「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(184ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrooptic apparatus such as a liquid crystal device has an aperture area for each pixel in a picture display area and, on its substrate, a plurality of interlayer insulation layers for interlayer insulating at least one of the wiring and electronic element for driving a plurality of pixel electrodes provided in accordance with the aperture area are provided.例文帳に追加

電気光学装置は、画像表示領域内に画素毎に開口領域を有しており、基板上に、該開口領域に対応して設けられた複数の画素電極を駆動するための配線及び電子素子のうち少なくとも一つを層間絶縁する複数の層間絶縁層を備えている。 - 特許庁

A bonding terminal part to be connected with a driver IC chip 32 for scanning is arranged in the short side part of a wiring bonding region 25A of a second substrate 25 in a liquid crystal display panel 21.例文帳に追加

液晶表示パネル２１における第２の基板２５の配線接合領域２５Ａの短辺部に、走査用ドライバＩＣチップ３２に接続する接合端子部を配置し、この接続端子部と、第１の基板２４の配線接合領域２４Ａの長辺部に配置した接続端子部とを、１つのフレキシブルプリント配線基板２２で同方向から接合させる。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

In an optical fingerprint reading apparatus that reads a fingerprint image, by irradiating a finger with light from a lighting means and receiving scattered light 12 from inside the finger with a solid-state imaging device 1a, a solid-state imaging device substrate 1 on which the solid-state imaging device 1a is provided and the lighting means are juxtaposed on a wiring board 3.例文帳に追加

照明手段からの光を指に照射し、指内部からの散乱光１２を固体撮像素子１ａで受光して指の指紋画像を読み取る光学式指紋読み取り装置において、固体撮像素子１ａが配置される固体撮像素子基板１及び照明手段は、配線基板３上に並置されている。 - 特許庁

In an IC packaging region 70 of a substrate 20 constituting liquid crystal equipment, first terminals 91A, 91B, 91C are divided into a plurality of terminals 911A, 912A, 913A, 914A, etc. by a slit 96 consisting of a non-forming part of ITO film which constitutes a wiring pattern 9 and first terminals 91.例文帳に追加

液晶装置を構成する基板２０のＩＣ実装領域７０では、配線パターン９および第１の端子９１を構成するＩＴＯ膜の非形成部分からなるスリット９６によって第１の端子９１Ａ、９１Ｂ、９１Ｃが複数の端子９１１Ａ、９１２Ａ、９１３Ａ、９１４Ａ等に分割されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the resistance element for incorporating components, the resistance element arranged at a wiring board incorporated inside the substrate or on the outermost layer is irradiated with laser beams having output for preventing the resistance element from being damaged by using a laser trimming apparatus, and then the resistance element is trimmed by laser beams whose output has been increased.例文帳に追加

基板内部あるいは最外層に内蔵する配線基板に配置する抵抗素子を、レーザートリミング装置を用い、前記抵抗素子がダメージを受けない出力のレーザービームを抵抗素子に照射した後、出力を上昇させたレーザービームにより抵抗素子をトリミングすることにより解決できた。 - 特許庁

After connecting with the anisotropic conductive materials 13, state of conductive connection between each metal bump 12a of the semiconductor elements 12 and the wiring conductors 4 is confirmed by observing collapsed state of electroconductive particles 13b of the anisotropic conductive materials 13 through its window portion from exterior of the substrate 1.例文帳に追加

異方性導電材１３による接続後は、基板１の外から窓抜きパタン１５の窓抜き部分を通して異方性導電材１３の導電粒子１３ｂのつぶれ具合を観察して半導体素子１２の各金属バンプ１２ａと配線導体４との間の導通接続状態を確認する。 - 特許庁

A common anode lead electrode 9 and cathode lead electrodes 6, 7, 8 are formed in the third layer of the multilayered substrate, and the anode and respective cathodes of the first layer are electrically connected to the anode lead electrode and cathode lead electrodes of the third layer through the wiring part 5 of the second layer and through holes formed in each layer.例文帳に追加

多層基板の第3層に共通陽極取り出し電極９、陰極取り出し電極６，７，８を形成し、第１層の陽極および各陰極と第3層の陽極取り出し電極および陰極取り出し電極とを第2層の配線部５および各層に設けた貫通孔を介して電気的に接続する。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor, after forming a metal interconnection layer 100 on a substrate 10, and after flattening the surface of the layer 100, an insulative stopper film 16 superior to etching resistance is formed on the surface of the layer 100, and sequentially a new metal wiring layer 200 is formed on the film 16.例文帳に追加

