例文 (999件) |
contact regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3198件
A lens array 14 is positioned in the optical axis direction, in such a manner that the lens forming surface is fixed to the region being not in contact with the second surface B of the holder 12, of the main surface of the frame-like metal plate 15.例文帳に追加
レンズアレイ14は、レンズ成形面が枠状金属板15の主面のうち、ホルダ12の第二面Bと当接していない領域に固定されることによって光軸方向に対して位置決めされている。 - 特許庁
Since the position of the base sheet 11, corresponding to the internal region of the expanded hole 16A, bulges upward during the pressing operation, a compact sheet with a movable contact ensuring excellent click feeling can be obtained.例文帳に追加
これであれば、押圧操作時において、拡大孔部16Aの内部領域に対応するベースシート11位置が上方に膨らむ構成にできるため、小型でクリック感触も良好に得られるものに実現できる。 - 特許庁
The fishing rod 1 includes a handling part 8 and a vibration transmission piece 30 wherein on end side is directly brought into contact with a rod 5 of the fishing rod 1 and the other end side is extended to an outer peripheral region R of the handling part.例文帳に追加
本発明の釣竿1は、握持部8と、一端側が釣竿1の竿杆5に直接に接触され他端側が握持部8の外周領域Rへと延在されて成る振動伝達片30とを有する。 - 特許庁
Since a tape 600 in which a rectangular opening 601 extended in the sliding direction of the flexible substrate 4 is formed is stuck to this slid region 60, the contact area of the upper cover 62 and the flexible substrate 4 is narrow.例文帳に追加
この被摺動領域60には、可撓性基板4の摺動方向に延びた矩形の開口601が形成されたテープ600が貼られているため、上カバー62と可撓性基板4との接触面積が狭い。 - 特許庁
A microchip 101 includes two substrates 1 combined with each other, and a positioning region 2 which is to be brought into contact with positioning means in order to combine them is formed on each of two substrates 1.例文帳に追加
マイクロチップ101は、互いに組み合わされた2つの基板1を備えており、2つの基板1のそれぞれには、これらを組み合わせる際に位置決め手段に当接させるための位置決め領域2が形成されている。 - 特許庁
The outer peripheral portion of the seal stuck within the seal sticking region 6 is stuck to the seal sticking acceleration part 7 and therefore even if an operator or the like comes into contact with the seal in an ordinary use state, the seal stays.例文帳に追加
シール貼り付け領域6内に貼り付けられたシールの外周部分が貼り付き促進部7に貼り付けられているので、通常使用状態でオペレータ等がシールに接触してもそのシールは剥がれない。 - 特許庁
The method further comprises steps of perforating a contact hole CONT in the insulating film 8 with the silicon nitride film 7 as an etching stopper layer, then removing the exposed silicon nitride film 7, and then exposing an n-type semiconductor region D for forming a drain.例文帳に追加
次いで、窒化シリコン膜7をエッチングストッパ層として絶縁膜8にコンタクトホールCONTを穿孔した後、露出した窒化シリコン膜7を除去して、ドレインを形成するn型半導体領域Dを露出する。 - 特許庁
In a subsequent issuance process, the display control chip 4 reads the storage position data 24b from the non-contact IC chip 2, and writes the read storage position data 24b in a memory region of the display control chip 4.例文帳に追加
その後の発行処理において、表示制御用チップ4は非接触ICチップ2から格納位置データ24bを読み込み、読み込んだ格納位置データ24bを表示制御用チップ4のメモリ領域に書き込む。 - 特許庁
When the travelling speed of the vehicle is in the high-speed region, the switching relay 14 is controlled by the ECU 10, and the movable terminal 14d is connected to a contact 14b directly connected to the battery.例文帳に追加
一方、車両の走行速度が高速領域にある場合には、ECU10によって切替リレー14が制御され、可動端子14dが直接バッテリに接続されている接点14bに接続される。 - 特許庁
In wiring of pixel positions arranged on a left side (-X side) from the center of the imaging region, a contact section 31 and a wiring 32 are arranged on the left side, and a vertical signal line 28 are arranged on the right side.例文帳に追加
そして、撮像領域の中心から左側(−X側)に配置される画素位置の配線では、コンタクト部31及び配線32が左側に配置され、垂直信号線28が右側に配置されている。 - 特許庁
