に追加

絶縁基板上に電子部品素子を搭載する金属のダイパット部を含む回路導体を形成した後、前記ダイパット部とボンデングパッド部の間に溝部をレーザ加工により設けることにより、近接パット部間でも溝加工が可能であり、電子部品素子を近接して搭載が可能なプリント配線板を提供できる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of ensuring adequate shape follow-up properties and peelability when a cured product layer is formed on a patterned surface resin layer of a circuit-formed substrate equipped with the surface resin layer, to provide a photosensitive element using the same, and to provide a method for manufacturing a printed wiring board using these.例文帳に追加

パターニングされた表面樹脂層を備える回路形成済基板の表面樹脂層上に硬化物層を形成させる際に、十分な形状追従性及びはく離性を得ることが可能な感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント及びこれらを用いたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, when a probe pin is contacted to the electrode 11 for voltage application to apply the specified voltage and the electrified first spacer is scattered on the electrode substrate 1A, the electric attractive force or the electric repulsive force acts, and the first spacer is selectively disposed on wiring 13, i.e., except for a pixel part.例文帳に追加

そして電圧印加用電極１１にプローブピンを接触させて所定の電圧を印加し、帯電させた第１のスペーサを電極基板１Ａ上に散布すれば、電気的引力または電気的斥力が作用して配線１３上、つまり画素部以外に選択的に第１のスペーサを配置することができる。 - 特許庁

To provide a metallized composite for preventing closing of a snap line by controlling the sintering mechanism of the metallized composite to increase its shrinkage amount, and forming a metallized metal layer holding a satisfactory bonding force with a ceramic substrate, and to provide a method of manufacturing a wiring board using the same.例文帳に追加

メタライズ組成物の焼結機構を制御してその収縮量を増大させることによりスナップラインの閉塞を防止するとともにセラミック基板と良好な接着力を保持するメタライズ金属層を形成するメタライズ組成物とこれを用いて行う配線基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an ink for forming a conductor pattern with excellent delivery stability of a liquid drop capable of preventing generation of a crack and disconnection on the formed conductor pattern, to provide a conductor pattern with high reliability, and to provided a wiring substrate with high reliability provided with such a conductor pattern.例文帳に追加

液滴の吐出安定性に優れ、形成される導体パターンでのクラック、断線の発生を防止することができる導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first resin part 20 in the center on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, a step for forming a second resin part 25 to overlap the surrounding member 16, a step for etching the electrode 14, and a step for forming wiring 30.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面の中央部に第１の樹脂部２０を形成すること、囲繞部材１６とオーバーラップするように第２の樹脂部２５を形成すること、その後、電極１４をエッチングすること、及び、配線３０を形成することを含む。 - 特許庁

The first and second electrodes are composed of first and second high-aspect vias 110, 120, respectively, extended over a layer where a via 130 formed in the other region 300 and wiring 132 formed on the via while being connected to the via in a lamination direction of the substrate.例文帳に追加

第１の電極および第２の電極は、それぞれ、基板の積層方向において、他の領域３００に形成されたビア１３０および当該ビア上に当該ビアに接続して設けられた配線１３２が形成された層にわたって延在する第１の高アスペクトビア１１０および第２の高アスペクトビア１２０により構成される。 - 特許庁

The molded resin layer 13 is not provided on the wiring substrate above the bumps 14 positioned to the outermost peripheral corner sections.例文帳に追加

また、半導体素子１１の実装部を被覆・封止する樹脂モールド層１３においては、四隅部に、バンプの直径とほぼ等しい辺の方形底面を有する四角柱状の切欠部１３ａが形成されており、最外周のコーナー部に配置されたはんだバンプ１４ａの上方では、配線基板上に樹脂モールド層が設けられていない構造となっている。 - 特許庁

An injection groove 4 is formed by removing a transparent acrylic resin interlayer insulating film 3, placed between thin film transistors and wiring pattern to drive them on the lower side glass substrate 2 and display pixel electrodes, so as to stand in line with an injection port 35 on a rectangular frame 34 made of a sealing resin to enclose a liquid crystal.例文帳に追加

下側のガラス基板２上の薄膜トランジスタおよびこれを駆動するための配線パターンと表示画素電極との間の透明アクリル樹脂製の層間絶縁膜３を、液晶を囲い込むシール樹脂製の矩形枠３４の注入口３５に連なるように除去して注入溝４を作る。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

