「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Contacts for connecting with an upper metal layer are formed at four corners of the rectangular region of the diffusion layer.例文帳に追加

また、該拡散層の該矩形領域の四隅に上層の金属層と接続するためのコンタクトを形成する。 - 特許庁

A metallic heat diffusion region 5 covered with a rear face 11a of the member 11 is provided along the insulation layer 2b.例文帳に追加

絶縁部材１１の裏面１１ａで覆われる金属製の熱拡散部５を絶縁層２ｂに沿って設ける。 - 特許庁

A first graph 12 indicates an order where a code index is linear and a code region power in the maximum diffusion rate.例文帳に追加

第１グラフ12は、符号インデックスが線形な順序であり、最大拡散率での符号領域パワーを示す。 - 特許庁

The diffusion region 12 covered by the salicide layer 2 is formed sufficiently deeper than a spike 16.例文帳に追加

そして、サリサイド層２によって覆われた拡散領域１２は、スパイク１６より十分に深く形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which effectively reduces the junction leakage current in the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域の接合リーク電流を効果的に低減した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, by performing annealing treatment, the extremely shallow impurity diffusion region is activated to form extremely shallow junction.例文帳に追加

その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。 - 特許庁

A p-type overflow barrier region 36 is formed between the floating diffusion 33 and the photodiode 21.例文帳に追加

フローティングディフュージョン３３と、フォトダイオード２１との間には、ｐ型のオーバーフローバリア領域３６が形成されている。 - 特許庁

Consequently, a diffusion layer contact pattern is not required, and the active region can be reduced in size.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンが不必要となるとともに、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region N1 is formed on the surface of the n-well NW1 to connect the same to a well terminal Vb.例文帳に追加

更に、ＮウエルＮＷ１の表面にｎ^＋拡散領域Ｎ１を形成し、ウエル端子Ｖｂに接続する。 - 特許庁

The n-type diffusion region 2 is formed at an upper part of a p well 10 formed at the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２は、Ｐ型シリコン基板１に形成されたＰウェル１０の上部に形成される。 - 特許庁

A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

Gate electrodes are formed to intersect at right angles along the vicinity of the center lines of the rectangular region of the diffusion layer.例文帳に追加

また、該拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTING OUTWARD DIFFUSION OF CARBON IN WAFER HAVING CARBON-CONTAINING REGION例文帳に追加

炭素含有領域を有するウエハの炭素外方拡散を防止するための半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

Subsequently, the N^+ type diffusion region 2 is formed to be spaced apart from the STI end 3a by ion implantation.例文帳に追加

その後、イオン注入により、Ｎ^+型拡散領域２をＳＴＩ端部３ａから離間するように形成する。 - 特許庁

The impurity diffusion region consists of a pair of regions formed at the location sandwiching the gate electrode formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。 - 特許庁

The PN junction of the photodiode is formed with the silicon substrate 2 being an anode and the n^+ diffusion region 4 being a cathode.例文帳に追加

シリコン基板２がアノード、Ｎ^+拡散領域４がカソードとなってフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 6 as a collector region is formed across the substrate 2 and the epitaxial layer 3.例文帳に追加

コレクタ領域としてのＮ型の埋め込み拡散層６が基板２とエピタキシャル層３に渡り形成されている。 - 特許庁

An electric charge built up in the channel region 7 is drawn out from a contact 10 through the p^+ diffusion area 14.例文帳に追加

チャネル領域７に蓄積した電荷はＰ^+拡散領域１４を介してコンタクト１０から引き抜かれる。 - 特許庁

Furthermore, operating resistance of a pnp transistor is decreased by making shallow the diffusion depth L2 of the 2n well region.例文帳に追加

また、第２ｎウェル領域の拡散深さＬ２を浅くすることで、ｐｎｐトランジスタの動作抵抗を小さくする。 - 特許庁

To form an impurity diffusion region in an SiC substrate at a low cost, without generating damages on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面にダメージを生じることなく、低コストでＳｉＣ基板に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

A charge transfer path 13, a floating diffusion region 14 constituted of an n-type impurity region, an n-type buried region 16 and a reset drain region 15 are formed in a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加

ダミーセル領域２２の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域２２に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell advantageous for achieving further improvement in gaseous diffusion and drainage capability in the downstream region of a gaseous diffusion layer, a gaseous diffusion layer for the polymer electrolyte fuel cell, and a manufacturing method for a solid-state polymer electrolyte type gaseous diffusion layer thereof.例文帳に追加

ガス拡散層の下流領域におけるガス拡散性や排水性の更なる向上を図るのに有利な固体高分子電解質形の燃料電池、固体高分子電解質形の燃料電池用のガス拡散層、固体高分子電解質形のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even when forming the diffusion layer region 5 thiny, the shrinkage at both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 is suppressed, and the increase of the contact resistance is suppressed, while securing the connection area of both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 and a contact plug 13 embedded in a contact hole 12.例文帳に追加