Contact holes 26a, 26b for connecting the electrode layers 23, 28 are provided between the electrode layers 21 of the mutually adjacent storage capacitances Ctd, Cts, thus reaching not less than 52% of their opposing region.例文帳に追加
電極層23,28間を接続するコンタクトホール26a,26bは、互いに隣接する蓄積容量Ctd,Ctsの電極層21同士の間に、それらの対向領域の52%以上に及ぶように、設けられる。 - 特許庁
A securing screw 12 is fastened by bringing the hook part 9b of a rocking arm stopper 9 into contact with the tip part 5d of the rocking arm 5 by loosening the securing screw 12, in a state that a cam follower 5b is positioned in the diametral reduction region 17e.例文帳に追加
カムフォロア5bを減径領域17eに位置させた状態で、固定ネジ12を緩めて揺動アームストッパ9のカギ部9bを揺動アーム5の先端部5dに当接させて固定ネジ12を締め付ける。 - 特許庁
When a portion in the vicinity of the wiring region of the heater 82 of the air duct 50 is lifted up, the ribs 90 contact a lower face of the cooler 29 first, so as to avoid interference of the heater 82 with the lower face of the cooler 29.例文帳に追加
エアダクト50のヒータ82の配設領域付近が持ち上げられた場合に、リブ90が先に冷却器29の下面に当たることで、ヒータ82が冷却器29の下面と干渉することが回避される。 - 特許庁
The solid polymer membrane 5 sandwiched between a first catalyst electrode 2 and a second catalyst electrode 3 contains the ion dissociating group in the region 7 in contact with catalyst layers 1a, 1b.例文帳に追加
第1触媒電極2及び第2触媒電極3間に挟持される固体高分子膜5が、触媒層1a、1bに接する領域7にイオン解離性の基を含有しているイオン伝導体4及びその製造方法。 - 特許庁
The monitoring pattern 7 is monitored via a monitoring opening 5, formed by etching the interlayer insulating film 4 for adjusting the etching volume carried out for forming a contact hole in an element region.例文帳に追加
モニターパターン部7は、層間絶縁膜4をエッチングして素子領域に形成されるコンタクトホールのエッチング量を調整するために、層間絶縁膜4をエッチングして形成されるモニター用開口部5を介して監視される。 - 特許庁
This gate insulating film 9 is provided with a silicon nitride film 20 formed in contact with the whole surface region of the nitride semiconductor lamination 2, and a silicon oxide film 10, formed on this silicon nitride film 20.例文帳に追加
このゲート絶縁膜9は、窒化物半導体積層構造部2の表面全域に接して形成された窒化シリコン膜20と、この窒化シリコン膜20の上に形成された酸化シリコン10膜とを備えている。 - 特許庁
To improve conduction of a bipolar pole plate, especially, at its surface region and, thereby, minimize the contact resistance between the bipolar pole plate and a gas diffusion layer in the fuel cell assembly.例文帳に追加
双極極板の導電性を特にその表面領域で向上させそしてそれによって燃料電池組立物中の双極極板とガス拡散層との間の接触抵抗を最小化するこである。 - 特許庁
The first and second covering surfaces are connected each other by an electrically conductive epoxy adhesive 112, and the adhesive adheres the first and second surfaces of the sheet in at least one contact region.例文帳に追加
第1及び第2の被覆表面は、電気伝導性エポキシ接着剤112により互いに連結され、該接着剤は、1つ以上の接触領域において前記シートの第1及び第2の表面を接着する。 - 特許庁
Etching of a semiconductor layer and formation of contact holes for connecting pixel electrodes with drain electrodes are performed in the same photolithography process and etching process when forming an element region on a substrate via a release layer.例文帳に追加
剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of improving avalanche resistance when a part of a selectively formed emitter region is in contact with an emitter electrode, and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加
選択的に形成されるエミッタ領域の一部がエミッタ電極と接する場合において、アバランシェ耐量を高めることが可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To make it possible to exactly and directly irradiate a desired cornea position with an IR laser beam without direct contact with the cornea of an IR laser beam irradiation region of an ophthalmological refraction correcting apparatus using the laser beam.例文帳に追加
レーザ光を用いた眼科屈折矯正装置において、赤外線レーザ光照射領域の角膜に直接接触せず、所望の角膜位置に赤外線レーザ光を正確かつ簡単に照射できるようにする。 - 特許庁
