「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The dielectric layer 14 is etched to form a desired mutual connection part 16 which comprises a floor 20, where a small part of the substrate layer 12 and a dielectric side wall 22 are exposed.例文帳に追加

より詳細には、前記２段階のアニール処理は、約３０秒以下の間、約３００℃以下で金属層、好ましくは電気めっきされた銅をアニールするために供給され、約９０秒以下の間、約３００℃と約４５０℃の間で前記層をアニールすることが続く。 - 特許庁

To provide a method of inspecting whether a semiconductor integrated circuit device constituted by laminating a plurality of integrated circuit layers in a thickness direction has a defect in inter-layer connection in a short time each time one layer is laminated, and the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a scalability concept which provides, on one hand, a maximum flexibility for the calculation of motion data of different layers and, on the other hand, allows a lower bit rate in scalable video coding in connection with motion compensation both in a base layer and in an enhancement layer.例文帳に追加

スケーラブルビデオ符号化において、ベースレイヤおよび拡張レイヤの双方における動き補償に関連して、一方でいろいろなレイヤの動きデータの計算に対する最大の柔軟性を提供し、他方ではより低いビットレートを可能にするスケーラビリティ概念を得る。 - 特許庁

The flexible wiring board 1A includes a first wiring layer 10a including signal wiring 12, a second wiring layer 10b including a ground conductor pattern 13, and a terminal 14 electrically connected to the signal wiring 12 to make electric connection with an external conductive element.例文帳に追加

フレキシブル配線基板１Ａは、信号配線１２を含む第一配線層１０ａと、接地導体パターン１３を含む第二配線層１０ｂと、信号配線１２と電気的に接続され、外部の導電要素との電気的接続を図るための端子１４とを備える。 - 特許庁

Thus, when the heating period by the high frequency induction heating starts, sufficient amount of metal molecules diffuse from the strands in the specific layer during the soaking period B, to join the connection parts of the strands in the specific layer with stronger joining strength.例文帳に追加

そのため、高周波誘導加熱の加熱期間が始まると、前記特定層における素線からは、均熱期間Ｂの間に金属分子が十分に拡散することになり、前記特定層における素線同士の接触部がより強い接合強度で接合される。 - 特許庁

An air supply hose 50 arranged in a lattice shape and T-shaped joints 54 provided at connection parts each positioned at a corner of each lattice of the air supply hose 50 are disposed in a planar shape between opposing surfaces of a lower-layer mat 20 and an intermediate-layer mat 30.例文帳に追加

下層マット２０と中層マット３０との対向面間に、格子状に配索されたエアー供給ホース５０と、エアー供給ホース５０の各格子の角となる接続部分に設けられたＴ字状のジョイント５４とを平面状に配置している。 - 特許庁

In this wiring substrate having a wiring member 30 in which the insulating layers including the wiring layers are laminated and the reinforcement layer 50 provided in the peripheral part of connection pads 18 on the wiring member 30, a plurality of recessed and projecting stripes 50a are provided in the reinforcement layer 50.例文帳に追加

配線層を含む絶縁層が積層された配線部材３０と、配線部材３０上の接続パッド１８部周辺に設けられた補強層５０とを有した配線基板において、補強層５０に複数の凹凸条部５０ａを設ける。 - 特許庁

Furthermore, since a heating range of the plated layer can be widened, for example, since there is no need to move the heating range like a laser beam, time needed for reflow of the plated layer can be shortened, and mass productivity of the electric connection terminal can be improved.例文帳に追加

さらに、めっき層の加熱範囲を広くすることができるので、例えばレーザビームのように加熱範囲を移動させる必要がないことから、めっき層のリフローに要する時間を短縮することができ、電気接続端子の量産性を向上させることができる。 - 特許庁

In the outside and inside regions of the ring-like magnetic body 4, two rows of through hole are formed to penetrate the conductor layer 51, the insulating substrate and the conductor layer 53 and a conductive material is arranged in these through holes to form connection conductors 6 and 7.例文帳に追加

次に、リング状磁性体４の外側および内側の領域において、導体層５１と絶縁基材と導体層５３とを貫通する２列の貫通孔を形成し、これらの貫通孔に導電材料を配して、接続用導体６および７を形成する。 - 特許庁

