「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive and practical metal oxide which has sufficient oxygen diffusion ability and oxygen non-stoichiometric property at 500°C or less, is excellent in chemical stability in an high temperature region in the vicinity of 600°C, and has an oxygen storage capability excellent as materials for an exhaust gas purifying catalyst, an oxygen storage material, an oxygen separator, an oxygen remover, an oxygen selector, an oxygen enricher, etc.例文帳に追加

５００℃以下で、充分な酸素拡散能及び酸素不定比性を有し、かつ、６００℃付近の高温域にて化学的安定性に優れ、排ガス浄化触媒、酸素貯蔵材料、酸素分離装置、酸素除去装置、酸素選択装置、酸素富化装置等の材料として優れた酸素貯蔵能を備える、安価で実用的な金属酸化物を提供する。 - 特許庁

A gate insulation layer with a hydrogen concentration of less than 6×10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration of 1×10^20 atoms/cm^3 or more is used as a gate insulation layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, whereby the amount of hydrogen released from the gate insulation layer can be reduced and hydrogen diffusion to the oxide semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つフッ素濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線２２０とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン４３２ａを含む。 - 特許庁

To provide a signal converting device that is suitably constituted as a solid-state imaging element including a floating diffusion amplifier formed of an FD region, assuring small capacity and higher charge-voltage converting efficiency as a signal charge detecting means; and to provide a method for manufacturing the same device ensuring higher productivity and manufacturing yield, and a signal measuring system using the same signal converting device.例文帳に追加

信号電荷検出手段として、容量が小さく、電荷−電圧変換効率の高いＦＤ領域からなるフローティングディフュージョン増幅器を備え、固体撮像素子などとして構成されるに好適な信号変換装置、及び生産性および製造歩留まりに優れたその製造方法、並びにその信号変換装置を用いた信号計測システムを提供すること。 - 特許庁

Energy of a level at which the desorption of an odorous material does not occur is applied by using a heating means 4 to the adsorbent 2 simultaneously with the irradiation of the photocatalyst 3 with light, by which the diffusion rate of the odorous material from the adsorbent 2 to the photocatalyst 3 is increased and the deodorizing rate in a low concentration region may be improved and the deodorizing capability of the adsorbent may be efficiently regenerated.例文帳に追加

光触媒３に光に照射すると同時に、吸着剤２に対して加温手段４を用いて臭気物質１２の脱離が起きないレベルのエネルギーを加えることにより、吸着剤２から光触媒３への臭気物質１２の拡散速度を増加し、低濃度域での脱臭速度が向上することが、また吸着剤の脱臭能力も効率良く再生できる。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

In a semiconductor storage device, having an element isolation film formed in a silicon substrate 101 and a plurality of semiconductor memory cells formed between the element isolation films, there are provided conductive films 116a, 116b which are formed on the plane of the silicon substrate 101, and connect a source diffusion region 112 of at least two semiconductor memory cells.例文帳に追加

シリコン基板１０１中に形成された素子分離膜と、素子分離膜の間に形成された複数の半導体メモリセルとを有する半導体記憶装置であって、シリコン基板１０１の面上に形成されると共に少なくとも二つの半導体メモリセルのソース拡散領域１１２を接続する導電性膜１１６ａ，１１６ｂを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge and the manufacturing method for preventing generation of channels in the semiconductor strain gauge, which stabilizes the resistance value of output by preventing the generation of channel which tends to be generated between electrodes pads, when impurities and charge are adhered around a diffusion resistor region, or when the impurity concentration of the semiconductor substrate is low, and which can be used for various acceleration sensors, pressure sensors, etc.例文帳に追加

半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a dummy gate on a semiconductor substrate, a process for forming a source/drain diffusion region by introducing impurities in the semiconductor substrate using the dummy gate as a mask, a process for forming an insulating film around the dummy gate, a process for forming an opening by removing the dummy gate, and a process for forming a gate electrode in the opening via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板上にダミーゲートを形成する工程、前記ダミーゲートをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して、ソース・ドレイン拡散領域を形成する工程、前記ダミーゲートの周囲に絶縁膜を形成する工程、前記ダミーゲートを除去して開口部を形成する工程、及び前記開口部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を具備する方法である。 - 特許庁

Specifically, information on poor working conditions at foreign-invested companies which unfairly calculate overtime wages and holidays and do not adhere to labor laws has spread to workers with the diffusion of cell phones and the Internet in recent years. This has presumably led workers to migrate to Shanghai and areas in the western region of Zhu Jiang (Guangzhou, Foshan, and Zhongshan) with good working conditions, resulting in a labor shortage.例文帳に追加

すなわち、残業代や休日の不当計算、労働法を遵守していないこと等、劣悪な外資系企業の労働条件に関する情報が、近年の携帯電話やインターネットの普及と相まって労働者に普及し、上海や珠江西部（広州、佛山、中山）の労働条件の良い地域へと労働者が移動した結果として人手不足問題が発生したという見方である。 - 経済産業省

The patterning method comprises a step for forming a barrier 30 on a substrate P, a step for forming a conductive layer 80 in a patterning region 30a surrounded by the barrier 30, a step for arranging plating nuclei 26 on the conductive layer 80, and a step for forming an anti-diffusion layer 82 on the conductive layer 80 by electroless plating method using the plating nuclei 26 as a catalyst.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核２６を配置するめっき核配置工程と、導電層８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