The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body.例文帳に追加
コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第1ドーピングと、接触領域によって形成されたpn接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第2ドーピングを有する。 - 特許庁
Thus, even when the toner leaking occurs from the housing 19 through the side sealing member 25, the toner reaches the region in the transporting belt 29 formed so as not to come into contact with each photoreceptor drum 16.例文帳に追加
これにより、筐体19からサイドシール部材25を介してトナーの漏れを生じても、そのトナーは、搬送ベルト29における各感光ドラム16と接触しないように形成されている領域に到達する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element containing a cylinder type capacitor, and its manufacturing method, in which no level difference is generated between the cell region and the peripheral circuit and adjacent bottom electrodes are prevented from being bridged through contact.例文帳に追加
セル領域と周辺回路間の段差が生ぜずに隣接する下部電極同士の接触でブリッジされることが防止できるシリンダ型キャパシタを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Thus, at least one end of the direction A is set to a current non-implanting region, a surface area of the electrode 53 is increased, and a contact resistance with the wirings can be decreased.例文帳に追加
これにより、共振器方向Aにおける少なくとも一方の端部を電流不注入領域とし、かつ、p側ショットキー電極53の表面積を大きくし、配線との接触抵抗を小さくすることができる。 - 特許庁
A wafer carrier 13 holds a semiconductor wafer 14 and brings the surface of the wafer into contact with the polishing pad 12 horizontally at an appropriate pressure in a region which is located away by a prescribed distance from the center (marked by x in Figure) of the polishing disc 11.例文帳に追加
ウェハキャリア13は半導体ウェハ14を保持して研磨盤11の中心(×印)から所定距離離れた領域でウェハ表面を水平に研磨パッド12に適当な圧力で接触させる。 - 特許庁
To provide a subcutaneous fat thickness measuring apparatus wherein in measurement, the apparatus body contact member is set to a prescribed position and directed in a prescribed direction in a measured body region, and moreover always presses the body under a set pressure.例文帳に追加
測定に際して身体当接部材を測定部位における所定の位置及び向きに配設でき、しかも常時設定押圧力で押圧して測定できる皮下脂肪厚測定装置の提供を目的とする。 - 特許庁
To provide a highly integrated CMOS image sensor, by minimizing the area of a contact-forming region of a CMOS logic circuit portion, which processes the light sensed by a photodiode into an electrical signal and converts it into data.例文帳に追加
フォトダイオードで感知された光を電気信号に処理してデータ化するCMOSロジック回路部分のコンタクト形成領域の面積を最小化することにより、高集積化されたCMOSイメージセンサを提供する。 - 特許庁
In the reference potential pattern layer 75, a groove portion 75b dented toward the thickness direction in the circuit substrate 70 is formed, the case 60 is made to contact the region including the groove portion 75b in the reference potential pattern layer 75.例文帳に追加
そして、基準電位パターン層75には、回路基板70における厚さ方向に窪む溝部75bが形成され、ケース体60は、基準電位パターン層75における溝部75bを含む領域に当接される。 - 特許庁
The driving means operates between a first state filling the inside of the case with the first liquid and a second state forming a layer of the second liquid at a region out of the case at a side in contact with the heat transfer member.例文帳に追加
駆動手段は、ケースの内部を第1の液体で満たす第1の状態と、ケースのうち熱伝達部材と接触する側の領域に第2の液体の層を形成する第2の状態との間で動作する。 - 特許庁
A through hole 7 is provided at the center region of the first concave mirror 4 and a solid image 15 of the real substance 6 is formed in the detection space 16 of the non-contact sensor 3 in the outer space through the through hole 7.例文帳に追加
第1凹面鏡4の中央領域には、透孔7が穿設されて、透孔7を通じて外部空間の非接触センサ3の検出空間16内に実体6の立体像15が形成される。 - 特許庁
A partial range on an outer periphery surface of the endless belt 10 is brought into press-contact with a partial region on the outer periphery surface of the endless belt and the belt supporting roller 6 is heated by a heating means 6H installed inside or outside the belt supporting roller 6.例文帳に追加