基板１０上に金属配線層１００を形成した後、その金属配線層１００表面を平坦化した後、その金属配線層１００表面に耐エッチング性に優れた絶縁性のストッパー膜１６を成膜してからそのストッパー膜１６上に新たな金属配線層２００を順次形成する。 - 特許庁

To provide a method for grinding/stripping parts laminated on substrate surfaces of Si substrates or glass substrates by a grinding means of grit blasting, then sorting and recovering various stripped materials and grit, and recycling the Si substrates, glass substrates, wiring metallic materials and grit.例文帳に追加

Ｓｉ基板やガラス基板といった基板表面に積層されている部分をグリット投射による研掃手段によって研掃・剥離した後、剥離した各種材料およびグリットを分別・回収するとともに、Ｓｉ基板やガラス基板、配線用金属材料等ならびにグリットを再使用可能とする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-organic solvent type resist stripper composition with which resist residue produced during wiring in the manufacturing processes of a device circuit or the like for a semiconductor or a liquid crystal can be removed with high performance as well as corrosion of a metal thin film such as aluminum wires on a substrate can be favorably prevented.例文帳に追加

半導体又は液晶用の素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去することができるとともに、基板上のアルミニウム配線等の金属薄膜の腐食を良好に防止できる非有機溶剤型レジスト剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 with an electrode 14 formed thereon, a resin layer 20 formed to avoid the electrode 14, a land 32 provided on the resin layer 20, wiring 34 electrically connecting the electrode 14 and the land 32, and an external terminal 40 bonded to the land 32.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４が形成されてなる半導体基板１０と、電極１４を避けるように形成されてなる樹脂層２０と、樹脂層２０上に設けられたランド３２と、電極１４とランド３２とを電気的に接続する配線３４と、ランド３２に接合された外部端子４０とを有する。 - 特許庁

A good copper wiring film having a specific resistance of 1.8 μΩ×cm can be formed by evaporating this solution with an evaporator at 200°C, then introducing the vapor and gaseous hydrogen into a CVD chamber equipped with a RF induction coil, and depositing on an SiO_2/Si substrate heated to 170°C under a reaction pressure of 2 Torr.例文帳に追加

この溶液を２００℃の蒸発器で蒸発させ、反応圧力２Ｔｏｒｒ、１７０℃に加熱されたＳｉＯ_２／Ｓｉ基板上に、Ｈ_２ガスと共にＲＦ誘導コイルを設置したＣＶＤ室に導入して、堆積させると、比抵抗率１．８μΩ・ｃｍの良好な銅配線膜が形成できる。 - 特許庁

In the packaging apparatus, a non-conductive adhesive film 300 having a minimum melt viscosity of not higher than 1.0×10^3 Pa s is placed on a wiring board 100 placed on a substrate 11, and an IC chip 200 having a thickness of not larger than 200 μm is placed on the non-conductive adhesive film 300.例文帳に追加

実装装置においては、基台１１の上に載置された配線基板１００の上に、最低溶融粘度が１．０×１０^３Ｐａ・ｓ以下の非導電性接着フィルム３００を載置するとともに当該非導電性接着フィルム３００の上に厚みが２００μｍ以下のＩＣチップ２００を載置する。 - 特許庁

The copper foil for the printed wiring board is set to be used while stuck on a surface of the insulating substrate 4, and a flattening copper plating layer 2 which gives a kurtosis Rku of ≤4 and a skewness Rsk of ≤0 to a roughness curve, defined by JIS B0601-2001, of a surface set to be stuck on the insulating substrate 4 is provided on an original foil 1.例文帳に追加

絶縁性基板４の表面に対して張り合わされて用いられるように設定されたプリント配線板用銅箔であって、前記絶縁性基板４に対して張り合わされるように設定された面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のクルトシスＲｋｕを４以下にすると共にＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のスキューネスＲｓｋを０以下にする平坦化銅めっき層２を、原箔１上に設ける。 - 特許庁