To prevent a heating process from having a thermal effect on an electronic component up to the interior thereof when a connection conductive layer of a Pb free Sn based alloy plating layer formed on the surface of an external terminal in order to suppress generation of whisker is melted.例文帳に追加

ウィスカの発生を抑制するために外部端子の表面に形成したＰｂフリーのＳｎ系合金めっき層から成る接続用導電層を溶融させる際に、加熱処理によって電子部品の内部まで熱的影響を与えることがないようにする。 - 特許庁

Even if the size of the package 4 for containing a semiconductor element is reduced, the area of the metallized layer 7 for external connection contributive to bonding to an external electric circuit board 8 is increased thus ensuring a sufficient bonding strength between the metallized layer 7 and the external electric circuit board 8.例文帳に追加

半導体素子収納用パッケージ４を小型化しても、外部接続用メタライズ層７の外部電気回路基板８との接合に寄与する面積を増加させて外部電気回路基板８との間で十分な接合強度を確保することができる。 - 特許庁

An NiFe magnetic layer 13 is film-formed by a PVD method using an NiFe chamber of a PVD device on the bottom surface and side surface of a connection hole 30 and the bottom surface and the side surface of a groove 31 for wiring through a Ta/TaN laminated barrier layer 12.例文帳に追加

接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａ／ＴａＮ積層バリア層１２を介して、ＮｉＦｅ磁性層１３をＰＶＤ装置のＮｉＦｅチャンバを用いたＰＶＤ法によって成膜する。 - 特許庁

An exothermic body 6 is embedded in a silicon nitride ceramic substrate 5, and the lead wire 15 is bonded to a terminal 11 for a lead wire connection to range to this exothermic body while retaining conduction, using a soldering material layer having copper as the main component while keeping this soldering material layer as thick as 30 to 400 μm.例文帳に追加

窒化珪素セラミック基体５中に発熱体６を埋設し、この発熱体に導通を保持して連なるリード線接続用端子１１に、リード線１５を、銅を主成分とするロウ材２０でそのロウ材層を３０〜４００μｍと厚くして接合した。 - 特許庁

A body region is formed in the single crystal Si layer below the gate electrode, a body contact region 26 joined to the body region for electrical connection is formed in the single crystal Si layer, and one portion of the body contact region is positioned at the lower portion of the hammer head.例文帳に追加

ゲート電極下の単結晶Ｓｉ層にはボディー領域が形成され、ボディー領域に繋げられ電気的に接続されたボディーコンタクト領域２６が単結晶Ｓｉ層に形成され、ボディーコンタクト領域の一部は前記ハンマーヘッド部分の下方に位置する。 - 特許庁

By using enhancements to the standard ATM SPVC/SVC signaling messages, a layer 3 IP path-specifying processes on multi-service switches at the opposite ends of the network allow a traffic to flow in transparent manner via an underlying layer 2 virtual connection.例文帳に追加

標準ＡＴＭ ＳＰＶＣ／ＳＶＣ信号送信メッセージに対する強化を使用して、ネットワークの反対側エンドのマルチサービススイッチでのレイヤ３ＩＰ経路指定プロセスは、トラフィックが、下にあるレイヤ２仮想接続を介してトランスペアレントに流れることを可能にする。 - 特許庁

On the principal surface of an insulator layer 19b, a coil conductor 18b, which has a wall part W protruding on the side in a positive direction in the z-axial direction from a connection position P1 where the via hole conductor b1 formed in the insulator layer 19b laminated on the positively-directional side in the z-axial direction is connected, is formed at least partially around the connection position P1.例文帳に追加

絶縁体層１９ｂの主面上に、ｚ軸方向の正方向側に積層される絶縁体層１９ａに形成されたビアホール導体ｂ１が接続される接続位置Ｐ１の周囲の少なくとも一部において、接続位置Ｐ１よりもｚ軸方向の正方向側に突出する壁部Ｗを有するコイル導体層１８ｂを形成する。 - 特許庁

