「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

A lower wiring 12a a part of which constitutes a lower electrode and an intense-field drift layer 6 are fomed in order on one surface side of an insulating substrate 11, and an insulating layer 8 with an opening formed for the portion corresponding to the forming planned part of a surface electrode 7 is formed on the intense-field drift layer 6 (fig.(a)).例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面側に一部が下部電極を構成する下部配線１２ａ、電子通過層たる強電界ドリフト層６を順次形成し、強電界ドリフト層６上に表面電極７の形成予定部位に対応した部分が開孔された絶縁層８を形成する（図１（ａ））。 - 特許庁

For the connector electrically connecting a plurality of wires to a wiring pattern of the substrate, insulation displacement parts connecting each terminal of the plurality of wires in insulation displacement are made in two steps in a height direction or a horizontal direction, with at least a part of housings containing connector terminals of each step in an overlapped state.例文帳に追加

複数の電線を基板の配線パターンに電気的に接続するコネクタにおいて、複数の電線の各端末をそれぞれ圧接接続する圧接接続部を、高さ方向又は水平方向に２段以上にし、各段のコネクタ端子を収容するハウジングの少なくとも一部を重ね合わせる構造とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device that, when plural light-emitting parts are monolithically formed on one substrate, has a high reliability, without the occurrence of the breakage etc. of a wiring, and a structure where, even if defects such as shortage occurs in a part of the plural light-emitting parts, the remaining parts can operate as light-emitting device.例文帳に追加

１つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合に、配線の断線などが生じないで信頼性が高いと共に、複数個の発光部の一部に短絡などの不良が発生しても、残部で照明装置として動作し得る構造の半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which it is possible to suppress the generation of a notch at the bottom of a through-hole in an insulating layer during the formation of the through-hole on a semiconductor substrate and to reduce the deterioration in electrical insulating properties and poor connection of the through-hole to a wiring layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板に貫通孔を形成する際の、貫通孔の底部での絶縁層のノッチの発生を抑制し、絶縁層のノッチによる電気的絶縁性の低下や貫通孔の配線層の接続不良を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this wiring board 100, first solid conductor layers 126 are formed in the interlayer 136 between a core substrate 110 and a resin insulating layer 122 and first bumps 134b are connected to the first capacitor terminals 115b of the chip capacitors 113 through first via conductors 132b, the first solid conductor layers 126, and first through hole conductors 112b.例文帳に追加

配線基板１００は、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との層間１３６に第１ベタ導体層１２６を形成し、第１ビア導体１３２ｂと第１ベタ導体層１２６と第１スルーホール導体１１２ｂとによって、第１バンプ１３４ｂとチップコンデンサ１１３の第１コンデンサ端子１１５ｂとを接続させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device of the present invention comprises the steps of: forming a ground layer composed of a Ta film or a TaN film on a surface of an insulating layer including a fine shape after forming the insulating layer with the fine shape on a surface of a substrate; and forming a wiring layer composed of a tungsten film on a surface of the ground layer.例文帳に追加

本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.例文帳に追加

配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of a wiring board 1 has a process that measures the position of an alignment mark 65 of a frame 61 in an interlock substrate 63 consisting of a product assembly part 59 and the frame 61, and calculates hole-machining data; and a hole formation process that forms a hole 23 at the product assembly part 59 based on the hole-machining data.例文帳に追加

配線基板１の製造方法は、製品集合部５９と枠部６１とからなる連結基板６３のうち、枠部６１の位置合わせマーク６５の位置を計測し、孔加工データを算出する工程、及び、孔加工データに基づき、製品集合部５９に孔２３を形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁

The substrate for flexible printed wiring has such a structure that a polyimide film and a copper foil are stacked via an adhesive composition which comprises 100 pts.wt. of epoxy resin containing phosphorus atoms, 5-500 pts.wt. of a compound containing nitrogen which is siloxane denatured imide or a polyamide-butadiene-acrylonitrile copolymer, and a curing agent.例文帳に追加

リン原子含有エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂１００重量部、シロキサン変性イミドまたはポリアミド−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体である窒素含有化合物５〜５００重量部、硬化剤からなる接着剤組成物を介してポリイミドフィルムと銅箔とが積層されてなるフレキシブル印刷配線用基板。 - 特許庁

The ceramics molding is sintered after application of a metal-particle-containing conductor pattern formation ink, is used to manufacture the wiring substrate, includes a material containing a ceramics material and a binder and includes a dispersibility reducing agent at least in a part in the vicinity of its surface.例文帳に追加

