「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a probe card that is easy to keep high reliability as reducing the density of a probe arrangement when contact regions (such as pads or bumps) under measurement are arranged with fine pitches, and a chip region sorting method using the same.例文帳に追加

測定対象となる接触領域（パッド、バンプ等）が狭ピッチの場合に探針配列の密集を軽減しつつ、高信頼性を維持しやすいプローブカード及びそれを用いたチップ領域ソート方法を提供する。 - 特許庁

To provide an absorbent wearing article designed so that, at least in the front waist region, both lateral edges of a liquid-absorbent structure can be kept in close contact with the wearer's inguinal regions and side leakage of bodily fluids can be reliably prevented.例文帳に追加

少なくとも前ウエスト域において吸液性構造体の両側耳部を着用者の鼠径部に密着させ、体液の横漏れを確実に防止することのできる吸収性着用物品の提供。 - 特許庁

When the cleaning sheet 28 held on the conveyance drum 22 is caused to pass through the recording region while it is in contact with the ink discharge surfaces of the heads 12Y, 12M, 12C, and 12K of the printing unit 12, the ink discharge surfaces are cleaned.例文帳に追加

搬送ドラム２２に保持されたクリーニングシート２８を印字部１２のヘッド１２Ｙ、１２Ｍ，１２Ｃ，１２Ｋのインク吐出面に接触させながら記録領域を通過させることで、インク吐出面のクリーニングが行われる。 - 特許庁

Besides, because the bottom surface of the trench 6 and surfaces of the outside (an n^+-type source region 4 and a p^+type contact layer 5) of the trench 6 are the Si planes, a gate oxide film 7 becomes a high-reliability film that can suppress degradation.例文帳に追加

また、トレンチ６の底部やトレンチ６の外部（ｎ^+型ソース領域４およびｐ^+型コンタクト層５）の表面がＳｉ面となるため、ゲート酸化膜７は、劣化を抑制できる信頼性の高い膜となる。 - 特許庁

To provide a display device and a display program having improved selectability of a desired item and region in the display device capable of detecting a contact position onto a display screen.例文帳に追加

表示画面への接触位置が検出可能な表示装置において、所望する項目や領域の選択容易性が向上した表示装置及び表示用プログラムを提供することを目的とするものであある。 - 特許庁

Further, the dryer 10 comprises first and second support stands 12 and 13 for supporting the bedding 50 so that the outer surface entire region of the bedding 50 comes into contact with air that is fed in from the air inlet section 17.例文帳に追加

さらに乾燥装置１０は、布団５０の外表面全領域が、空気送入部１７から送入された空気に接触するように、布団５０を支持する第１および第２支持台１２，１３を備える。 - 特許庁

A support part 31 for supporting only the peripheral sealing material part of the liquid crystal display panel and having a prescribed height is provided on the holder plate 30 for preventing the display region of the liquid crystal display panel from being brought into contact with the holder plate 30.例文帳に追加

ホルダープレート３０に、液晶表示パネルの周辺シール材の部分のみを支持する所定高さの支持部３１を設けて、液晶表示パネルの表示領域がホルダープレート３０に接しないようにする。 - 特許庁

A housing 10 is provided so as to airtightly cover the region ranging from the rotary kiln 1 to the tubular body 2 and the packing 11 provided on the side of the housing 10 is airtightly brought into slide contact with the slide body 20 mounted on the tubular body 2.例文帳に追加

ロータリキルン１から管状体２側に気密に被さるハウジング１０を設け、このハウジング１０側に設けたパッキン１１を管状体２に装着した摺動体２０に気密に摺動接触させる。 - 特許庁

Width of p-type layers 8a to 8d becomes wider, namely size in the flat surface direction of a n^+-type substrate 1 becomes larger as it goes nearer to the center of a region in contact with a n^--type drift layer 2 of the Schottky electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極４のうちｎ^-型ドリフト層２と接触する領域の中心部に近づくほどｐ型層８ａ〜８ｄの幅、つまりｎ^+型基板１の平面方向の寸法が広くなるようにする。 - 特許庁

As a result, the gate length of the load transistors Q5, Q6 can be increased, and a source-contact conductive part 73a can be arranged, in a region between a gate-to-gate electrode layer 21a and a gate-to-gate electrode layer 21b.例文帳に追加

このため、負荷トランジスタＱ_5、Ｑ_6のゲート長を大きくすることができ、また、ソースコンタクト導電部７３ａをゲート-ゲート電極層２１ａとゲート-ゲート電極層２１ｂとの間の領域に配置することができる。 - 特許庁