The probe card includes: a thin film substrate 3 having a plurality of bump electrodes 3a provided on a first surface facing a wafer 4 at positions facing respective pad electrodes 4a and a non-contact pattern 3b electrically connected with the pad electrodes by capacitive coupling or inductive coupling; and a wiring board 2 arranged on the opposite side of the thin film substrate and provided with a plurality of electrodes 21a on positions facing bump back electrodes.例文帳に追加

ウェーハ４と対向する第１の面上で、且つ各パッド電極４ａと対向する位置に設けられた複数のバンプ電極３ａ及び容量性結合又は誘導性結合によりパッド電極と電気的に接続される非接触パターン３ｂを有する薄膜基板３と、薄膜基板の反対側に配置され、バンプ裏面電極と対向する位置に設けられた複数の電極２１ａを有する配線基板２とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having electrodes 12, resin protrusions 20 formed on a surface 15 whereon the electrodes 12 of the semiconductor substrate 10 are formed, and wiring 30 connected electrically with the electrodes 12 each of which comprises an electrically connective portion 32 disposed on each resin protrusion 20 and a first metal layer 34 and a second metal layer 36 so formed as to cover the first metal layer 34.例文帳に追加

半導体装置は、電極１２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０における電極１２が形成された面１５に形成された樹脂突起２０と、樹脂突起２０上に配置された電気的接続部３２を有し、第１の金属層３４と、第１の金属層３４を覆うように形成された第２の金属層３６とを有する、電極１２と電気的に接続された配線３０と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。 - 特許庁

The organic EL display device includes a drive part; the display panel including a substrate, a first and second electrode formed on the substrate, and a first and second electrode line in which at least two kinds of electrode lines of different lengths are aligned alternately, with signals applied to the first and second electrode from the drive part; and a connection including wiring for electrically connecting the drive part to the first and second electrode line.例文帳に追加

駆動部と；基板と、基板上に形成される第１電極及び第２電極と、第１電極及び第２電極のそれぞれに駆動部からの信号を印加し、長さの異なる少なくとも２つの種類の電極ラインが交互に配列される第１電極ライン及び第２電極ラインとを含んで構成されるディスプレイパネルと；駆動部と、第１電極ライン及び第２電極ラインとを電気的に連結するための配線を含む連結部とを含む。 - 特許庁

The capacitive touch panel has a structure where at least a transparent conductive film and a dielectric layer are laminated onto a transparent substrate, and a member for position detection comprising at least a wiring portion for position detection and electrodes for position detection is arranged at a substrate frame portion, where the transparent conductive film is composed of oxide having indium oxide as a main component and containing gallium and tin.例文帳に追加

透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなることを特徴とする静電容量式タッチパネルなどによって提供。 - 特許庁

In the buildup wiring board comprising a core substrate 11 having a via 12 formed in the insulating layer and filled with conductive paste 13 for interlayer connection, and a buildup layer 14 formed at least on one side of the core substrate 11 and having a via 15 for interlayer connection, the diameter at the bottom of the via 15 formed in the buildup layer 14 is made substantially uniform.例文帳に追加

絶縁層にビア１２が形成されこれらのビア１２内に層間接続するための導電性ペースト１３が充填されたコア基板１１と、このコア基板１１の少なくとも一方の面に形成され層間接続するためのビア１５が形成されたビルドアップ層１４とを有するビルドアップ配線板であって、前記ビルドアップ層１４に形成されたビア１５の底部の直径が、各々がほぼ均一に形成されたことを特徴とするビルドアップ配線板である。 - 特許庁

In this case, the method also includes a step to apply plasma dry etching surface treatment to the exposed polyimide surface of the film substrate 1 made of polyimide resin that is not covered with the wiring pattern 6 after the wiring pattern 6 is formed.例文帳に追加

ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１上にシード層２を形成してなる基板の表面に配線パターン６を形成する工程と、前記配線パターン６の表面にめっき層７を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターン６を形成した後、当該配線パターン６で覆われておらず露出している部分の前記ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１のポリイミド表面にプラズマドライエッチング表面処理を施す工程を含んでいる。 - 特許庁

To provide a wiring board, on which electronic parts can be mounted at a high density and wires can be laid at high density by directly mounting a semiconductor chip on the board and high connection reliability can be maintained between conductor wiring and an insulating substrate, and a method for manufacturing the board.例文帳に追加

