例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
The grounding wiring conductors 108 shield the connecting conductors 107 to suppress electromagnetic noise contamination, and the grounding wiring conductors 108, which are not exposed to the sides of the insulating substrate 101, can suppress migration.例文帳に追加
接地配線導体108によって接続導体107をシールドして電磁ノイズの進入を抑制し、かつ接地配線導体108が絶縁基板101の側面に露出していないことによってマイグレーションを抑制できる。 - 特許庁
To simplify a process, to miniaturize wiring, and to relatively simply achieve further high-density mounting when manufacturing a wiring substrate with a semiconductor element or the like incorporated therein.例文帳に追加
半導体素子等を内蔵した配線基板を製造するにあたり、工程の簡素化を図り、配線の微細化を実現するとともに、より一層の高密度実装を比較的簡単に実現すること。 - 特許庁
This trimming fuse structure is provided with a first wiring layer 4 that includes fuse sections 11a and 11b formed via a first insulating film 3 on a substrate 1 and a second insulating film 5 covering the first wiring layer 4.例文帳に追加
基板1上に第1の絶縁膜3を介して形成された、ヒューズ部11a、11bを含む第1の配線層4と、第1の配線層4を覆う第2の絶縁膜5とを備えている。 - 特許庁
To easily handle semiconductor chips of various constitution, while actualizing to make a wiring pattern fine without making the wiring pattern complicated and furthermore to secure sufficient bonding property between a resin package and a substrate.例文帳に追加
配線パターンを複雑化することなく配線パターンの微細化を実現しつつ種々の構成の半導体チップに容易に対応でき、しかも樹脂パッケージと基板との間に十分な接合性を確保する。 - 特許庁
The method also includes the steps of forming a polyxylylene fluoride film 6 on the entire surface of the silicon substrate 1 including the side face of the wiring groove 5, and removing the unnecessary polyxylylene fluoride film 6 formed except the side face of the wiring groove 5.例文帳に追加
配線溝5の側面を含むシリコン基板1全面にフッ素化ポリ(キシリレン)膜6を形成し、配線溝5の側面以外に形成された不要なフッ素化ポリ(キシリレン)膜6を除去する。 - 特許庁
Since the intermediate pad and metal film can be formed simultaneously with the same process to form a wiring layer and an electrode pad on the wiring substrate, increase in additional members and manufacturing process will not result.例文帳に追加
中間パッドと金属膜は配線基板に配線層や電極パッドを形成するのと同一の工程により同時に形成することができるので、追加部材や製造工程の増加を招くことがない。 - 特許庁
A first insulating barrier film 203 is deposited on an interlayer insulating film 202 formed on a semiconductor substrate 201, and a first wiring groove 204a and a second wiring groove 204b are formed.例文帳に追加
半導体基板201上に形成された層間絶縁膜202上に第1の絶縁性バリア膜203を堆積し、第1の配線溝204a及び第2の配線溝204bを形成する。 - 特許庁
After inspection of the plating lead wire 5 with respect to disconnection, the plating layer is deposited, so that the wiring substrate region 2 where the plating layer can be normally deposited onto the wiring conductor 4 can be readily detected.例文帳に追加
めっき引き出し線5の断線の有無を検査した後でめっき層を被着させるので、めっき層を配線導体4に正常に被着させ得る配線基板領域2を容易に検知することができる。 - 特許庁
A bypass member 30 which functions as a lightning conductor is provided at the part of the back surface substrate 12 opposed to the power supply wiring 21 in the state that the bypass member 30 is electrically independent from the lower wiring 19a.例文帳に追加
給電配線21に対向する背面基板12の部位には、避雷針として機能するバイパス部材30が下配線19aと電気的に独立した状態で設けられている。 - 特許庁
Here, the process of exposing the aluminum wiring partially or wholly and the process of the anti-corrosion treatment for the aluminum wiring layer are successively carried out in a condition where the substrate 201 does not contact with the atmosphere air.例文帳に追加
ここで、アルミ配線の一部或いは全部を露出させる工程とアルミ配線層の腐食防止処理を行う工程とを、基板201が大気に触れない状態で連続して行う。 - 特許庁
The dummy wiring 7 reduces the level difference, formed in the part for the jointing part to which the cap 8 is jointed, and formed with wiring 6a-6c on the semiconductor substrate 3 at the part for the jointing part.例文帳に追加
ダミー配線7は、半導体基板3上において、キャップ8が接合される接合部分に形成されており、配線6a〜6cによって接合部分に形成される段差を減少させている。 - 特許庁
To provide a pattern forming method with which a minute pattern becoming wiring can be formed on the surface of a substrate and to provide a wiring forming method, a semiconductor device, a TFT device, an electro-optical device and an electronic unit.例文帳に追加
基板の表面へ配線となる微細なパターンが形成できるパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、TFTデバイス、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁
The COF wiring substrate is constituted by forming a wiring pattern with an additive method or semi-additive method using a base material that is formed by sequentially laminating a seed layer and a conductive layer on the front surface of an insulating film.例文帳に追加
絶縁性フィルムの表面にシード層と導電層とを順次積層してなる基材を用いて、アディティブ法又はセミアディティブ法により配線パターンを形成してなるCOF用配線基板。 - 特許庁
On the lower substrate 12 on which the electrode pattern 12a for thermoelements is formed, a wiring pattern 12c for lead connection is formed, where the wiring pattern 12c to which a plurality of leads extended from a stem package 31 are connected.例文帳に追加
そして、熱電素子用電極パターン12aが形成された下基板12上にステムパッケージ31より延出した複数のリードが接続されるリード接続用配線パターン12cが形成されている。 - 特許庁
In a region excluding a peripheral part of a top surface of the silicon substrate 1, the low dielectric constant film wiring lamination structure part 3 comprising the lamination structure of the low dielectric constant film 4 and the wiring 5 is provided.例文帳に追加
シリコン基板1の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。 - 特許庁
In a region other than the outer periphery of the top surface of a silicon substrate 1, a low-dielectric constant film wiring laminated structure part 3 is provided which is made up of a laminated structure of low-dielectric films 4 and wiring 5.例文帳に追加
シリコン基板1の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。 - 特許庁
To provide a wiring board exhibiting excellent reliability of heat resistance in which a resin layer is not stripped from a resin substrate even if a wiring board is heated to high temperatures of 250-260°C.例文帳に追加
配線基板を250〜260℃程度の高温に加熱したとしても、樹脂基板と樹脂層との間に剥離が発生することのない耐熱信頼性に優れる配線基板を提供すること。 - 特許庁
The wiring board (1) has: an insulating substrate (2) in which a hole (4) is formed; a conductor layer for wiring (3) formed on an inner wall face of the hole (4); and a metal layer (5) formed on the conductor layer (3).例文帳に追加
配線基板(1)は、穴部(4)が形成された絶縁基板(2)と、穴部(4)の内壁面に形成された配線用の導体層(3)と、導体層(3)上に形成された金属層(5)とを有する。 - 特許庁
To provide a structure having a first and a second actuator for coarsely moving and finely moving a magnetic head respectively where parallel wiring is enabled for a flexible wiring substrate.例文帳に追加
本発明は、磁気ヘッド粗動用の第1のアクチュエータと、微動用の第2のアクチュエータを設けた構造において可撓性配線基材に対して並列配線ができる構造の提供を目的とする。 - 特許庁
To prevent art work wiring on a head substrate from being restricted by exclusive wiring of a signal input part for inspection which has a device for inspection connected thereto in a liquid discharging apparatus.例文帳に追加
液体吐出装置において、検査用機器が接続された検査用信号入力部の専用配線によって、ヘッド基板上におけるアートワーク配線が制約を受けることが無いようにする。 - 特許庁
Further, the electronic component built-in substrate 1 has a sealing resin 20 formed so as to seal the first structure 10 and a wiring pattern 32 which connects with the wiring pattern 15 with a via 31 interposed therebetween.例文帳に追加
また、電子部品内蔵基板1は、第1の構造体10を封止するように形成された封止樹脂20と、ビア31を介して配線パターン15と接続される配線パターン32と、を有する。 - 特許庁
The wiring containing a large current wiring member which is formed from a copper plate made from such metal as copper and to which a plurality of isometric printed wirings are connected, is provided on the insulator substrate.例文帳に追加
また、例えば銅のような金属からなる銅板により形成され、複数の等長のプリント配線が接続されている大電流配線部材を含む配線を、絶縁体基板上に備える。 - 特許庁
A semiconductor device 1 has wiring layers 4A and 4B formed on both sides of an insulating base 3 constituting a substrate 2 for element mounting, and the wiring layers 4A and 4B are coated with a coating layer 5.例文帳に追加
半導体装置1では、素子搭載用基板2を構成する絶縁基材3の表裏面に配線層4A、4Bが形成され、配線層4A、4Bは被覆層5により被覆される。 - 特許庁
A barrier film 114 made of tantalum (Ta) is deposited by a sputter method inside a connection hole 108, and a wiring groove 110 formed on a semiconductor substrate for connecting to first wiring 102.例文帳に追加
半導体基板上に第1配線102に接続するように形成された接続孔108と配線溝110の内部に、タンタル(Ta)からなるバリア膜114をスパッタ法で堆積する。 - 特許庁
There are provided: a conveyer 34 for supporting the printed-wiring board 2 movably in a conveyance direction; and a substrate moving device for conveying the printed-wiring board 2 on the conveyer by front- and rear-side nib members.例文帳に追加
プリント配線板2を搬送方向に移動可能に支承するコンベア34と、コンベア上のプリント配線板2を前側爪部材と後側爪部材とによって搬送する基板移動装置とを備える。 - 特許庁
