「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(187ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for forming the printed wiring board, a pattern is drawn on a substrate with a dispersion liquid containing fine particles of a metal oxide or a metal hydroxide and then at least a part of the fine particles of metal oxide or metal hydroxide is reduced to a metal by energy irradiation, thereby a conductive pattern is formed.例文帳に追加

金属酸化物又は金属水酸化物の微粒子を含有する分散液を、基板上にパターン状に描画した後に、エネルギー照射により前記金属酸化物又は金属水酸化物の微粒子の少なくとも一部を金属に還元して導電パターンを形成することを特徴とするプリント配線基板の形成方法。 - 特許庁

When a sealing resin is applied to the high withstand voltage semiconductor mounted on a package or a substrate and is hardened, the resin is hardened while applying a high voltage between at least one electrode terminal connected from the electrode of a chip or the chip by wiring such as a wire and another electrode which requires a dielectric withstand voltage between it and the electrode terminal.例文帳に追加

パッケージもしくは基板に搭載された高耐電圧半導体チップに封止用樹脂を塗布し、硬化させる際に、チップの電極もしくはチップからワイヤ等の配線によって接続された電極端子の少なくとも１つと、この電極端子との間で絶縁耐電圧を必要とする他の電極との間に高電圧を印加しながら樹脂を硬化させる。 - 特許庁

With respect to the constitution of the semiconductor device in a semiconductor substrate wherein a source, a drain and a gate are so provided as to constitute the field effect transistor, a metal wiring connected with either one of the source, and the drain is so disposed in the form of a plane as to provide a heat radiating surface.例文帳に追加

半導体基板に、ソースと、ドレインと、ゲートとを設けて構成した電界効果トランジスタの半導体基板には、ソースまたはドレインのいずれか一方に接続した金属配線を平面状に配置して放熱面を設けるとともにビアホールを設け、金属配線と接続されていないドレインまたはソースと、半導体基板の他面に設けた電極とをビアホールを経て接続する構成とする。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a silicon nitride film or silicon oxinitride film 103 formed through plasma CVD, a flattened silicon oxide film 104 formed by using the mixed gas of a gas containing silicon atoms and hydrogen peroxide, and a silicon nitride film 105 formed through plasma CVD on a semiconductor substrate 101, on which elements and wiring 102 are formed.例文帳に追加

素子及び配線１０２を形成した半導体基板１０１上に、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜あるいは酸化窒化シリコン膜１０３、シリコン原子を含有するガスと過酸化水素を有する混合ガスを用いて形成し平坦化された酸化シリコン膜１０４と、およびプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜１０５とを具備する。 - 特許庁

On the respective polarity inversion regions 12A and 12B of the semiconductor substrate 11, a first HFET 10A including a first active layer 14A and a second HFET 10B including a second active layer 14B, each of which includes a III-V nitride semiconductor, are formed separately from each other, wherein the HFETs 10A and 10B are electrically connected by wiring 22.例文帳に追加

半導体基板１１における各極性反転領域１２Ａ、１２Ｂの上には、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなる、第１の活性層１４Ａを含む第１のＨＦＥＴ１０Ａと、第２の活性層１４Ｂを含む第２のＨＦＥＴ１０Ｂとが互いに独立して形成されており、各ＨＦＥＴ１０Ａ、１０Ｂ同士は配線２２により電気的に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus where an opening is formed from the back of a semiconductor substrate 1 such that a pad electrode 3 formed thereon is exposed and a wiring layer 10 is formed for the pad electrode 3 through the opening, an opening 6b for monitoring the formation state of the opening is formed on a scribe line.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier used for manufacturing a multilayer laminate plate of one or two or more layers used for a printed wiring board or an ultra-thin coreless substrate which can achieve cost reduction by the simplification of a printed board manufacturing step and an yield rise by using resin as a support and disposing easily peelable copper foil on the one surface or both front and rear surfaces.例文帳に追加

プリント配線板に使用される片面若しくは２層以上の多層積層板又は極薄のコアレス基板の製造の際に用いられるキャリヤー付銅箔に関し、樹脂を支持体とし、その片面または表裏両面に、易剥離性銅箔を配置することを特徴とし、プリント基板製造工程の簡素化及び歩留りアップによるコスト削減を実現することを課題とする。 - 特許庁

A plurality of first electric contact groups provided on the electric wiring substrate 1300 are attached, respectively, for a plurality of second electric contact groups so that the adjoining first electric contact group out of the plurality of first electric contact groups do not overlay each other in the arrangement direction of a plurality of discharge ports 1105 and in the direction perpendicular to the arrangement direction.例文帳に追加

