「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Bonding property of a barrier layer to a foundation dielectric is improved by forming a bonding/interlaminar region (410) of a semiconductor substrate element (404) before deposition of a barrier layer (412), strength to the next mutual connection layer is improved without changing function of a barrier layer, and diffusion of Cu into a dielectric substrate is limited.例文帳に追加

バリア層（４１２）の堆積前に半導体基板素子（４０４）の接着／層間領域（４１０）を形成することによって、下地の誘電体に対するバリア層の接着性を改善し、バリア層の機能を変えることなく、次の相互接続層に対する強度を高め、Ｃｕの誘電体基板内への拡散を制限する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion.例文帳に追加

このように素子分離と半導体基板１との境界に窒素イオンを含有する半導体領域８を設けたので、ウエルを構成する不純物（特に、ｐ型ウエルを構成するホウ素）の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To enable control of the desired position of the concentration distribution peak values of rare earth element ions and adjustment of the luminous intensity of a light-emitting element, by keeping the rare earth element ions in a predetermined distribution conditions and moving the diffusion region of rare earth element ions in a substrate depthwise direction through heat treatment.例文帳に追加

熱処理によって、希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して基板の深さ方向に希土類元素イオンの拡散領域を移動させることで、希土類元素イオンの濃度分布ピーク値の位置を所望の位置に制御して発光素子の発光強度を調節することを可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, the pouring of a minority carrier from the p-gate diffusion region 33 into the n-type silicon substrate 31 is suppressed and the mount of remaining carrier is decreased whereby an excessive carrier remaining in the n-type silicon substrate 31 upon commutation reduces a chance to move toward a reverse channel side, thereby permitting the improvement of the commutation characteristics.例文帳に追加

したがって、Ｐゲート拡散領域３３からＮ型シリコン基板３１への少数キャリアの注入が抑制されて残存キャリア量が減少し、Ｎ型シリコン基板３１中に残存している転流時の過剰なキャリアが、逆チャンネル側への移動する機会を減少して転流特性の改善を図ることができる。 - 特許庁

To solve the problem that the voltage between a photoelectric conversion device and a floating diffusion region cannot sufficiently be secured when the power supply voltage of a device is reduced for saving power consumption and as a result the amount of saturated electric charges Qs is reduced because signal electric charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion device and stored therein cannot completely be read.例文帳に追加

低消費電力化を図るためにデバイスの電源電圧を下げると、光電変換素子と浮遊拡散領域との間の電位差を十分に確保できなくなり、その結果、光電変換素子で光電変換されて蓄積された信号電荷を完全に読み出せなくなるため飽和電荷量Ｑｓが低下する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

Before the hot-press process, in a condition in which the gas diffusion layers 10, 11 has not been laminated on the intermediate laminate 25, the intermediate laminate 25 is heat and held for heat treatment in a temperature region having a temperature of not lower than the glass transition temperature of the electrolyte polymer contained in the catalyst electrodes 14, 18 and not higher than its thermally decomposition temperature.例文帳に追加

ホットプレス工程の前に、ガス拡散層１０，１１を中間積層体２５に積層していない状態で、触媒電極層１４．１８に含まれている電解質ポリマーのガラス転移温度以上で熱分解温度以下の温度領域に、中間積層体２５を加熱保持して熱処理する。 - 特許庁

Although tensile stress is applied to the SOG film 4b at a point in time of activation treatment of impurity ions introduced to the source/drain region 2c, generation of crystal defects in impurity diffusion regions 2a, 2b can be suppressed because of interposition of the O_3-TEOS film 4c, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域２ｃに導入された不純物イオンの活性化の処理の時点でＳＯＧ膜４ｂに引っ張り応力が発生するものの、Ｏ_３−ＴＥＯＳ膜４ｃが介在しているため結晶欠陥が不純物拡散領域２ａ、２ｂに発生することを抑制でき転位の発生を抑制できる。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

Wavelength-variable laser having sufficient spectrum intensity or light emitted from a wide-band light source is guided to a waveguide section, such as an optical fiber probe, for irradiating the skin of a human body with light in a near-infrared region having a wavelength of approximately 1,500-1,800 nm, and light being subjected to diffusion reflection is dispersed before a PLS analysis is made.例文帳に追加

波長１，５００〜１，８００ｎｍ程度の近赤外領域に十分なスペクトル強度を有する波長可変レーザ或いは広帯域光源から射出した光を光ファイバプローブ等の導波部へ導き人体の皮膚に照射し、拡散反射を受けた光を分光した後にＰＬＳ解析を施す。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusion layer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33.例文帳に追加

アスペクト比が１以上の微小な溝１を多数形成し、この溝１内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層３１を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層３２を形成し、シリコン柱４を除去することでトレンチ１０１、１０２を形成し、このトレンチ１０１、１０２内を絶縁膜３３で埋める。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a.例文帳に追加

素子分離絶縁膜３ａに囲まれた領域の表面に、３個のＮ^+拡散層４ａ、４ｂ及び４ｃが形成されており、Ｎ^+拡散層４ａはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｃはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ｂのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｂはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａ及び１１ｂのドレイン拡散層となっている。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To restrain reaction gas from being short-circuited from a gas supply port to a gas exhaust port through a gap in a seal lip without passing through a power generation region, in a sealing structure of a type integrally provided with a gasket at a power-generating body equipped with a membrane electrode conjugate and a gas diffusion layer, and thereby to improve the power generation efficiency of a fuel cell.例文帳に追加