In a region excluding a peripheral part of an upper surface of a silicon substrate 1, there is provided a low dielectric film wiring laminate structural part 3 composed of a laminate structure at a low dielectric film 4 and a wiring 5.例文帳に追加
シリコン基板1の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。 - 特許庁
A method of forming a copper wiring layer is characterized in that the method comprises a process of forming a pattern of a copper seed layer on a substrate and a process of forming a copper wiring layer on the pattern of the copper seed layer by means of electroless plating.例文帳に追加
基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁
A receiver composed of wiring patterns 61a to 61d formed on a second principal surface and electronic components mounted on the wiring patterns is formed on the second principal surface of the module substrate 50.例文帳に追加
モジュール基板50の第2の主面側に、当該第2の主面に形成された配線パターン61a〜61d等と当該配線パターン上に設けられた電子部品とからなる受信部を構成する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal driving integrated circuit eliminating intersection of wiring on a relay substrate without complicating the wiring and a liquid crystal drive circuit using the integrated circuit.例文帳に追加
配線を複雑化することなく中継基板上での配線の交差を無くすことができる液晶駆動用の集積回路、およびその集積回路を用いた液晶駆動回路を提供する。 - 特許庁
The wiring of composite structure configured of a metal plate made from such metal as copper and includes an isometric branch wiring member which branches in isometric manner once or more times, is provided on an insulator substrate.例文帳に追加
例えば銅のような金属からなる金属板により形成され、1回又は2回以上等長に分岐する等長分岐配線部材を含む複合構造の配線を、絶縁体基板上に備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that reduces manufacture defects such as braking of back wiring and has a through electrode stably securing insulation between the back wiring and a semiconductor substrate.例文帳に追加
裏面配線の断線等の製造不良を低減し、裏面配線と半導体基板との絶縁を安定的に確保することができる貫通電極を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The circuit board has a wiring layer formed by coating an insulating substrate with ink of superconducting ultrafine particles, and the wiring layer having been sintered includes 0.1 to 10 vol.% of vacancy.例文帳に追加
絶縁性基板上に導電性超微粒子のインクを塗布して配線層を形成した回路基板であって、焼結後の前記配線層は 0.1vol%から10vol%の空孔を含む。 - 特許庁
To ensure migration resistance among wiring patterns by preventing partial peeling or wrinkling from being produced sporadically on the polyimide surface of an exposed film substrate that is not covered with the wiring pattern, and to eliminate complicated process management.例文帳に追加
配線パターンで覆われておらず露出している部分のフィルム基材のポリイミド表面に、部分的な剥れやシワが散発的に発生することを防いで、配線パターン間の耐マイグレーション性を確保する。 - 特許庁
In a method of forming wiring, conductive ink drops R are discharged to a semiconductor substrate 12 from an inkjet head 70 to form the wiring by a conductive layer 16.例文帳に追加
本発明にかかる配線形成方法は、半導体基板12に対しインクジェットヘッド70から導電性のインク滴Rを吐出して、導電層16による配線を形成するための方法である。 - 特許庁
A wiring layer 18 electrically connected to the pad electrode 13, and a wiring layer 19, electrically connected to the pad electrodes 4 and 5, are formed along a side of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
パッド電極13と電気的に接続された配線層18と、パッド電極4,5と電気的に接続された配線層19とが、半導体基板11の側面に沿って形成されている。 - 特許庁
Thereafter, the wiring pattern 13 is formed, by removing the exposed first metal layer 20 other than the part to form the wiring pattern, by uniformly conducting the etching process to the entire part of the surface of the substrate.例文帳に追加
その後、基板表面全体に均一にエッチングを施すことにより、配線パターンを形成する部位以外の、露出する第1の金属層20を除去して配線パターン13を形成する。 - 特許庁
To provide a printed wiring board having sufficient adhesiveness between a wiring and a substrate and sufficient heat resistance and to provide a curable resin composition forming prepreg having sufficiently suppressed breakages or cracks.例文帳に追加
十分な配線−基板間の接着性と十分な耐熱性とを有するプリント配線板及び折れや割れを十分に抑制したプリプレグを形成可能な硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
A transmitter composed of wiring patterns 55a to 55d formed on a first principal surface and electronic patterns mounted on the wiring patterns is formed on the first principal surface of a module substrate 50.例文帳に追加
