「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate, an active region 101 and another active region 102 intersecting the region 101 at right angles are specified, and diffusion regions are formed in the active regions 101 and 102 so as to pinch the intersecting region 103 of the active regions 101 and 102.例文帳に追加

半導体基板表面に活性領域１０１とそれに直交する活性領域１０２を規定し、交差領域１０３を挟むように活性領域１０１及び活性領域１０２内に拡散領域を形成する。 - 特許庁

Thereupon, the phosphorus having the higher diffusion coefficient diffuses to the collector region 13 from the collector contact region 12, whereby a first collector region 13a containing the diffusing phosphorus and a second collector region 13b not substantially containing the phosphorus are formed.例文帳に追加

このとき、コレクタコンタクト領域１２からは、拡散係数の高いリンがコレクタ領域１３に拡散し、これにより、拡散したリンを含む第１のコレクタ領域１３ａと、リンを実質的に含まない第２のコレクタ領域１３ｂと、が形成される。 - 特許庁

In a region RB, a P-type well 4a to be a base B, an N+ diffusion region 15a to be an emitter E, and a bottom N-type well 6 to be a collector C are formed.例文帳に追加

領域ＲＢには、ベースＢとなるＰ型ウェル４ａ、エミッタＥとなるＮ＋拡散領域１５ａおよびコレクタＣとなるボトムＮ型ウェル６が形成されている。 - 特許庁

In the peripheral region of a photodiode PD, a guard band region 34 is so formed as to cover the side face of an N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤの周辺部には、該フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３の側面を覆うようにガードバンド領域３４が形成されている。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１とするたとえばｎ形の半導体層の表面側に規則的にｐ形の拡散領域（ボディ領域２）が複数個形成されている。 - 特許庁

An arithmetic processing part sequentially performs multivaluing processing for each divided region obtained by dividing an image based on an error diffusion method for pixels in each divided region.例文帳に追加

演算処理部は、画像を分割して得られる分割領域ごとに順番に、各分割領域内の画素について誤差拡散法に基づいて多値化処理を行う。 - 特許庁

Source/drain diffusion regions 107a and 107b are formed in active regions formed by dividing the surface portion of the p-type well region 102 by an element separating region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂを、Ｐ型ウェル領域１０２の表面部分が素子分離領域で区画されてなる活性領域に形成する。 - 特許庁

Consequently, the light passing through a section region 5a is prevented from traveling to an adjacent section region 5a through the diffusion plate 5 to prevent the light leak.例文帳に追加

これにより、区画領域５ａを通過する光が、拡散板５の内部を通って隣り合う区画領域５ａに進むのが妨げられ、光漏れを防止できる。 - 特許庁

To bring a source-drain region composed of a silicon mixed crystal layer in an MIS transistor close to a channel region while preventing trouble due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタにおけるシリコン混晶層からなるソースドレイン領域を、不純物の拡散による不具合を防止しながらチャネル領域に近づけることができるようにする。 - 特許庁

To fabricate a high performance silicon carbide power device enabling preferable diffusion from a deep p-type implant region to a surface of a silicon carbide surrounding a shallow n-type implant region.例文帳に追加

深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散が可能な高性能炭化シリコン・パワーデバイスを製造する。 - 特許庁

On the front surface of the substrate 10, a first element isolation region 12 of an STI structure is formed, which separates diffusion layers 14 that function as a source drain region.例文帳に追加

基板１０の表面には、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層１４どうしを分離するSTI構造の第一の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加

半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming an impurity low-density diffusion region close to a gate electrode in a second region, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

第２領域において不純物低密度拡散領域をゲート電極に近接して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

The impurity layer 7 of a conduction type opposite to that of the drain diffusion layer 11b is formed on the channel region at a position apart from the region 5a by an interval T.例文帳に追加

チャンネル領域に、ドレイン拡散層１１ｂとは逆導電型の不純物層７を、低濃度不純物領域５ａから間隔Ｔをあけた位置に形成する。 - 特許庁

Further, a LDD spacer 540 is formed on the side wall of the select gate 506, and a drain diffusion region has a LDD structure with a HALO region 536.例文帳に追加

更には選択ゲート５０６の側壁にＬＤＤスペーサ５４０が形成され、ドレイン拡散領域はＨＡＬＯ領域５３６を有するＬＤＤ構造となっている。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

Between the contact regions 6 in the well resistance region 4, a P^+ diffusion region 14 is formed to adjust a resistive value and a temperature dependency of the resistive element.例文帳に追加

ウェル抵抗領域４内のコンタクト領域６の間に、この抵抗素子の抵抗値及び温度依存特性調整用のＰ^+拡散領域１４が形成されている。 - 特許庁

A conductor film 8 and the source/drain diffusion layer 14 are connected electrically together through the intermediary of a contact region formed on the upper sidewall of the trench region 6.例文帳に追加