電気配線基板１３００に設けられた複数の第一の電気接点群は、該複数の第一の電気接点群のうちの隣接する第一の電気接点群が、複数の吐出口１１０５が配設された配設方向及び該配設方向に直交する方向に関して互いに重ならない様に、複数の第二の電気接点群に対してそれぞれ装着されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 1 with a semiconductor element; the air gap 101 that is formed on the semiconductor device 1 around wirings 10a, 10b, 10c and 10d, or the wirings 10c and 10d; a wiring structure with consecutive through-hole 102 on the air gap 101; and a through-hole stopper 103 formed under the through-hole 102.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体素子を有する半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、配線１０ｃ、１０ｄの周囲のエアギャップ１０１、およびエアギャップ１０１に連続するスルーホール１０２含む配線構造と、スルーホール１０２下に形成されたスルーホールストッパー１０３と、を有する。 - 特許庁

To provide a wiring structure having an Al alloy film for a display device having an Al alloy film and an oxide semiconductor layer of a thin film transistor directly connected to the Al alloy film sequentially from a substrate side, and obtaining low contact resistance even if the Al alloy film is directly connected to the oxide semiconductor layer by omitting a high melting point metal such as Ti or Mo.例文帳に追加

基板側から順に、Ａｌ合金膜と、当該Ａｌ合金膜と直接接続する薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を有し、ＴｉやＭｏなどの高融点金属を省略してＡｌ合金膜を酸化物半導体層と直接接続しても低コンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ａｌ合金膜を有する配線構造を提供する。 - 特許庁

To achieve an optical transmission line holding member which inexpensively allows a direct optical coupling between an optical element and an optical fiber, inexpensively allows a direct optical coupling between an optical semiconductor element and an optical transmission line such as an optical fiber, stably and easily achieves three-dimensional electric wiring between an optical element mounting surface and a packaging surface, and allows a parallel arrangement of an optical fiber and a packaging substrate.例文帳に追加

光素子と光ファイバを安価に直接光結合させることが可能で、光半導体素子と光ファイバ等の光伝送路とを安価に直接光結合させることが可能で、光素子搭載面と実装面との３次元的な電気配線を安定して、かつ、容易に実現し、光ファイバと実装基板が平行に配置可能な光伝送路保持部材を実現する。 - 特許庁

The water repellent area 45 consists of a first water repellent area 46 preventing formation of the adhesive layer 40 outside an outer circumferential edge area 90s where the translucent cover 90 and end edges 20e, 20f, 20g, 20h of the translucent substrate 20 overlap, and a second water repellent area 47 preventing formation of the adhesive layer 40 inside the area where a flexible wiring board 35 is connected.例文帳に追加

撥水領域４５は、透光性カバー９０と透光性基板２０の端縁２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈとが重なる外周縁領域９０ｓより外側への接着剤層４０の形成を阻止する第１撥水領域４６、およびフレキシブル配線基板３５が接続されている領域の内側への接着剤層４０の形成を阻止する第２撥水領域４７である。 - 特許庁

To provide a wiring board, highly reliable and reduced in luminous flux decreasing rate while being capable of coping with long life as a substrate for mounting a light emitting element, for which the long life of the light emitting device, in which the emitting of light of especially white series is required, when the light emitting element capable of emitting highly luminous light with large current is mounted, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

大電流高輝度発光が可能な発光素子を搭載する場合において、特に白色系の発光が要求される発光装置の長寿命化、輝度安定化が要求される発光素子を搭載する基板として、高信頼性で光束低下率の少ない長寿命化対応できる配線板とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Provided is a light emitting element module-substrate which has: a laminate 10 that includes a base metal board 11 and insulating layer 12 provided on the base metal board; and a metal layer 20 which is a metal layer provided on the insulating layer, and has a packaging section 25 where a light emitting element 50 is packaged, and a bonding section 26 where the wiring is bonded that is electrically connected to the light emitting element.例文帳に追加

ベース金属板１１と、ベース金属板の上に設けられた絶縁層１２と、を含む積層板１０と、絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子５０が実装される実装部２５と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部２６と、を有する金属層２０と、を備えた発光素子モジュール基板が提供される。 - 特許庁

