「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

After the wiring circuit layer 2 is laminated on and connected to the element 3, the metal support substrate 1 is peeled from the wiring circuit layer 2 to yield a semiconductor device 4.例文帳に追加

この配線回路層２を素子３に積層し接続した後、金属製支持基板１を配線回路層２から剥離し、半導体装置４を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring substrate which can be thinned and is applicable to high density wiring, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

薄型化が可能であって、高密度配線に対応可能な配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate having a high-density fine wiring that is a very thin type and is superior in electrical insulation reliability.例文帳に追加

極めて薄型であり、かつ電気的絶縁信頼性に優れた高密度微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供すること - 特許庁

To provide a printed wiring board where occurrence of a void due to outgas from a substrate and encapsulant, and to provide the manufacturing method of the printed wiring board.例文帳に追加

基板や封止剤からのアウトガスに起因するボイドの発生を低減できるプリント配線基板およびプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film 2 is stacked on a substrate 1, and a wiring groove 3a and a wiring groove 3b adjoining thereto are formed on the insulating film 2.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を堆積し、絶縁膜２上に配線溝３ａ及び配線溝３ａと隣り合う配線溝３ｂを形成する。 - 特許庁

A power supply wiring 15a and an earth wiring 15b connected with a heater film 17 formed on a semiconductor substrate 2 are made of copper.例文帳に追加

半導体基板２に形成された発熱抵抗膜１７に接続している電源配線１５ａと接地配線１５ｂが銅で形成されている。 - 特許庁

An inter-board connection electrode wiring pattern similar to the signal line take-out electrode wiring pattern is formed on the surface of the connection substrate.例文帳に追加

接続基板の表面には、信号線取り出し電極配線パターンと同一パターンの基板間接続用電極配線パターンが形成されている。 - 特許庁

A sealing substrate 80 with conductivity provided on the common wiring line 62 is made conductive to the common wiring line 62 and the counter electrode 20c.例文帳に追加

共通配線６２上に設けられた導電性を備えた封止基板８０は、共通配線６２及び対向電極２０ｃと導通されている。 - 特許庁

A 2nd wiring pattern 12 for connecting upper layer wiring 152 led to package terminals 160 and 1st inter-substrate conduction terminals 170 includes an bed electrode 122.例文帳に追加

実装端子１６０に繋がる上層配線１５２と第１基板間導通端子１７０とを接続する第２配線パターン１２は下地電極１２２を含む。 - 特許庁

A subpixel substrate 20a is arranged between the common wiring 62 and the supply wiring 61, and an organic EL layer 20b is stacked on the subpixel electrode 20a.例文帳に追加

共通配線６２や給電配線６１間にサブピクセル電極２０ａが配列され、サブピクセル電極２０ａに有機ＥＬ層２０ｂが積層されている。 - 特許庁

An interlayer dielectric film 2 having a wiring hole 2a and an interline dielectric film 3 having a wiring trench 3a are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上には、接続孔２ａを有する層間絶縁膜２と、配線用溝３ａを有する線間絶縁膜３とを形成している。 - 特許庁

Also, an airtight via 5 is provided at the ceramic substrate 10, and the coplanar wiring path 11, the terminal 13, the multilayer wiring path 14, and the like are connected electrically.例文帳に追加

また、セラミック基板１０に気密ビア５を設けて、コプレーナ配線路１１と端子１３及び多層配線路１４等とを電気的に接続する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 includes wiring 16 formed with an integrated circuit 12 and an electrode 18 formed on the wiring 16.例文帳に追加

半導体基板１０は、集積回路１２が形成され、内部に電気的に接続された配線１６と配線１６に形成された電極１８とを有する。 - 特許庁

A quarter-wave plate 210 is provided between an upper side substrate 201, on which pixel electrodes 205 and metallic wiring 206 are arranged, and the metallic wiring.例文帳に追加

画素電極２０５及び金属配線２０６が配設される上側の基板２０１と金属配線との間に１／４波長板２１０を設ける。 - 特許庁

A barrier metal layer 21 is formed on all the surface of a semiconductor substrate 1, including the insides of wiring grooves 20, and a copper film is formed to fill the wiring grooves 20.例文帳に追加

配線溝２０の内部を含む半導体基板１の全面にバリアメタル層２１を形成し、さらに配線溝２０を埋め込む銅膜を形成する。 - 特許庁

The plurality of solar battery cells 100 have back electrodes electrically connected to the wiring for connection to be mounted on the wiring substrate 200.例文帳に追加

複数の太陽電池セル１００は、前記裏面電極が前記接続用配線と電気的に接続されることによって配線基板２００に実装されている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁

After that, a silicon nitride film 16 is formed on the semiconductor substrate 11 so as to cover the wiring 13a and the silicon oxide film 14a on the wiring 13a.例文帳に追加

その後、配線１３aおよび配線１３a上部のシリコン酸化膜１４aを覆うようにシリコン窒化膜１６を半導体基板１１上に形成する。 - 特許庁

Further, the substrate 1 has a second wiring part 70 formed so as to intersect with the first wiring part 10 outside the display region thereon via an insulating layer.例文帳に追加

さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。 - 特許庁

The core 7 is bent forcibly to become parallel with the wiring pattern 10 of the substrate 2 and the forward end of the core 7 comes into tight contact with the wiring pattern 10.例文帳に追加

芯線７は基板２の配線パターン１０と平行となるように強制的に折り曲げられ、芯線７の先端と配線パターン１０は密着する。 - 特許庁

A substrate 1 for suspension comprises a first insulating layer 10, a spring material layer 11, a first wiring layer 14, and a second wiring layer 15 insulated from the first wiring layer 14.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、第１絶縁層１０と、バネ性材料層１１と、第１配線層１４と、第１配線層１４に対して絶縁された第２配線層１５とを備えている。 - 特許庁

A wiring fastening metal fitting 3 is fixed to a terminal electrode part 22 at a non-ground side of a multiplayer capacitor 2 fixed to a substrate 4, and wirings 6, 7 are fastened to a wiring fastening part 33 of the wiring fastening metal fitting 3.例文帳に追加

基板４に固定される積層コンデンサ２の非接地側の端子電極部２２に配線締結金具３を固定し、この配線締結金具３の配線締結部３３に配線６，７を締結する。 - 特許庁

A glass substrate 4 with an aperture 12 for exposing the second wiring 3B is glued on the front face of the semiconductor chip 1 with the first wiring 3A and the second wiring 3B.例文帳に追加

これらの第１の配線３Ａ及び第２の配線３Ｂが形成された半導体チップ１の表面には、第２の配線３Ｂを露出する開口部１２を有したガラス基板４が接着されている。 - 特許庁

The LED package is mounted to a wiring board, so that the pair of the external connection electrodes are connected to the wiring on the wiring board, and the LED package substrate is fastened to or brought into contact with a heat radiator.例文帳に追加

このＬＥＤパッケージを配線基板に実装して、一対の外部接続電極を配線基板上の配線と接続すると共に、ＬＥＤパッケージ基板を放熱体に固着或いは接触させる。 - 特許庁

In a display device, a flexible wiring board 17 is arranged in a wiring area 13 of a lower substrate 11, and the flexible wiring board 17 and an electrode 14 are electrically connected through an ACF 19.例文帳に追加

下部基板１１の配線領域１３にはフレキシブル配線基板１７が配設され、このフレキシブル配線基板１７と電極１４とがＡＣＦ１９を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a connection structure for printed wiring boards with a simple constitution where the printed wiring boards are not being delaminated even if a flexible substrate is largely warped, and a camera module having the connection structure for printed wiring boards.例文帳に追加

簡単な構成でフレキシブル基板が大きく反ってもはく離することがないプリント配線板の接続構造、及び該プリント配線板の接続構造を有するカメラモジュールを提供すること。 - 特許庁

An insulating film 204 is formed on a silicon substrate 203, and M1 wiring 103 and M2 wiring 104 are alternately disposed in this region, and the wiring is connected through vias 105.例文帳に追加

シリコン基板２０３上に絶縁膜２０４が形成されており、この領域にＭ１配線１０３とＭ２配線１０４が交互に配置され、この配線をビア１０５で接続する構造である。 - 特許庁

A wiring formation groove is approximately spirally formed on an upper surface of an insulating substrate 12, and wiring 14 are continuously formed approximately spirally on side surfaces in the wiring formation groove 16.例文帳に追加

絶縁基板１２の上面に配線形成溝１６をほぼ渦巻状に形成し、この配線形成溝１６内における各側面に配線１４をほぼ渦巻状に連続させて形成した。 - 特許庁

The flexible substrate includes a wiring pattern to which the plurality of light sources are electrically connected, and a metal heat dissipating region which is arranged by spacing apart from the wiring pattern and is electrically independent from the wiring pattern.例文帳に追加

フレキシブル基板は、複数の光源が電気的に接続される配線パターンと、配線パターンから離間して配置され、配線パターンとは電気的に独立した金属製の放熱領域とを有する。 - 特許庁

The structure of the protruding electrode 16 electrically connected to a wiring layer 14 composing a substrate 10 for mounting the element protrudes from the wiring layer 14 at the end part of the wiring layer 14.例文帳に追加

素子搭載用基板１０を構成する配線層１４と電気的に接続され、配線層１４の端部において配線層１４から突出している突起電極１６の構造である。 - 特許庁

The scanning wiring 3 is provided in a groove 2 formed in the substrate 1 and the signal wiring 8 is arranged to cross it, passing over the interlayer insulating layer 4 provided on the scanning wiring 3.例文帳に追加

前記走査配線３を前記基板１に形成された溝２内に設けると共に、該走査配線３上に設けた前記層間絶縁層４上を通って前記信号配線８を交差配置する。 - 特許庁

To restrain corrosion of a metal wiring layer 12 and degradation of a characteristic due to leakage current from the metal wiring layer 12 in an electrode substrate 1 having the metal wiring layer 12 and a transparent conductive layer 11.例文帳に追加

