「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(185ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a movable performance device for a Pachinko game machine constituted so as to reduce the number of substrates indispensable up to now, the number of parts such as wiring for electric ornament operation of respective electric ornament operation elements, and the number of assembling steps, and so as to make a plurality of independent substrate sections easily movable in respective width directions of the same for enhancing performance effect.例文帳に追加

従来必須とされてきた基板点数、各電飾作動素子の電飾作動のための配線等の部品点数や組み立て作業工数を軽減し、さらに、演出効果を高めるべく複数の独立基板部をその各幅方向へ可動容易に構成するようにしたパチンコ遊技機のための可動演出装置を提供する。 - 特許庁

For a short spring 1, a guide plate 4 and upper and lower plates 3 and a receiving plate 6 to insert and engage a terminal portion of the flexible wiring substrate 10 into, side plates 3 to guide and position both right and left sides of the FPC, a plurality of short terminals 2 to contact with respective specific terminals of the FPC, are formed from one conductive plate spring.例文帳に追加

本実施の形態のショートばね１は、フレキシブル配線基板１０の端子部を挿入嵌合するための案内板４と上下板３と受板６、及びＦＰＣ左右両側を案内し位置決めする側板３、及びＦＰＣの特定の端子毎に接触する複数のショート端子２を１個の導電性板バネから形成する。 - 特許庁

A display device includes: an LED 3 to which one of two electrodes supplied with electric power is connected by a wire 7; and the wiring board 2 having a mounting pattern 221 mounted with the LED 3, and a first wire connection pattern 222x and a second wire connection pattern 222y to which wires are connected, formed on an insulating substrate 21.例文帳に追加

表示装置は、電源が供給される２つの電極のうち、一方の電極がワイヤ７で接続されたＬＥＤ３と、ＬＥＤ３が搭載された搭載パターン２２１とワイヤが接続された第１ワイヤ接続パターン２２２ｘおよび第２ワイヤ接続パターン２２２ｙとが絶縁性基板２１に形成された配線基板２とを備えている。 - 特許庁

When the drive waveform signal transmitted by the common wiring 63 connected to the two common signal input terminals 55 having the different numbers between the two drive ICs 47 is selected by the drive ICs 47, the control substrate 9 transmits the different waveform selection signals corresponding to the different numbers to the respective two drive ICs 47.例文帳に追加

さらに、２つの駆動ＩＣ４７の間で番号が異なる２つの共通信号入力端子５５に接続された共通配線６３によって送信される駆動波形信号を、駆動ＩＣ４７に選択させる際に、制御基板９は、２つの駆動ＩＣ４７のそれぞれに対して、前記異なる番号に対応した異なる波形選択信号を送信する。 - 特許庁

The circuit module includes a circuit board having at least a first surface and a second surface, an element chip mounted on the first surface, and a mounting terminal part formed on the second surface of the circuit board, the mounting terminal part being connected to a wiring pattern on the mounting substrate through solder.例文帳に追加

少なくとも第１の面と第２の面とを有する回路基板と、前記第１の面に搭載された素子チップと、前記回路基板の前記第２の面に形成された実装用端子部とを具備し、前記実装用端子部が半田を介して実装基板上の配線パターンと接続されるように構成された回路モジュールを構成する。 - 特許庁

On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like.例文帳に追加

大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。 - 特許庁

The multilayer printed circuit substrate includes at least two laminated wiring boards each having a characteristic change layer containing at least a photocatalyst and changing in characteristics by an operation of the photocatalyst and a conductive pattern formed along the pattern changed in the characteristics of the changing layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、前記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板を、少なくとも２層以上積層してなることを特徴とする多層配線基板を提供する。 - 特許庁

Among the electrodes, the common electrode 214 is connected to wiring 350 formed on the substrate 300 via conductive particles 114 mixed in the sealant 110.例文帳に追加

このうち、コモン電極２１４は、シール材１１０に混入された導電性粒子１１４を介して、基板３００に形成された配線３５０に接続されるが、この配線３５０は、セグメント電極３１４と同一の導電層からなる透明導電膜３５４と、それよりも低抵抗材料のクロム等からなる低抵抗導電膜３５２との積層膜か形成される。 - 特許庁