This semiconductor device has: a conductive pad which is a bit line landing pad formed in a non-cell region of a semiconductor substrate; a conductive pattern which is formed on the periphery of the top face of the conductive pad and includes an opening that partially exposes the conductive pad; and a conductive contact which fills the opening and connects the conductive pad to upper wiring.例文帳に追加

前記半導体装置は、半導体基板の非セル領域に形成されたビットラインランディングパッドである導電性パッド、前記導電性パッドの上面の周辺部上に形成され、前記導電性パッドを部分的に露出させる開口を含む導電性パターン、そして前記開口を埋め立て、前記導電性パッドを上部配線と連結する導電性コンタクトを含む。 - 特許庁

The method of forming the via includes a step of applying conductive ink on a desired position on a surface of a wiring pattern 12 provided on a substrate 11 by a non-contact printing method such as an ink jet or dispenser method, thereby forming the via 13 having a protrusion 13a around its periphery to obtain a cross section including the periphery protruding more than the center.例文帳に追加

基板１１上に設けられた配線パターン１２の表面の所望の箇所に、インクジェット法またはディスペンサー法等の非接触方式の印刷方法により、導電性インクを塗布することで、中央部よりも周縁部が突出した断面形状となるように、周縁部に突出部１３aを有するヴィア１３を形成するヴィアの形成方法である。 - 特許庁

To provide copper foil with a carrier used for manufacturing a multilayer laminate plate of one or two or more layers used for a printed wiring board or an ultra-thin coreless substrate which can achieve cost reduction by the simplification of a printed board manufacturing step and an yield rise by using resin as a support and disposing easily peelable copper foil on the one surface or both front and rear surfaces.例文帳に追加

プリント配線板に使用される片面若しくは２層以上の多層積層板又は極薄のコアレス基板の製造の際に用いられるキャリヤー付銅箔に関し、樹脂を支持体とし、その片面または表裏両面に、易剥離性銅箔を配置することを特徴とし、プリント基板製造工程の簡素化及び歩留りアップによるコスト削減を実現することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor chip mounting substrate 1 includes a semiconductor chip mount 2 for mounting a semiconductor chip 3 on its upper surface, a plurality of upper surface connection terminals 5 provided on the periphery of the upper surface of the semiconductor chip mount, and lower surface connection terminals 4 connected to the upper surface connection terminals via wiring 17 in through-holes 16 and provided on the lower surface thereof.例文帳に追加

上面に半導体チップ３が搭載される半導体チップ搭載部２と、この半導体チップ搭載部周囲の上面に設けられた複数個の上面接続端子５と、この上面接続端子にスルーホール１６内の配線１７を介して接続され、かつ、下面に設けられた下面接続端子４とを有して、半導体チップ搭載基板１が構成される。 - 特許庁

The relay member 4 is arranged between the first and second semiconductor elements 2 and 6, the entire surface of a main surface of the relay member 4 is made of a conductor, and a bonding wire 7 connects the relay member 4 to the second semiconductor element 6, and connects the relay substrate 4 to the first semiconductor element 2 or the wiring board 1 or the lead frame 22.例文帳に追加

前記中継部材４は、前記第１の半導体素子２及び第２の半導体素子６の間に配設され、前記中継部材４の主面の全面が導体物からなり、前記中継部材４と前記第２の半導体素子６、及び前記中継基板４と前記第１の半導体素子２又は前記配線基板１又は前記リードフレーム２２とが、ボンディングワイヤ７により接続される。 - 特許庁

Further, an insulation film for electrode 100 having insulation property covering part of the electrode terminal part 80 located between the sealing member 70 and the wiring member 90 is formed to the one side of a substrate 10, and part of the insulation adhesive 72 and part of the conductive adhesive 92 are arranged so as to overlap with the insulation film for electrode 100.例文帳に追加

さらに、基板１０の一面上には、電極端子部８０のうち封止部材７０と配線部材９０との間に位置する部位を被覆する電気絶縁性の端子用絶縁膜１００が成膜されており、電気絶縁性接着材７２の一部および導電性接着剤９２の一部が端子用絶縁膜１００の上に重なって配置されている。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises a step wherein through holes are formed in an interlaminar insulating layer (silicon oxide layer, BPSG layer) formed on a semiconductor substrate 11 including elements, a step wherein a barrier layer is formed on the surface of the interlaminar insulating layer and the through holes, and a step wherein a wiring layer is formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、素子を含む半導体基板１１の上に形成された層間絶縁層（シリコン酸化層，ＢＰＳＧ層）にスルーホールを形成する工程と、層間絶縁層およびスルーホールの表面にバリア層を形成する工程と、バリア層の上に配線層を形成する工程とを含み、バリア層を形成する工程は、以下の工程（ａ）〜（ｄ）を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive electrode film of a transparent electrode of a transparent organic electroluminescent element formed by laminating a transparent electrode supported on a transparent substrate, an organic thin film containing organic light emitting film, an electron injective protection film, and a transparent electrode in the above sequence, wherein reduction of wiring resistance and high transmissivity of visible light are realized.例文帳に追加