本発明のセラミックス成形体は、金属粒子を含む導体パターン形成用インクが付与された後に焼結され、配線基板の製造に用いられるものであって、セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に分散性低下剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a wiring circuit board in which the electrostatic breakdown of an electronic component to be mounted can be prevented surely by ensuring a plurality of grounding portions of a semiconductive layer and a metal supporting substrate and removing the static electricity of a conductor pattern surely, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導電性層と金属支持基板との接地部分を確実に複数箇所確保することができ、確実に導体パターンの静電気を除去して、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the numerical aperture of a liquid crystal display device by using two or more minute slits much narrower than a single slit to reduce the distance between pixel electrodes constituted on an array substrate for liquid crystal display device and forming a minute pattern of data wiring.例文帳に追加

単一スリットに比べて幅が非常に狭い微少のスリットを２本以上使用することにより、液晶表示装置用アレー基板に構成される画素電極間の距離を縮めて、それによるデータ配線の微少パターン形成が可能にして液晶表示装置の開口率を改善することを目的とする。 - 特許庁

To provide a flip-chip mounting method that can form unevenness, in a stable shape at a part of a fillet, even when using an anisotropic conductive adhesive, and prevents water from entering an electrical connection part between a wiring substrate and a semiconductor chip, even in the usage environment of high temperature and high humidity.例文帳に追加

異方性導電接着剤を使用した場合に安定した形状の凹凸をフィレットの部分に形成することができ、また高温高湿の使用環境下においても、配線基板と半導体チップとの電気的が続箇所に水分の侵入するのを防止したフリップチップ実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer level package for which a metal post is provided in a shape having a recessed side face, a process cost can be reduced without need of making the metal post higher, and the metal post can achieve role of a buffer to distortion of the package due to CTE difference between the wafer level package and a wiring substrate.例文帳に追加

メタルポストを凹んだ側面を有する形状で設け、メタルポストをさらに高くする必要なしに、工程費用を節減することができると共に、メタルポストがウエハレベルパッケージと配線基板との間のＣＴＥ差によるパッケージの歪みに対してバッファの役割をすることができるようなウエハレベルパッケージを提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof, whereby a semiconductor element is tightly fixed to an insulation substrate through a resin filler to protect the semiconductor element, and the electrodes of the semiconductor element are completely electrically connected to wiring conductors to enable the semiconductor element to stably operate for a long time.例文帳に追加

熱応力により樹脂製充填材が絶縁基体から剥離し、半導体素子を良好に保護することができないとともに、半導体素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続が切断されて半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができない。 - 特許庁

To provide a structure for mounting surface-mounted electronic parts that can reduce the size of electronic equipment by reducing the size of a mounting substrate by forming laminated parts, by laminating surface-mounted electronic parts upon another and mounting the laminated parts on a printed wiring board as single surface-mounted electronic parts.例文帳に追加

表面実装用電子部品を積層した積層部品を形成し、この積層部品を単体の表面実装用電子部品として印刷配線板に実装し、実装基板の小型化を図ることにより、電子機器の小型化を実現する表面実装用電子部品の実装構造を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic light emitting device comprises processes of: forming a metal positive electrode and its wiring part on a substrate by a plating method; forming an organic EL layer containing an organic luminescent layer on the metal electrode; and forming a negative electrode consisting of a transparent electrode on the organic EL layer.例文帳に追加

めっき法により基板上に金属陽極とその配線部を形成する工程と、該金属電極上に有機発光層を含む有機ＥＬ層を形成する工程と、該有機ＥＬ層上に透明電極からなる陰極を形成する工程とを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a polishing method which can continuously polish a substrate having an insulating film, a barrier metal film and a conductor film with the same polishing solution for metal, can obtain good flatness of a wiring portion and an insulating film convex portion, and can reduce scratches, and to provide a polishing solution for metal used therefor.例文帳に追加

絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な研磨方法及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer material which suppresses deformation during lamination of a photosensitive resin layer, is free of resist film break on through holes, well exhibits meltability and also ensures good adhesiveness to a substrate, in the production of a printed circuit board, particularly in the production of a wiring pattern of copper on a copper clad laminate having through holes.例文帳に追加

プリント配線基板製造、特に、スルーホールを有する銅張積層板への銅の配線パターン製造において、感光性樹脂層のラミネート時の変形を抑制し、スルーホール上でのレジスト膜破れもなく、また、十分に溶融性を示し、基板との密着性も良好となる感光性転写材料を提供することである。 - 特許庁

