「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate wiring 105 has a contact 105a with a width in the gate-length direction larger than gate electrodes 103 and 104, between a p-type impurity diffusion region 101 and an n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１とＮ型不純物拡散領域１０２との間に、ゲート電極１０３及び１０４よりもゲート長方向の幅が大きいコンタクト部１０５ａを有している。 - 特許庁

Formed is, just under the silicide block 51a of an HV ESD protection device 1A, a diffusion layer resistance region 29a of the same junction depth as those of LDD diffusion layers 26a and 27a for forming an extension region.例文帳に追加

たとえば、ＨＶ用のＥＳＤ保護素子１Ａのシリサイドブロック５１ａの直下には、エクステンション領域を形成するためのＬＤＤ拡散層２６ａ，２７ａと同じ接合深さの拡散層抵抗領域２９ａが形成されている。 - 特許庁

A thick film part 107a with a thickness of T1 is formed on the surface of the p-type diffusion region 103, and a thin film part 107b with a thickness of T2 thinner than the thick film part 107a is formed on the surface of the n-type diffusion region 105.例文帳に追加

ｐ型拡散領域１０３の表面には膜厚Ｔ１の厚膜部１０７ａが形成され、ｎ型拡散領域１０５の表面には、厚膜部１０７ａよりも薄い膜厚Ｔ２の薄膜部１０７ｂが形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region 197A has a function of horizontally separating the electric charge discharge drain 205, which is formed in the deep part of a substrate and is formed to have a smaller width, as compared with the impurity diffusion region 197A of a pixel part.例文帳に追加

また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。 - 特許庁

The first switch SW1 includes a first diffusion layer region 11 of a first conductive p-type formed on a substrate 15 of the first conductive p-type, and a first MOS transistor 10 formed on the first diffusion layer region 11.例文帳に追加

第１スイッチＳＷ１は、第１導電型Ｐの基板１５上に形成された第１導電型Ｐの第１拡散層領域１１と、第１拡散層領域１１上に形成された第１ＭＯＳトランジスタ１０とを備える。 - 特許庁

Metal is arranged around a PolySi film and in a diffusion region with PolySi-film added to provide the capacitor made of the PolySi film and for increasing shading at the diffusion region in the capacitor and the capacity of the capacitor.例文帳に追加

PolyＳｉ膜製のキャパシタを有し、このキャパシタの拡散領域部の遮光およびキャパシタの容量を増加させることを目的として、PolyＳｉ膜の周囲および拡散領域にメタルを配置して、PolyＳｉ-メタル容量を付加させる。 - 特許庁

The noises generated at a noise generating source 201 pass sequentially through a grounding metallic electrode 202, a contact hole 208, a p-type diffusion region 209, and a parasitic resistor 210 on a p-type semiconductor substrate and reach a p-type diffusion region 206.例文帳に追加

ノイズ発生源２０１で発生したノイズは接地用メタル電極２０２、コンタクトホール２０８、Ｐ型拡散層領域２０９、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１０を順に通過しＰ型拡散領域２０６に到達する。 - 特許庁

A channel P diffusion layer 7 is formed on the outer circumferential side at the surface layer part of the element forming layer 6b, an emitter region 5 is formed to surround the collector region 3 on the outer circumferential side of the unit cell 1 at the surface layer part of the channel P diffusion layer 7, and a base region 4 is formed on the central part side.例文帳に追加

また、素子形成層６ｂの表層部のうち外周側にchannelP拡散層７が形成され、channelP拡散層７の表層部のうち単位セル１の外周側にコレクタ領域３を囲む様にしてエミッタ領域５が形成され、中心部側にベース領域４が形成されている。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

An individual electrode 44 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 overlapping a part of a region of the common electrode 42 formed on the diffusion prevention layer 41 in the plan view, and an extraction electrode 47 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 without overlapping the diffusion prevention layer 41 in the plan view.例文帳に追加

圧電層４３の平面視で共通電極４２の拡散防止層４１上に形成された領域の一部と重なる領域に個別電極４４を形成するとともに、圧電層４３の平面視で拡散防止層４１と重ならない領域に引出電極４７を形成する。 - 特許庁

Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus.例文帳に追加

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層（３）とを具備するＭＩＳトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

A floating diffusion layer between the transfer gate and the reset gate, a light receiving element at a side of the transfer gate away from and opposite to the floating diffusion layer, and a source/drain region at a side of the reset gate away from and opposite to the floating diffusion layer, are formed.例文帳に追加

トランスファーゲート及びリセットゲートの間の浮遊拡散層、浮遊拡散層に対向したトランスファーゲートの一側の受光素子、及び浮遊拡散層に対向したリセットゲートの一側のソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