Especially, the formation end of solder resist formed at the lower substrate at a cavity bottom part is formed while providing a gap by a non-formation part with the end of the opening part of the upper substrate or the end of the opening part of the inter-substrate connection sheet to manufacture the multilayer circuit board of the all-layer IVH structure which has a cavity structure and high inter-layer connection reliability.例文帳に追加

特に、キャビティ底部の下側基板に形成されるソルダレジストの形成端が、上側基板の開口部の端部あるいは基板間接続シートの開口部の端部との間で非形成部による隙間を設けて形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁

On the semiconductor circuit device surface having necessary circuits formed, one layer or a plurality of layers of insulating layer composed of an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a component of organic filler of ≤1 μm in average primary particle size is provided, and circuits using copper as interconnection conductors for the same intralayer connection and the interlayer connection are formed on optional locations.例文帳に追加

必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁

Between a main power wiring layer and an intermediate power wiring layer, a first intermediate connection via connecting first main power wiring to first intermediate power wiring is formed at a position overlapping the first main power wiring, and a second intermediate connection via connecting second main power wiring to second intermediate power wiring is formed at a position overlapping the second main power wiring.例文帳に追加

主電源配線層と中間電源配線層との間には、第１の主電源配線と重なる位置に、第１の主電源配線と第１の中間電源配線とを接続する第１の中間接続ビアが設けられ、第２の主電源配線と重なる位置に、第２の主電源配線と第２の中間電源配線とを接続する第２の中間接続ビアが設けられる。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

A connection part 12 in one of a plurality of phases constituting a power cable line is disassembled to recover an insulating reinforcement layer 9, the oxidation degree, amount of residual antioxidant, oxidation induction period, thermal decomposition starting temperature, and elongation during breaking of this insulating reinforcement layer 9 are measured, and based on the measurement result, the service life of the connection parts of the entire cable line is judged.例文帳に追加

電力ケーブル線路を構成する複数の相のうちのいずれか１相の接続部１２を解体して絶縁補強層９を回収し、この絶縁補強層９の酸化度合、残留酸化防止剤の量、酸化誘導期、熱分解開始温度、および破断時の伸びを測定し、測定結果に基づいてケーブル線路全体の接続部の耐用寿命を判定する。 - 特許庁

A coil structure 110 having inductance which offsets or eases influence of a parasitic capacitance generated around a parasitic capacitance generating part in the longitudinal signal transmission path between a signaling solder ball 1S3 that is an external connection terminal and a signaling wiring conductor 1S51 disposed on a layer other than the layer on which the external connection terminal 1S3 is disposed.例文帳に追加

外部接続端子である信号用ハンダボール１Ｓ３と、前記外部接続端子１Ｓ３が配置される層以外の層に配置される信号用配線導体１Ｓ５１と、の間における縦方向信号伝達経路中の寄生容量発生箇所付近に、発生する寄生容量の影響を相殺ないしは緩和するインダクタンスを有するコイル構造体１１０が配置されている。 - 特許庁

In this suspension board 1 with a circuit, the electrostatic charges on the conductive pattern 4 can be efficiently removed via the semiconductive layer 5 and the ground connection section 7, and further, since the semiconductive layer 5 does not directly contact the metal supporting board 2 but connected to the metal supporting board 2 via the ground connection section 7, the corrosion of the metal supporting board 2 can be efficiently prevented.例文帳に追加

この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４に帯電する静電気を、半導電性層５およびグランド接続部７を介して効率的に除去でき、しかも半導電性層５は、金属支持基板２と直接接触せず、グランド接続部７を介して金属支持基板２と接続されるので、金属支持基板２の腐食を有効に防止できる。 - 特許庁

Thus, when a connection identifier based on one or more physical layer identifiers is available to a wireless terminal, e.g., from one or more downlink signals received from a destination access node, the wireless terminal can use the connection identifier corresponding to the destination node to route a message via an access node having an established uplink connection.例文帳に追加

従って、１または複数の物理レイヤ識別子に基づいて、例えば、宛先アクセス・ノードから受信した１または複数のダウンリンク信号から、無線端末に接続識別子が利用可能である場合、無線端末は、確立されたアップリンク接続を有するアクセス・ノードを経由してメッセージをルーティングするために、宛先ノードに対応する接続識別子を用いることができる。 - 特許庁