Generation of faulty insulation due to migration can be prevented by a method wherein the wiring substrate having annular patterns 3 consisting of a second metal having a migration sensibility lower than that of a first metal and surrounding the electrode pads 2 made of the metal 1 and being insulated electrically from the second metal is prepared.例文帳に追加

絶縁基体１の表面に第１の金属から成る電極パッド２を有するとともに、この電極パッド２を電気的に絶縁されて取り囲む、第１の金属よりもマイグレーション感受性の低い第２の金属から成るリング状パターン３を有する配線基板とすることによりマイグレーションによる絶縁不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

If a layer short 21 is detected in inspection of an array substrate 10, nearly U-shaped bypass wiring 5 for sandwiching a part 3a in the vicinity of the layer short 21 from both sides and mutually inking left and right signal line parts 3b, 3c is formed by the local deposition of a metal that uses laser CVD(chemical vapor deposition).例文帳に追加

アレイ基板１０の検査工程において層間ショート個所２１が検出されたならば、層間ショート個所２１近傍の部分３ａを両側から挟む、左右の信号線部分３ｂ，３ｃを互いに連結するための略コの字状のバイパス配線５を、レーザーＣＶＤを用いる局部的な金属の堆積により形成する。 - 特許庁

A second insulating film 104, a third insulating film 105 which is the inorganic film having an Si-H coupling and the low dielectric constant, and a fourth insulating film 106 are successively laminated on a laminate 100 having a first insulating film 102 formed on a semiconductor substrate 101 and lower-layer wiring 103 formed on the insulating film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２及び第１絶縁膜１０２上に形成された下層配線１０３を有する積層体１００上に順次第２絶縁膜１０４、Ｓｉ−Ｈ結合を有する無機低誘電率膜である第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６を積層する。 - 特許庁

The display device 10 comprises, on a first substrate 12, a semiconductor film constituting a thin film transistor 23, a pixel electrode 27, a terminal part 34 and a TEG 28 provided in a wiring non-forming area, and a manufacturing process management mark part 29 provided on the semiconductor film constituting the TEG 28 through at least one insulating layer.例文帳に追加

表示装置１０は、第１基板１２において、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に設けられたＴＥＧ２８を構成する半導体膜と、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部２９と、を備える。 - 特許庁

In a photoelectric converter, wherein a photoelectric conversion part, a switching element and by means of a pixel electrode and a wiring, a plurality of pixels are formed on a substrate and arrayed two-dimensionally, the photoelectric conversion part S is composed of a common electrode and a semiconductor layer, and the pixel electrodes 108 and 109 comprise a semiconductor layer and a layer forming a Schottky junction.例文帳に追加

基板上に光電変換部と、スイッチング素子と、画素電極と配線により複数個の画素を形成し、これを２次元に配列した光電変換装置において、前記光電変換部は共通電極と半導体層からなり、前記画素電極が前記半導体層とショットキー接合を形成する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquid object supply method, a device fabrication method, a wiring substrate production method, a color filter production method, and a method of manufacturing organic EL apparatus which are capable of suppressing wasteful production cost and decrease of production efficiency by quickly finding an error of a pipeline of a supply path and arrangement of liquid materials.例文帳に追加

本発明は、供給路の配管や液状材料の設置の間違いを早急に発見することで、無駄な生産費用の発生や、生産効率の低下を抑制することができる、液状体の供給方法、デバイスの製造方法、配線基板の製造方法、カラーフィルタの製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a black photosensitive resin composition which has excellent tack-free properties after drying of a coated film, enables microfabrication because of its photosensitivity, can obtain a cured film excellent in flexibility, fire retardancy and electrical insulation reliability, and has little warpage of a substrate after curing; a resin film; an insulator film; and a printed wiring board with an insulator film.例文帳に追加

本発明の課題は、塗膜乾燥後のタックフリー性に優れ、感光性を有するため微細加工が可能であり、得られる硬化膜が柔軟性、難燃性、電気絶縁信頼性に優れ、硬化後の基板の反りが小さい黒色感光性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁膜、絶縁膜付きプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for elaborately shaping a resist pattern after developed, removing a residue of the resist, forming a permanent pattern such as a wiring pattern with high definition and high efficiency, and achieving high resolution and high adhesiveness between a substrate and a photosensitive layer without causing chipping, peeling or swelling in a crosslinked portion (cured film) of the resist.例文帳に追加

