「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper region and the lower region have a different degree in at least one of gas diffusion properties and hydrophilic properties in at least a part of each region.例文帳に追加

上部領域と下部領域とは、少なくとも一部において、ガス拡散性と親水性の少なくとも一方の程度が異なるように構成されている。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

A contact hole 10 is formed in the P^+ diffusion layer which is in common with the source region, and the gate region and the drain region are arranged concentrically.例文帳に追加

また、Ｐ^＋拡散層にはソース領域と共通にコンタクトホール１０が形成され、ゲート領域とドレイン領域とは同心円状に配置される。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

A sidewall insulating film coats the side surface of the first channel region at the diffusion layer side.例文帳に追加

側壁絶縁膜は、第１のチャネル領域の拡散層側の側面を被覆する。 - 特許庁

Furthermore, on the photonic crystal layer 110, a region 111 of the diffusion material is provided.例文帳に追加

さらに、フォトニック結晶層１１０上に、拡散材料の領域１１１を設ける。 - 特許庁

Next, the metallic layer 16 and the titanium substrate 14 are diffused together to form a diffusion region.例文帳に追加

次に、金属層１６とチタン基材１４を一緒に拡散し、拡散領域をつくる。 - 特許庁

The shunt circuit 4 is connected to the p^+ diffusion region 3 by a plurality of contacts.例文帳に追加

そして、シャント配線４を複数のコンタクトによりｐ^＋拡散領域３に接続する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter having small leakage current in the floating diffusion region.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域のリーク電流が少ない光電変換装置を提供する。 - 特許庁

In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.例文帳に追加

例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁

The LDD region is composed of two kinds of low concentration diffusion layer regions with different conductivity types.例文帳に追加

ＬＤＤ領域は導電型が異なる２種の低濃度拡散層領域からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a low resistance and shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

低抵抗で浅い不純物拡散領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.例文帳に追加

トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffusion prevention layer 41 is formed in a center region on one surface of a vibration plate 40.例文帳に追加

振動板４０の一表面の中央領域に、拡散防止層４１を形成する。 - 特許庁

The striped base region 20 is formed through a solid phase diffusion or epitaxial growth.例文帳に追加

ストライプ状ベース領域は、固相拡散もしくはエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁

A program current is reduced by using a load device connected to a source diffusion region.例文帳に追加

ソース拡散領域に連結した負荷デバイスの使用により、プログラム電流は低下される。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH DIFFUSION REGION AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 - 特許庁

An impurity diffusion region is formed in each 1st semiconductor film.例文帳に追加

第１の半導体膜の各々の内部に不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

The first electrode is connected to a diffusion region constituting the transistor.例文帳に追加

前記第１の電極は、前記トランジスタを構成する拡散領域と接続されている。 - 特許庁

A pair of source/drain diffusion layers 11 pinch a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン拡散層１１は、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む。 - 特許庁

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

A drain electrode 12 is formed in contact with the surface of the p diffusion region 6.例文帳に追加

ｐ拡散領域６の表面と接触してドレイン電極１２が形成される。 - 特許庁

METHOD OF SETTING IMAGING OBJECT REGION IN DIFFUSION TENSOR IMAGING USING MRI APPARATUS例文帳に追加

ＭＲＩ装置による拡散テンソルイメージングにおけるイメージング対象領域の設定方法 - 特許庁

A P-diffusion layer 7 as a base region is formed in the N--epitaxial layer 4.例文帳に追加

そのｎ^-エピタキシャル層４に、ベース領域としてのｐ拡散層７が形成されている。 - 特許庁

In addition, each diffusion region, contact holes, and polysilicon electrodes 31-34 are formed.例文帳に追加

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、ポリシリコン電極３１〜３４を形成する。 - 特許庁

In the transition region, a p-type deep diffusion layer 3c which serves as FLR is provided.例文帳に追加

遷移領域には、ＦＬＲとなるｐ型の深い拡散層３ｃが設けられている。 - 特許庁

The first impurity diffusion region 13 does not reach a surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３は、下地基板の表面までは達していない。 - 特許庁

A first conductive plug 14a is positioned on the first impurity diffusion region.例文帳に追加

導電性の第１プラグ１４ａは、第１不純物拡散領域上に設けられる。 - 特許庁

The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加

本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second drain region 3 is formed with a low concentration having a deep diffusion length to a first drain region 5 and, at the same time, a punch through preventing area 2 of a low concentration having a diffusion length shallower than that of the second drain region 3 is provided in a channel forming region.例文帳に追加

第２ドレイン領域３を第１ドレイン領域５に対して深い拡散長の低濃度で形成するとともに、チャネル形成領域にドレイン領域３より浅い拡散長の低濃度のパンチスルー防止領域２を設けた。 - 特許庁

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

The first N well 9 or a predetermined region contacted with the base region 10 is formed so as to be located from the immediately below an emitter impurities diffusion region 15, for example, to a right side region.例文帳に追加

第１Ｎウェル９は、ベース領域１０に接する所定の領域であって、例えばエミッタ不純物拡散領域１５の直下から右側領域にくるように形成する。 - 特許庁

The region of an anode gas diffusion layer 25 opposed to the vicinity of a cathode gas introduction port (an opening 64) along the flow of a cathode gas is a first region 251 and the other region is a second region 252.例文帳に追加

カソードガスの流れに沿って、カソードガス導入口（開孔部64）付近に対向するアノードガス拡散層25の領域を第一領域251、これ以外の領域を第二領域252とする。 - 特許庁

The drift diffusion region 10 has a substrate inner region 11, and a surface region 12 which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region 11.例文帳に追加

また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 - 特許庁

Herein, the gas diffusion layer is provided with a power generation region corresponding to a region in which an electrochemical reaction is in progress in the fuel cell and an outside region at the outside than the power generation region.例文帳に追加

ここで、ガス拡散層は、燃料電池において電気化学反応が進行する領域に対応する発電領域と、発電領域よりも外側の外側領域と、を備える。 - 特許庁

A second metal wiring region is ensured in the column direction between the first and the second diffusion layers and between the second and the third diffusion layers.例文帳に追加

第１及び第２拡散層、第２及び第３拡散層の間には、列方向に沿って第２のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁

The shallow diffusion regions 106a and 106b are formed between the deep diffusion regions 107a and 107b and the channel region 121.例文帳に追加

浅い拡散領域１０６ａ，１０６ｂは深い拡散領域１０７ａ，１０７ｂとチャネル領域１２１との間に形成されている。 - 特許庁

Each base emitter region comprises a base drawer p^+-type diffusion layer (14A, for example) and emitter n^+-type diffusion layers (15A, 15B, for examples).例文帳に追加

個々のベース・エミッタ領域には、ベース引き出しＰ＋拡散層（例えば１４Ａ）と、エミッタＮ＋拡散層（例えば１５Ａ，１５Ｂ）を含ませる。 - 特許庁

The n+ type source diffusion layers 8 are formed locally at the parts of a diffusion layer forming region F extending in the transverse direction of the paper.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８は、紙面の左右方向に延びた拡散層形成領域Ｆの一部に局在して設けられている。 - 特許庁

Also, a high-density n-type diffusion layer 10 surrounding the p-type diffusion layer 9 which is an anode region of the diode is formed.例文帳に追加

また、このダイオードのアノード領域であるｐ型拡散層９の周囲を囲むように高濃度のｎ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

A first diffusion layer 12 and a second diffusion layer 13 are formed so as to contact the tunnel region 15 in the first well 11.例文帳に追加

第１ウエル１１中には、トンネル領域１５に接するように第１拡散層１２と第２拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