「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

The diffusion of the raw material gas supplied to the reaction region 2 into the side of the temperature rising region 3 is suppressed by reducing the cross section inside the furnace while leaving a gap 8 through which the transportation belt 19 can pass, and partitioning the boundary region between the temperature rising region 3 and the reaction region 2 with the diffusion suppressors 6 and 7.例文帳に追加

拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, a p-type diffusion layer 31 and an n-type diffusion layer 32 are formed closely to the vertical electric charge transfer region 2 on the surface side of the semiconductor substrate 23.例文帳に追加

更に、半導体基板２３の表面側の垂直電荷転送領域２の近傍には、ｐ型拡散層３１とｎ型拡散層３２が形成される。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on a region of the substrate 1 sandwiched, in-between the diffusion layers 2 and 3 in the lengthwise direction of the diffusion layers 2 and 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上であって拡散層２、３に挟まれた領域に、その拡散層２、３の長さ方向に沿って絶縁層６を形成する。 - 特許庁

A salicide layer 2 connected to a contact 4 is formed on a part of the surface of the floating diffusion layer 1, namely, on the surface of the diffusion region 12.例文帳に追加

浮遊拡散層１の表面の一部、すなわち、拡散領域１２の表面にはコンタクト４に接続されるサリサイド層２が形成されている。 - 特許庁

The first N type diffusion region 10 is a magneto-sensitive part, and the plurality of second N type diffusion regions 20 are I/O terminals for the magneto-sensitive parts, respectively.例文帳に追加

第１のＮ型拡散領域１０は感磁部であり、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々は感磁部に対する入出力端子部である。 - 特許庁

This region may be a layer of a diffusion material formed on the photonic material layer, or of a sealing material in which the diffusion material has been dispersed.例文帳に追加

この領域は、フォトニック材料層上に形成された拡散材料の層であってもよいし、拡散材料を分散させた封止材であってもよい。 - 特許庁

At the same time, an annular mask insulating film 18 is formed on the N+ diffusion layer 4b, and a silicide film 6b is formed on the surface of the N+ diffusion layer 4b except for a region covered by the mask insulating film 18.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層４ｂの表面には、マスク絶縁膜１８に覆われた領域を除いてシリサイド膜６ｂが形成されている。 - 特許庁

AN n+ diffusion layer 16 is formed on the second element region 15, and the n+ diffusion layer 16 and a substrate 11 constitute a pn junction diode.例文帳に追加

第２の素子領域１５上には、ｎ＋拡散層１６が形成されており、ｎ＋拡散層１６と基板１１とは、ｐｎ接合ダイオードを構成する。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

A part of the second oxide layer is removed to expose a central portion of the diffusion preventive region, and it leaves the first oxide layer and an oxide sidewall spacer to cover a periphery of the diffusion preventive region.例文帳に追加

第２の酸化物層の一部は、拡散防止領域の中央部を露出するべく除去され、拡散防止領域の周囲を覆うための第１の酸化物層及び酸化物側壁スペーサを残す。 - 特許庁

An N type buried diffusion layer 5 is formed to be superposed on the P type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 19 for overvoltage protection is formed below an element forming region.例文帳に追加

Ｎ型の埋込拡散層５が、Ｐ型の埋込拡散層４と重畳するように形成され、素子形成領域の下方に過電圧保護用のＰＮ接合領域１９が形成されている。 - 特許庁

An N^- diffusion region is arranged along walls of trenches 20 to 23 so that the concentration and thickness of the N^- diffusion region and a P^- mesa are depleted fully during reverse blocking operation.例文帳に追加

Ｎ^−拡散領域が、トレンチ２０〜２３の壁面に沿って並び、Ｎ^−拡散領域およびＰ^−メサの濃度および厚みが、逆ブロッキング動作中に完全に空乏化するように構成されている。 - 特許庁

In the aperture layer 203, an insular diffusion region 204 where p-impurities such as Zn, etc., are diffused is formed, and an insulation film 205 is accumulated on the aperture layer 203 other than the diffusion region 204.例文帳に追加

窓層２０３には島状にＺｎ等のｐ不純物が拡散された拡散領域２０４が形成され、拡散領域２０４以外の窓層２０３上には絶縁膜２０５が堆積されている。 - 特許庁

Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region.例文帳に追加

その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。 - 特許庁

For its sake, the doping treatment is performed separately in two times by changing its accelerating voltage, when forming a low concentration impurity diffusion region and a high concentration diffusion region existing under the tapered section of a gate electrode.例文帳に追加

そのため、ゲート電極のテーパー部の下方に存在する低濃度不純物領域と、高濃度不純物領域を形成する際、加速電圧を変えて少なくとも２回に分けてドーピング処理を行なう。 - 特許庁

Common source line electrode layers 14 extend perpendicular to the diffusion layer forming region F on the plurality of n+ type source diffusion layers 8 and are in contact with the respective n+ type source diffusion layers 8.例文帳に追加

そして、複数のｎ＋型ソース拡散層８上には、拡散層形成領域Ｆに直交して、共通ソースライン電極層１４が延びており、各ｎ＋型ソース拡散層８にコンタクトしている。 - 特許庁

The second diffusion layer 9 is thinner than the first diffusion layer 8 and exists in the region of the first diffusion layer 8 in the plan view for looking down the submount 4 vertically.例文帳に追加

第２拡散層９の厚さは第１拡散層８の厚さより薄く、第２拡散層９は、サブマウント４を垂直に見下ろす平面視において第１拡散層８の領域内に存在する。 - 特許庁

Most of a lightly-doped n-type dopant diffusion region 32, which constitutes the drain region, offset region 38, and heavily-doped n-type dopant diffusion region 40, is formed inside the strained silicon layers 23 and 35, wherein the electron mobility is higher than that in normal silicon layers.例文帳に追加