A cavity part 41 is formed around the surface acoustic wave element 2 in the thermosetting resin layer 4 so as to prevent at least the annular sealing electrode 24 and the thermosetting resin layer 4 from coming into contact with each other, and the cavity part 41 is communicatively connected to external space on the end edge of the front side of the wiring substrate 1.例文帳に追加

熱硬化性樹脂層４における弾性表面波素子２の周囲には少なくとも環状封止電極２４と熱硬化性樹脂層４とが接触しないように空洞部４１が形成されており、空洞部４１が配線基板１の表面の縁端上で外部空間と連通している。 - 特許庁

In the packaging apparatus, an anisotropic conductive adhesive film 300 having a minimum melt viscosity of not higher than 1.0×10^3 Pa s is placed on a wiring board 100 placed on a substrate 11, and an IC chip 200 having a thickness of not larger than 200 μm is placed on the anisotropic conductive adhesive film 300.例文帳に追加

実装装置においては、基台１１の上に載置された配線基板１００の上に、最低溶融粘度が１．０×１０^３Ｐａ・ｓ以下の異方性導電接着フィルム３００を載置するとともに当該異方性導電接着フィルム３００の上に厚みが２００μｍ以下のＩＣチップ２００を載置する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

To obtain a convenient patterning method employing a metal mask and a method for forming a pattern connected with a large number of circuit units on the surface and rear of a substrate with high connection reliability, in which different patterning can be realized at the electrode part and the wiring part on the circuit board by physical deposition without changing a metal mask set once.例文帳に追加

金属マスクを用いる簡易なパターニング方法で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結されたパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパターニングを、一度セットした金属マスクを交換することなく、物理蒸着にて実現する。 - 特許庁

This radiation detection device has a scintillator panel 1 for converting a radiation into light, a photoelectric conversion element array 2 wherein a plurality of photoelectric conversion elements for converting light into an electric signal are arranged in a two-dimensional array shape on a substrate 4, and the sensor panel 5 equipped with a wiring pad part 3 on the peripheral part.例文帳に追加

放射線検出装置は、放射線を光に変換するシンチレータパネル１と、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子が基板４上に２次元アレイ状に配置された光電変換素子アレイ２及びその外周部に配線・パッド部３を備えたセンサーパネル５とを有する。 - 特許庁

Thereby, since a TEM-wave transmission line is formed continuously with the stem section 6 and the wiring substrate 11, a high-frequency signal can be transmitted from a preamplifier 5 that is connected to a photodiode 4 in the metal-can package by the signal transmission line constituted by the signal transmission pin 8a and the signal transmission wire 12a.例文帳に追加

これにより、ＴＥＭ波伝送線路がステム部６と配線基板１１とに連続して形成されることになるため、信号伝送ピン８ａ及び信号伝送配線１２ａを信号伝送ラインとして、メタルキャンパッケージ３内のフォトダイオード４が接続されたプリアンプ５から高周波信号を伝送することが可能になる。 - 特許庁

To provide an insulating resin composition capable of forming an insulating layer excellent in adhesion to a plating layer, a plated matter having the insulating layer formed from the insulating resin composition, a material for forming a build-up layer containing the insulating resin composition, and a material for forming a wiring substrate containing the insulating resin composition.例文帳に追加

めっき層に対する密着力が優れた絶縁層を形成可能な絶縁性樹脂組成物、該絶縁性樹脂組成物による絶縁層を有するめっき物、該絶縁性樹脂組成物を含むビルドアップ層形成用材料、及び該絶縁性樹脂組成物を含む配線基板形成用材料の提供。 - 特許庁

In a printed wiring board 1 in which via holes 1c are formed to electrically connect a circuit pattern 1a formed on the surface to a circuit pattern 1b formed in the inside, a squeeze 20 is directly contact with the surface of a substrate 1, thereby filling an insulating material into the via holes 1c.例文帳に追加

表面に形成された回路パターン１ａと内部に形成された回路パターン１ｂとを電気的に連結させるためにビアホール１ｃが形成された印刷回路基板１において、スクイズ２０を基板１の表面に直接接触させることで絶縁材をビアホール１ｃに充填するようにした。 - 特許庁

An IC chip for oscillation circuit is placed on the connecting electrode 8, a crystal vibrating portion (non-illustrated) is further connected thereon and a portion of the plating wiring pattern 11 is half cut and removed, so that a number of electrically independent piezoelectric oscillators are configured while being aligned on the one ceramic substrate 3.例文帳に追加

接続電極８上に発振回路用のＩＣチップを載置し、さらにその上方に水晶振動部（図示なし）を接続すると共に、メッキ配線パターン１１の部分をハーフカットして除去すると、１枚のセラミック基板３上に電気的に独立した多数個の圧電発振器が整列した状態で構成される。 - 特許庁