高密度に集積された半導体チップ等の電子部品を高密度に実装するための配線基板において、配線パターンの微細化に伴う配線導体幅の減少が配線導体と絶縁基板との接着強度の低下を招き、配線基板とベアチップの熱膨張係数の差異等によってベアチップを接合した配線導体が絶縁基板から剥離してしまうという課題を解決し、絶縁基板に対して強固な接着性を有する配線導体を備えた配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of correcting a black defect generated in a transparent conductive electrode or a transparent conductive wiring pattern comprising the transparent conductive film deposited on a surface of a transparent substrate or a color filter formed in the transparent substrate, includes applying a high voltage between a discharge electrode and the transparent conductive film disposed in the vicinity of the black defect, applying a spark discharge to the black defect, and then removing the black defect by cleaning.例文帳に追加

透明基材または透明基材に形成されたカラーフィルタの表面に成膜された透明導電膜からなる透明導電性電極または透明導電性配線パターンに存在する黒欠陥の修正方法であって、黒欠陥の近傍に配置した放電電極と透明導電膜の間に高電圧を印加し、黒欠陥部に火花放電を当て、その後の洗浄によって黒欠陥を除去することを特徴とする黒欠陥修正方法。 - 特許庁

A multilayer wiring board comprises a core substrate 5 which comprises an insulating base material 2, through conductors 3 extended through the insulation base material 2, and connection lands extended from the through conductor 3 up to the surface of the insulating base material 2; and a multilayer interconnection section which is formed of a plurality of insulation layers 7 and interconnection conductor layers 8 stacked on the surface of the core substrate 5.例文帳に追加

絶縁基体２に、絶縁基体２を貫通する貫通導体３および絶縁基体２の表面に貫通導体３から延設された接続ランド４を具備するコア基板５と、コア基板５の表面に積層された複数の絶縁層７および複数の配線導体層８から成る多層配線部とを有し、接続ランド４とこれに対向する配線導体層８との間の絶縁層７ａの比誘電率が他の絶縁層７の比誘電率より小さい多層配線基板とする。 - 特許庁

This electronic device module socket is equipped with a supporting frame 16 architecturally constituted so as to accept the electronic device module; a support 18 fitted to the electronic module device 14 and holding the electronic device module in the specified position; and an electric connector architecturally constituted so as to connect a plurality of slender conductors of a flexible circuit substrate to a plurality of corresponding conductors of a mutual wiring substrate.例文帳に追加

電子デバイスモジュール１４を受容するように構築及び構成された支持フレーム１６と、前記電子デバイスモジュール１４に嵌合し、これにより前記電子デバイスモジュールを所定の位置に保持するように構成された保持体１８と、フレキシブル回路基板の前記複数の細長い導電体を前記相互配線基板の複数の対応する導電体へと電気的に接続するように構築及び構成された電気コネクタ２２とを具備した電子デバイスモジュールソケット。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a plurality of semiconductor elements mounted on a wiring substrate are sealed with a molten resin, and deformation of a wire loop of a bonding wire due to a reflow of the molten resin is prevented and suppressed; and to provide a metal mold for resin sealing applied to the manufacturing method.例文帳に追加

配線基板に搭載された複数の半導体素子を溶融樹脂で封止する半導体装置の製造方法であって、溶融樹脂の還流に因りボンディングワイヤのワイヤループが変形することを防止・抑制することができる半導体装置の製造方法、及び当該製造方法に適用される樹脂封止用金型を提供する。 - 特許庁

Each prescribed circuit region provided to a board main body 9 is laid out around the fan-arranged region, and a part of a printed wiring 18 connecting a high pressure circuit region 13 and a high pressure output terminal region 12 out of each circuit region is formed along the part of the substrate main body 9 position between the opening parts 9a.例文帳に追加

基板本体９に設けられる所定の各回路領域は、ファン配設領域の周囲にレイアウトされ、各回路領域のうち高圧回路領域１３と高圧出力端子領域１２とを接続するプリント配線１８の一部が、開口部９ａと開口部９ａとの間に位置する基板本体９の部分に沿って形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is featured by the provision of a plurality of active elements formed on a semiconductor substrate, the first insulating film 32 formed on these active elements as well as wiring layers 27 having aperture parts on at least a part of perpendicular bisector between adjacent elements out of the plurality of active elements.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の能動素子と、この能動素子の上に形成された第１の絶縁膜３２と、この第１の絶縁膜３２の上に形成され、前記複数の能動素子のうち隣接する素子間の垂直二等分線の少なくとも一部の上に開口部を有する配線層２７とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion element for chemical mechanical polishing, which is suitably used for forming a circuit board with its resin substrate having a copper- or copper-alloy-containing wiring layer and which is sufficiently fast to polish copper or a copper alloy and excellent in terms of the planarization of the circuit board to be obtained.例文帳に追加

樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために好適に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、銅または銅合金を研磨する速度が十分に高く、かつ、得られる回路基板の平坦性が良好な化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

The unnecessary radiation generated from a baseband processing circuit part 5 mounted at a prescribed position on a substrate is detected by a coil part 7 comprised of wiring in the prescribed shape formed at a neighborhood position of the baseband processing circuit part 5 and a signal for canceling the unnecessary radiation detected by the coil part 7 is generated by a cancellation signal generation part 39.例文帳に追加

基板上所定位置に実装されたベースバンド処理回路部５から発生する不要輻射が、該ベースバンド処理回路部５の近傍位置に形成された所定形状の配線でなるコイル部７によって検知され、コイル部７で検知された不要輻射をキャンセルする信号が、キャンセル信号生成部３９によって生成される。 - 特許庁

The waterless lithographic printing plate original has at least a thermosensitive layer or a photosensitive layer and a silicone rubber layer on a substrate, wherein a center-line-average roughness Ra on the surface of the silicone rubber layer is 0.4 μm or less and is used for the formation of the display pattern and the formation of the wiring pattern.例文帳に追加

基板上に、少なくとも感熱層あるいは感光層とシリコーンゴム層とを有する水なし平版印刷版原版であって、該シリコーンゴム層表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が０．４μｍ以下であり、ディスプレイパターン形成用または配線パターン形成用であることを特徴とする水なし平版印刷版原版により達成される。 - 特許庁

In this optical waveguide device 100, an optical cable by a core 12 and a cladding 13 is extended on a film substrate 11, a photoelectric conversion element 15 which is optically coupled with the core 12 is provided and metal wiring 14 electrically connected to the photoelectric conversion element 15 is extended toward the end of the direction of an optical guide.例文帳に追加

光導波路デバイス１００は、コア部１２とクラッド部１３による光ケーブルがフィルム基板１１上に延在され、コア部１２と光学的に結合する光電変換素子１５が設けられ、かつこの光電変換素子１５に電気的に接続された金属配線１４が光ガイド方向終端に向けて延在されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

The method for forming fine circuit wiring comprises forming a first plating layer by plating including the metal diffusible into the copper (provided that alloy plating with the copper is precluded) and a second plating layer by copper plating on a substrate for electronic circuits which is provided with fine circuit patterns and is formed with a barrier layer and a seed layer at need.例文帳に追加

微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅の中に拡散可能な金属を含むめっき（但し、銅との合金めっきを除く）による第１めっき層と、銅めっきによる第２めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。 - 特許庁

An array substrate of this liquid crystal device has auxiliary capacitance lines 52, auxiliary capacitance electrodes 61 which are oppositely disposed on the under layer of the auxiliary capacitance lines via gate insulating films 62 and, thereby, form auxiliary capacitance and connecting wiring 80 which connect pixel TFTs 75, pixel electrodes 53 and the auxiliary capacitance electrodes with each other.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板は、補助容量線５２と、ゲート絶縁膜６２を介して補助容量線の下層に対向配置されることにより補助容量を形成する補助容量電極６１と、画素ＴＦＴ７５、画素電極５３、及び補助容量電極を互いに連結する連結配線８０とを有している。 - 特許庁

To provide a stripper composition excellent in removability of a photoresist residue while suppressing corrosion in a metal wiring material and an interlayer material in the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device including a step of bringing the stripper composition into contact with a substrate on which a photoresist residue is stuck.例文帳に追加

半導体素子の製造において、金属配線材料および層間材料の腐食が抑えられるとともに、フォトレジスト残渣の除去能力に優れた剥離液組成物を提供すること、および該剥離液組成物と、フォトレジスト残渣が付着した基板とを接触させる工程を含む半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the optical semiconductor device 1, where a photodiode 4 and a control semiconductor element 5 are mounted on a substrate 2 on which a wiring pattern 3 is formed and then sealed with a translucent resin package 6, the resin package 6 is provided with a part 10 of low moisture-absorbing resin between the photodiode 4 and the control semiconductor element 5.例文帳に追加