膜電極複合体およびガス拡散層を有する発電体にガスケットを一体的に設けるタイプのシール構造において、反応ガスが発電領域を経由せずガス供給口からシールリップ内側の空隙を経由してガス排出口へ短絡するのを抑制し、もって燃料電池の発電効率を向上させる。 - 特許庁

Plasma conditions (diffusion distance or pressure) and a mask shape (opening width) are set so as to avoid a region of the amount of hydrogen plasma, where etching markedly increase in the surface unevenness on the surface and generation of polymer occur at the same time; and thereby, shapes which differ in etching depths within the same surface can be readily processed, while suppressing surface unevenness.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

A gate insulating film 12 and a gate electrode 13 are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 11, charge holders 61 and 62 are formed on side walls of the gate electrode 13, respectively, second conductivity-type diffusion regions 17 and 18 are provided to the semiconductor substrate 11, and a channel region 41 is arranged in the semiconductor substrate 11 under the gate electrode 13.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３を形成し、ゲート電極１３の両側壁に電荷保持部６１，６２を形成し、半導体基板１１に第２導電型の拡散層領域１７，１８を形成し、半導体基板１１のゲート電極１３下にチャネル領域４１を配置する。 - 特許庁

Each of the spacer sheet 18a and the seal sheets 16a, 20a has an opening 22 at a position corresponding to a gas diffusion circulation region 4, and has a fuel gas manifold hole 10 and an oxidation gas manifold hole 12 at positions corresponding to a fuel gas manifold hole 10 and an oxidation gas manifold hole 12 of the gas separation plate 2, respectively.例文帳に追加

スペーサシート１８ａおよび両シールシート１６ａ、２０ａは、ガス分離板２のガス拡散流通領域４に対応する部分に開口部２２をそれぞれ有すると共に、ガス分離板２の燃料ガスマニホールド孔１０および酸化ガスマニホールド孔１２に対応する部分に燃料ガスマニホールド孔１０および酸化ガスマニホールド孔１２をそれぞれ有している。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

Although a proton working as acid generated on the surface of resist in exposure diffuses into an exposure region due to heating, coulomb force toward a substrate side operates since positive charge is charged to an upper-side electrode, thus preventing diffusion due to purge gas flow in the acid on the surface of the resist, and hence obtaining an superb resist pattern.例文帳に追加

露光時にレジストの表面部に発生した酸であるプロトンは、加熱により露光領域中に拡散していくが、レジスト表面部の酸は、上方側の電極に正の電荷が帯電していることから基板側に向かうクーロン力が作用し、このためパージガス流により飛散することが抑えられ、良好なレジストパターンが得られる。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

The optical filter arranged at the observation side front surface of a display part 1 has regions relatively high in light transmittance (light transmitting regions 5) and regions relatively low in light transmittance (light absorption regions 4) arranged intermingled, and the observation side surface of the region relatively low in light transmittance is subjected to light diffusion processing (or provided with a member).例文帳に追加

表示部１の観察側前面に配置される光学フィルタにおいて、光透過率が相対的に高い領域（光透過領域５）と相対的に低い領域（光吸収領域４）とを混在させて配置するとともに、光透過率が相対的に低い領域の観察側表面に光を拡散させる処理を施す（または部材を設ける）。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element in which it is made possible to sufficiently utilize high quantum yield possessed by a phosphorous light-emitting material, and in which low electric energy consumption and high light emission efficiency have been achieved by this, by optimizing light emission efficiency in a wider film thickness region in a light-emitting layer and also by suppressing diffusion of an exciton onto a positive hole transportation side.例文帳に追加

発光層におけるより広い膜厚領域で発光効率を最適化し、かつ正孔輸送層側への励起子の拡散を抑制することにより、りん光性発光材料の持つ高量子収率を十分に活かすことが可能で、これにより低消費電力化および高発光効率化が達成された有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

It further comprises a plurality of transfer control elements Tr which are provided by a pair to a pair of adjoining photoelectric conversion regions, and change a potential barrier of optical generation charge transfer path between the storage well of a pair of photoelectric conversion regions and a corresponding floating diffusion region, to control transfer of optical generation charges.例文帳に追加

さらに隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

In two adjoining memory cells 17m5, 17m6 which share a bit line 19m6, the same information is stored in two memory functional bodies m5r, m6l located in an opposite side through a gate electrode to two memory functional bodies m5l, m6r located above a diffusion region electrically connected to the bit line 19m6.例文帳に追加

ビット線１９ｍ６を共有する隣接した２つのメモリセル１７ｍ５、１７ｍ６において、前記ビット線１９ｍ６に電気的に接続された拡散領域の上方に位置する２つのメモリ機能体ｍ５ｌ、ｍ６ｒとはゲート電極を介して反対側に位置する２つのメモリ機能体ｍ５ｒ、ｍ６ｌに同じ情報が記憶されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

The light diffusion sheet 10 includes: a high refractive index region 12 formed by a substance having a refractive index N1_650 in light with a wavelength of 650 nm; and low refractive index regions 14 formed by a substance having a refractive index N2_650 in light with a wavelength of 650 nm and forming light reflection faces S3.例文帳に追加

光拡散シート１０は、６５０ｎｍの波長の光における屈折率Ｎ１_６５０を有する物質によって形成されている高屈折率領域１２と、６５０ｎｍの波長の光における屈折率Ｎ２_６５０を有する物質によって形成されており光反射面Ｓ３を形成する低屈折率領域１４とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

The diffusion preventing member is disposed by facing the back surface of the substrate, while being kept from coming into contact with the substrate in the thin film formation region, and has a protrusion that is protruded from each end in a width direction of the substrate in viewing from the raw material container and configured to be movable in a direction non-parallel to a conveying direction of the substrate.例文帳に追加

拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