When the soldering terminals 104 to 109 of the bus-bar pair 100 are inserted into the terminal inserting openings 83 of the wiring substrate 8, the bent parts 102a, 103a which extend roughly perpendicular to the central part of the bus-bar pair 100 and in the direction opposite to each other makes the bus-bar pair 100 difficult to fall down.例文帳に追加

このようにすれば、ブスバーペア１００のはんだ付け用の端子１０４〜１０９を配線基板８の端子挿入孔８３に挿入した場合、このブスバーペア１００の中央部に対し略直角かつ互いに反対に延設される屈曲部１０２ａ、１０３ａが存在するので倒れにくくなる。 - 特許庁

This inspection device 10 for a printed wiring board for inspecting the conductor pattern formed on an insulated substrate surface is provided with a computing part 14 for regenerating a mask film preparing data, based on an actual dimension data of the conductor pattern, and based on the mask film preparing data used when forming the conductor pattern.例文帳に追加

絶縁基板表面に形成された導体パターンを検査するプリント配線板の検査装置１０であって、前記導体パターンの実測寸法データと、該導体パターンを形成した際に用いたマスクフィルム作製データとに基づいて、該マスクフィルム作製データを再生成する演算部１４を備えている。 - 特許庁

The single side lamination wiring board 11 comprises a resin or metallic core substrate 12 having a first major surface 13 and a second major surface 14 and exhibiting a flexural modulus not lower than 10 GPa over the entire temperature region of 150°C-200°C, and a build-up layer 18 formed only on the first major surface 13.例文帳に追加

本発明の片面積層配線基板１１は、第１主面１３及び第２主面１４を有し、１５０℃以上２００℃以下の温度域全般において曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上である樹脂製または金属製のコア基板１２と、第１主面１３上にのみ形成されたビルドアップ層１８とを備える。 - 特許庁

A dry film resist 6 is laminated to a copper-clad laminate board where a copper foil 2 is pasted to a substrate 1, which is heated while moisture is absorbed so that a minute void 11 between the copper-clad laminate and the dry film resist 6 is reduced, and a copper wiring pattern 10 is formed after exposure and development.例文帳に追加

基板１に銅箔２を貼り付けた銅張り積層板にドライフィルムレジスト６をラミネートし、これを加熱、吸湿させ、銅張り積層板とドライフィルムレジスト６との間に発生した微少な空隙１１を減少させ、さらに露光、現像して銅配線パターン１０を形成する高密度プリント配線基板の製造方法。 - 特許庁

The jet soldering device 10 is equipped with a conveyor 11, loading a package 50 to transfer the same into a predetermined direction 24 and the wave-soldering device 12 having a jet nozzle 22 for jetting molten solder 23 against the package 50 on the conveyor 11 to effect soldering of the internal part of a through hole 56 on a wiring substrate 51.例文帳に追加

噴流はんだ付け装置１０は、パッケージ５０を搭載し所定方向２４に搬送するコンベア１１と、コンベア１１上のパッケージ５０に向けて溶融はんだ２３を噴流させる噴流ノズル２２を有するはんだ噴流装置１２とを備え、配線基板５１のスルーホール５６内部のはんだ付けを行う。 - 特許庁

Consequently the heat is not so abundantly radiated during its transfer from the LED circuit 9 to the radiating fin 10d, and as a result, the heat is prevented from being transferred to heat-sensitive components such as a light guide plate 5 disposed in the vicinity of the LED circuit 9, a liquid crystal driving circuit portion in a wiring substrate 7 and so on.例文帳に追加

このため、ＬＥＤ回路９から放熱フィン１０ｄに熱が伝わる途中であまり放熱が行われようにでき、ＬＥＤ回路９の近傍に配置される導光板５や配線基板７内の液晶駆動回路部などのように熱に弱い部品に熱が伝わることを抑制することができる。 - 特許庁

To fabricate a metallic foil attached laminated board for a core wiring substrate in which in forming a number of the laminated board, metallic templates with a thickness of 0.8 or less are arranged between each of laminating components serving as a one sheet in the laminated board to reduce warping of the board and further improve the inner circuit positioning accuracy in a metallic foil attached laminated board with an inner circuit.例文帳に追加

コア配線基板用金属箔張り積層板の多数枚成形において、その１枚に相当する積層構成体同士の間に０．８mm厚以下金属型板を配置して、低そりで内層回路位置精度が良好な内層回路入り金属箔張り積層板を製造する。 - 特許庁