An elastic body 18 with elasticity is arranged outside an X-ray image pickup region inside a sealed cabinet lid 16 for pressing the X-ray image detecting panel 13 against the supporting base 12 into contact.例文帳に追加

密閉された筺体蓋１６の内側のＸ線像撮像領域外には、Ｘ線像検出パネル１３を支持基台１２に圧着させるために、弾性力を有する弾性体１８が配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device has an SOI substrate 10, an active region 3a, a first insulation film 3b (a completely separating insulation film), a second insulation film 3c (a partially separating insulation film), and a contact portion 4.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳＯＩ基板１０、活性領域３ａ、第一の絶縁膜（完全分離絶縁膜）３ｂ、第二の絶縁膜（部分分離絶縁膜）３ｃ、およびコンタクト部４を備えている。 - 特許庁

The element loading part 2a includes a shape having a notch 21a outside a fixed region with the button face of the semiconductor element, and the adhesive 4 is brought into contact with the resin substrate 1 in the notch 21a.例文帳に追加

素子搭載部２ａは、半導体素子底面との固着領域の外側に切欠き部２１ａを有する形状を有し、接着剤４は切欠き部２１ａにおいて、樹脂基板１に接触するものとなっている。 - 特許庁

Then, the side which is not brought into contact with the clipping object is selected as the side of the start the clipping processing according to the decision result, and the values of pixels are checked in the internal direction of the polygonal region from the selected side.例文帳に追加

次に、その判定結果に従って、切抜き対象に接していない辺を切抜き処理を開始する辺として選択し、その選択された辺から多角形領域の内側方向に画素の値を調べる。 - 特許庁

The exposed part of the first insulation film is so etched with the second etching stopper film pattern and the spacer as a mask as to form a node contact hole to expose the conductive region to form a first insulation film pattern.例文帳に追加

導電領域を露出させるノードコンタクトホールが形成されるように第２エッチング阻止膜パターン及びスペーサをマスクとして露出された第１絶縁膜をエッチングして第１絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁

The p-electrode 10 is constituted of respective parts, such as, a contact electrode part 10a, an extraction wiring part 10b and an electrode part 10c for bonding; and the electrode part 10c for bonding is formed on the external region 21.例文帳に追加

このｐ電極１０は、コンタクト電極部１０ａ、引き出し配線部１０ｂ、ボンディング用電極部１０ｃの各部から構成されており、ボンディング用電極部１０ｃは、外部領域２１上に形成される。 - 特許庁

A seal member 410 has a passage region 410A at the center where air (or oxygen) passes, and is arranged on the side face 300B of the fuel cell stack 300 in contact with the fuel cell stack 300.例文帳に追加

シール部材４１０は、空気（または酸素）が通過するための通過領域４１０Ａを中央部に有し、燃料電池スタック３００の側面３００Ｂに燃料電池スタック３００に接して配置される。 - 特許庁

In the irradiation process, the second surface 10b upward directed by the rotation process of the sample 20 is irradiated with the converged ion beam, and a membrane region 20a is formed at the sample 20 in the extending direction of the contact.例文帳に追加

照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor having an oxide semiconductor as a semiconductor layer including a channel formation region includes; forming an oxide insulating film to come into contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a portion of the silicon oxide film 30 in the silicide region except a part in contact with the lower end of the side wall spacer 14 is removed by anisotropic dry etching, and after the photoresist 4 is removed, wet etching is carried out.例文帳に追加

その後、異方性ドライエッチングを行うことによりシリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４の下端部と接する部分以外を除去し、フォトレジスト４を除去した後、ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a phase change memory element for preventing degradation and heat loss in a programming region by forming a lower electrode contact layer from a phase change material in order to solve the problem of element degradation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子の劣化問題を解決するために、下部電極コンタクト層を相変化物質から形成し、プログラミング領域での劣化及び熱損失を防止した相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a transistor which can increase its main current capacity by increasing a junction area between emitter and base regions and decreasing the resistive value of a collector contact region.例文帳に追加

エミッタ領域−ベース領域間の接合面積を増加させつつ、コレクタコンタクト領域の抵抗値を減少させることにより、主電流容量を増加させることができるトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A portion of the substrate corresponding to an exposure region is absorbed and held by a fixed stage from below without any contact, and the other portions are held to be float by multiple air float devices positioned on the Y step surface table.例文帳に追加

基板の露光領域に対応する部位が定点ステージにより下方から非接触で吸着保持され、その他の部位は、Ｙステップ定盤上に配置された複数のエア浮上装置により浮上支持される。 - 特許庁