そしてドレイン領域を形成する低濃度ｎ型不純物拡散領域３２、オフセット領域３８および高濃度ｎ型不純物拡散領域４０の大半を、電子の移動度が通常のシリコン層よりも高い歪シリコン層２３および歪シリコン層３５内に形成する。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたドリフト領域１１の一方の側方にＰ型ボディ部５を形成し、このＰ型ボディ部５上にＮ^＋型第１ソース拡散領域部７1ＳおよびＮ^＋型第２ソース拡散領域部７２Ｓを形成する。 - 特許庁

The Zener diode 2 is formed on a diffusion region (a P-type diffusion region for forming the Zener diode 2), separated from the DMOS transistor 1, in a drain region of the DMOS transistor 1 in different density (or may be in the same density).例文帳に追加

ツェナダイオード２は、ＤＭＯＳトランジスタ１のドレイン電極領域内のＤＭＯＳトランジスタ１とは異なる濃度（或いは同濃度であっても良い）で分離された拡散領域（ツェナダイオード２形成用のＰ型拡散領域）上に形成されて成る。 - 特許庁

Since PEB can be executed in a region where a diffusion coefficient is low, i.e., a region where diffusion of acid hardly occurs, it can be restrained acid from diffusing into a low dose region, thereby improving the contrast of developed resist.例文帳に追加

これにより、拡散係数の低い領域、すなわち酸の拡散の起こりにくい領域でＰＥＢを実行することができるので、低ドーズ領域に酸が拡散することを抑制でき、現像されたレジストのコントラストを向上させることができる。 - 特許庁

Then, as the length L of the STI region 5 is longer, the length d of the p^+ diffusion region 17 formed between the regions is made longer.例文帳に追加

そして、ＳＴＩ領域５の長さＬが長いほど、この領域間に形成されているＰ^＋拡散領域１７の長さｄを長くする。 - 特許庁

An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.例文帳に追加

Ｎ型領域６０が、Ｐ型拡散領域３８の下方においてＮ型層５１に到達するように、Ｐ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

In this case, since the light absorbing region 2 is provided along the welding scheduled line 5, the diffusion of heat to the outside of the light absorbing region 2 is suppressed.例文帳に追加

このとき、光吸収領域２が溶着予定ライン５に沿っているので、光吸収領域２外への熱の拡散が抑制される。 - 特許庁

An impurity diffusion layer, constituting the source region 15 and the drain region 16 of a pMOS 11, is formed very shallow depth, to an extent of 50 nm.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁

The diffusion medium for using in a PEM fuel cell is equipped with a hydrophobic region for improved water control and a hydrophilic region.例文帳に追加

ＰＥＭ燃料電池で使用するための拡散媒体は、改善された水管理のため疎水性領域及び親水性領域を備える。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のＮ型ドリフト領域２内部に、ベース領域５に対し離間配置されるＰ型の拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which decreases a dark current by including a floating diffusion region containing a plurality of impurity doping region.例文帳に追加

複数の不純物ドーピング領域を含むフローティング拡散領域を備えて暗電流を低減し得るＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

A source region 5 and an unnecessary N semiconductor region 28 are formed by diffusing an N impurity also using a P diffusion mask.例文帳に追加

Ｐ型拡散用マスクを兼用してＮ型不純物を拡散してソース領域５及び不要なＮ型半導体領域２８を形成する。 - 特許庁

The sound recording system adjusts the absorbing or diffusion rate of the low sound region and the middle to high sound region of sound, by arranging the cylindrical objects around a collection device.例文帳に追加

また、柱状体を収録装置の周辺に配置し、音の低音域及び中高音域の吸収・拡散の度合いを調整する。 - 特許庁

In parts of the base region 5, impurity diffusion regions 9 having a lower impurity concentration than the other part of the base region are formed in the vertical direction.例文帳に追加

ベース領域５の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域９を形成する。 - 特許庁

As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加

これにより、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにおける不純物の水平拡散長を０．２５μｍ以下に抑制することができる。 - 特許庁

Successively, the punch through stop layer 9 having a shape of covering the drain region 2 and the side surface of drain region 2 is formed by the diffusion of heat.例文帳に追加

続いて、熱拡散することで、ドレイン領域２及びドレイン領域２の側面を覆った形状のパンチスルーストップ層９を形成する。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

Second conductive type deep body diffusion is performed, by which the deep body region is formed in an epitaxial region between the sidewall spacers.例文帳に追加

第２の導電型の深いボディ拡散を実行することにより、側壁スペーサ間のエピタキシャル領域内に深いボディ領域が形成される。 - 特許庁

With this structure, a transfer route of the charge from the n-type diffusion region 17 to the channel is not narrowed by a surface shield region 18.例文帳に追加

この構造により、Ｎ型拡散領域１７からチャネルへの電荷の転送経路を、表面シールド領域１８が狭めることが無くなる。 - 特許庁

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array.例文帳に追加

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。 - 特許庁

Consequently, any position displacement between the impurity diffusion region for charge storage and the second transfer electrode is prevented from happening.例文帳に追加

従って、電荷蓄積用不純物拡散領域と第２転送電極との位置ずれは生じない。 - 特許庁

The photoelectric conversion part has an impurity diffusion region and generates signal charges depending on the quantity of received light.例文帳に追加

光電変換部は、不純物拡散領域を有し、受光量に応じた信号電荷を生成する。 - 特許庁

A first conductivity type high concentration diffusion layer 111 is formed all over a contact region 120.例文帳に追加

コンタクト領域１２０の全域に第１導電型の高濃度拡散層１１１が形成されている。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DIFFUSION REGION OF RARE EARTH ELEMENT ION, LIGHT-EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 - 特許庁