Thus, when a connection identifier based on one or more physical layer identifiers is available to a wireless terminal, e.g., from one or more downlink signals received from a destination access node, the wireless terminal can use the connection identifier corresponding to the destination node to route a message via an access node with which it has an established uplink connection.例文帳に追加

従って、宛先アクセス・ノードから受信した１又は複数のダウンリンク信号から、１又は複数の物理レイヤ識別子に基づいた接続識別子が、無線端末に利用可能な場合、この無線端末は、確立されたアップリンク接続を有するアクセス・ノードを経由してメッセージをルーティングするために、宛先ノードに対応する接続識別子を使用することができる。 - 特許庁

The communication device consists of a means that stores packets from a host layer, a means that identifies a connection of the stored packets, a means that uses the identification result to manage a transmission state of the packets of each connection and a means that controls the transmission sequence of the packet depending on the transmission state so as to place the priority onto the packet of the connection whose packet is not transmitted.例文帳に追加

上位層からのパケットを蓄積する手段と、その蓄積されたパケットのコネクションを識別する手段と、その識別結果を用いて、各コネクションのパケットの送信状況を管理する手段と、その送信状況に基づいて、パケットが未送信であるコネクションのパケットを優先するように、パケットの送信順序を制御する手段と、から構成される通信装置である。 - 特許庁

The shield film 20 connected to a conductive member 30 by heating and pressurization includes: a cover film 25 formed of a resin having a melting point higher than the temperature during the heating, and formed at a layer thickness L1 smaller than an average projection length L2 of conductive particles 35 projecting from a conductive adhesive layer 33 in connection; and a metallic thin-film layer 24 and an adhesive layer 23 sequentially laminated on the cover film 25.例文帳に追加

加熱および加圧によって導電部材３０に接続されるシールドフィルム２０は、加熱時の温度よりも融点の高い樹脂により形成され、接続において、導電性接着層３３から突出した導電性粒子３５の平均突出長Ｌ２よりも薄い層厚みＬ１で形成されるカバーフィルム２５と、カバーフィルム２５に順に積層された金属薄膜層２４および接着層２３と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the trench capacitor formed in the trench of a semiconductor substrate, the transistor for driving the trench capacitor, a semicircular column type semiconductor layer constituting a part of an electric connection route between the trench capacitor and the transistor while being arranged above the trench, and a resistance layer embedded into the semicircular column type semiconductor layer and having a resistivity lower than that of the semicircular column type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板中のトレンチに形成されたトレンチキャパシタと、トレンチキャパシタを駆動するトランジスタと、トレンチキャパシタとトランジスタとの電気的接続経路の一部を構成するトレンチ上部の半円柱状半導体層と、半円柱状半導体層内に埋め込まれ、半円柱状半導体層よりも低い抵抗率を有する低抵抗層とを備えている。 - 特許庁

This thermosetting connection member for a circuit is composed by forming an epoxy resin and a phenoxy resin as an insulating adhesion layer on at least one surface of a conductive adhesion layer comprising a conductive material, an epoxy resin and a phenoxy resin as a binder and having conductivity in a pressing direction, and is provided with an insulating adhesion layer having melt viscosity equivalent to that of the conductive adhesion layer.例文帳に追加

導電材料と、バインダとしてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とよりなる加圧方向に導電性を有する導電性接着層の少なくとも片面に絶縁性の接着層としてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂が形成されてなる多層接続部材であって、前記導電性接着層と同等の溶融粘度を有する絶縁性接着層を備える熱硬化性回路用接続部材。 - 特許庁

The terminal 6 for external connection is constituted by successively layering an electrode layer 102 made of the same electrode material as a scanning line electrode 12, an electrode layer 103 made of the same electrode material as a signal line electrode 11, an electrode layer 104 made of the same electrode material as a transparent electrode 18, and an electrode layer 105 made of the same electrode material as a reflective electrode 19 on a glass substrate 21.例文帳に追加

ガラス基板２１上において、走査線電極１２と同一の電極材料からなる電極層１０２、信号線電極１１と同一の電極材料からなる電極層１０３、透明電極１８と同一の電極材料からなる電極層１０４、反射電極１９と同一の電極材料からなる電極層１０５を順に積層することにより外部接続端子６を構成する。 - 特許庁

