「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

In a region AR6 located above the base diffusion region 201a and above the source diffusion region 201c, an M0 wire 301f capable of providing a predetermined voltage for preventing the source diffusion region 201c from being depleted when transferring a voltage used for writing by the transfer transistor QNi is formed.例文帳に追加

ベース拡散領域２０１ａの上部であり且つソース拡散領域２０１ｃの上部である領域ＡＲ６には、転送トランジスタＱＮｉが書込みに用いられる電圧を転送する際にソース拡散領域２０１ｃが空乏化することを防止するための所定電圧を与えられるＭ０配線３０１ｆが形成されている。 - 特許庁

The low-density N-type diffusion region 108, low-density and high-density N-type diffusion regions 109 and 106, and high-density N-type diffusion region 104 form parasitic bipolar transistors 203 and 204.例文帳に追加

前記ゲートＧの近傍には、前記低濃度Ｎ型拡散領域１０８と、前記低濃度及び高濃度Ｎ型拡散領域１０９、１０６と、高濃度Ｎ型拡散領域１０４とにより寄生バイポーラトランジスタ２０３、２０４が形成される。 - 特許庁

A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.例文帳に追加

このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。 - 特許庁

A P-type diffusion region 44 is formed on a surface of the substrate 21, which is under each circuit element so that the region 44 will play the role of junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method makes it possible to form, in the offset region, the p-type diffusion layer used as a drain region with high accuracy of position.例文帳に追加

この製造方法により、オフセット領域にドレイン領域として用いるＰ型の拡散層を位置精度良く形成できる。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the diffusion region of boron can be formed in a predetermined region.例文帳に追加

所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。 - 特許庁

The vertical transistor has a semiconductor region, a columnar region provided on the semiconductor region, a gate insulating film provided covering a side face of the columnar region, a gate electrode provided on the gate insulating film, a first impurity diffusion region provided over the columnar region, and a second impurity diffusion region provided in the semiconductor region to surround the columnar region.例文帳に追加

縦型トランジスタは、半導体領域と、半導体領域上に設けられた柱状領域と、柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、柱状領域の上部に設けられた第１の不純物拡散領域と、半導体領域内に柱状領域を囲むように設けられた第２の不純物拡散領域と、を有する。 - 特許庁

Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁

Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.例文帳に追加

また，ゲートトレンチ２１の長手方向の端部と接し，Ｐ^- ボディ領域４１およびＰ拡散領域５１よりも低濃度のＰ^--拡散領域５２が形成されている。 - 特許庁

To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.例文帳に追加

拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁

A current measuring part 1 measures the value of a current flowing through the second diffusion region c or the fourth diffusion region e, and outputs current value signals corresponding to the measured current value.例文帳に追加

電流測定部１は、第２拡散領域または第４拡散領域を流れる電流の電流値を測定し、且つ測定された電流値に応じた電流値信号を出力する。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6.例文帳に追加

サイドキャップ膜６の幅の分、低濃度のソース領域７aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域７ａの幅を広く維持することができる。 - 特許庁

A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁

The p-type diffusion region 1B overlaps with the p-type diffusion region 1a, with an end part Sa at a substrate surface positioned directly below the sidewall insulating layer 7.例文帳に追加

ｐ型拡散領域１ｂはｐ型拡散領域１ａと重複した部分を有しており、かつ基板表面における端部ＳＡが側壁絶縁層７の真下に位置している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing increase in the contact resistance caused by the shrinkage of a diffusion layer region, even when forming the diffusion layer region thiny.例文帳に追加

拡散層領域を細く形成する場合でも、拡散層領域の縮みによるコンタクト抵抗の増大を抑えることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Four corners of a guard groove 22b in the shape of rectangular ring are made perpendicularly cross one and another, and a rounded outer auxiliary diffusion region 35 and an inner auxiliary diffusion region 34 are connected to the four corners.例文帳に追加

四角リング状のガード溝２２ｂの四隅は直角に交差させ、丸みを帯びた外側補助拡散領域３５と内側補助拡散領域３４を四隅部分に接続する。 - 特許庁

A high conductivity region 18 that comprises the surface part of the drain region is diffused more deeply than a main diffusion layer 36 and channel diffusion layer 37, and its conductive resistance is kept at a low level.例文帳に追加

ドレイン領域の表面部分を構成する高導電領域１８は、主拡散層３６やチャネル拡散層３７よりも深く拡散されており、導通抵抗が小さくなっている。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

A scan-in terminal Sin is connected to a diffusion layer region 220, and a scan-out terminal Sout is connected to the diffusion layer region 225 via a charge-voltage conversion amplifier 401.例文帳に追加

拡散層領域２２０にはスキャンイン端子Ｓｉｎが接続され、拡散層領域２２５には電荷電圧変換アンプ４０１を介してスキャンアウト端子Ｓｏｕｔが接続される。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