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。 - 特許庁

To simultaneously realize a higher breakdown voltage between the gate and the drain, a higher current density in the channel region, and a lower contact resistance of the source/drain electrode, as to a hetero-junction transistor using a nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層を用いたヘテロ接合トランジスタについて、ゲート・ドレイン間の高耐圧化、チャネル領域での高電流密度化、及びソース／ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を同時に実現すること。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 has a region on the surface of which a desired semiconductor device is formed, and the rear surface of the substrate is provided with a contact electrode film 2 that covers substantially the whole rear surface.例文帳に追加

この半導体基板は、基板１の表面に所望の半導体素子を形成するための領域を有し、基板裏面側には略全面にわたって同面を被覆するコンタクト電極膜２が設けられる。 - 特許庁

In this semiconductor image pickup element, an insulation layer 27 is formed on the transfer gate 23 and the photodiode region 34, and a contact plug 28 piercing through the insulation layer 27 and connected to the transfer gate 23 is formed.例文帳に追加

この半導体撮像素子には、転送ゲート２３及びフォトダイオード領域３４上に絶縁層２７が形成され、この絶縁層２７を貫通して転送ゲート２３に接続するコンタクトプラグ２８が形成されている。 - 特許庁

In the planar view, a drain electrode 171 is formed with a predetermined distance away from a gate electrode 121, whereby an ohmic contact layer 161 to be used as an LDD region 165 is formed in a horizontal direction.例文帳に追加

平面視において、ドレイン電極１７１をゲート電極１２１から所定の距離だけ離して形成することによって、ＬＤＤ領域１６５となるオーミックコンタクト層１６１を水平方向に形成する。 - 特許庁

The second wiring pattern 6a is formed to grow isotropically in a region exposed from a contact hole 5a formed in the third interlayer insulating film 5 on the first wiring pattern 4a.例文帳に追加

第２の配線パターン６ａは、第１の配線パターン４ａの上における第３の層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ａから露出する領域に等方的に成長するように形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the number of contact portions formed in a region of a certain size, a display device using the semiconductor device, and electronic equipment having the display device.例文帳に追加

一定の大きさの領域内に形成するコンタクト部の数をより少なくできるようにした半導体装置、当該半導体装置を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。 - 特許庁

The pixel electrode is constituted with a plurality of sub-pixel electrodes whose planar shape has a polygonal shape or a substantially circular shape and the contact hole is formed on a position which does not superimpose the pixel electrode in a sub-pixel electrode region.例文帳に追加

画素電極は、平面形状が多角形又は略円形をなす複数のサブ画素電極により構成され、コンタクトホールは、サブ画素領域内において、画素電極と重ならない位置に形成されている。 - 特許庁

To provide a rubber composition for studless tire whose on-ice braking performance is improved by increasing cohesive friction force (A) in a cohesive region (Pa) of tread ground contact surface at the time of ABS braking on a road of ice and snow.例文帳に追加

氷雪路上でのＡＢＳ制動時のトレッド接地面の凝着域（Ｐａ）の凝着摩擦力（Ａ）を増大させて氷上制動性能を向上するようにしたスタッドレスタイヤ用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

A long side of the outer shape of the linear contact 11 when viewed from the top is located in a region above the gate electrode 2 and the dummy electrode 18 beyond the side wall insulation film 3.例文帳に追加

ただし、上から見たときの直線状コンタクト部１１の外形のうち長辺は、サイドウォール絶縁膜３を越えてゲート電極２およびダミー電極１８の上側の領域にそれぞれ入り込んだ位置にある。 - 特許庁

Moreover, the CapSiC 27 over the base region is formed after the polycrystal SiGe30 growing in the lower side from the rear surface of the protruded part of the polycrystal silicon film 9 is placed in contact (joined) with a p-SiGe 25.例文帳に追加

また、ベース領域上のＣａｐＳｉＣ２７は、多結晶シリコン膜９の突出部の裏面から下方向に成長する多結晶ＳｉＧｅ３０が、ｐ−ＳｉＧｅ２５と接触（接合）した後に形成する。 - 特許庁

Between a memory cell (DMC) adjacent to a peripheral circuit region (PC) among a plurality of memory cells (NMC, DMC) and a semiconductor substrate (100), a contact plug extending from a lower electrode (M13) of the memory cell (DMC) toward the semiconductor substrate (100) is not formed.例文帳に追加