In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加

セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層（シード層）のエッチング液として、過酸化水素 ０．１〜１０重量％とリン酸 ０．５〜５０重量％を含有し、かつ過酸化水素／リン酸の重量比が ０．０２〜０．２であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁

A flexible interposer substrate 11, wherein a plate 6 is in contact with the rear surface of a semiconductor chip 1 without being fixed and which is constituted of a thermoplastic resin 2, an insulating resin 3 and a wiring pattern 10 arranged between the resin layers, is formed to cover the circumferential side surface of the semiconductor chip 1 and the plate 6 once round.例文帳に追加

平板６が半導体チップ１裏面に固定されずに接し、熱可塑性樹脂２と絶縁性樹脂３とこれらの樹脂層間に配置された配線パターン１０とで構成されるフレキシブルインターポーザー基板１１が、半導体チップ１及び平板６の周側面を１周に亘って覆うようにして形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, after forming the titanium nitride film 12 on a semiconductor substrate, provided with a contact hole 10 by using the organic metal raw material gas containing titanium and chlorine by the chemical vapor deposition method, the titanium nitride film 12 is patterned into a desired shape, and then a wiring composed of a conductive material is formed on the titanium nitride film 12.例文帳に追加

コンタクトホール１０を含む半導体基板１上に、化学的気相成長法によりチタン及び塩素を含む有機金属原料ガスを使用して、窒化チタン膜１２を成膜した後、同窒化チタン膜１２を所望の形状にパターニングし、次に同窒化チタン膜１２上に導電性材料からなる配線を形成する。 - 特許庁

A light which enters from the upper part to be reflected at the upper surface of a transparent substrate 23 or the light shielding film 24 is prevented from reaching the TFT 11 while suppressing the light shielding area of the signal wiring 22 functioning as the light shielding film of the upper layer part and the light shielding film 24 of the lower layer part to the minimum size in this manner.例文帳に追加

こうして、上層部の遮光膜として機能する信号配線２２および下層部の遮光膜２４の遮光領域を最小限の大きさに抑えつつ、上部から入射して透明基板２３あるいは遮光膜２４の上面で反射した光がＴＦＴ１１へ到達するのを防止する。 - 特許庁

The substrate comprises a process of forming a source-drain region using a halftone exposure technology, a process of forming a passivation insulating layer having an opening in a connecting part between a source-drain region and a scanning line, a source-drain wiring forming process, and a process of forming the protective insulating layer having an opening, and achieves a four-mask process.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン領域を形成する工程と、ソース・ドレイン領域と走査線の接続部に開口部を有するベーション絶縁層の形成工程と、ソース・ドレイン配線形成工程と、開口部を有する保護絶縁層の形成工程を有し、４枚マスク・プロセスを実現する。 - 特許庁

An ACF tape 13 is guided and run from a supply reel 11 having the ACF tape 13 wound therearound to rollers 14 to 17 and is half cut by a cutter unit 30 and is press-fitted to a position of one wiring group 5 provided on a lower substrate 2, in a position between horizontal guide rollers 16 and 17 by a press-fitting head 37.例文帳に追加

ＡＣＦテープ１３を巻回させた供給リール１１からローラ１４〜１７に走行ガイドされるが、カッタユニット３０によりハーフカットされて、水平ガイドローラ１６，１７間の位置で圧着ヘッド３７により下基板２に設けた１つの配線群５の位置に圧着されるようになっている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process where resin 30 is provided on one surface of a wiring board 20 where a thin-film pattern is formed on at least one surface of a base substrate 22, and the identification display is made depending upon whether the resin 30 is exposed from a surface opposite to the surface where the resin 30 is provided.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ベース基板２２の少なくとも一方の面に薄膜パターンが形成された配線基板２０の一方の面に樹脂３０を設ける工程を含み、前記樹脂３０が設けられる面とは反対側の面からの、前記樹脂３０の露出の有無によって識別表示がされる。 - 特許庁

The aluminum nitride substrate 10 for mounting the light-emitting element includes: an aluminum nitride base 11; the wiring 12 provided on a surface of the aluminum nitride base 11, and mounted with the light-emitting element; and the white reflection layer 15 provided on the surface of the aluminum nitride base 11 and principally comprising aluminum nitride.例文帳に追加