On each surface side of the plurality of p-type body regions 2, an n-type diffusion region is formed, which is to be a source region 3, and a channel region 8 is formed between the source region 3 and drain region 1, forming a transistor cell.例文帳に追加

そして、複数個のｐ形ボディ領域２のそれぞれの表面側にｎ形の拡散領域が形成されてソース領域３とされ、そのソース領域３とドレイン領域１により挟まれた部分にチャネル領域８が形成されることにより、トランジスタセルが形成されている。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁

In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加

高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル１０において、指定濃度１２よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域１４とし、指定濃度１２よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域１６とする。 - 特許庁

The device is provided with a diffusion degree adjusting means 3 equipped with at least two diffusion regions 3a, 3b, 3c different in diffusion degrees, that is degrees of diffusing light, and at least two diffusion regions 3a, 3b, 3c of the diffusion degree adjustment means 3 are so structured as to have light of different colors irradiated for each region.例文帳に追加

光を拡散させる度合いである拡散度が異なる少なくとも２つの拡散領域３ａ，３ｂ，３ｃを有してなる拡散度調整手段３を有し、拡散度調整手段３の少なくとも２つの拡散領域３ａ，３ｂ，３ｃは、該拡散領域毎に異なる色の光が照射される構成となっていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a junction field-effect transistor(JFET) formed so that the diffusion depth of the impurity in a gate region does not vary.例文帳に追加

ゲート領域での不純物の拡散深さがばらつかないようにした接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To each side of the rectangular region of the diffusion layer, rectangular openings are provided at positions where the centers of respective sides intersect at right angles.例文帳に追加

また、該拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を設ける。 - 特許庁

To obtain a diffusion layer for a fuel cell that is operable in a wide temperature region ranging from below freezing point up to high temperatures.例文帳に追加

氷点下から高温までの広範囲温度領域で運転可能な燃料電池用拡散層を得ること。 - 特許庁

To secure the gap of a contact between a gate electrode connected to a diffusion region, while forming a silicide in the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にシリサイドを形成しつつ、拡散領域に接続するコンタクトとゲート電極の間隔を確保する。 - 特許庁

A first diffusion region of a second conductivity opposed to the first conductivity is formed in the surface layer part.例文帳に追加

第１の導電型とは反対の第２の導電型の第１の拡散領域が、表層部内に形成されている。 - 特許庁

On a side face of the columnar semiconductor 14, silicide 18 and an n-type diffusion layer (impurity region) 19 are formed.例文帳に追加

柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。 - 特許庁

Aluminum is sputtered thereon and is subjected to a photolithographic etching processing to form a diffusion reflection electrode MT in a reflection region.例文帳に追加

この上にアルミニウムをスパッタし、フォトリソ−エッチング処理で反射領域に拡散反射電極ＭＴを形成する。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 21 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 56 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 19 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 54 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５４からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１９が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 20 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 49 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４９からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２０が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 18 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 47 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４７からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１８が露出している。 - 特許庁

In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38.例文帳に追加

一方、縦型ＰＮＰトランジスタ２１では、Ｎ＋型拡散領域３８でトランジスタ２１形成領域を囲っている。 - 特許庁

A container 17 to adjust the uniformity of the plasma density is installed in a diffusion region of plasma generated in a line state.例文帳に追加

ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。 - 特許庁

Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加

したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

An infiltrate-trapping material (81) reduces diffusion of the dopants in the base region during subsequent thermal treatment processes.例文帳に追加

侵入物トラップ材料（８１）は、後続の熱処理工程の間に、ベース領域内へドーパントが拡散することを減じる。 - 特許庁

A photoelectric conversion part, an FD (Floating Diffusion), and a transfer transistor are arranged in a matrix in a first pixel region, in pixel units.例文帳に追加

第１画素領域には光電変換部、ＦＤ、及び転送トランジスタが画素を単位として行列状に配される。 - 特許庁

A first impurity diffusion region is formed on a surface layer portion of the semiconductor substrate on the inner side of the seal ring.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。 - 特許庁

To reduce the region of gas diffusion layer which does not contribute to power generation and improve the efficiency and output density of a fuel cell.例文帳に追加

発電に寄与しないガス拡散層の領域を縮小し、燃料電池の効率と出力密度を向上させる。 - 特許庁

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

Further, an n-well region 15 of the SCR 11 is connected to a drain diffusion zone 32 of an n-type MOSFET 31.例文帳に追加

さらに、ＳＣＲ１１のＮウェル領域１５は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ３１のドレイン拡散層３２に接続されている。 - 特許庁

An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４に形成されたＰ型アイソレーション層８の周囲にＮ＋型拡散領域９を形成する。 - 特許庁

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。 - 特許庁