現像後のレジストパターンの整形を精巧に行って、かつレジストの残渣を除去し、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能とし、しかも、レジストの架橋部（硬化膜）に欠けや剥離、膨潤などを生じることなく、高い解像度と基体と感光層との密着性とを高度に両立したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The electro-optical device includes a display electrode (9a) disposed in an image display region (10a) on a TFT array substrate (10), and the pattern portion including at least one of the wiring and circuit element connected to the display electrode directly or through a pixel switching element (30) and provided in the frame region, which defines the periphery of the image display region.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画像表示領域（１０ａ）に配置された表示用電極（９ａ）と、これに画素スイッチング用素子（３０）を介して又は直接接続されると共に画像表示領域の周囲を規定する額縁領域内に設けられた配線及び回路素子の少なくとも一方からなるパターン部とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

In an SiP which constitutes a processing system for portable telephone by mounting a microcomputer chip 2 flip-chip mounted on a main plane of a wiring substrate 5 and a memory chip 3 mounted on the rear side thereof in the same sealing body, pads CP1, CP2 for clock signal are arranged in both sides located mutually in the opposite side of the main plane of the microcomputer chip 2.例文帳に追加

配線基板５の主面上にフリップチップ実装されたマイコンチップ２と、その裏面上に搭載されたメモリチップ３とを同一封止体内に混載させて、携帯電話用の処理システムを構築したＳｉＰにおいて、マイコンチップ２の主面の互いに反対側に位置する両辺側に、クロック信号用のパッドＣＰ１，ＣＰ２を配置した。 - 特許庁

In the structure of the semiconductor chip 3 including a control/power supply line 14 of the semiconductor chip 3 formed on a glass substrate, connection terminals 22 for electrical connection with the control/power supply line 14 are provided alongside in a longitudinal direction of the semiconductor chip 3, whereby the length of the wiring in the semiconductor chip 3 can be restrained to the minimum.例文帳に追加

半導体チップ３の制御線・電源線１４がガラス基板上に形成されている半導体チップ３の構造において、制御線・電源線１４と電気的に接続するための接続端子２２が半導体チップ３の長尺方向に並んで設けられることにより、半導体チップ３内での配線長を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

Lands of the wiring board are formed on upper surfaces of a first active metal layer 5a formed in a first region positioned at a surface center portion of a via conductor 1 and a second active metal layer 5b formed in a second region positioned apart from the first region and from an outer peripheral part of the via conductor 1 to an upper surface of a ceramic substrate.例文帳に追加

配線基板のランドは、ビア導体１の表面中央部に位置する第１領域に形成される第１活性金属層５ａと、第１領域と離れているとともに、ビア導体１の外周部からセラミック基板の表面にかけて位置する第２領域に形成された第２活性金属層５ｂの表面に形成されている。 - 特許庁

To provide an electronic component for suppressing failures, such as disconnection or the like caused by thermal stress at a connection part that is often generated in a conventional solder bump connection, in a connection between a semiconductor package which mounts a semiconductor chip and a wiring substrate, and of enhancing connection reliability of the connection part that electrically connects between electrodes of a connection surface.例文帳に追加

半導体チップが実装された半導体パッケージと、配線基板との接続において、従来のはんだバンプ接続においてしばしば発生する、熱ストレスによる接続部での切断などの障害を抑制する、接続面の電極間を電気的に接続する接続部の接続信頼性を高めた電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a method of chemical-mechanical polishing a semiconductor substrate for substantially reducing the occurrence of scratch and separation at the outer periphery and having an excellent polishing rate of a metal film which is a wiring material even though the film is a low dielectric insulating film with low mechanical strength, and to provide an aqueous dispersing fluid for chemical-mechanical polishing used for the method.例文帳に追加

機械的強度が小さい低誘電絶縁膜であっても、スクラッチの発生や外周部における剥がれを大幅に低減可能であり、かつ配線材料たる金属膜の研磨速度に優れた半導体基板の化学機械研磨方法およびそのために用いられる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical module in which an optical device can be mounted on a substrate in a simple and easy way by a passive alignment technique, a driving device can be disposed inside the optical module and a wiring route between the optical device and the driving device can be shortened, and to provide a manufacturing method therefor and an optical transmission/reception system using the same.例文帳に追加