透明基板に支持された透明電極、有機発光膜を含む有機薄膜と、電子注入性保護膜、透明電極とその順で成膜を行う透明有機電界発光素子の透明電極の透明導電膜の形成方法において、配線抵抗の低抵抗化、高い可視光透過性を実現する透明電極成膜技術の確立が重要な課題となる。 - 特許庁

A circuit board 4 is constituted in such a way that inner wiring patterns 2 are formed on both surfaces of a core substrate 1 and power supply/ ground layers 5 are respectively formed on the patterns 2 through insulating resin layers 3, and electronic parts 7 can be mounted on the patterns 2 exposed in recessed sections 6 formed, when the insulating resin layers 3 are removed through dry etching.例文帳に追加

コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 - 特許庁

A semiconductor film 40 formed under a plurality of signal wirings 12 formed on a TFT array substrate 10 is provided with identification display by a slit 92 or a notch 94, so that, even when numbers or the like for identification are not assigned in the signal wirings 12, a predetermined signal wiring 12 to be checked with a probe can be quickly and accurately identified.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数の信号配線１２の下に形成された半導体膜４０に、スリット９２や、切り欠き部９４による識別表示を設けることによって、信号配線１２にその識別のためのナンバー等が付されていなくとも、プロービングによりチェックすべき所定の信号配線１２を迅速かつ確実に識別可能とした。 - 特許庁

The manufacturing method of a mounting substrate 30 for mounting a semiconductor component 31 has a process of applying selectively a liquid substance in a predetermined pattern onto a base material 20 having a thick-film resistor and a wiring pattern, and has a process of solidifying the applied substance to form on the base material 20 a protrusion 21A for supporting the bottom surface of the semiconductor component 31.例文帳に追加

半導体部品３１を実装するための実装基板３０の製造方法は、厚膜抵抗器と配線パターンを有する基材２０上に液状物質を所定パターンに選択的に塗布する工程と、塗布された物質を固化させることで半導体部品３１の底面を支持するための突起２１Ａを基材２０上に形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a white photosensitive resin composition which has photosensitivity allowing microfabrication and provides a cured film excellent in reflectivity, flexibility, and nonflammability having only small warpage of a substrate after curing and only small reflectivity/hue change after high-temperature thermal history or photoirradiation, as well as to provide a resin film, an insulator film, a printed wiring board including the insulator film.例文帳に追加

本発明の課題は、感光性を有するため微細加工が可能であり得られる硬化膜が反射率に優れ、柔軟性に富み、難燃性に優れ、硬化後の基板の反りが小さく、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ない白色感光性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁膜、絶縁膜付きプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a white photosensitive resin composition which has photosensitivity allowing microfabrication and provides a cured film excellent in reflectivity, flexibility, and nonflammability having only small warpage of a substrate after curing and only small reflectivity/hue change after high-temperature thermal history or photoirradiation, as well as to provide a resin film, an insulator film, a printed wiring board including the insulator film.例文帳に追加

本発明の課題は、感光性を有するため微細加工が可能であり、得られる硬化膜が反射率に優れ、柔軟性に富み、難燃性に優れ、硬化後の基板の反りが小さく、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ない白色感光性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁膜、絶縁膜付きプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