複数のメモリセル(NMC,DMC)のうち周辺回路領域(PC)に隣接するメモリセル(DMC)と半導体基板(100)との間には、そのメモリセル(DMC)の下部電極(M13)から半導体基板(100)に向けて延伸するコンタクトプラグが形成されていない。 - 特許庁

For the integral molding of the lead frame 10 with resin, close contact between the lead frame 10 and resin is maintained with the resin supplied and solidified in a gap between the side 12a of the mount head 12 and the side 15a of the projected region 15.例文帳に追加

リードフレーム１０を樹脂で一体にモールドするに際し、マウントヘッド１２の辺１２ａと凸部１５の辺１５ａとの隙間に貫入して固着した樹脂により、リードフレーム１０と樹脂との密着性を保持する。 - 特許庁

In wiring of pixel positions arranged on a right side (+X side) from the center of the imaging region, a contact section 31 and a wiring 32 are arranged on the right side and a vertical signal line 28 are arranged on the left side.例文帳に追加

また、撮像領域の中心から右側（＋Ｘ側）に配置される画素位置の配線では、コンタクト部３１及び配線３２が右側に配置され、垂直信号線２８が左側に配置されている。 - 特許庁

The joining part 8 of each of the leakproof walls 7 in the excretion region (a) is formed by joining one side part 6a of the stretchable sheet 6 to the skin contact surface in the side part 5a in the longitudinal direction of the surface sheet 2.例文帳に追加

排泄部領域ａにおける防漏壁７の接合部８は、表面シート２の長手方向の側部５ａにおける肌当接面に、伸縮性シート６の一側部６ａが接合されて形成されている。 - 特許庁

The intra-labium pad has an absorbent body for absorbing body fluid, covered with a covering sheet, and an apex part 10 to be brought into contact with the inner deep region of pudenda when the intra-labium pad 1 is clasped between the pudenda.例文帳に追加

体液を吸収する吸収体が、被覆シートに覆われてなる陰唇間パッド１において、陰唇間パッド１を陰唇間に狭持させた際に陰唇内奥と接する頂部１０を設ける。 - 特許庁

Since the upper molding die 6 is brought into contact with the wiring board 1 in a flat region in which there is no wiring pattern 1a, the leakage of the molding resin can be prevented from a gap by the irregular stepped section of the surface of the wiring board.例文帳に追加

また上部モールド金型６は配線パターン１ａの無い平坦な領域で配線基板１と接触するため、配線基板表面の凹凸段差による隙間からのモールド樹脂漏れを防止できる。 - 特許庁

When the element is isolated by a dicing together with a semiconductor layer, the side face of the semiconductor layer brought into contact with a dicing saw suffers a damage, and is changed into an optical absorber, but such a damaged region is not formed in this element.例文帳に追加

また、半導体層ともどもダイシングにより素子分離をする場合には、ダイシングソーに接触する半導体層側面がダメージを受け、光吸収部となるが、本発明はそのようなダメージ領域が形成されない。 - 特許庁

An n-type side electrode 34 is formed as an electrode layer obtained by cutting out a part so that the high density fault region 12a is not brought into contact with the electrode layer provided on substantially overall surface on the rear surface of the GaN substrate.例文帳に追加

ｎ側電極34は、ＧａＮ基板の裏面上にほぼ全面に設けられた電極層から高密度欠陥領域12ａと接触しないように一部を切り欠いてなる電極層として形成されている。 - 特許庁

The first weir 11 and the second weir 12 are composed of round bars and are provided in a direction vertical to the advancing direction of the material by being in close contact with a surface of a trough 10 over a whole region of width of the trough 10.例文帳に追加

第一堰１１及び第二堰１２は丸棒であり、材料の進行方向に対して直角方向に、トラフ１０の幅全域にわたってトラフ１０の表面に密着して設けられている。 - 特許庁

Also, the tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3 are coupled electrically to a source/drain region 320 of an access transistor ATR through a metal film formed at a strap ST and a contact hole 340.例文帳に追加

また、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３はストラップＳＴおよびコンタクトホール３４０に形成された金属膜を介してアクセストランジスタＡＴＲのソース／ドレイン領域３２０と電気的に結合される。 - 特許庁

Since, in the bank 14, there exists a region where the sealing film 19 is in direct contact with the bank 14, adhesive strength of the sealing film 19 can be enhanced and thereby separation of the sealing film 19 can be prevented.例文帳に追加

バンク１４においては、封止膜１９とバンク１４が直接接触している領域が存在するので、封止膜１９の接着強度を上げることが出来、封止膜１９の剥がれを防止することが出来る。 - 特許庁