The MN1 includes a routing information notice section 11 that informs the AP and the layer 2 switch in a subnet wherein the MN1 resides about routing information including a data link layer unicast address and a data link layer multicast address of a packet addressed to the MN1 when the MN1 is started and the MN1 switches its connection to the AP in the subnet wherein the MN1 resides.例文帳に追加

ＭＮ１は、ＭＮ１が起動する場合、及びＭＮ１が在圏するサブネット内のＡＰへＭＮ１が接続を切り替える場合に、ＭＮ１が在圏するサブネット内のＡＰ及びレイヤー２スイッチに、ＭＮ１宛てパケットのデータリンク層ユニキャストアドレス及びデータリンク層マルチキャストアドレスを含む経路情報を通知する経路情報通知部１１を備える。 - 特許庁

To provide an electronic component mounting method and a mounting structure, which are capable of easily forming an adhesive layer, surely and sufficiently removing a part of an insulating layer from a board, surely and reliably forming a connection hole and a wiring layer, an electronic device using electronic components, and its manufacturing method.例文帳に追加

接着剤層の形成を容易にすると共に、基板上の絶縁層の一部を確実にかつ十分に除去して、接続孔及び配線層を確実にかつ信頼性良く形成することのできる電子部品の実装方法及び実装構造、並びにこの電子部品を用いた電子装置の製造方法及び電子装置を提供すること。 - 特許庁

A bonding layer material flowout preventing layer 21a is formed on first and second wiring conductors 9a for connection to power-feeding first and second wiring conductors 7a to which the block-like electrode 11a is bonded, and the block-like electrode 11a is press-heated to the electrode bonding layer 13 for bonding to the power-feeding first and second wiring conductors 7a.例文帳に追加

ブロック状電極１１ａが接合される給電用第１、第２配線導体７ａに接続する接続用第１、第２配線導体９ａに接合層材料流出抑制層２１ａを形成した後、ブロック状電極１１ａを給電用第１、第２配線導体７ａに電極接合層１３に押し当て加熱して接合する。 - 特許庁

The wiring member 19 has a conductive part 19c1 for electrically connecting the conductive layer 19c with a wiring connection part 15a1 through a through-hole 19b1 disposed in the electrical insulation layer 19b, and an island-shaped terminal part 19a1 that is formed by electrically isolating the part of the conductive base material layer 19a that continues to the conductive part 19c1.例文帳に追加

配線部材１９は、電気絶縁層１９ｂに設けた貫通孔１９ｂ１を介して、導体層１９ｃと配線接続部１５ａ１との間を導通接続する導通部１９ｃ１と、導通部１９ｃ１に連なる導電性基材層１９ａの部分を電気的に隔離形成した島状端子部１９ａ１とを有する。 - 特許庁

Then microscopic openings 10 and 11 reaching the traces 8 of a wiring pattern are formed in an insulating layer of the single-layer circuit board, and electrodes 12 for mutual connection with the single-layer circuit board are formed again by plating means for forming a multilayer flexible circuit board.例文帳に追加

そして、電極部６の箇所を含めて上記単層回路基板の絶縁層７にその配線パタ−ン８に達する微細な開口部１０及び１１を形成し、次いでこの開口部１０及び１１にメッキ手段で他の単層回路基板との相互接続の為の電極部１２を再度形成して多層の可撓性回路基板を形成する。 - 特許庁

Thus, even when forming the diffusion layer region 5 thiny, the shrinkage at both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 is suppressed, and the increase of the contact resistance is suppressed, while securing the connection area of both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 and a contact plug 13 embedded in a contact hole 12.例文帳に追加

これにより、拡散層領域５を細く形成する場合でも、拡散層領域５の長手方向の両端における縮みを抑制することができ、拡散層領域５の長手方向における両端と、コンタクトホール１２に埋め込まれたコンタクトプラグ１３との接続面積を確保しながら、コンタクト抵抗の上昇を抑えることが可能である。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

For the connection terminal applying tin plating or tin alloy plating directly or via a dissimilar metal plated layer on the surface of a conductive base body, reflow is applied to at least an insertion-coupling part or a contact part; and for the reflow, a molten recrystallized layer is formed there, by melting the vicinity of a surface layer that does not reach the conductive base body.例文帳に追加