配線パターン３が形成された基板２にフォトダイオード４と制御用半導体素子５とが搭載され、透過性を有する樹脂パッケージ６により封止された光半導体装置１において、フォトダイオード４と制御用半導体素子５との間の樹脂パッケージ６に、低吸湿性の樹脂からなる低吸湿部１０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The coil unit 22 includes: a planar coil 30; a wiring printed substrate 40 having a planar coil housing part 40a for housing the planar coil 30; a protection sheet 50 provided on a transmission surface side of the planar coil 30 for protecting the planar coil 30; and a magnetic sheet 60 provided on a non-transmission surface side of the planar coil 30.例文帳に追加

コイルユニット２２は、平面状コイ３０ルと、平面状コイル３０を収容する平面状コイル収容部４０ａを含む配線印刷基板４０と、平面状コイル３０の伝送面側に設けられた、平面状コイル３０を保護するための保護シート５０と、平面状コイル３０の非伝送面側に設けられた磁性シート６０とを含む。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for forming a wiring protective film, where when an organic or inorganic viscous material is applied on the surface of a substrate, the organic or inorganic viscous material can be applied efficiently and continuously, and a thick coating film in a stable shape with reduced bleeding and bubbles can be obtained by a simple process and non- contact application.例文帳に追加

基材の表面に形成された突起状電極端子間に、有機又は無機の粘性材料を塗布する際に、有機又は無機の粘性材料の塗布効率が高く、連続塗布性に優れ、簡略なプロセスかつ非接触の塗布でブリードや気泡の少ない形状の安定した厚膜が得られる低コストな配線保護膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To reduce an electrode width and increase an electrode cross sectional aspect ratio for the purposes of expanding a light indent opening face and lowering electrode wiring resistance, a discharge passage is tilted in a coating direction relative to the cell substrate by using the coating head 5 whose nozzles are shaped like a long hole, whereby collision energy at discharge time is alleviated and a desired electrode pattern is obtained.例文帳に追加

光入射開口面の増加と電極配線抵抗の低減という目的から電極幅を低減し電極断面アスペクト比を増大させるため、長孔のノズル形状の塗布ヘッド５を用い吐出流路をセル基板に対して塗布方向に傾けることで、吐出時の衝突エネルギを緩和して所期の電極パターンが得られる。 - 特許庁

The TEG chip has metal wiring including at least one metal layer buried in an insulating film 13 formed on a semiconductor substrate 1, at least two pad electrode for electric characteristic evaluation formed on an upper surface of the insulating film 13, and at least one pad electrode 3 for bonding evaluation formed on the insulating film surface.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された絶縁膜１３に埋め込まれた少なくとも一層の金属層からなる金属配線と、絶縁膜１３表面に形成された少なくとも２つの電気特評価用パッド電極２と、絶縁膜表面上に形成された少なくとも１つのボンディング評価用パッド電極３とを具備している。 - 特許庁

The wiring portion includes at least one layer of a first conductive layer LIA, LIB disposed in the base substrate, at least one layer of a second conductive layer LIC, LID disposed in the spacer member, third conductive layers 214, 238 supported by the support member, and a plurality of plugs HLA-HLD connecting the first, second, and third conductive layers to the respective adjacent layers.例文帳に追加

配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 - 特許庁

On a flexible substrate 30 having a wiring pattern 21, a block 40 positioning optical fibers 2a and 2b at positioning grooves (first positioning parts) 41a and 41b and having a projection 42 (second positioning part) for positioning an optical component 50 for aligning the optical fibers 2a and 2b and a light emitting element, and the optical component 50 having an optical semiconductor element are mounted.例文帳に追加

配線パターン２１を有するフレキシブル基板２０には、光ファイバ２ａ，２ｂを位置決め溝（第１の位置決め部）４１ａ，４１ｂに位置決めし、光ファイバ２ａ，２ｂと発光素子との調芯のために光部品５０を位置決めする突起４２（第２の位置決め部）を有するブロック４０、及び光半導体素子を有する光部品５０が実装されている。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