モジュール基板50の第1の主面側に、当該第1の主面に形成された配線パターン55a〜55d等と当該配線パターン上に設けられた電子部品とからなる送信部を構成する。 - 特許庁
To provide a wiring subfastrate having a flip-chip connection terminal where enough junction strength to a bump electrode of a semiconductor chip can be obtained when a semiconductor chip is joined to a wiring substrate.例文帳に追加
半導体チップを配線基板に接合する際半導体チップのバンプ電極との接合強度が充分に得られるフリップチップ用接続端子を有する配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
Data wiring is branched to a first line and a second line from one end of a substrate and each branched wiring is constituted at a lower part of a reflection electrode constituted in pixel areas adjacent in the parallel direction.例文帳に追加
データ配線を基板の一端から第1ラインと第2ラインに分岐して、分岐した各配線を平行した方向に隣接した画素領域に構成された反射電極の下部に構成する。 - 特許庁
To improve packaging reliability relating to a suitable wiring board used as the core substrate of a build up multilayer board or used as only a two-layer wiring board, and its manufacturing method.例文帳に追加
本発明はビルドアップ多層基板のコア基板として或いは単に二層配線基板として用いて好適な配線基板及びその製造方法に関し、実装信頼性の向上を図ることを課題とする。 - 特許庁
A nonporous anode oxidation film (MAO) 5 is formed by anodizing the surface of a wiring metal film formed on a substrate, and then the wiring metal film is patterned to form a gate electrode 4.例文帳に追加
基板上に形成された配線金属膜の表面を陽極酸化することにより無孔質陽極酸化膜(MAO)5を形成した後、配線金属膜をパターニングしてゲート電極4を形成する。 - 特許庁
Inside the multilayer substrate 11, high-frequency signal wiring 24 is provided on the lower side of the duplexer 6, and internal ground electrodes 22, 26 and 27 are provided around the high-frequency signal wiring 24.例文帳に追加
多層基板11の内部には、デュプレクサ6の下方に位置して高周波信号配線24を設けると共に、高周波信号配線24の周囲には内部グランド電極22,26,27を設ける。 - 特許庁
Gate wiring 114, 115, data wiring 130, 131, 132, thin film transistors, and pixel electrodes 150 are formed on a thin film transistor substrate, and a pixel electrode 150 has cut-out patterns 151, 152.例文帳に追加
薄膜トランジスタ基板上にゲート配線114,115、データ配線130,131,132、薄膜トランジスタ及び画素電極150が形成されており、画素電極150は切除パターン151,152を有している。 - 特許庁
As a result, the polyimide resin composition suitable as a substrate material of printed-wiring boards can be provided, and by using this composition, printed-wiring boards superior in quality can be obtained.例文帳に追加
その結果、プリント配線板の基板材料として好適なポリイミド系の樹脂組成物を提供できるとともに、これを用いることで、優れた品質を有するプリント配線板を得ることができる。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a reliable high-density multilayer printed-wiring board that prevents a substrate from being warped by press and heating in the manufacturing process of the multilayer printed- wiring board.例文帳に追加
多層プリント配線板の製造工程における加圧・加熱によっても基板にそりを生じることのない、高信頼性を有した高密度プリント配線板の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
On a surface of the substrate 13, a land 15 to which a terminal 14a of the part 14 is connected, a wiring pattern 16 connected to the land 15, and a wiring pattern 17 to which a relatively small amount of electric current flows are dispersed.例文帳に追加
基板13の表面に、部品14の端子14aが接続されるランド15や、そのランド15に接続される配線パターン16、比較的小さい電流が流れる配線パターン17を設ける。 - 特許庁
A concave groove 5 along the pattern of a thin film wiring is formed on the surface of the insulation substrate 1 and banks 2 having side walls opposed to each other on the both sides of the thin film wiring and extending along the both edges of the concave groove 5 are provided.例文帳に追加
絶縁基板1の表面に、薄膜配線のパターンに沿った凹溝5を設け、この凹溝5の両縁に沿って薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンク2を備える。 - 特許庁
Therefore, a plurality of core substrates 10 and 50 ensure the strength of a multilayered printed wiring board, so that the core substrate can be formed thin, and the thickness of the multilayered printed wiring board be also made small.例文帳に追加
即ち、複数のコア基板10、50を用いて多層プリント配線板の強度を保つため、コア基板を薄く形成することが可能となり、多層プリント配線板の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁
Further, since the lower part of an I-type core 3 is a low potential side at the output on the secondary side, wiring is allowed also at the lower part of the I-type core 3, improving flexibility in wiring with a substrate.例文帳に追加
また、2次側の出力においてI型コア3の下部が低電位側となるのでI型コア3の下部にも配線が可能となり、基板における配線の自由度を高くすることができる。 - 特許庁
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