Under a state that the function extension substrates 37A and 37A are connected to the control substrate 27, one end of the main resistance elements 38A and 38B is electrically connected to a power source E via a supply terminal 273 and the other end of the main resistance elements 38A and 38B is electrically connected to wiring 35 via a connection terminal 272.例文帳に追加

制御用基板２７に機能拡張用基板３７Ａ，３７Ｂを接続した状態では、主抵抗素子３８Ａ，３８Ｂの一端が供給端子２７３を介して電源Ｅに電気的に接続されており、主抵抗素子３８Ａ，３８Ｂの他端が接続端子２７２を介して配線３５に電気的に接続されている。 - 特許庁

An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.例文帳に追加

基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁

As a result, the sun visor 10 can be attached to the roof 3 such that the sun visor 10 can move so as to turn or fold back while securing an electric power supply passage toward the wiring substrate 12, and also can be easily unitized because the electrically connecting portion does not exist on the sun visor 10 side, and can be easily attached to the roof 3 side as a unit.例文帳に追加

このため、サンバイザ１０は、配線基板１２への給電経路を確保しつつ回動あるいは折曲げなどの変位可能にルーフ３に取り付けられるとともに、サンバイザ１０側に電気接続点を持たないためユニット化が容易で、ユニットごと簡単にルーフ３側に取り付けることができる。 - 特許庁

Then, after formation of an insulating layer 34 on the surface on the side where the openings are formed of the support substrate 10, a wiring layer 35 is formed in a region R1 on the inner side of the peripheral part on the insulating layer, and a plurality of alignment marks M1, M3, M5 are formed in a region corresponding to the positions where the openings are formed.例文帳に追加

次に、この支持基板１０の開口部が形成されている側の面に絶縁層３４を形成後、該絶縁層上の、周囲部の内側の領域Ｒ１に配線層３５を形成するとともに、開口部が形成されている位置に対応する領域に複数のアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５を形成する。 - 特許庁

In the optical head device 1, the frame body 7 consisting of the U-shaped photosensitive glass is mounted on the base 3 having the constitution laminated with a metallic wiring substrate 31 and a metallic base frame 32, and a light receiving/emitting element 4, 1st and 2nd optical elements 61, 62 and a collimator lens 63 are positioned with this frame body 7.例文帳に追加

光ヘッド装置１において、金属製の配線基板３１および金属製のベースフレーム３２が積層された構成の基台３には、コの字状の感光性ガラスからなる枠体７が搭載され、この枠体７によって、受発光素子４、第１および第２の光学素子６１、６２、コリメートレンズ６３が位置決めされている。 - 特許庁

The level display pad 5 consists of two layers, i.e. a first layer of a metal layer 5b, formed by plating on a metal layer 5a which is formed simultaneously with the substrate electrode 21 on the wiring board 2, and a second layer 5c, formed on the first layer of metal layer 5b and comprising a material that is to be removed by an organic solvent.例文帳に追加

レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。 - 特許庁

To provide liquid crystal elements which are reduced in the possibility of contamination of liquid crystals and thereby have excellent long time stability due to an uncured liquid crystal sealing agent which is sufficiently cured even in a portion where wiring, black matrices, etc. are overlapped because of requirements of narrow frames thereby not irradiated with ultraviolet ray directly, and has high adhesion with a substrate.例文帳に追加

狭額縁化の要請によって、配線やブラックマトリックス等とが重なる紫外線が直接照射されない部分においても十分硬化し、基板との密着性が高く、未硬化の液晶シール剤成分による液晶汚染可能性を低減し、長期安定性に優れた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The lighting fixture is provided with a body 1 equipped with an attachment part 6 opposed to a wiring accessory Cb fitted to a fixture-attachment face C such as a ceiling face, and a substrate 21 positioned at a periphery of the attachment part 6 with its mounting face faced to a front side and its rear-face side in plane contact with the body 1.例文帳に追加

本発明は、天井面等の器具取付面Ｃに設置された配線器具Ｃｂに対向する取付部６を有する本体１と、前記取付部６の周囲に位置して、実装面が前面側に向けられるとともに、裏面側が前記本体１に面接触して配設された基板２１とを備えている。 - 特許庁