無端ベルト10の外周面の一部領域は定着ローラ2の外周面の一部領域に圧接され、ベルト支持ローラ6は内側又は外側に配設された加熱手段6Hにより加熱される。 - 特許庁
An introducing passage 38 is constituted so that a liquid L (chemical solution) is introduced into the liquid holding recess 36 to come into contact with the sensitive region 12A by its surface tension.例文帳に追加
導入路38は、液体保持用凹部36に液体L(薬液)が導入され、液体保持用凹部36に導入された液体Lが表面張力によって感受領域12Aに接触するように構成されている。 - 特許庁
The reduced video image P3 is as large as a display size of a liquid crystal television 154 to be adjusted in its image quality and is arranged to come into contact with an outer periphery of the display region R of the display unit 17.例文帳に追加
縮小された映像P3は、画質を調整しようとする液晶テレビ154の画面サイズと同じ大きさの映像であり、表示部17の表示領域Rの外周と接するように配置されている。 - 特許庁
A control layer for controlling a threshold voltage is provided only on the top surface of the barrier layer of the D-FET to raise up the gate contact layer of the barrier layer, and the buried gate region is formed by doping of impurities.例文帳に追加
D-FETの障壁層上面にのみしきい値電圧を調整するための調整層を設けて障壁層のゲートコンタクト層の嵩上げを行い、不純物をドーピングして埋め込みゲート領域を形成する。 - 特許庁
An oxide film on a p^+-type diffusion layer to be formed as an element isolation region of a photodiode is removed by etching, the p^+-type diffusion layer is connected by contact electrodes to a light-shielding metal film of a peripheral upper layer of the photodiode.例文帳に追加
フォトダイオードの素子分離領域となるP+型拡散層の上の酸化膜をエッチングで取り除き、P+型拡散層と、フォトダイオードの周囲上層の金属遮光膜とをコンタクト電極により接続する。 - 特許庁
The predetermined region 22 of the insulating substrate 12 is provided with a liquid-holding layer 21 which can hold a sample solution and is brought into direct contact with the insulating substrate 12, the working electrode 14 and the counter electrode 15 that cover them.例文帳に追加
絶縁基体12上の所定の領域22には試料溶液を保持可能であり、絶縁基体12、作用電極14、及び対極15と直接接触して被覆する液体保持層21が設けられている。 - 特許庁
A thermal radiation coating film 20 containing a material that is high in average thermal radiation emissivity in all wave-length regions or a material that is high in thermal radiation emissivity in a far-infrared region is applied to the whole of the outer surface of a welding contact tip 1.例文帳に追加
溶接用コンタクトチップ1の外表面全体に、全波長域にて平均熱放射率の高い材料、又は遠赤外域にて熱放射率の高い材料を含有する熱放射塗膜20を設ける。 - 特許庁
The liquid composition which is used for cleaning a substrate having a surface region having a contact angle to a waterdrop of ≥60°comprises a phosphonic acid chelating agent having two or more phosphonic acid groups in the molecule and a polyoxyalkylene alkyl ether type nonionic surface active agent and is adjusted in such a manner that the contact angle of a droplet of the liquid composition or its diluted aqueous solution to the above surface region comes to ≤50°.例文帳に追加
水滴の接触角が60度以上である表面領域を有する基板の洗浄に用いられる液体組成物において、一分子中に2つ以上のホスホン酸基を有するホスホン酸系キレート剤と、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル型の非イオン界面活性剤とを含有させ、当該液体組成物あるいはその希釈水溶液の液滴の前記表面領域に対する接触角が50度以下となるように調製する。 - 特許庁
The array substrate has switching elements and a reflection layer, a coloring layer formed so as to cover the switching elements and the reflection layer and provided with contact holes and translucent pixel electrodes formed on the coloring layer, connected to the switching elements via the contact holes, and provided with a reflection mode display region superimposed on the reflection layer and a transmission mode display region which is not superimposed on the reflection layer.例文帳に追加