本発明に係る発光素子搭載用窒化アルミニウム基板１０は、窒化アルミニウム基材１１と、窒化アルミニウム基材１１の表面に設けられ、発光素子が搭載される配線１２と、窒化アルミニウム基材１１の表面に設けられた窒化アルミニウムを主成分とする白色の反射層１５と、を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device is characterized by forming a wiring before conducting sealing with a resin and modifying a runner portion 14 to be hydrophobic by carrying out hydrophobic atmospheric pressure plasma treatment utilizing hydrophobic gas through a mask 20 on the runner portion 14 on the surface of a substrate 10 on which an electronic component 17 is mounted.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、樹脂封止前に、配線が形成され、電子部品１７が搭載された基板１０の表面のランナー部１４に、マスク２０を介して疎水性ガスを利用した疎水性大気圧プラズマ処理を行ってランナー部１４を疎水性に改質したことを特徴する。 - 特許庁

To provide a heat curing resin sheet of a clay shape and an electronic component device capable of fully filling resin into a required portion and sealing an electronic element by a simple process without hindering any electronic function part of the electronic element of a surface acoustic wave element or the like fixed to a wiring substrate, and a method of manufacturing the electronic component device.例文帳に追加

簡便な工程により、配線基板に弾性表面波素子等の電子素子の電子機能部を阻害することなく、必要部分には十分に樹脂を充填させ、電子素子を封止することができる粘土状の熱硬化型樹脂シート、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of polishing a semiconductor device by which the remaining film of a conductor film and a barrier metal film can be continuously polished by the same metal polishing liquid in a substrate comprised of an insulation film, a barrier metal film and a conductor film, flatness is enough for a wiring part and a convex of the insulation film and scrtch can be reduced.例文帳に追加

絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に導体膜の残膜とバリア金属膜とを研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な半導体デバイスの研磨方法を提供する。 - 特許庁

In a multilayer printed wiring substrate wherein a plurality of conductor layers are laminated via an insulation layer, a conductor layer, which is one layer of inner layers, is a conductor layer (hereinafter referred to as a land formation layer) wherein only a through hole connecting conductor layers is formed, and a through hole is terminated by the land.例文帳に追加

絶縁層を介して複数の導体層が積層された多層プリント配線基板において、内層の１層の導体層は、導体層間を接続するスルーホールのランドのみが形成されている導体層（以下、ランド形成層という。）であり、このランドによりスルーホールが終端されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

The flexible printed wiring board is composed of a substrate which is composed of at least a first electrical insulation layer, a first adhesive layer formed on it and a conductor layer formed on it and a cover lay which is composed of at least a second adhesive layer and a second electrical insulation layer formed on it and arranged on the conductor layer.例文帳に追加

少なくとも第１の電気絶縁層と、その上に形成された第１の接着剤層と、その上に形成された導体層と、からなる基板の導体層上に、少なくとも第２の接着剤層と、その上に形成された第２の電気絶縁層と、からなるカバーレイが、設けられたフレキシブルプリント配線板。 - 特許庁

For detecting a spacer 7 as a granular matter, this lighting system radiates light beams 5 toward a desired detection position in at least two directions which are not orthogonal to any linear part of a wiring pattern in the view from the upper side and make an angle of 3° or less with the upper face of a glass substrate 6.例文帳に追加

この照明装置は、粒状体としてのスペーサ７を検出するために、所望の検出位置に対して、上方から見て配線パターンのいずれの直線部分に対しても略垂直でない少なくとも２方向であって、ガラス基板６の上面となす角度が３°以下となるような照射方向で、光５を照射する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a conductor pattern 7a on a main surface of a multilayer wiring substrate 6, covering the conductor pattern 7a with an insulating thin film 9, and adhering a semiconductor chip 1 oppositely to a rear surface of the conductor pattern 7a via this insulating thin film 9 with a conductive adhesive 10.例文帳に追加

多層配線基板６の主面に導体パターン７ａを形成し、さらに導体パターン７ａを絶縁性薄膜９によって覆った後、この絶縁性薄膜９を介在して、導体パターン７ａ上にその裏面を対向させて半導体チップ１を導電性接着剤１０により接着する。 - 特許庁

This terminal block includes: a terminal stand provided with a plurality of thermocouple connection terminals; and a metal core print substrate formed by covering with an insulating layer, an upper surface provided with at least a conductor constituting wiring, a lower surface and an outer surface of a metal plate including a through-hole into which a lead terminal of the terminal stand is inserted.例文帳に追加

複数の熱電対接続端子が設けられる端子台と、少なくとも配線を構成する導体が設けられる上面及び下面、並びに、前記端子台のリード端子が挿入されるスルーホールを含む金属板の外面が絶縁層に覆われてなる金属コアプリント基板と、を備えているようにした。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