This polishing method polishes a substrate W having an insulation film 903 having grooves 905, a barrier film 906 formed on the insulation film 903, and a metal film 907 formed on the barrier film 906, wherein partial parts of the metal film 907 are formed in the grooves 905 as metal wiring 910.例文帳に追加

本発明に係る研磨方法は、溝９０５を有する絶縁膜９０３と、絶縁膜９０３上に形成されたバリア膜９０６と、バリア膜９０６上に形成された金属膜９０７とを有し、金属膜９０７の一部が金属配線９１０として溝９０５内に形成されている基板Ｗを研磨する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a cost of the semiconductor device with a shield function for intercepting an electromagnetic wave can be reduced, in the method of manufacturing the semiconductor device equipped with electronic parts packaged in a wiring substrate, and sealing resin containing a silica filler for sealing the electronic parts.例文帳に追加

配線基板に実装された電子部品と、電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、電磁波を遮断するシールド機能を有した半導体装置のコストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供。 - 特許庁

The substrate 30 having a display region is also provided a terminal region 37 where terminals 38 receiving signals are formed, a region 39 for mounting a semiconductor element, input side wiring 70 connected with the terminals 38, and output wring 74 connected with the display region.例文帳に追加

表示用領域を有する基板３０は、さらに、信号が入力される端子３８が形成された端子領域３７、半導体素子が実装される実装領域３９、端子３８に接続された入力側配線７０、および表示用領域に接続された出力側配線７４を備えている。 - 特許庁

The wiring pattern 16 for connecting the flexible boards is formed via an applying step for applying an organic metal compound on the transparent substrate 12, a drying step for drying the organic metal compound applied in the applying step and a baking step for baking the organic metal compound dried in the drying step.例文帳に追加

そして、フレキシブル基板接続用配線パターン１６を、透明基板１２上に有機金属化合物を塗布する塗布工程、前記塗布工程で塗布された有機金属化合物を乾燥させる乾燥工程、及び前記乾燥工程で乾燥された有機金属化合物を焼成する焼成工程を経て形成した。 - 特許庁

The semiconductor device 20 comprises an SiO_2 film 3; a MOS non-single crystal Si thin film transistor 1a, containing a non-single crystal Si thin film 5' of polycrystalline Si; a MOS single-crystal Si thin-film transistor 16a provided with a single-crystal Si thin-film 14a; and a metal wiring 22 on an insulation substrate 2.例文帳に追加

半導体装置２０は、絶縁基板２上に、ＳｉＯ_2膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａ、金属配線２２を備えている。 - 特許庁

This magnetoresistive element has an electrical conductor (a lower element 14, a lower wiring, or the like) of an AlCu alloy having composition of Cu of 20 at.% to 90 at.% on a substrate 16, and a multilayered film in which at least a first ferromagnetic layer 11, a nonmagnetic layer 12 and a second ferromagnetic layer 13 are sequentially formed thereon.例文帳に追加

基板１６上に、Ｃｕの組成が２０ａｔ.％以上９０ａｔ.％以下のＡｌＣｕ合金の電気伝導体（下部電極１４や下部配線等）を有し、その上に少なくとも第１の強磁性層１１、非磁性層１２及び第２の強磁性層１３が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。 - 特許庁

On a flip-chip mounting substrate, which is constituted by forming conductor patterns 13A and 13B on which bumps provided on a semiconductor chip are flip-chip mounted via solder on a circuit board, the conductor patterns 13A and 13B are composed of wiring patterns 19, 19A, and 19B and connecting pads 20 to which the bumps are welded.例文帳に追加

回路基板１２上に、半田を介して半導体チップ１７に設けられたバンプ１８がフリップチップ実装される導体パターン１３Ａ，１３Ｂを形成してなるフリップチップ実装基板において、導体パターン１３Ａ，１３Ｂを配線パターン１９，１９Ａ，１９Ｂと、バンプ１８が接合される接続パッド２０とにより構成する。 - 特許庁

In a 1st IC mounted area 60 of an element substrate 10, two pad groups 61 and 62 which are arrayed in an X direction are arranged in areas which are adjacent in a Y direction and wiring patterns 82 connected to 2nd pads 620 obliquely extend to the 2nd pads 620 through between 1st pads 610 respectively.例文帳に追加

