「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

To provide a shared-pixel-type image sensor capable of controlling capacitance of a floating diffusion region.例文帳に追加

フローティング拡散領域のキャパシタンスを制御できる共有ピクセル型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip 1a is separated into two regions by a separation diffusion region 107.例文帳に追加

半導体チップ１ａは、分離拡散領域１０７によって２つの領域に分離されている。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the NFET5, a p well diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

NFET５の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｐウェル拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

In this state, the fiber protrusions 6 on the warped region of the gas diffusion layer substrate 2 are removed.例文帳に追加

この状態で、ガス拡散層基材２の当該反らされた部位の繊維突起６を除去する。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the PFET6, an n well diffusion region 9 is formed.例文帳に追加

PFET６の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｎウェル拡散領域９が形成されている。 - 特許庁

A transfer switch transfers the signal electrical charge from the photoelectric conversion element to a floating diffusion region.例文帳に追加

転送スイッチは、光電変換素子からの信号電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する。 - 特許庁

The high-concentration diffusion layer region 11 is formed on the substrates 1 and 10 and has the first conductivity type.例文帳に追加

高濃度拡散層領域１１は基板１、１０上に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

The contact opening 213 is coupled with a second diffusion region 204 of the switching transistor 2.例文帳に追加

接触開口部２１３は、スイッチング用トランジスタ２の第２拡散領域２０４に結合している。 - 特許庁

The width of the n^+ diffusion region 1 becomes smaller at the position where the contact portion 3a is formed.例文帳に追加

ｎ^+拡散領域１の幅は、コンタクト部３ａが形成される位置において狭くなっている。 - 特許庁

A film composed of a metallic silicide is not arranged on the surface of the common diffusion region.例文帳に追加

共通拡散領域の表面上には金属シリサイドからなる膜が配置されていない。 - 特許庁

This semiconductor device includes a diffusion region formed in a first-conductivity semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の半導体層１２内に形成された拡散領域を含む。 - 特許庁

A field oxide region is created on the side opposite to the first and second drain diffusion regions.例文帳に追加

フィールド酸化物領域を、第１及び第２ドレイン拡散領域の反対側に生成する。 - 特許庁

An aluminum electrode 2 is connected to the n^+ diffusion region 1, and is formed to surround the transistor cell.例文帳に追加

アルミ電極２は、ｎ^+拡散領域１に接続し、トランジスタセルを取り囲むように形成される。 - 特許庁

TRANSISTOR CIRCUIT HAVING LIGHTLY-DOPED DIFFUSION REGION COMPRISING VARIOUS RESISTORS FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION例文帳に追加

静電気放電防護用のいろいろな抵抗の軽ドープ拡散領域を有するトランジスタ回路 - 特許庁

To provide a liquid mixing mechanism capable of efficiently performing diffusion mixing in a microscopic region.例文帳に追加

微小領域で効率よく拡散混合を行うことができる液体混合機構を提供する。 - 特許庁

The gate electrode of the transistor (65) and the impurity diffusion region (64) are connected through wiring (66).例文帳に追加

トランジスタ（６５）のゲート電極と不純物拡散領域（６４）とを配線（６６）が接続する。 - 特許庁

A first contact plug 41 electrically connects the first wiring layer and the first diffusion region.例文帳に追加

第１コンタクトプラグ４１は第１配線層と第１拡散領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

The oxide film 13 in a logic section is formed, in contact with the lower surface of a first diffusion region 22 and away from the element isolation insulating film 11, in a region below a gate electrode 21 and a first diffusion region 22.例文帳に追加

ここで、ロジック部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してかつ素子分離絶縁膜１１と離間して、ゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

The surface side of a base region 4, constituted of the well region 8 and a section interposed between the well region 8 and the collector region 6 in the element forming region 3a, is formed with a reconnection region 7 constituted of an n-type impurity diffusion region functioning as the reconnection center of the minority carriers in the base region 4.例文帳に追加

ウェル領域８と、素子形成領域３ａのうちウェル領域８とコレクタ領域６との間に介在する部分で構成されるベース領域４の表面側に、ベース領域４中の少数キャリアの再結合中心として働くｎ形の不純物拡散領域からなる再結合領域７を形成してある。 - 特許庁

A diffusion layer 3 is provided to an edge of an embedded oxide layer 8, that is, a region including a border edge 6 between a SOI region 1 and a non SOI region 5.例文帳に追加

埋め込み酸化物層８の縁部、即ちＳＯＩ領域１と非ＳＯＩ領域５との境界端６を含む領域に拡散層３が設けられている。 - 特許庁

The second well is arranged adjoining the first well, has a prescribed insulation region in the internal section and has a second conductivity-type diffusion region outside the insulation region.例文帳に追加

第２ウェルは、前記第１ウェルに隣接して配置され、内部に所定の絶縁領域を備え、前記絶縁領域の外部には第２導電型拡散領域を備える。 - 特許庁

In the sidewall 21, a region from the region in contact with the gas diffusion electrode layer GDL to the bottom surface 22 and the bottom surface 22 are configured by a hydrophilic region.例文帳に追加