導電体膜８およびソース・ドレイン拡散層１４は、トレンチ領域６の側壁上部に形成されたコンタクト領域を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable a source region, a drain region, and other impurity diffusion regions to be reduced in resistance by applying a quick means in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。 - 特許庁

A titanium film 7 is formed (C), a titanium silicide layer 9a is formed in the diffusion region 5 through a thermal treatment, and a titanium silicide layer 9b is formed in the region 3a.例文帳に追加

チタン膜７を形成した後（Ｃ）、熱処理を施して拡散領域５にチタンシリサイド層９ａを形成し、領域３ａにチタンシリサイド層９ｂを形成する。 - 特許庁

Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加

また、ソース、ドレイン領域１１２の積み上げ拡散層１１２１の幅がゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加

第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁

To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁

The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁

To provide the technology for determining a diffusion constant in a reflector region used for a two-group diffusion calculation method so that a solution close to a strict solution found in the Boltzmann transport equation can be obtained.例文帳に追加

２群拡散計算法で使用される反射体領域の拡散定数を，ボルツマン輸送方程式で得られる厳密解に近い解が得られるように決定する技術を提供する。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

A second graph 14 indicates an order where the bit of a code index is reversed, and the code region power at the maximum diffusion rate while a subcode in a lower diffusion rate code is grouped.例文帳に追加

第２グラフ14は、符号インデックスがそのビットを逆にした順序であり、低い拡散率符号のサブ符号が一緒のグループになるようにして、最大拡散率での符号領域パワーを示す。 - 特許庁

To provide an inexpensive optical control diffusion element which is excellent in contrast, brightness and durability by equalizing an intensity distribution of an illumination pattern of a diffusion light in a visible wavelength region.例文帳に追加

可視波長域にある拡散光の照明パターンの強度分布を一様にすることでコントラスト・輝度ともに優れ、また、耐久性に優れ、安価な光制御拡散体を提供する。 - 特許庁

A plurality of unit gas diffusion layers 14 and 16 having regions of high gas-permeability 32 and 34 and a region of low gas-permeability are stacked to construct a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層をガス透過性の高い高透過性領域３２，３４とガス透過性の低い低透過性領域とを有する複数の単位ガス拡散層１４，１６を積層して構成する。 - 特許庁

The reflecting pattern layer is formed on the second region between the brightness enhancement layer 410 and the diffusion layer 420, and includes a reflective member which maintains a prescribed interval between the diffusion layer 420 and the brightness enhancement layer 410 and a gap 450 formed on the first region between the diffusion layer 420 and the brightness enhancement layer 410.例文帳に追加

反射パターン層は、集光層４１０と拡散層４２０との間の第２領域に形成され、拡散層４２０及び集光層４１０の所定間隔を維持する反射部材と、拡散層４２０と集光層４１０との間の第１領域で形成されたギャップ４５０を含む。 - 特許庁

The metal distributed region and the metal intrusion region can be formed by sequentially forming, on an upper layer of the semiconductor layer, a metal layer containing a metal as a main constituent, a diffusion prevention layer preventing diffusion of the metal, and a conductive layer, and heat-treating the metal layer, the diffusion prevention layer and the conductive layer.例文帳に追加

金属分布領域および金属侵入領域は、半導体層の上層に金属を主成分とする金属層、金属の拡散を防止する拡散防止層および導電層を順次形成して、金属層、拡散防止層および導電層を熱処理することにより形成されるものとすることができる。 - 特許庁

PN junction separation regions (regions 400) are formed in the region between the mutually adjacent bit lines 103, a region corresponding to the common source diffusion wiring 107, and the region between the region corresponding to the common source diffusion wiring 107 and the plurality of grooves 105 for element separation each, and the pn junction separation regions (regions 400) separate the mutually adjacent memory cells.例文帳に追加

また、互いに隣接するビット線１０３間の領域、かつ、共通ソース拡散配線１０７に対応する領域およびその領域と複数の素子分離用溝１０５との間の領域にＰＮ接合分離領域(領域４００)を夫々形成し、そのＰＮ接合分離領域(領域４００)により互いに隣接するメモリセル間を分離する。 - 特許庁

The silicide layer 12 is a low-resistance region, the second exposed regions 14R of the N^+-diffusion layer 14 are medium-resistance regions, and the exposed region 13R of the N-well 13 is a high-resistance region.例文帳に追加

シリサイド層１２は低抵抗領域を、Ｎ^＋拡散層１４の第二露出領域１４Ｒは中抵抗領域を、Ｎウェル１３の露出領域１３Ｒは高抵抗領域をそれぞれ形成している。 - 特許庁