光素子を直接基板に実装でき、かつパッシブアライメント技術により簡便に光素子を実装できて容易に製造でき、また駆動素子を光モジュール内部に配置できて光素子と駆動素子間の配線経路を短くすることができる光モジュールとその製造方法、及びそれを用いた光送受信システムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is manufactured by forming the plurality of groove portions along the scribe lines; embedding an insulating material in the plurality of groove portions and planarizing a surface to form the insulating layers; and forming the wiring electrode including the extended terminal portion extended from the rectangular unit region in contact with at least any one of the plurality of groove portions to the inside of the groove portion.例文帳に追加

半導体基板は、スクライブラインに沿って複数の溝部を形成し、複数の溝部に絶縁材を埋め込み平坦化して絶縁層を形成し、複数の溝部のいずれか少なくとも１つに接する矩形状の単位領域から溝部の内側に延出された延出端子部を備える配線電極を形成することによって製造する。 - 特許庁

A circuit substrate 1 where multiple LED 11 are erected in a circumferential shape, a reflection mirror 2 having a truncated conical reflection surface which reflects an LED light in a circumferential direction and plural conductive plates 5 for wiring a part between circuit substrates between the laminated display units are combined, and their circumference is covered by a glove 3, so that the display units are constituted.例文帳に追加

多数個のＬＥＤ１１を円周状に立設した回路基板１と、ＬＥＤ光を周方向に反射する截頭錐体状の反射面を有した反射鏡２、および積層する表示ユニット間の回路基板間を配線するための複数の導電板５とを組合せ、これら周囲をグローブ３で覆って表示ユニットを構成する。 - 特許庁

The film base material 10 for the wiring substrate comprises a resin film 11 of a polyimide or a liquid crystal polymer (LCP), a siloxane polymer-containing polymer film 12 made by curing a coating film of an organic SOG solution applied on the resin film 11, and a metallic film 13 formed by soaking the polymer film 12 in a Ni-B electroless plating solution to form a plated underlayer.例文帳に追加

ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。 - 特許庁

To provide an imide-based cured film which is microfabricated, has an extremely low amount of a silicone-based compound contained in an extract of the cured film, provides good wettability, has sufficient flexibility, is excellent in electrical insulation reliability, solder heat resistance, and organic solvent resistance, and slightly warps its substrate after cured, and to provide a printed wiring board having the cured film.例文帳に追加

本発明の課題は、微細加工が施され、硬化膜抽出物中のシリコーン系化合物含有量が極めて低く、硬化膜の濡れ性が良好であり、柔軟性に富み、電気絶縁信頼性、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性に優れ、硬化後の基板の反りが小さいイミド系硬化膜及び硬化膜を有するプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

It is preferable that at least one through-hole forming the conductive through-hole is formed by performing a mechanical fabrication or laser fabrication to the ceramic substrate after heat treatment for hardening, or by including a conductor wiring pattern electrically connected to the conductive through-hole.例文帳に追加

導電性貫通孔をなす貫通孔の少なくとも一つが、硬化のための熱処理を行った後のセラミック基板に対して、機械加工またはレーザー加工を行うことで形成されたものであったり、セラミック基板の少なくとも一方の主面に、導電性貫通孔と電気的に接続された導体配線パターンを備えたりすることが好ましい。 - 特許庁

In this case, the substrate is heated in a hydrogen-containing atmosphere, after the step of forming the interlayer insulating film and prior to the step of forming the metallic wiring in which the barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device has processes of forming wiring 102 and 108 on the semiconductor device 100 formed a fixed circuit, forming a resin layer 112 whose surface is approximately flat, and processing the back surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置の製造方法であって，所定回路が形成された半導体基板１００表面上に配線１０２，１０８を形成する工程と，前記配線上に，その表面が略平坦な樹脂層１１２を形成する工程と，前記樹脂層１１２を形成した後，前記半導体基板１００の裏面を加工する工程と，を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor chip being mounted in layers on a substrate and a semiconductor integrated circuit device comprising it in which a specific chip can be selected by an external chip select signal even if the semiconductor chips are laid in a plurality of layers in the same wiring pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に積層されて実装される半導体チップ及びそれを用いた半導体集積回路装置に関し、同一の配線パターンで複数積層されても、外部からのチップ選択信号で所定のチップ選択が可能になる半導体チップ及びそれを用いた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a touch panel that reduces its outer shape, suppresses occurrence of migration of silver for composing a terminal and wiring for routing under a high-temperature high-humidity environment, and precisely connects a film and a substrate, and also to provide a flexible cable, a method for connecting the flexible cable, and the touch panel having cables.例文帳に追加