導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、少なくとも嵌合部または接点部にリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成した。 - 特許庁

The electronic component package comprises a first electronic component having an electrode pad provided on a main side, a resin layer provided on the first electronic component, a mounting pad provided on the resin layer, and a bonding wire provided on the resin layer for making electrical connection of the electrode pad with the mounting pad.例文帳に追加

一方の主面上に設けられた電極パッドを有する第１の電子部品と、前記第１の電子部品上に設けられた樹脂層と、前記樹脂層上に設けられた実装用パッドと、前記樹脂層中に設けられ、前記パッドと前記実装用パッドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、を具えるようにして電子部品パッケージを構成する。 - 特許庁

On a surface of deflecting electrode main body 2 constituted of ceramics consisting of electroconductive oxide and sintering additives, a metallized layer composed of an adhering metallized layer 3 constituted by the electroconductive material containing at least one of Ti, Cr, Zr, Ni and a metallized layer 4 for connection constituted by the electroconductive material containing at least one of Cu, Ni, Au, Pt, Ag is installed.例文帳に追加

導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラミックスで構成した偏向電極本体２の表面に、少なくとも、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される密着メタライズ層３と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される接続用メタライズ層４とからなるメタライズ層を設ける。 - 特許庁

To provide an electro-optical device, a manufacturing method for an electro-optical device, and a projection type display device, which can achieve both reduction in connection resistance between a metal layer and a pixel electrode and reduction in sheet resistance of the pixel electrode even in a structure where the metal layer and the pixel electrode including a metal oxide layer are in contact with each other.例文帳に追加

金属層と金属酸化物層からなる画素電極とが接する構造を採用した場合でも、金属層と画素電極との接続抵抗の低減、および画素電極のシート抵抗の低減の双方を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an EL emission decorative mold, a manufacturing method therefor, and an EL emission decorative sheet used therefor, capable of EL emission with sure even with a solid form, with high positional precision at the connection contact part of an EL layer, with high adhesion strength of a transparent electrode layer constituting the EL layer, while loss is hard to occur at manufacturing.例文帳に追加

立体形状であっても確実にＥＬ発光ができ、ＥＬ層の接続接点部分の位置精度が高く、ＥＬ層を構成する透明電極層の密着強度が高く、製造時にロスが生じにくいものであるＥＬ発光加飾成形品とその製造方法とそれに使用するＥＬ発光加飾シートを提供する。 - 特許庁

In the build-up wiring board having an inner layer wiring, a micro via hole is formed as a means for connection to the inner layer wiring, the wall surface of the micro via hole is plated with copper to obtain an electric conduction between layers, and the characteristic impedance of the micro via hole is matched with that of the inner layer wiring.例文帳に追加

内層配線を有するビルドアップ配線板において、内層配線へ接続する手段としてマイクロバイアホールを形成し、層間の電気的導通を得る為にマイクロバイアホール壁面に銅めっきを施し、更に、このマイクロバイアホール内への導電性物質を充填することにより、マイクロバイアホール部の特性インピーダンスを内層配線と合せるものである。 - 特許庁

In a bus bar 10 for connecting vehicular electrical devices, using an aluminum plate 12 having a specified width as a base, primer layer 14 is provided on the surface of a portion other than an electrical connection portion of the aluminum plate for connecting with the electrical device, and an electrically insulative coating layer 16 is formed on the primer layer using polyamide-12 resin material.例文帳に追加

所定幅のアルミニウム板１２をベースとして、このアルミニウム板の電気機器との電気的接続部位を除く他の部位の表面にプライマー層１４を設け、更にこのプライマー層の上に、ポリアミド１２樹脂材料を用いて電気絶縁性の被覆層１６を形成して、自動車の電気機器同士を電気的に接続するためのバスバー１０を構成した。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device having multi-layer wiring structure comprises heat conduction parts 33, 35, 37 (see the regions A, E, F) extending to the upper layer side via paths different from a connection hole for signal transmission and a metal wiring layer (see the region C).例文帳に追加

多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。 - 特許庁