金属配線層１２と透明導電層１１を有する電極基板１において、金属配線層１２の腐食や金属配線層１２からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

This wiring substrate 5 for mounting semiconductor comprises an insulation film 1, wiring 2 formed in the insulation film 1, and a plurality of electrode pads 4 conductive with the wiring 2 through via-holes 3.例文帳に追加

半導体搭載用配線基板５は、少なくとも絶縁膜１と、絶縁膜１中に形成された配線２と、配線２とビア３で導通された複数の電極パッド４とからなる配線基板である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring substrate, which can respond to miniaturization (line:space = 15:15 μm or less) of a wiring layer, and also can obtain sufficient adhesion between the wiring layer and an underlying insulating layer.例文帳に追加

配線層の微細化（ライン：スペースが１５：１５μｍ以下）に対応できると共に、配線層とその下の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of connection holes 12 lie between a common potential wiring layers 11 electrically connected to a substrate and inspection wiring layers 13, and the inspection wiring layers 13 are separated for every connection holes 12.例文帳に追加

基板に電気的に接続した共通電位配線層１１と検査配線層１３との間に複数の接続孔１２が介在され、検査配線層１３は、接続孔１２毎に分離されている。 - 特許庁

To overcome the problem that wiring congestion is caused if a leakage current is reduced through potential control over a well substrate, when a connection portion from upper-layer wiring is disposed in a region where there are a number of wiring lines.例文帳に追加

ウエル基板の電位制御によるリーク電流削減を行おうとした場合に、上層配線からの接続部が信号配線の多い領域に配置されていると、配線混雑が発生する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the component-mounting substrate, a multilayer printed wiring board 20 is previously prepared, wherein insulating layers and wiring layers 21 having wirings and vacant portions alternately are so laminated as to position the wiring layer 21 in the outermost layer in thickness direction.例文帳に追加

欠部が設けられた配線を有する配線層２１と絶縁層とが積層され厚さ方向の最も外側に配線層２１が位置する多層プリント配線板２０を予め用意する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element built-in wiring board that can improve electric connections without processing a terminal electrode of an electronic element, or a wiring circuit layer, a via hole conductor, or via hole of a wiring substrate.例文帳に追加

電気素子の端子電極と配線基板の配線回路層やビアホール導体と、ビアホールを加工することなく電気的接続を改善できる電気素子内蔵配線基板の製法を提供する。 - 特許庁

Electrolytic plating of the contact part 12 and the wiring lead 14 is carried out while an internal wiring cable 13 extended to a substrate end edge is made a wiring cable for plating, whereby a plating layer of Au and Ni for protection is formed.例文帳に追加

そして、基板端縁まで延出する内部配線１３をめっき用配線として、コンタクト部１２と配線リード１４の電解めっきを行い、保護用のＡｕ、Ｎｉのめっき層を形成する。 - 特許庁

A copper wiring layer 114 serving as the top layer of a seal ring 110 is formed in an interlayer insulating film 109 on a silicon substrate 101, and an aluminum wiring layer 141 is formed for covering the top of the copper wiring layer 114.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の層間絶縁膜１０９に、シールリング１１０の最上層となる銅の配線層１１４を形成し、その上面を覆うアルミ配線層１４１を形成する。 - 特許庁

A high breakdown voltage wiring has a wiring layer 103 formed on an Si substrate 101, an insulating film 104, upper layer wiring 105 and 106, and a groove 107 formed in the insulating film 104.例文帳に追加

高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is mounted on the wiring substrate 40 so that a portion overlapped on the resin projection 20 in the wiring 30 may contact an electric connection portion 45 of the wiring pattern 44.例文帳に追加

半導体装置１は、配線基板４０に、配線３０における樹脂突起２０とオーバーラップする部分が配線パターン４４の電気的接続部４５と接触するように搭載されてなる。 - 特許庁

The Cu wiring film stricture comprises a Cu wiring film constituted on the substrate and is consisted of Cu or Cu alloy and an Al-Cu alloy film constituted on the Cu wiring film.例文帳に追加

基板と、 前記基板上に構成されたＣｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ配線膜と、 前記Ｃｕ配線膜上に構成されたＡｌ−Ｃｕ合金膜とを具備するＣｕ配線膜構造。 - 特許庁

The wiring support substrate is separated from the molding to expose from the molding a main surface of the wiring pattern opposite to a main surface where the wiring pattern is connected to the electrodes (step S3).例文帳に追加

次に、配線支持基材を成形体から離し、配線パターンが上記の電極と接続している主面とは反対側の配線パターンの主面を成形体から表出させる（ステップＳ３）。 - 特許庁

For the individual semiconductor package 13, at least the wiring 4b of the wiring material 4 fixed to the semiconductor element 1 is connected to the base substrate 5 by extending the wiring from only one side of the semiconductor element 1.例文帳に追加

個別半導体パッケージ１３は、半導体素子１に固定された配線部材４の少なくとも配線４ｂを当該半導体素子１の片側のみから延ばしてベース基板５に接続している。 - 特許庁