「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The amplifying transistor generates the signal based on the signal electrical charge transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

増幅トランジスタは、フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づく信号を生成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

The diffusion layer (12) has a conductivity type reverse from that of the source/drain region (13).例文帳に追加

ソース／ドレイン領域（１３）の導電型に対する拡散層（１２）の導電型が逆の極性となっている。 - 特許庁

The shielding layer has a first conductivity, and forms a pn junction between the shielding layer and the first diffusion region.例文帳に追加

シールド層は第１の導電型よりなり、第１の拡散領域との間にｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

A P type diffusion layer 5 used as a back gate region is formed on the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２には、バックゲート領域として用いられるＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

First and second diffusion layers 54 and 52 of first conductivity-type are formed in the source region Sc.例文帳に追加

ソース領域Ｓｃに、第１導電型の第１及び第２の拡散層５４、５２とが形成される。 - 特許庁

A channel region 35 is formed between the first and second N-type impurity diffusion layers 41, 42.例文帳に追加

第１および第２Ｎ型不純物拡散層４１，４２の間にチャネル領域３５が形成されている。 - 特許庁

The field isolation layers 2, 4 are provided to both parts adjacent to the region of the diffusion layer 3.例文帳に追加

拡散層３領域の両隣にフィールド分離層２及びフィールド分離層４が設けられている。 - 特許庁

An N type impurity diffusion layer 41 is formed in a region between adjacent P type wells 23.例文帳に追加

隣り合うＰ型ウエル２３の間の領域には、Ｎ型不純物拡散層４１が形成されている。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

An external base region 19 is formed from the base taking-out electrode 21 by solid-phase diffusion.例文帳に追加

そして、ベース取り出し電極２１から固相拡散により外部ベース領域１９を形成する。 - 特許庁

The other region may be formed by epitaxial growth, or may be formed by the diffusion of surface emptiness.例文帳に追加

他方の領域は、エピタキシャル成長により形成しても、表面空の拡散により形成しても良い。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 11a is formed in the semiconductor substrate at the bottom of the first groove.例文帳に追加

第１不純物拡散領域１１ａは、第１溝の底部の半導体基板内に形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region 15 is formed in high accuracy by using the correct injection mask 11a.例文帳に追加

正確な注入マスク１１ａを用いて、高い精度で不純物拡散領域１５を形成する。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加

浮遊拡散層６０を構成する第１の不純物領域２２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

In a top-layer part of the semiconductor layer 2, a first diffusion area 3 and a drain region are formed.例文帳に追加

半導体層２の表層部には、第１拡散領域３およびドレイン領域が形成されている。 - 特許庁

This deep diffusion part has a concentration higher than that of the drift region, and has a width of 4 to 10 microns.例文帳に追加

この深い拡散部は、ドリフト領域の濃度より高い濃度を有し、４〜１０ミクロンの幅を有する。 - 特許庁

An active element has a first electrode 210 (gate electrode) and a second electrode 220 (diffusion layer region).例文帳に追加

能動素子は、第１電極２１０（ゲート電極）及び第２電極２２０（拡散層領域）を有している。 - 特許庁

The resistance change portion 22 is second conductivity-type, and has an impurity concentration lower than that in the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部は、第２導電型であり、不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁

The n^+ diffusion region 11 extends in the longitudinal direction on the drawing, and is formed to have a longitudinally elongated rectangular plan view.例文帳に追加

Ｎ^+拡散領域１１は図中縦方向に延びて平面視縦長矩形状に形成される。 - 特許庁

At least one diffusion region exists among a plurality of resistor elements made on the element isolating layer, and further the plurality of resistor elements 4 and the diffusion region 1a are arranged so that the intervals between the resistor elements 4 and the surrounding corresponding diffusion region 1a may be equal to each other, in individual resistor elements 4.例文帳に追加