これにより、拡散層領域５を細く形成する場合でも、拡散層領域５の長手方向の両端における縮みを抑制することができ、拡散層領域５の長手方向における両端と、コンタクトホール１２に埋め込まれたコンタクトプラグ１３との接続面積を確保しながら、コンタクト抵抗の上昇を抑えることが可能である。 - 特許庁

The first diffusion passage 1051 is formed in a first region 105a of the separator on the cathode side, and a second diffusion passage 1052 is formed separately from the first diffusion passage 1051 in a second region 105b being adjacent to the downstream side in the actual passing direction F1 of oxygen in the separator 105 on the cathode side than the first region 105a.例文帳に追加

カソード側セパレータの第１の領域１０５ａに第１の拡散通路１０５１を形成し、この第１の領域１０５ａよりもカソード側セパレータ１０５における酸素の実質的な流通方向Ｆ１に関して下流側に隣接する第２の領域１０５ｂに、第１の拡散通路１０５１とは区画して第２の拡散通路１０５２を形成する。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

On the outside of the curvature of the second diffusion region (102) of this optical waveguide 100, there are provided a groove 105 that is formed on the substrate 101 along the second diffusion region (102) and a first diffusion region (107) that is formed by diffusing first impurities from the bottom 105a of the groove 105 to make a refractive index smaller for the substrate 101.例文帳に追加

この光導波路１００の第２の拡散領域（１０２）の曲がり部の外側に、第２の拡散領域（１０２）に沿って基板１０１に形成した溝１０５と、溝１０５の底部１０５ａから第１の不純物を用いて拡散され、基板１０１の屈折率を小さくした第１の拡散領域（１０７）と、を備える。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

The bit line BL includes a silicon material region BLa in contact with the diffusion layer 11, and a low-resistance region BLb made of a material having a lower electric resistance than that of the silicon material region BLa.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、拡散層１１と接するシリコン材料領域ＢＬａと、シリコン材料領域ＢＬｂよりも電気抵抗の低い材料からなる低抵抗領域ＢＬｂとを含む。 - 特許庁

The impurity selective diffusion region 7 is composed of a first region 7b formed to the lower section of a contact section 7a (a p-side electrode 11) and second regions 7c excepting the first region 7b.例文帳に追加

この不純物選択拡散領域７は、コンタクト部７ａ（ｐ側電極１１）の下方に形成された第１領域７ｂと、第１領域７ｂ以外の第２領域７ｃとから構成されている。 - 特許庁

A gate electrode 14, a source-drain region 13, and a N-type diffusion region 15 are formed on the surface of the region 12, and the capacitive element is formed with a gate oxide 16 as a dielectric.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１２の表面にゲート電極１４、ソース・ドレイン領域１３、Ｎ型の拡散領域１５を形成し、ゲート酸化膜１６を誘電体として容量素子を形成する。 - 特許庁

An effective pixel region 30, an optical black pixel region 32, and a dummy pixel region 33 comprise a group of pixels where a plurality of pixels in column direction share a floating diffusion part respectively.例文帳に追加

有効画素領域３０、光学的黒画素領域３２及びダミー画素領域３３は、それぞれ列方向の複数の画素が前記フローティングディフージョン部を共有する画素群から構成される。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device has an electrode 53 which is formed on the first semiconductor region 23 existing between the floating diffusion region FD and the element isolation region 28, and to which a necessary bias voltage is applied.例文帳に追加

さらに、フローティングディフージョン領域ＦＤと素子分離領域２８の間に存在する第1の半導体領域２３上に形成され、所要のバイアス電圧が印加される電極５３とを有する。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The first P-type diffusion region PD21 extends near a spacing region between the first gate electrode G1b and the second gate electrode G1a, but is not formed in the spacing region.例文帳に追加

第１のＰ型拡散領域ＰＤ２１は、第１のゲート電極Ｇ１ｂと第２のゲート電極Ｇ１ａとの間隙領域近傍まで延設され、かつ、当該間隙領域には形成されていない。 - 特許庁

The majority carrier capturing region and the minority carrier capturing region are formed of the same diffusion layer as that in the source or drain region of the MOS transistor formed in the high power supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

Signals indicating features intrinsic to the object region are extracted from the diffusion tensor magnetic resonance signals of the entire region including the imaging object region in its one part and they are imaged.例文帳に追加

イメージング対象領域をその一部に含む全体領域の拡散テンソル磁気共鳴信号から対象領域に固有の特徴を示す信号を抽出し、画像化することを特徴とする。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).例文帳に追加

ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁

An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.例文帳に追加

この半導体装置では、素子分離領域９を拡散層１４表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層１４とウエル領域８との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a deep impurity diffusion region 8 in a short period of time in a technique for securing a required withstanding voltage by forming the deep impurity diffusion region reaching the depth along a dicing line.例文帳に追加

ダイシングラインに沿って深部に至る深い不純物拡散領域を形成することによって必要な耐圧を確保する技術において、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で製造可能な技術を提供する。 - 特許庁

The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