素子基板１０の第１のＩＣ実装領域６０には、Ｘ方向に配列された２つのパッド群６１、６２がＹ方向で隣接する領域に配置され、第２のパッド６２０に接続する配線パターン８２は各々、第１のパッド６１０の各間を通って第２のパッド６２０まで斜めに延びている。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device which is arranged at a lower part of a backlight chassis, exposes wiring for connecting a control substrate provided on the rear side of the backlight chassis with a display panel provided on the front side of the backlight chassis in a short period of time, and improves appearance design characteristics when it is installed on a wall.例文帳に追加

バックライトシャーシの下部に配され、バックライトシャーシの後側に設けてある制御基板とバックライトシャーシの前側に設けてある表示パネルとを接続する配線を短時間で露出させることができ、また壁に設置した場合における外観意匠性を向上させることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a recording head having high reliability by a method wherein electric open or short of each wiring pattern is surely inspected even when a recording aperture and a control IC chip are arranged on a substrate with high density in a structure, for example, that the control IC chips are arranged at both sides of the recording aperture.例文帳に追加

例えば記録用開口部を挟んだ両側に制御用ＩＣチップを配置するといった、記録用開口部及び制御用ＩＣチップを基板に高密度で配置する構成を採用する場合であっても、各配線の電気的なオープン・ショートを確実に検査して、信頼性の高い記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the multi-layer circuit board having an insulating resin layer and a wiring layer on a support substrate, a copper foil is stuck to the insulating resin layer using an adhesive agent, the free surface of the copper foil is processed with compound containing heterocycle, a via hole penetrating the copper foil to reach in the insulating resin layer is formed by a laser.例文帳に追加

支持基板上に絶縁樹脂層と配線層とを有する多層回路基板の製造方法において、密着剤を用いて銅箔を絶縁樹脂層に密着させ、銅箔の自由表面を、複素環を含む化合物で処理し、レーザにより、銅箔を貫通し絶縁樹脂層内に至るビアホールを形成する。 - 特許庁

The display device which comprises, as main constituents, thin-film transistors arranged on a glass substrate, pixel electrodes formed by the transparent electrodes, and connecting wiring parts formed by the aluminum-alloy film that electrically connects the thin-film transistors to the respective pixel electrodes, and the method of manufacturing the same, are disclosed.例文帳に追加

ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 - 特許庁

An underlayer with etching selectivity with respect to the interlayer insulating layer is formed, and a portion of the interlayer insulating layer containing impurities in contact with the wiring layer has been removed at the edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と外部取り出し用の配線層とを備えた半導体装置であって、前記半導体基板端縁部で、前記配線層下に、前記層間絶縁膜に対してエッチング選択性のある下地層が形成され、不純物を含む層間絶縁膜が選択的に除去されている。 - 特許庁

In a tape carrier substrate, a tape lead 23 is formed in a tape 1; a connection part 23a for connecting to the external electrode of the semiconductor device of the tape lead 23 is arranged in a staggered shape; a wiring 23b of other tape leads is formed more thinly than the connection part 23a; and bumps are formed in the whole tape lead.例文帳に追加

テープリード２３をテープ１に形成したテープキャリア基板であって、テープリード２３の半導体装置の外部電極と接合させる接合部分２３ａを千鳥形状に配置し、その他のテープリードの配線部分２３ｂを接合部分２３ａより細く形成し、テープリード全体にバンプが形成されている。 - 特許庁

This CVD device forming a copper film for wiring on a substrate is provided with a 1st CVD module 15 forming a copper film as a base by using a Cu(hfac)(tmvs) raw material low in a film forming rate and a 2nd CVD module 16 executing film formation of thickening a copper film by using a Cu(hfac)(atms) raw material high in a film forming rate.例文帳に追加

基板に配線用銅膜を成膜するＣＶＤ装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第１ＣＶＤモジュール１５と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第２ＣＶＤモジュール１６を備える。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for a multilayer printed wiring board that is excellent in flow characteristics during the lamination, is excellent in the embedding property into an inner layer circuit, adhesion to a circuit substrate and surface smoothness of an outer layer circuit after the lamination, is capable of making a board thickness ultra-thin substantially without using a glass cloth and further has heat resistance and storage stability.例文帳に追加

ラミネート時のフロー特性に優れ、内層回路への埋め込み性、回路基板との接着性及びラミネート後の外層回路の平滑性に優れ、かつガラスクロスをほとんど用いず板厚を極薄にでき、さらに耐熱性と貯蔵安定性のある多層プリント配線板用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