本発明は、タッチパネルの外形を小さくすることができ、高温多湿な環境下において、端子及び引回し用配線を構成する銀のマイグレーションの発生を抑制でき、かつフィルムと基板との間を精度良く接着することのできるタッチパネル、フレキシブルケーブル、フレキシブルケーブルの接続方法、及びケーブル付きタッチパネルを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a conductive pattern material, having a wide range of applications which can attain high-resolution minute patterns, even when applied to the formation of a wiring, etc., using a plurality of different materials without necessitating complicated processes or expensives devices, and can directly form a pattern on a substrate based on digital data with superior conductivity and durability.例文帳に追加

複雑な工程や高価な装置を必要とせず、複数の異なる材料を用いた配線などの形成に適用した場合にも、高解像度の微細なパターンが得られ、且つ、デジタルデータに基づき基材上に直接パターン形成が可能な、優れた導電性と耐久性とを有する応用範囲の広い導電性パターン材料を提供する。 - 特許庁

The radiation solid-state detector 10 is configured so that a transducing section 16 which receives the irradiation with the radiation carrying the image information, records the image information and transduces the recorded image information into an electric signal, and a plurality of wiring lines 22 which connect to at least a portion of the periphery of the transducing section 16, are formed on a substrate 12.例文帳に追加

画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を電気信号に変換する変換部１６、および変換部１６の周囲の少なくとも一部に接続する多数の配線２２を基板１２上に形成することにより放射線固体検出器１０を構成する。 - 特許庁

The connection terminals 31 arranged on a substrate 11a to be connected with output terminals 25 on a wiring board 21 via the ACF are formed having transparent conductive film areas 61 with ITO films 31b formed thereon, and laminated areas 60 on which the laminated films of lamination of the ITO film 31b and Cu films 31a are formed.例文帳に追加

配線基板２１上の出力端子２５とＡＣＦを介して接続される基板１１ａ上に設けられた接続端子３１は、ＩＴＯ膜３１ｂが形成された透明導電膜領域６１と、ＩＴＯ膜３１ｂとＣｕ膜３１ａとが積層された積層膜が形成された積層領域６０とを有して形成される。 - 特許庁

The substrate 11 also comprises: on the other surface, a second electrode 15a as well as a second terminal 15d; second wiring 15b and 15c connecting the second electrode 15a and the second terminal 15d; a second insulation protection membrane 16 covering the second electrode 15a; and a second corrosion layer 17 arranged on the second insulation protection membrane 16.例文帳に追加

また、基板１１の他方の面上には、第２の電極１５ａ及び第２の端子１５ｄと、第２の電極１５ａと第２の端子１５ｄとの間を接続する第２の配線１５ｂ，１５ｃと、第２の電極１５ａを覆う第２の絶縁保護膜１６と、第２の絶縁保護膜１６上に配置された第２の腐食層１７とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 31 having a planar active region 201 and an active region consisting of a prominent active region 202B on the planar active region 201, a gate insulating film 39 formed on the active region, and a gate 400 located on the gate insulating film 39 and including a gate wiring films 40, 41 covering the prominent active region 202B.例文帳に追加

プレーナ活性領域２０１及びプレーナ活性領域２０１上のプロミネンス活性領域２０２Ｂで構成された活性領域を有するシリコン基板３１、活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３９と、ゲート絶縁膜３９上に位置し、プロミネンス活性領域２０２Ｂを覆うゲート配線膜４０、４１を含むゲート４００を備えている。 - 特許庁