To improve the reliability of products by forming a conductive layer correctly without increasing man-hours or raising cost of material and without giving damage to the conductive layer for forming a wiring pattern, in the manufacturing method of the substrate for printed circuit board wherein a conductive layer for solder connection is formed in the hole after forming holes for forming external connection terminals on an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層に外部接続端子形成用のホールを形成してから、そのホール内に半田接続用の導電層を形成するプリント配線板用基材の製造方法において、工数を増やしたり材料費を高くしたりすることなく、配線パターン形成用の導体層にダメージを与えずに導電層を正確に形成して製品の信頼性を向上する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process (a) forming an insulating film 102 forming the wiring trenches 103, a process (b) successively forming a conductive barrier film 104 and a seed film 105 on the insulating film 102 and a process (c) forming an electroplating film 106 on the seed film 105 by an electroplating method on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、配線溝１０３が設けられた絶縁膜１０２を形成する工程（ａ）と、絶縁膜１０２上に導電性バリア膜１０４およびシード膜１０５を順次形成する工程（ｂ）と、シード膜１０５上に電解めっき法により電解めっき膜１０６を形成する工程（ｃ）とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulation film 2 formed on a silicon substrate 1, gas/liquid separation films 3 and 5 made of an SiOC film through which liquid hardly passes but gas passes easily, formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially, and a wiring layer 7 formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成され、液体を透過しにくいとともに、気体を透過しやすいＳｉＯＣ膜からなる気液分離膜３および５と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成された配線層７とを備えている。 - 特許庁

The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20.例文帳に追加

シリコン基板１８上のＢＰＳＧ膜２０に開けられた目合わせ用ホール１２の上端エッジと、目合わせ用ホール１２に埋設されたタングステンプラグ１４表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜１５の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール１２の深さを、ＢＰＳＧ膜２０の膜厚より深く形成した。 - 特許庁

The printed wiring board manufacturing method comprises a step wherein an aperture is provided by removing the upper conductor layer in a substrate having at least two conductor layers on its surfaces; and a step wherein the aperture is irradiated with a laser beam which is larger in diameter than the aperture and defocused but homogeneous in energy density, for the removal of the insulating layer for the exposure of the lower conductor layer.例文帳に追加

少なくとも表裏２層以上の導体層を備えた基板の上層の導体層を除去して開口部を形成する工程と、前記開口部に当該開口部より大きい径かつデフォーカスされてエネルギー密度が均一のレーザビームを照射して、下層の導体層までの絶縁層を除去する工程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

The transmission line used for an MEMS structure includes a dielectric substrate 21 with a first main surface F1 as well as a second main surface F2 opposed to each other and with a first recess Ca1 formed at the first main surface F1, and a signal wiring 10 arranged on the first main surface F1 and inside the first recess Ca1 for transmitting high frequencies.例文帳に追加

ＭＥＭＳ構造体に用いられる伝送線路であって、伝送線路は、対向する第１の主表面Ｆ１及び第２の主表面Ｆ２を有し、且つ第１の主表面Ｆ１に第１の凹みＣａ１が形成された誘電体基板２１と、第１の主表面Ｆ１上及び第１の凹みＣａ１の内部に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線１０とを備える。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for a semiconductor device includes a machining means for forming a recess 10 on a wiring electrode 2 of a circuit mounting substrate 1 for subjecting a semiconductor element to flip mounting, and includes an applying means for applying a conductive bonding agent to the recess.例文帳に追加

半導体装置の製造装置であって、半導体素子をフリップ実装する回路実装基板１の配線電極２上に凹部１０を形成する加工手段と、前記凹部に導電性接着剤を塗布する塗布手段を含むことにより、回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる。 - 特許庁

A plurality of micro inductors 2 which are thin enough to be able to be mounted on a semiconductor wafer or a chip, are simple films having a structure for adjusting an inductance amount in a heat-resistant insulating substrate 1 or are of the same inductance or of different inductance amounts and wiring electrode sections 4 for conducting a required electrical connection with the semiconductor are formed.例文帳に追加

本発明は課題の解決のために半導体ウエハーまたはチップ上に搭載が許されるほどに薄い、耐熱性絶縁基板１にインダクタンス量調整用の構造３を持った膜状の単一の、もしくは同じかあるいは異なるインダクタンス量の複数個の微小インダクター２と半導体と必要な電気的結線をするための配線用電極部４を形成するものである。 - 特許庁

The relay element 14 has a plane triangle shape or a plane trapezoid shape and has: a first relay electrode 21 that is connected to a second electrode 23 via a first wire 41; a second relay electrode 22 electrically connected to the substrate electrode 24; and an internal wiring 31 for electrically connecting the first relay electrode 21 and the second relay electrode 22.例文帳に追加

中継素子１４は、平面三角形状又は平面台形状であり、第２の電極２３と第１のワイヤ４１を介して電気的に接続された第１の中継電極２１と、基板電極２４と電気的に接続された第２の中継電極２２と、第１の中継電極２１と第２の中継電極２２とを電気的に接続する内部配線３１とを有している。 - 特許庁