素子分離層上に形成された複数の抵抗素子間には、少なくとも一つの拡散領域１ａが存在し、さらに個々の抵抗素子４において、抵抗素子４と周囲の対応する拡散領域１ａとの距離がそれぞれ等しくなるように複数の抵抗素子４および拡散領域１ａを配置する。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

The auxiliary diffusion region 153 is formed so as to have a configuration capable of receiving a silicide layer (broken line) formed later.例文帳に追加

この補助拡散領域１５３は、後に形成されるシリサイド層（破線）が納まるような形態とする。 - 特許庁

Further, a channel stopper is formed simultaneously with a high concentration diffusion region instead of the formation of a field oxide film.例文帳に追加

更に、フィールド酸化膜の形成に代え、チャネルストッパーを高濃度拡散領域と同時に形成する。 - 特許庁

Chubu region Demonstration driving tests for fuel cell buses with an eye on future diffusion(in cooperation with MLIT) Demonstration tests for fuel cell buses例文帳に追加

中部層　普及時をにらんだ燃料電池バス実証走行試験（国土交通省と連携） - 経済産業省

An impurity diffusion region 12 of an end face window structure is then formed by diffusing Zn.例文帳に追加

Ｚｎを拡散することにより、端面窓構造である不純物拡散領域１２が形成される。 - 特許庁

Then, a gate insulating film 5 is formed from over one first low-concentration diffusion region 4, among the pair of first low-concentration diffusion regions 4 to over the other first low-concentration diffusion region 4, and a gate electrode 6 is formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

そして、一対の第１低濃度拡散領域４のうちの一方の第１低濃度拡散領域４上から他方の第１低濃度拡散領域４上に亘ってゲート絶縁膜５を形成し、このゲート絶縁膜５上にゲート電極６を形成する。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

A first conductivity type first impurity diffusion region 16 is formed along a plane facing the channel region of the source region and the drain region and has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration.例文帳に追加

第１導電型の第１不純物拡散領域１６は、ソース領域およびドレイン領域のそれぞれのチャネル領域と面する面に沿って形成され、第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加

拡散層７は、ドリフト領域２およびベース領域５のベース領域部５Ａの境界線Ｂと溝１５の側面との交点から、ベース領域５のベース領域部５Ａの直下のドリフト領域２の底面に向かって延びる直線Ｌと、境界線Ｂとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region.例文帳に追加

ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２下の半導体基板１１内には不純物領域１７が形成され、半導体基板１１の表面領域には拡散層１８が形成されている。 - 特許庁

Then, a heat treatment for drive diffusion is performed at the same time to form a p- base region 5, an n- source region 6, an n- drain region, 7, and n- regions 8, 9 (sec FIG. (b)).例文帳に追加

その後で、ドライブ拡散するための熱処理を同時に行い、ｐ^-ベース領域５とｎ^- ソース領域、ｎ^- ドレイン領域７、ｎ^- 領域８、９を同時に形成する（同図（ｂ））。 - 特許庁

The Hall element has a first N type diffusion region 10 provided in a semiconductor substrate 1, a plurality of second N type diffusion regions 20 provided in the semiconductor substrate 1 and bonded electrically to the first N type diffusion region 10, and an STI region 30 provided in the semiconductor substrate 1 and electrically separating the plurality of second N type diffusion regions 20.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタＴｒｌは、第１の活性領域１ａにおける第１導電型の第１のエクステンション領域８Ａの下に形成された第２導電型の第１のポケット領域９Ａと、第１の活性領域１ａにおける第１のポケット領域９Ａの下に形成された拡散抑制不純物を含む第１の拡散抑制領域７Ａとを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bipolar transistor, capable of suppressing misalignment when forming each diffusion region, and reducing variations in electrical characteristics since position accuracy of each diffusion region is high.例文帳に追加

各拡散領域を形成する際のアライメントずれを抑制することができ、各拡散領域の位置精度が高く、電気特性のばらつきを低減することのできるバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