A TFT array substrate (10) is equipped with a plurality of transflective type pixel electrodes (9a) two-dimensionally arrayed in a matrix, further respectively having a permeable region and a reflective region and, at the same time, having surfaces formed in projecting and recessing shapes at least on the corresponding reflective region and wiring and electronic elements to supply picture signals to the pixel electrodes.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板（１０）は、マトリクス状に平面配列されており且つ透過領域及び反射領域を夫々有すると共に少なくとも該反射領域において表面が凹凸に形成された複数の半透過反射型の画素電極（９ａ）と、該画素電極に画像信号を供給するための配線や電子素子を備える。 - 特許庁

An oxide film 4 is formed on the surface of a silicon substrate 3, over which an electrode 1 and a wiring 2 are provided which are laminated bodies provided with a lower layer comprising a polycrystal silicon layer 5 and an upper layer comprising a layer 6 of a compound or mixture of metal and germanium, or, a compound or mixture of metal and germanium-silicon compound.例文帳に追加

シリコン基板３の表面に酸化膜４が形成され、その上面に、下層が多結晶シリコン層５からなり、上層が金属とゲルマニウムとの化合物あるいは混合物の層６もしくは金属とゲルマニウム−シリコン化合物との化合物あるいは混合物の層６からなる積層物である電極１および配線２が設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board has a blackening step of blackening the surface of a conductive layer provided on an insulating substrate; a photolithography step of laminating a dry film on the blackened surface, and exposing and developing the dry film; and an etching step of etching the conductive layer exposed by the photolithography step to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁基板上に設けられた導電層の表面を黒化する黒化処理工程と、黒化された該表面にドライフィルムを積層し、該ドライフィルムを露光、現像するフォトリソグラフィ工程と、該フォトリソグラフィ工程により露出した導電層をエッチングして回路パターンを形成するエッチング工程とを有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

To provide an electrooptical device wherein reduction of the quality of a display image can be avoided by presence of a protective film while the service life of the device is prolonged by protecting wiring, electronic elements and the like formed on a substrate by the protective film and to provide electronic equipment such as a projection type display device provided with the electrooptical device.例文帳に追加

基板上に作り込まれる配線や電子素子などを保護膜で保護することにより装置寿命を延ばしつつ、当該保護膜の存在によって表示画像の品位が低下することを回避することができる電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる投射型表示装置などの電子機器を提供する。 - 特許庁

A wiring pattern 5 is structured by a through-hole 3 and a conductor member 4 which are formed in respective ceramic layers 1a to 1d inside and on the surface of a multilayered substrate 2, and a capacitor 6 in which a dielectric layer 6a and a conductor electrode layer 6b are laminated is embedded in a hole 7 formed in the ceramic layer 1a of an upmost layer.例文帳に追加

多層基板２の内部および表面には、各々のセラミック層１ａ〜１ｄに形成されたスルーホール３及び導体部材４によって配線パターン５が構成されており、最上層のセラミック層１ａに形成された穴部７には、誘電体層６ａと導体電極層６ｂとが積層されてなるコンデンサ６が埋設されている。 - 特許庁

Thin film resistors 3, connecting pads 4, wiring 10 including underlying metal layers 9, pillar-shaped electrodes 11, and solder balls 13 are collectively formed in a region where a plurality of network electronic components are formed on the silicon substrate 1 in a wafer state, and then the plurality of network electronic components are obtained by dividing along dicing streets 23.例文帳に追加

ウエハ状態のシリコン基板１上の複数のネットワーク電子部品形成領域に対して、薄膜抵抗体３、接続パッド４、下地金属層９を含む配線１０、柱状電極１１および半田ボール１３の形成を一括して行ない、その後にダイシングストリート２３に沿って分断して複数個のネットワーク電子部品を得る。 - 特許庁

Frame narrowing and suppression of a voltage drop in wires passing around are realized by employing an FPC or the like to use external wiring, a sealing can, and a conductive film formed on a counter substrate, instead of wires passing around which occupy a large area in a frame area.例文帳に追加

上記課題を鑑み、本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引き回し配線を例えばＦＰＣなどにより外付けの配線とすること、封止缶で代用すること、対向基板に形成した導電膜で代用することにより、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の抑制の二つを実現することが可能となる。 - 特許庁