In each digital amplifier 8, based on the PCM digitized voice signal given from the voicing control substrate, the analog voice signal for actuating the front speakers FLS and FRS and the rear speaker RS is formed and this formed analog voice signal is given to the front speakers FLS and FRS and the rear speaker RS through a speaker wiring SC.例文帳に追加

そして、各デジタルアンプ８において、音声制御基板から与えられるＰＣＭデジタル音声信号に基づいて、フロントスピーカＦＬＳ，ＦＲＳおよびリアスピーカＲＳを駆動するためのアナログ音声信号が生成され、この生成されたアナログ音声信号が、スピーカ配線ＳＣを通してフロントスピーカＦＬＳ，ＦＲＳおよびリアスピーカＲＳに与えられるようになっている。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer under a second interlayer insulation film 11 under a shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer on a third interlayer insulation film 13 on the shading film through an opening provided in the shading film 12, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

The ceramic package substrate 100 includes a ceramic base 10, a laminated ceramic frame 20 formed by laminating and burning a plurality of ceramic green sheets and arranged in a frame shape on an upper surface of the ceramic base, and metal wiring 30 extending between different layers of the laminated ceramic frame 20 to link the inside and outside of the laminated ceramic frame 20 to each other.例文帳に追加

セラミックベース１０と、複数のセラミックグリーンシートを積層焼成して形成され、前記セラミックベースの上面に枠状に配置される積層セラミック枠体２０と、前記金属配線３０は、前記積層セラミック枠体２０の異なる層間を経由して、前記積層セラミック枠体２０の内側と外側を連通してなる金属配線３０と、を備えたセラミックパッケージ基板１００とした。 - 特許庁

Ink for printing which contains carbon molecules such as carbon nanotubes and fullerenes is applied on the front surface of a metal conductor 601 arranged along a wiring path on an insulation substrate 301, and then is dried to arrange the carbon molecules on the front surface of the metal conductor 601 to transmit a high-frequency current by capacity coupling among the carbon molecules caused by a well-known skin effect.例文帳に追加

絶縁基板３０１上の配線経路に沿って配置した金属導体６０１の表面にカーボンナノチューブやフェラーレン等のカーボン分子を含む印刷用インクを塗布して乾燥させ、カーボン分子を金属導体６０１の表面に配置し、高周波電流を周知の表皮効果によってカーボン分子間に発生する容量結合を介して伝達させる。 - 特許庁

Functional chips 106a and 106b having one or more bare chip IC's 108 on ceramic substrates 107 are mounted on a modular board 101, obtained by bonding together a multilayer glass epoxy substrate 103 having a metal layer 104 as circuit wiring and through holes 110 and a metal plate 102 so that the bare chip ICs 108 facing the through holes 110.例文帳に追加

セラミック基板１０７に少なくとも１つ以上のベアチップＩＣ１０８を有する機能チップ１０６ａ、１０６ｂを実装し、これを回路配線としての金属層１０４及び貫通穴１１０を有する多層ガラスエポキシ基板１０３と金属板１０２とを張り合わせたモジュール基板１０１に、ベアチップＩＣ１０８が貫通穴１１０と面するように実装する。 - 特許庁

To provide a switching power supply which utilizes efficiently a clearance between an electronic component and a housing and other useless spaces, to dispense with the need for considering an area portion of a substrate or a height dimension portion occupied by conventional electrolytic capacitor, thereby enabling to achieve miniaturization and low-profiling of a printed wiring board, with the result that miniaturization and low-profiling as the switching power supply can be fulfilled.例文帳に追加

電子部品と筐体との隙間等の無駄な空間スペースを効率的に使用し、従来の電解コンデンサが占有していた基板面積分、あるいは、高さ寸法分を殆ど考慮する必要がなくなり、プリント配線基板の小型化・薄型化を図ることができ、結果としてスイッチング電源として小型化・薄型化を図ることができるスイッチング電源を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal panel substrate is provided with a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer and the pixel electrode composed of a third metal layer across a 2nd interlayer insulating film 11 under the shading film and a third interlayer insulating film 13 over the shading first metal layer through an opening 12a provided in the shading film 12.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

In this multilayer printed-wiring board where the interlayer resin insulating layer and a conductor circuit are successively formed on a substrate where an electronic component is incorporated or accommodated, and the electronic component and conductor circuit, and upper and lower conductor circuits are connected via a via hole, the interlayer resin insulating layer is made of a resin complex containing a thermoplastic resin and a thermosetting resin.例文帳に追加

電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上記層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体からなる多層プリント配線板。 - 特許庁

After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