側壁２１において、ガス拡散電極層ＧＤＬに接する領域から底面２２に達する領域及び底面２２は親水性領域により構成されている。 - 特許庁

A second deflecting portion 31 is formed in the non-light emitting region 26 near the region R1 where the luminance is not high enough in the light emitting region 27 having a diffusion pattern.例文帳に追加

拡散パターン２５の設けられている発光領域２７のうち輝度の不足する領域Ｒ１の近傍において、非発光領域２６に第２の偏向部を設ける。 - 特許庁

The region 5 is formed so that the diffusion velocity of the heavy metal is slower than that of the region 5 comparing to the region 3.例文帳に追加

重金属捕獲領域５は、重金属の拡散速度がｐ型半導体領域３よりも重金属捕獲領域５において遅くなるように形成される。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

An N type buffer region 12 containing a relatively high concentration of arsenic via an anti-diffusion region 22 and having a relatively small thickness is formed on the collector region 11.例文帳に追加

コレクタ領域１１の上には、拡散防止領域２２を介して、ヒ素を比較的高濃度で含み、比較的厚みの薄いＮ型バッファ領域１２が形成されている。 - 特許庁

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板１０上にレジストを塗布してソース領域１８、ドレイン領域２２にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域２０を形成する。 - 特許庁

A MOS transistor is equipped with an n^+-source region 7, an n^+-drain region 8, and a gate electrode 6, and a p-type diffusion region 14 of an n-channel stopper is arranged around the MOS transistor.例文帳に追加

Ｎ＋ソース領域７、Ｎ＋ドレイン領域８、ゲート電極６を備えたＭＯＳトランジスタ周辺にＮチャネルストッパのＰ型拡散領域１４が配置される。 - 特許庁

Also, a p^-well 16 is formed below the STI region 5, and a p^+ diffusion region 17 is formed in the region separated from the region right below the regions 6-8 inside the p^-well 16.例文帳に追加

また、ＳＴＩ領域５の下方にはＰ^−ウエル１６を形成し、Ｐ^−ウエル１６の内部における領域６乃至８の直下域から離間した領域にはＰ^＋拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

The floating diffusion part 120 includes: a first region 121; and a second region 122 formed in the first region 121, and higher in concentration of impurity than the first region 121.例文帳に追加

フローティングディフュージョン部１２０は、第１の領域１２１と、第１の領域１２１内に形成され、第１の領域１２１よりも不純物の濃度が高い第２の領域１２２とを有している。 - 特許庁

In a diffusion region 3 of the second conductivity type, a highly doped region 5 of the same conductivity type is introduced in such a manner that a region 2 of the first conductivity type is connected to the region 3 of the second conductivity type.例文帳に追加

第２の伝導型の拡散領域３の中に同じ伝導型の高ドーピング領域５を導入し第１の伝導型の領域２および第２の伝導型の領域３を接続する。 - 特許庁

A second conductive type of first impurity diffusion region 13 is formed in a partial region of a surface of the first layer 12.例文帳に追加

第１の層１２の表面の一部の領域に第２導電型の第１の不純物拡散領域１３が形成されている。 - 特許庁

Diffusion regions 24a, 24b, 25a and 25b are respectively formed on the surface of the first conductivity type region 12 and the second conductivity type region 13.例文帳に追加

拡散領域２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが、第１導電型領域１２及び第２導電型領域１３の表面にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The number of holes of the plural gas diffusion plates 11 and 12 is larger on the side of the substrate processing region more than on the side of the plasma generation region.例文帳に追加

複数のガス拡散板１１，１２の孔の数は、プラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が多い。 - 特許庁

A cathode-side p-type diffusion region 14 is formed in a guard ring-facing region 15 in the cathode facing the guard ring 6.例文帳に追加

カソードにおける、ガードリング６と対向するガードリング対向領域１５に、カソード側ｐ型拡散領域１４が形成されている。 - 特許庁

A ring-like n^+ diffusion region 1 is formed in the peripheral area of the surface region of a semiconductor substrate to surround a transistor cell.例文帳に追加

半導体基板の表面領域の外周領域にトランジスタセルを取り囲むようにリング状のｎ^+拡散領域１が形成される。 - 特許庁

A lower electrode of a capacitor 10 is constituted in a predetermined region of one surface of a silicon substrate 8, wherein a diffusion region 7 is formed.例文帳に追加

シリコン基板８が、一方の面の所定の領域に拡散領域７が形成され、キャパシタ１０の下部電極を構成する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 20a, 20b, 20c and 20d are formed in the surface region of the p-type well region 15, other than the respective gates 17, 18 and 19.例文帳に追加

各ゲート１７，１８，１９を除く、Ｐ型ウェル領域１５の表面領域にはＮ型拡散層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成されている。 - 特許庁

An N-type impurity diffusion region 124 is provided adjacent to the surface-layer P-type impurity diffusion region 122, and the diffusion regions 122 and 124 are connected to a signal terminal 140, via a silicide layer 130 that is formed on the surface.例文帳に追加

表層のＰ型不純物拡散領域１２２と隣接してＮ型不純物拡散領域１２４が設けられ、これらの拡散領域１２２，１２４は、その表面に形成したシリサイド層１３０を介して信号端子１４０に接続される。 - 特許庁