アレイ基板は、スイッチング素子及び反射層と、スイッチング素子及び反射層を覆って形成され、コンタクトホールを有する着色層と、着色層上に形成され、コンタクトホールを介してスイッチング素子に接続され、反射層に重畳する反射モードの表示を行う領域と前記反射層に重畳しない透過モードの表示を行う領域とを有する透光性の画素電極と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
In a peripheral region Ar2, first metals 27 in a (4m-3)th position and in a (4m-2)th position (m: a positive integer) from a predetermined position in a column direction each have a contact connection 27b at one end side in a row direction.例文帳に追加
周辺領域Ar2において、所定位置からカラム方向の(4m−3)番目(mは正の整数)及び(4m−2)番目に位置する第1メタル27は、そのロウ方向の一端側にコンタクト接続部27bを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a contact hole can be opened in a self-alignment manner and the problem of an electric leakage between an active region and a well can be solved in a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor device with a dual gate electrode.例文帳に追加
デュアルゲート電極を備えるCMOSトランジスタ装置において、自己整合的にコンタクトホールの開口を可能とし、活性領域とウェルとの間の電気的リークの問題を解消できるような、半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a tantalum nitride thin-film resistor that is improved in accuracy and stabilized with time by a simple method by suppressing the TCR to a small value as much as possible over the whole region of used temperatures by also paying attention to the contact resistance of an electrode film.例文帳に追加
電極膜の接触抵抗をも考慮し、使用温度領域全域に渡ってTCRを極力小さく押さえ、高精度で経時的にも安定した窒化タンタル薄膜抵抗体を、容易な方法により供給する。 - 特許庁
The substrate sample holding mechanism is constituted of a plate type frame and a pushing unit to hold substrate samples in a region surrounded by the plate type frame in such a way that only the end surface of external circumferential part of each substrate sample is in contact with the holding mechanism.例文帳に追加
板状枠体とプッシングユニットとで基板サンプルの保持機構を構成し、板状枠体で囲まれる領域に基板サンプルを保持し、基板サンプルの外周縁部端面のみを保持機構と接触させて保持する。 - 特許庁
The gaps G are formed along an outward direction from a toilet seat opening 1c, so that quick temperature rise is allowed in a region with which a seated user most likely to make contact, thus providing a comfortable use condition.例文帳に追加
隙間Gを便座開口部1cから外側へ向かう方向に沿って形成することにより、使用者が着座したときに最も接触しやすい領域の迅速な昇温が可能であり、快適な使用状態が得られる。 - 特許庁
Further, since an adequate ohmic junction can be formed between a silicide film 10 electrically connected to a source electrode film 12 and the second highly concentrated p-type source region 8, the resistance of a source contact can be decreased.例文帳に追加
また、ソース電極膜12と電気的に接続されるシリサイド膜10と、第2の高濃度P型ソース領域8との間に良好なオーミック接合を形成することができるため、ソースコンタクトを低抵抗化することができる。 - 特許庁
The silicone grease 600 is applied onto the center position of the opposition region of the heat sinks 204 and then the cover 502 is assembled to bring the silicone grease 600 into tight contact with the respective heat sinks 204 arranged opposite each other and the cover 502.例文帳に追加
そして、前記放熱板204の対向領域の中央部位にシリコングリス600を塗布し、その後カバー502を組み付けることで、シリコングリス600を、対向配置される放熱板204それぞれ及びカバー502に密着させる。 - 特許庁
The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12.例文帳に追加
次に、基板保護膜2を除去した後、熱処理により、B^+イオン注入層6,As^+イオン注入層7,BF_2^+イオン注入層9を活性化させ、p領域10,カソード層11,アノードコンタクト層12を形成する。 - 特許庁
(c) Upon contact with estrogen, being capable of activating the transcription of a gene under the transcriptional regulation by the transcriptional regulation region containing an estrogen response sequence and the activation not being substantially inhibited by a compound capable of activating the transcription of the gene in the above (b).例文帳に追加
(c)Eと接触すると、E応答配列を含む転写制御領域の転写制御下にある遺伝子の転写を活性化し、該活性化は前記(b)において遺伝子転写活性化化合物により実質的に阻害されない。 - 特許庁
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