Consequently, the diffusion region 18 formed on the half-dry mask 14 has a higher impurity concentration when compared with that in a diffusion region 16 where the half-dry mask 14 is not formed.例文帳に追加

これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

The impurity density of a second diffusion region constituting the first ballast resistance 4 is lower than the impurity density of a fourth diffusion region constituting the second ballast resistance 6.例文帳に追加

第１バラスト抵抗４を構成する第２拡散領域の不純物濃度は、第２バラスト抵抗６を構成する第４拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。 - 特許庁

The doping of N-type region 111a and P-type region 112a respectively are executed, independent of the doping of N type diffusion layer of NMOS and the doping of P type diffusion layer of PMOS.例文帳に追加

Ｎ型領域１１１ａ，Ｐ型領域１１２ａのドーピングは、それぞれＮＭＯＳのＮ型拡散層のドーピング，ＰＭＯＳのＰ型拡散層のドーピングと独立に行なわれる。 - 特許庁

An insulating film A or insulating film B thicker than the gate insulating film is each formed among the gate electrode, the lower dopant diffusion region, and an upper dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域及び上部不純物拡散領域間に、ゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜Ａ又は絶縁膜Ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

Further, the distance L1 between the floating diffusion region 8 and the output gate electrode 6 is set larger than the distance L2 between the floating diffusion region 8 and the reset gate electrode 11.例文帳に追加

また、フローティングディフュージョン領域８と出力ゲート電極６との間の距離Ｌ１は、フローティングディフュージョン領域８とリセットゲート電極１１との間の距離Ｌ２よりも大きい。 - 特許庁

The width of the n^++ diffusion region 3 is made wider than a blade width of a dicer so that the n^++ diffusion region 3 may be left over on the peripheral edge of each chip divided by dicing.例文帳に追加

その際、ダイシングにより分割された各チップの外周縁にｎ^＋＋拡散領域３が残るように、ｎ^＋＋拡散領域３の幅をダイサーの刃幅よりも広くする。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion region 13 is formed below the gate electrodes 11 and 12 and an N-type impurity diffusion region 16 is formed below the gate electrodes 14 and 15.例文帳に追加

ゲート電極１１，１２の下部にはＰ型不純物拡散領域１３が形成され、ゲート電極１４，１５の下部にはＮ型不純物拡散領域１６が形成されている。 - 特許庁

In addition, a pair of third diffusion layers 6, which are deeper surface layers than the second diffusion layers 5b of the semiconductor substrate, are formed in a region externally adjacent to the second diffusion layers 5b.例文帳に追加

また、半導体基板の第２の拡散層５ｂよりも深い表層であって、第２の拡散層５ｂと外方で隣り合う領域に一対の第３の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 32 as a channel region is formed to the substrate on the source side of the gate electrode 30, and a source diffusion layer 34 is formed on the substrate in the P-type diffusion layer 32.例文帳に追加

ゲート電極３０のソース側の基板にはチャネル領域となるＰ型拡散層３２が形成され、Ｐ型拡散層３２内の基板にはソース拡散層３４が形成されている。 - 特許庁

The floating gate 40 overlaps a diffusion layer 80 provided in the semiconductor substrate 20 apart from a channel region 90 between the diffusion layer 60 and diffusion layer 70.例文帳に追加

フローティングゲート４０は、拡散層６０と拡散層７０との間のチャネル領域９０から離間して半導体基板２０内に設けられた拡散層８０とオーバーラップしている。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 11, a first diffusion region 12 arranged on the semiconductor substrate, the semiconductor element 17 arranged on the first diffusion region 12, and a passage 14 which is arranged on the first diffusion region 12 and to which a fluid for cooling is supplied.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板に設けられた第１の拡散領域１２と、第１の拡散領域１２に設けられた半導体素子１７と、第１の拡散領域１２に設けられ、かつ冷却用の流体が供給される通路１４とを含む。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region.例文帳に追加

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, to determine the minimum clearance (d) between an n + source drain region and a p + source drain region, the lateral diffusion distance of the N well region needs not be considered but only a lateral diffusion distance 1' of the P well region 54 might as well be considered.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ソースドレイン領域とＰ型ソースドレイン領域との間の最小間隔ｄを決める際に、Ｎウエル領域の横方向拡散距離を考慮する必要がなく、このＰウエル領域５４の横方向拡散分ｌ’だけを考慮すればよい。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

A first diffusion layer 12 and a second diffusion layer 13 are formed so as to contact the first region 15 in the first well 11.例文帳に追加

第１ウエル１１中には、上記第１領域１５に接するように第１拡散層１２及び第２拡散層１３が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 9 is arranged to cover the P-type diffusion layer 5 in the region where the N-type diffusion layers 6 and 7 face each other.例文帳に追加

そして、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層６、７が対向する領域のＰ型の拡散層５上を被覆するように配置されている。 - 特許庁